\u00abANEXO I.1<\/h5>\nMaterial de defensa en general<\/h5>\n
Nota\u00a01: Los t\u00e9rminos que aparecen entre comillas dobles (\u201c\u201d) en el presente anexo se encuentran definidos en el denominado Ap\u00e9ndice de Definiciones de los T\u00e9rminos Empleados en los Anexos. Los t\u00e9rminos que aparecen entre comillas simples (\u2018\u2019) se encuentran definidos, generalmente, en el correspondiente art\u00edculo.<\/p>\n
Nota\u00a02: En algunos casos, los productos qu\u00edmicos se listan por nombre y n\u00famero CAS. La lista se aplica a los productos qu\u00edmicos de la misma f\u00f3rmula estructural (incluidos los hidratos) independientemente del nombre o del n\u00famero CAS. Los n\u00fameros CAS se muestran para ayudar a identificar un producto qu\u00edmico o una mezcla independientemente de su nomenclatura. Los n\u00fameros CAS no pueden ser usados como identificadores \u00fanicos porque algunas formas de los productos qu\u00edmicos listados tienen n\u00fameros CAS diferentes y, adem\u00e1s, mezclas que contienen un producto qu\u00edmico listado pueden tener un n\u00famero CAS diferente.<\/p>\n
Nota\u00a03: Todas las referencias a otros art\u00edculos o subart\u00edculos que aparecen en este anexo I.1 se entender\u00e1n de este anexo I.1 salvo referencia expresa a otro anexo o lista de productos.<\/p>\n
ML1 Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa con un calibre inferior a\u00a020 mm, otras armas de fuego y armas autom\u00e1ticas con un calibre de\u00a012,7 mm (calibre de\u00a00,50 pulgadas) o inferior y accesorios, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellas:<\/p>\n
Nota: El art\u00edculo ML1 no se aplica a lo siguiente:<\/p>\n
a.\u2003Las armas de fuego dise\u00f1adas especialmente para municiones inertes de instrucci\u00f3n y que sean incapaces de disparar proyectiles;<\/p>\n
b.\u2003Las armas de fuego dise\u00f1adas especialmente para el lanzamiento de proyectiles retenidos por cables sin carga explosiva elevada ni enlace de comunicaciones, en un radio inferior o igual a\u00a0500 m;<\/p>\n
c.\u2003Las armas que utilicen municiones con casquillo de percusi\u00f3n no central y que no sean totalmente autom\u00e1ticas.<\/p>\n
d.\u2003\u201cArmas desactivadas\u201d.<\/p>\n
Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n
A efectos del art\u00edculo ML1, nota d, un \u201carma desactivada\u201d es un arma que ha sido privada de la capacidad de disparar proyectil alguno mediante los procesos definidos por la autoridad nacional del Estado miembro de la UE o del Estado participante en el Arreglo de Wassenaar. Estos procesos modifican de manera irreversible las piezas esenciales del arma de fuego. De conformidad con las disposiciones legales y reglamentarias nacionales, la desactivaci\u00f3n del arma de fuego puede acreditarse mediante certificado expedido por una autoridad nacional y puede indicarse en el arma mediante marcado en una de las piezas esenciales.<\/p>\n
a)\u2003Fusiles y armas combinadas, armas cortas, ametralladoras, fusiles ametralladoras y armas multitubo;<\/p>\n
Nota: El subart\u00edculo ML1.a no se aplica a lo siguiente:<\/p>\n
a.\u2003Fusiles y armas combinadas, manufacturados con anterioridad a\u00a01938;<\/p>\n
b.\u2003Reproducciones de fusiles y armas combinadas, cuyos originales hayan sido manufacturados con anterioridad a\u00a01890;<\/p>\n
c.\u2003Escopetas, armas multitubo y ametralladoras manufacturadas con anterioridad a\u00a01890 y sus reproducciones;<\/p>\n
d.\u2003Fusiles o armas cortas, dise\u00f1ados especialmente para disparar proyectiles inertes con aire comprimido o CO2<\/sub>.<\/p>\n e.\u2003Armas cortas dise\u00f1adas especialmente para cualquiera de los siguientes usos:<\/p>\n 1.\u2003Sacrificio de animales dom\u00e9sticos, o<\/p>\n 2.\u2003Sedaci\u00f3n de animales.<\/p>\n b)\u2003Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa dise\u00f1adas especialmente para uso militar;<\/p>\n 2.\u2003Otras armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003Armas de tipo totalmente autom\u00e1tico;<\/p>\n b.\u2003Armas de tipo semiautom\u00e1tico o de bombeo.<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML1.b.2 no se aplica a las armas dise\u00f1adas especialmente para disparar proyectiles inertes con aire comprimido o CO2<\/sub>.<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML1.b no se aplica a lo siguiente:<\/p>\n a.\u2003Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa manufacturadas con anterioridad a\u00a01938;<\/p>\n b.\u2003Reproducciones de armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa cuyos originales fueron manufacturados con anterioridad a\u00a01890;<\/p>\n c.\u2003Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa usadas en el tiro deportivo o en la caza. Estas armas no deben estar dise\u00f1adas especialmente para el uso militar ni ser de tipo totalmente autom\u00e1tico;<\/p>\n d.\u2003Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa dise\u00f1adas especialmente para cualquiera de los usos siguientes:<\/p>\n 1.\u2003Sacrificio de animales dom\u00e9sticos;<\/p>\n 2.\u2003Sedaci\u00f3n de animales;<\/p>\n 3.\u2003Ensayos s\u00edsmicos;<\/p>\n 4.\u2003Lanzamiento de proyectiles industriales; o<\/p>\n 5.\u2003Desactivaci\u00f3n de dispositivos explosivos improvisados.<\/p>\n NB: Para los desactivadores, v\u00e9anse el art\u00edculo ML4 y el art\u00edculo\u00a01A006 en la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n c)\u2003Armas que utilizan municiones sin vaina;<\/p>\n d)\u2003Accesorios dise\u00f1ados para las armas contempladas en los subart\u00edculos ML1.a, ML1.b o ML1.c, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Cargadores desmontables;<\/p>\n 2.\u2003Supresores o moderadores del ruido;<\/p>\n 3.\u2003\u201cMontajes de ca\u00f1\u00f3n\u201d.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A efectos del subart\u00edculo Ml1.d.3, los \u201cmontajes de ca\u00f1\u00f3n\u201d son apartados para: montar una pistola en un veh\u00edculo de tierra, \u201caeronave\u201d, buque o estructura.<\/p>\n 4.\u2003Apagafogonazos;<\/p>\n 5.\u2003Visores \u00f3pticos con procesado electr\u00f3nico de imagen;<\/p>\n 6.\u2003Visores \u00f3pticos dise\u00f1ados especialmente para uso militar.<\/p>\n ML2 Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa con un calibre igual o superior a\u00a020 mm, otras armas o armamento con un calibre superior a\u00a012,7 mm (calibre de\u00a00,50 pulgadas), proyectores dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar y accesorios, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n a)\u2003Armas de fuego (incluidas las piezas de artiller\u00eda), obuses, ca\u00f1ones, morteros, armas contracarro, lanzaproyectiles, lanzallamas, fusiles, fusiles sin retroceso y armas de \u00e1nima lisa;<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML2.a incluye inyectores, aparatos de medida, tanques de almacenamiento y otros componentes dise\u00f1ados especialmente para ser usados con cargas de proyecci\u00f3n l\u00edquidas, para cualquiera de los equipos especificados en el subart\u00edculo ML2.a.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML2.a no se aplica a las armas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Fusiles, armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa y armas combinadas, manufacturados con anterioridad a\u00a01938.<\/p>\n b.\u2003Reproducciones de fusiles, armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa y armas combinadas, cuyos originales hayan sido manufacturados con anterioridad a\u00a01890.<\/p>\n c.\u2003Armas de fuego (incluidas las piezas de artiller\u00eda), obuses, ca\u00f1ones y morteros, manufacturados con anterioridad a\u00a01890.<\/p>\n d.\u2003Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa usadas en el tiro deportivo o en la caza. Estas armas no deben estar dise\u00f1adas especialmente para el uso militar ni ser de tipo totalmente autom\u00e1tico.<\/p>\n e.\u2003Armas con ca\u00f1\u00f3n de \u00e1nima lisa dise\u00f1adas especialmente para cualquiera de los usos siguientes:<\/p>\n 1.\u2003Sacrificio de animales dom\u00e9sticos;<\/p>\n 2.\u2003Sedaci\u00f3n de animales;<\/p>\n 3.\u2003Ensayos s\u00edsmicos;<\/p>\n 4.\u2003Lanzamiento de proyectiles industriales, o<\/p>\n 5.\u2003Desactivaci\u00f3n de dispositivos explosivos improvisados.<\/p>\n N.B.: Para los desactivadores, v\u00e9anse el art\u00edculo ML4 y el art\u00edculo\u00a01A006 en la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n f.\u2003Lanzadores port\u00e1tiles de proyectiles dise\u00f1ados especialmente para el lanzamiento de proyectiles retenidos por cables sin carga explosiva elevada ni enlace de comunicaciones, en un radio inferior o igual a\u00a0500 m. b)<\/p>\n b)\u2003Proyectores dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Proyectores para botes de humo;<\/p>\n 2.\u2003Proyectores para cartuchos de gas;<\/p>\n 3.\u2003Proyectores para material pirot\u00e9cnico.<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML2.b no se aplica a las pistolas de se\u00f1alizaci\u00f3n.<\/p>\n c)\u2003Accesorios dise\u00f1ados especialmente para las armas especificadas en el subart\u00edculo ML2.a, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Visores y montajes para visores dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n 2.\u2003Dispositivos para la reducci\u00f3n de la firma;<\/p>\n 3.\u2003Guarniciones;<\/p>\n 4.\u2003Cargadores desmontables.<\/p>\n d)\u2003Sin uso desde\u00a02019.<\/p>\n ML3 Municiones y dispositivos para el armado de los cebos, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n a)\u2003Munici\u00f3n para las armas especificadas por los art\u00edculos ML1, ML2 o ML12;<\/p>\n b)\u2003Dispositivos para el armado de los cebos dise\u00f1ados especialmente para la munici\u00f3n especificada por el subart\u00edculo ML3.a.<\/p>\n Nota\u00a01: Los componentes dise\u00f1ados especialmente especificados en el art\u00edculo ML3 incluyen:<\/p>\n a.\u2003Las piezas de metal o pl\u00e1stico, como los yunques de cebos, las vainas para balas, los eslabones, las cintas y las piezas met\u00e1licas para municiones;<\/p>\n b.\u2003Los dispositivos de seguridad y de armado, los cebos, los sensores y los dispositivos para la iniciaci\u00f3n;<\/p>\n c.\u2003Las fuentes de alimentaci\u00f3n de elevada potencia de salida de un solo uso operacional;<\/p>\n d.\u2003Las vainas combustibles para cargas;<\/p>\n e.\u2003Las submuniciones, incluidas peque\u00f1as bombas, peque\u00f1as minas y proyectiles con guiado final.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML3.a no se aplica a lo siguiente:<\/p>\n a.\u2003Municiones engarzadas sin proyectil;<\/p>\n b.\u2003Municiones para instrucci\u00f3n inertes con vaina perforada;<\/p>\n c.\u2003Otras municiones inertes o de fogueo, que no incorporen componentes dise\u00f1ados para munici\u00f3n real; o<\/p>\n d.\u2003Componentes dise\u00f1ados especialmente para munici\u00f3n inerte o de fogueo, especificados en la presente Nota\u00a02, letras a, b o c.<\/p>\n Nota\u00a03: El subart\u00edculo ML3.a no se aplica a los cartuchos dise\u00f1ados especialmente para cualquiera de los siguientes prop\u00f3sitos:<\/p>\n a.\u2003Se\u00f1alizaci\u00f3n;<\/p>\n b.\u2003Para espantar p\u00e1jaros; o<\/p>\n c.\u2003Encendido de antorchas de gas en pozos de petr\u00f3leo.<\/p>\n ML4 Bombas, torpedos, cohetes, misiles, otros dispositivos y cargas explosivas, equipo relacionado y accesorios, seg\u00fan se indica, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n N.B.1 Para equipos de guiado y navegaci\u00f3n, v\u00e9ase el art\u00edculo ML11.<\/p>\n N.B.2 Para los sistemas de protecci\u00f3n de misiles para aeronaves (AMPS), v\u00e9ase el subart\u00edculo ML4.c.<\/p>\n a)\u2003Bombas, torpedos, granadas, botes de humo, cohetes, minas, misiles, cargas de profundidad, cargas de demolici\u00f3n, dispositivos de demolici\u00f3n, equipos de demolici\u00f3n, \u201cproductos pirot\u00e9cnicos\u201d, cartuchos y simuladores (es decir, equipo que simule las caracter\u00edsticas de cualquiera de estos materiales), dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML4.a incluye:<\/p>\n a.\u2003Granadas fum\u00edgenas, bombas incendiarias y dispositivos explosivos;<\/p>\n b.\u2003Toberas de cohetes o misiles y puntas de ojiva de veh\u00edculos de reentrada.<\/p>\n NB: Para munici\u00f3n con granada o filtro para armas o proyectores especificados en ML1 o ML2 y submuniciones dise\u00f1adas especialmente para municiones, v\u00e9ase el art\u00edculo ML3.<\/p>\n b)\u2003Equipos con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n 1.\u2003Dise\u00f1ados especialmente para uso militar; y<\/p>\n 2.\u2003Dise\u00f1ados especialmente para \u201cactividades\u201d relacionadas con cualquiera de los siguientes elementos:<\/p>\n a.\u2003Art\u00edculos especificados en el subart\u00edculo ML4.a; o<\/p>\n b.\u2003Dispositivos explosivos improvisados.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A efectos del subart\u00edculo ML4.b.2, se entiende por \u201cactividades\u201d la manipulaci\u00f3n, lanzamiento, colocaci\u00f3n, control, descarga, detonaci\u00f3n, cebado, alimentaci\u00f3n de potencia de salida de un solo uso operacional, se\u00f1uelo, perturbaci\u00f3n, dragado, detecci\u00f3n, desactivaci\u00f3n o eliminaci\u00f3n.<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML4.b incluye:<\/p>\n a.\u2003Equipos m\u00f3viles para licuar gas;<\/p>\n b.\u2003Los cables el\u00e9ctricos conductores flotantes que puedan servir para barrer minas magn\u00e9ticas.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML4.b no se aplica a los dispositivos port\u00e1tiles, limitados por dise\u00f1o exclusivamente para la detecci\u00f3n de objetos met\u00e1licos e incapaces de distinguir entre minas y otros objetos met\u00e1licos.<\/p>\n c)\u2003Sistemas de protecci\u00f3n antimisiles para aeronaves (AMPS).<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML4.c no se aplica a los que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Cualquiera de los siguientes sensores de alerta de misil:<\/p>\n 1.\u2003Sensores pasivos con un nivel m\u00e1ximo de respuesta situado entre\u00a0100 y\u00a0400 nm; o<\/p>\n 2.\u2003Sensores activos de alerta de misil de efecto Doppler pulsado;<\/p>\n b.\u2003Sistemas de dispensador de contramedidas;<\/p>\n c.\u2003Bengalas que tengan a la vez una firma visible y una firma infrarroja, para el se\u00f1uelo de misiles tierra-aire; y,<\/p>\n d.\u2003Los instalados en una \u201caeronave civil\u201d y que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n 1.\u2003El AMPS solo es operacional en una \u201caeronave civil\u201d espec\u00edfica en la que est\u00e9 instalado el AMPS espec\u00edfico y para el cual se haya expedido alguno de los siguientes documentos:<\/p>\n a.\u2003Un certificado de tipo civil expedido por las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o m\u00e1s Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar; o<\/p>\n b.\u2003Un documento equivalente reconocido por la Organizaci\u00f3n de Aviaci\u00f3n Civil Internacional (OACI);<\/p>\n 2.\u2003El sistema de protecci\u00f3n de misiles para aeronaves dispone de una protecci\u00f3n para impedir el acceso no autorizado al \u201cequipo l\u00f3gico\u201d; y<\/p>\n 3.\u2003El sistema de protecci\u00f3n de misiles para aeronaves incorpora un mecanismo activo que impide el funcionamiento del sistema cuando este se retira de la \u201caeronave civil\u201d en la que est\u00e9 instalado.<\/p>\n Nota aclaratoria: Los materiales no incluidos en el presente art\u00edculo pueden, sin embargo, estar sometidos a control en el anexo II del presente Reglamento.<\/p>\n ML5 Sistemas de direcci\u00f3n de tiro, vigilancia y aviso, y sistemas relacionados, equipo de ensayo y de alineaci\u00f3n y de contramedidas, seg\u00fan se indica, dise\u00f1ados especialmente para uso militar, as\u00ed como los componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n a)\u2003Visores de armas, ordenadores de bombardeo, equipo de punter\u00eda para ca\u00f1ones y sistemas de control para armas;<\/p>\n b)\u2003Otros sistemas de direcci\u00f3n de tiro, vigilancia y aviso, y sistemas relacionados, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Sistemas de adquisici\u00f3n, de designaci\u00f3n, de indicaci\u00f3n de alcance, de vigilancia o rastreo del blanco;<\/p>\n 2.\u2003Equipo de detecci\u00f3n, reconocimiento o identificaci\u00f3n;<\/p>\n 3.\u2003Equipo de fusi\u00f3n de datos o de integraci\u00f3n de sensores.<\/p>\n c)\u2003Equipos de contramedidas para el material especificado en los subart\u00edculos ML5.a o ML5.b.<\/p>\n Nota: A efectos del subart\u00edculo ML5.c, los equipos de contramedidas incluyen los equipos de detecci\u00f3n.<\/p>\n d)\u2003Equipos de ensayo o alineaci\u00f3n de campa\u00f1a, dise\u00f1ado especialmente para el material especificado en los subart\u00edculos ML5.a, ML5.b o ML5.c.<\/p>\n Nota aclaratoria: Los materiales no incluidos en el presente art\u00edculo pueden, sin embargo, estar sometidos a control en el anexo II de este Reglamento.<\/p>\n ML6 Veh\u00edculos terrenos y componentes, seg\u00fan se indica:<\/p>\n NB. Para equipos de guiado y navegaci\u00f3n, v\u00e9ase el art\u00edculo ML11.<\/p>\n a)\u2003Veh\u00edculos terrenos y componentes para ellos, dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar;<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML6.a incluye:<\/p>\n a.\u2003Carros y otros veh\u00edculos militares armados y veh\u00edculos militares equipados con soportes para armas o equipos para el sembrado de minas o el lanzamiento de municiones sometidas a control en el art\u00edculo ML4;<\/p>\n b.\u2003Veh\u00edculos blindados;<\/p>\n c.\u2003Veh\u00edculos anfibios y veh\u00edculos que puedan vadear aguas profundas;<\/p>\n d.\u2003Veh\u00edculos de recuperaci\u00f3n y veh\u00edculos para remolcar o transportar municiones o sistemas de armas y equipo de manipulaci\u00f3n de carga relacionado;<\/p>\n e.\u2003Remolques.<\/p>\n Nota\u00a02: La modificaci\u00f3n de un veh\u00edculo terreno para uso militar especificado en el subart\u00edculo ML6.a conlleva un cambio estructural, el\u00e9ctrico o mec\u00e1nico que afecte a uno, o m\u00e1s, componentes dise\u00f1ados especialmente para uso militar. Tales componentes incluyen:<\/p>\n a.\u2003Los neum\u00e1ticos a prueba de bala;<\/p>\n b.\u2003Protecci\u00f3n blindada de partes vitales (por ejemplo, tanques de combustible o cabinas de veh\u00edculos);<\/p>\n c.\u2003Refuerzos especiales o monturas para armas;<\/p>\n d.\u2003Iluminaci\u00f3n velada.<\/p>\n b)\u2003Otros veh\u00edculos terrenos y componentes, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Veh\u00edculos con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Manufacturados o acondicionados con materiales o componentes para proporcionarles protecci\u00f3n bal\u00edstica a nivel III (NIJ\u00a00108.01, septiembre de\u00a01985, o \u201cnormas equivalentes\u201d);<\/p>\n b.\u2003Con tracci\u00f3n simult\u00e1nea en las ruedas delanteras y traseras, incluidos los veh\u00edculos que tengan ruedas adicionales para soportar la carga, con independencia de que estas \u00faltimas tengan o no tracci\u00f3n;<\/p>\n c.\u2003Veh\u00edculos de masa m\u00e1xima t\u00e9cnicamente admisible superior a\u00a04.500 kg; y<\/p>\n d.\u2003Veh\u00edculos dise\u00f1ados o modificados para uso fuera de carreteras;<\/p>\n 2.\u2003Componentes con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Dise\u00f1ados especialmente para los veh\u00edculos especificados en el subart\u00edculo ML6.b.1.; y<\/p>\n b.\u2003Con una protecci\u00f3n bal\u00edstica de nivel III (NIJ\u00a00108.01, septiembre de\u00a01985, o \u201cnormas equivalentes\u201d).<\/p>\n N.B. V\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo ML13.a.<\/p>\n Nota\u00a01: El art\u00edculo ML6 no se aplica a veh\u00edculos civiles dise\u00f1ados o modificados para el transporte de dinero o valores.<\/p>\n Nota\u00a02: El art\u00edculo ML6 no se aplica a los veh\u00edculos que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Que hayan sido manufacturados con anterioridad a\u00a01946;<\/p>\n b.\u2003Que no incluyan art\u00edculos especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y manufacturados con posterioridad a\u00a01945, salvo que se trate de reproducciones de componentes y accesorios para el veh\u00edculo; y<\/p>\n c.\u2003Que no incorporen armas especificadas en los art\u00edculos ML1, ML2 o ML4, a menos que no funcionen ni puedan disparar proyectiles.<\/p>\n ML7 Agentes qu\u00edmicos, \u201cagentes biol\u00f3gicos\u201d, \u201cagentes antidisturbios\u201d, materiales radiactivos, equipo relacionado, componentes y materiales, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a)\u2003\u201cAgentes biol\u00f3gicos\u201d o materiales radiactivos seleccionados o modificados a fin de aumentar su eficacia para producir bajas en la poblaci\u00f3n o en los animales, degradar equipos o da\u00f1ar las cosechas o el medio ambiente.<\/p>\n b)\u2003Agentes para la guerra qu\u00edmica, incluyendo:<\/p>\n 1.\u2003Agentes nerviosos para la guerra qu\u00edmica:<\/p>\n a.\u2003Alquil (metil, etil, n-propil o isopropil) \u2013fosfonofluridatos de O-alquilo (\u2264 C10<\/sub>, incluidos los cicloalquilos), tales como:<\/p>\n Sar\u00edn (GB): metilfosfonofluoridato de O-isopropilo (CAS\u00a0107-44-8); y<\/p>\n Som\u00e1n (GD): metilfosfonofluoridato de O-pinacolilo (CAS\u00a096-64-0).<\/p>\n b.\u2003N, N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosforamidocianidatos de O-alquilo (\u2264 C10, incluyendo el cicloalquilo), tales como:<\/p>\n Tab\u00fan (GA): N, N-dimetilfosforamidocianidato de O-etilo (CAS\u00a077-81-6).<\/p>\n c.\u2003Alquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonotiolatos de O-alquilo (H o \u2264 C10<\/sub>, incluyendo los cicloalquilos) y de S-2-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) aminoetilalquilo (metilo, etilo, n-propiol o isopropilo) y sales alquiladas y protonadas correspondientes, tales como:<\/p>\n VX: Metilfosfonotiolato de O-etilo y de S-2-diisopropilaminoetilo de O-etilo (CAS\u00a050782-69-9).<\/p>\n d.\u2003Amit\u00f3n: fosforotiolato de O,Odietilo y S[ 2 (dietilamino) etilo] (CAS\u00a078-53-5) y las sales alquiladas o protonadas correspondientes.<\/p>\n e.\u2003Fluoruros de P-alquil (H o \u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo) N-(1-(dialquil(\u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo)amino))alquiliden(H o \u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo) fosfonam\u00eddicos y sales alquilatadas o protonadas correspondientes.<\/p>\n Nota:<\/p>\n A los efectos de ML7.b.1.e, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:<\/p>\n Fluoruro de N-(1-(di-n-decilamino)-n-deciliden)-P-decilfosfonamidico (CAS\u00a02387495-99-8).<\/p>\n Metil-(1-(dietilamino) etiliden) fosfonamidofluoridato (CAS\u00a02387496-12-8).<\/p>\n f.\u2003O-alquil (H o \u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo) N-(1-(dialquil(\u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo)amino))alquiliden(H o \u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo) fosforamidofluoridatos y sales alquilatadas o protonadas correspondientes:<\/p>\n Nota:<\/p>\n A los efectos de ML7.b.1f, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:<\/p>\n O-n-decil N-(1-(di-n-decilamino)-n-deciliden)fosforamidofluoridato (CAS\u00a02387496-00-4).<\/p>\n Metil-(1-(dietilamino)etiliden)fosforamidofluoridato (CAS\u00a02387496-04-8).<\/p>\n Etil-(1-(dietilamino)etiliden)fosforamidofluoridato (CAS\u00a02387496-06-0).<\/p>\n g.\u2003Metil-(bis(dietilamino)metilen)fosfonamidofluoridato (CAS\u00a02387496-14-0).<\/p>\n h.\u2003Carbamatos. Cuaternarios de dimetilcarbamoiloxipiridinas: Dibromuro de\u00a01-[N,N-dialquil(\u0421\u226410<\/sub>)-N-(n-(hidroxil, ciano, acetoxi)alquil(\u0421\u226410<\/sub>)) amonio]-n- [N-(3-dimetil-carbamoxi-\u03b1-picolinil)-N,N-dialquil(\u0421\u226410<\/sub>) amonio]decano (n=1-8).<\/p>\n Nota:<\/p>\n A los efectos de ML7.b.1h, se incluye la siguiente sustancia, tales como:<\/p>\n Dibromuro de\u00a01-[N,N-dimetil-N-(2-hidroxi)etilamonio]-10-[N-(3-dimetil carbamoxi-\u03b1-picolinil)-N,N-dimetilamonio]decano (CAS\u00a077104-62-2).<\/p>\n i.\u2003Carbamatos. Bicuaternarios de dimetilcarbamoiloxipiridinas: Dibromuro de\u00a01,n-bis[N-(3-dimetilcarbamoxi-\u03b1-picolil)-N,N-dialquil((\u0421\u226410<\/sub>) amonio]-alcano-(2,(n-1)-diona) (n=2-12).<\/p>\n Nota:<\/p>\n A los efectos de ML7.b.1i, se incluye la siguiente sustancia, tal como:<\/p>\n Dibromuro de\u00a01,10-bis[N-(3-dimetilcarbamoxi-\u03b1-picolil)-N-etil-N-metilamonio]- decano-2,9-diona (CAS77104-00-8).<\/p>\n 2.\u2003Agentes vesicantes para guerra qu\u00edmica:<\/p>\n a.\u2003Mostazas al azufre, tales como:<\/p>\n 1.\u2003Clorometilsulfuro de\u00a02-cloroetilo (CAS\u00a02625-76-5);<\/p>\n 2.\u2003Sulfuro de bis (2-cloroetilo) (CAS\u00a0505-60-2);<\/p>\n 3.\u2003Bis (2-cloroetiltio) metano (CAS\u00a063869-13-6);<\/p>\n 4.\u20031, 2-bis (2-cloroetiltio) etano (CAS\u00a03563-36-8);<\/p>\n 5.\u20031, 3-bis (2-cloroetiltio)-n-propano (CAS\u00a063905-10-2);<\/p>\n 6.\u20031, 4-bis (2-cloroetiltio)-n-butano (CAS\u00a0142868-93-7);<\/p>\n 7.\u20031, 5-bis (2-cloroetiltio)-n-pentano (CAS\u00a0142868-94-8);<\/p>\n 8.\u2003Bis (2-cloroetiltiometil) \u00e9ter (CAS\u00a063918-90-1);<\/p>\n 9.\u2003Bis (2-cloroetiltioetil) \u00e9ter (CAS\u00a063918-89-8).<\/p>\n b.\u2003Levisitas, tales como:<\/p>\n 1.\u20032-clorovinildicloroarsina (CAS\u00a0541-25-3);<\/p>\n 2.\u2003Tris (2-clorovinil) arsina (CAS\u00a040334-70-1);<\/p>\n 3.\u2003Bis (2-clorovinil) cloroarsina (CAS\u00a040334-69-8).<\/p>\n c.\u2003Mostazas nitrogenadas, tales como:<\/p>\n 1.\u2003HN1: bis (2-cloroetil) etilamina (CAS\u00a0538-07-8);<\/p>\n 2.\u2003HN2: bis (2-cloroetil) metilamina (CAS\u00a051-75-2);<\/p>\n 3.\u2003HN3: tris (2-cloroetil) amina (CAS\u00a0555-77-1).<\/p>\n 3.\u2003Agentes incapacitantes para la guerra qu\u00edmica, tales como:<\/p>\n a.\u2003Bencilato de\u00a03-quinuclidinilo (BZ) (CAS\u00a06581-06-2).<\/p>\n 4.\u2003Agentes defoliantes para la guerra qu\u00edmica, tales como:<\/p>\n a.\u2003Butil\u00a02-cloro-4-fluorofenoxiacetato (LNF); fenoxiacetato (LNF);<\/p>\n b.\u2003\u00c1cido\u00a02, 4, 5-triclorofenoac\u00e9tico (CAS\u00a093-76-5) mezclado con \u00e1cido\u00a02, 4- diclorofenooxiac\u00e9tico (CAS\u00a094-75-7) [Agente naranja (CAS\u00a039277-47-9)].<\/p>\n c)\u2003Precursores binarios y precursores claves de agentes para la guerra qu\u00edmica, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Difluoruros de alquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonilo, tales como:<\/p>\n DF: Difluoruro de metilfosfonilo (CAS\u00a0676-99-3).<\/p>\n 2.\u2003Alquil(metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonitos de O-alquilo (H o \u2264, C10, incluyendo el cicloalquilo) S-2- dialquilo (metil, etil, n-propil o isopropil) aminoetilalquilo (metilo, etilo, n-propilo o isopropilo) y sales alquiladas o protonadas correspondientes, tales como:<\/p>\n QL: Metilfosfonito de O-etil-2-di-isopropilaminoetilo de O-etilo (CAS\u00a057856-11-8).<\/p>\n 3.\u2003Clorosar\u00edn: Metilfosfonocloridato de O-isopropilo (CAS\u00a01445-76-7);<\/p>\n 4.\u2003Clorosom\u00e1n: Metilfosfonocloridato de O-pinacolilo (CAS\u00a07040-57-5);<\/p>\n d)\u2003\u201cAgentes antidisturbios\u201d, constituyentes qu\u00edmicos activos y combinaciones de ellos, incluidos:<\/p>\n 1.\u2003\u03b1-Bromobencenoacetonitrilo, (Cianuro de bromobencilo) (CA) (CAS\u00a05798-79-8);<\/p>\n 2.\u2003[(2-clorofenil)metileno] propanodinitrilo, (o-Clorobencilidenemalononitrilo) (CS) (CAS\u00a02698-41-1);<\/p>\n 3.\u20032-cloro-1-feniletanona, cloruro de fenilacilo (\u03c9-cloroacetofenona) (CN) (CAS\u00a0532-27-4);<\/p>\n 4.\u2003Dibenzo-(b, f)-1, 4-oxazepina (CR) (CAS\u00a0257-07-8);<\/p>\n 5.\u200310-cloro-5,10-dihidrofenarsacina, (Cloruro de fenarsacina), (Adamsita), (DM) (CAS\u00a0578-94-9);<\/p>\n 6.\u2003N-Nonanoilmorfolina, (MPA) (CAS\u00a05299-64-9).<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML7.d. no se aplica a los \u201cagentes antidisturbios\u201d empaquetados individualmente para fines de defensa personal.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML7.d. no se aplica a los constituyentes activos qu\u00edmicos, ni a las combinaciones de ellos, identificados y empaquetados para producci\u00f3n de alimentos o fines m\u00e9dicos.<\/p>\n e)\u2003Equipos dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar, dise\u00f1ados o modificados para la diseminaci\u00f3n de cualquiera de lo siguiente, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n 1.\u2003Materiales o agentes especificados en los subart\u00edculos ML7.a, ML7.b o ML7.d; o<\/p>\n 2.\u2003Agentes para la guerra qu\u00edmica constituidos de precursores especificados en el subart\u00edculo ML7.c.<\/p>\n f)\u2003Equipos de protecci\u00f3n y descontaminaci\u00f3n, dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar, componentes y mezclas qu\u00edmicas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Equipos, dise\u00f1ados o modificados para la protecci\u00f3n contra materiales especificados en los subart\u00edculos ML7.a, ML7.b o ML7.d, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n 2.\u2003Equipos, dise\u00f1ados o modificados para la descontaminaci\u00f3n de objetos contaminados con materiales especificados en los subart\u00edculos ML7.a o ML7.b, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n 3.\u2003Mezclas qu\u00edmicas desarrolladas o formuladas especialmente para la descontaminaci\u00f3n de objetos contaminados por materiales especificados en los subart\u00edculos ML7.a o ML7.b.<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML7.f.1 incluye:<\/p>\n a.\u2003Unidades de aire acondicionado dise\u00f1adas especialmente o modificadas para filtrado nuclear, biol\u00f3gico o qu\u00edmico;<\/p>\n b.\u2003Ropas de protecci\u00f3n.<\/p>\n N.B. Para m\u00e1scaras antig\u00e1s civiles, equipos de protecci\u00f3n y descontaminaci\u00f3n, v\u00e9ase tambi\u00e9n el art\u00edculo\u00a01A004 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n g)\u2003Equipos dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar, dise\u00f1ados o modificados para la detecci\u00f3n o identificaci\u00f3n de los materiales especificados en los subart\u00edculos\u00a07.a, 7.b o\u00a07.d, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML7.g no se aplica a los dos\u00edmetros de uso personal para el control de las radiaciones.<\/p>\n N.B.: V\u00e9ase tambi\u00e9n el art\u00edculo\u00a01A004 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n h)\u2003\u201cBiopol\u00edmeros\u201d dise\u00f1ados especialmente o tratados para la detecci\u00f3n o identificaci\u00f3n de agentes para la guerra qu\u00edmica especificados en el subart\u00edculo ML7.b, y los cultivos de c\u00e9lulas espec\u00edficas utilizadas para su producci\u00f3n;<\/p>\n i)\u2003\u201cBiocatalizadores\u201d para la descontaminaci\u00f3n o la degradaci\u00f3n de agentes para la guerra qu\u00edmica, y sistemas biol\u00f3gicos para ellos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003\u201cBiocatalizadores\u201d, dise\u00f1ados especialmente para la descontaminaci\u00f3n o la degradaci\u00f3n de los agentes para la guerra qu\u00edmica especificados en el subart\u00edculo ML7.b, producidos por selecci\u00f3n dirigida en laboratorio o manipulaci\u00f3n gen\u00e9tica de sistemas biol\u00f3gicos;<\/p>\n 2.\u2003Sistemas biol\u00f3gicos que contengan la informaci\u00f3n gen\u00e9tica espec\u00edfica para la producci\u00f3n de los \u201cbiocatalizadores\u201d especificados en el subart\u00edculo ML7.i.1., seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003\u201cVectores de expresi\u00f3n\u201d;<\/p>\n b.\u2003Virus;<\/p>\n c.\u2003Cultivos de c\u00e9lulas.<\/p>\n Nota\u00a01: Los subart\u00edculos ML7.b y ML7.d no se aplican a lo siguiente:<\/p>\n a.\u2003Cloruro de cian\u00f3geno (CAS\u00a0506-77-4). v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a01C450.a.5 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE;<\/p>\n b.\u2003\u00c1cido cianh\u00eddrico (CAS\u00a074-90-8);<\/p>\n c.\u2003Cloro (CAS\u00a07782-50-5);<\/p>\n d.\u2003Cloruro de carbonilo (fosgeno) (CAS\u00a075-44-5). v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a01C450.a.4 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE;<\/p>\n e.\u2003Difosgeno (triclorometil cloroformato) (CAS\u00a0503-38-8);<\/p>\n f.\u2003Sin uso desde\u00a02004;<\/p>\n g.\u2003Bromuro de xililo, orto: (CAS\u00a089-92-9), meta: (CAS\u00a0620-13-3), para: (CAS\u00a0104-81-4);<\/p>\n h.\u2003Bromuro de bencilo (CAS\u00a0100-39-0);<\/p>\n i.\u2003Yoduro de bencilo (CAS\u00a0620-05-3);<\/p>\n j.\u2003Bromoacetona (CAS\u00a0598-31-2);<\/p>\n k.\u2003Bromuro de cian\u00f3geno (CAS\u00a0506-68-3);<\/p>\n l.\u2003Bromometiletilcetona (CAS\u00a0816-40-0);<\/p>\n m.\u2003Cloroacetona (CAS\u00a078-95-5);<\/p>\n n.\u2003Yodoacetato de etilo (CAS\u00a0623-48-3);<\/p>\n o.\u2003Yodoacetona (CAS\u00a03019-04-3);<\/p>\n p.\u2003Cloropicrina (CAS\u00a076-06-2). v\u00e9ase tambi\u00e9n el art\u00edculo\u00a01C450.a.7 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n Nota\u00a02: Los cultivos aislados de c\u00e9lulas y los sistemas biol\u00f3gicos especificados en los subart\u00edculos ML7.h y ML7.i.2 son exclusivos y dichos subart\u00edculos no se aplican a las c\u00e9lulas o sistemas biol\u00f3gicos destinados a usos civiles, tales como los agr\u00edcolas, farmac\u00e9uticos, m\u00e9dicos, veterinarios, relacionados con el medio ambiente, el tratamiento de residuos o la industria alimentaria.<\/p>\n Nota aclaratoria: Los materiales no incluidos en el presente art\u00edculo pueden, sin embargo, estar sometidos a control en el anexo II del presente Reglamento.<\/p>\n ML8 \u201cMateriales energ\u00e9ticos\u201d, y sustancias relacionadas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n N.B. 1: V\u00e9ase tambi\u00e9n el art\u00edculo\u00a01.C.11 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n N.B. 2: Para las cargas y los dispositivos, v\u00e9anse el art\u00edculo ML4 y el art\u00edculo\u00a01.A.8 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n Nota: Cualquier sustancia incluida en el art\u00edculo ML8 est\u00e1 sujeta a la presente lista, incluso si es utilizada en una aplicaci\u00f3n distinta de la indicada (por ejemplo, TAGN se emplea predominantemente como explosivo, pero puede ser utilizado tambi\u00e9n como combustible u oxidante).<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n 1.\u2003A efectos del art\u00edculo ML8, excepto los subart\u00edculos ML8.c.11 o ML8.c.12, \u201cmezcla\u201d se refiere a una composici\u00f3n de dos o m\u00e1s sustancias con al menos una sustancia incluida en los subart\u00edculos del art\u00edculo ML8.<\/p>\n 2.\u2003A efectos del art\u00edculo ML8, por tama\u00f1o de part\u00edcula se entiende el di\u00e1metro medio de las part\u00edculas ponderado en funci\u00f3n del volumen o del peso. Para el muestreo y la determinaci\u00f3n del tama\u00f1o de las part\u00edculas, se emplear\u00e1n las normas internacionales o sus equivalentes nacionales.<\/p>\n a)\u2003\u201cExplosivos\u201d, seg\u00fan se indica, y las \u201cmezclas\u201d de ellos:<\/p>\n 1.\u2003ADNBF (aminodinitrobenzofurazano o\u00a07-amino-4, 6-dinitrobenzofurazano-1-\u00f3xido) (CAS\u00a097096-78-1);<\/p>\n 2.\u2003BCPN (Perclorato de cis-bis (5-nitrotetrazolato) tetra amina-cobalto (III)) (CAS\u00a0117412-28-9);<\/p>\n 3.\u2003CL-14 (diaminodinitrobenzofuroxan o\u00a05, 7-diamino-4, 6-dinitrobenzofurazano-1-\u00f3xido) (CAS\u00a0117907-74-1);<\/p>\n 4.\u2003CL-20 (HNIW o Hexanitrohexaazaisowurtzitano) (CAS\u00a0135285-90-4); clatratos de CL-20 (v\u00e9anse tambi\u00e9n los subart\u00edculos\u00a08.g.3 y\u00a08.g.4 para sus \u201cprecursores\u201d);<\/p>\n 5.\u2003PC (Perclorato de\u00a02-(5-cianotetrazolato) penta amina- cobalto (III)) (CAS\u00a070247-32-4);<\/p>\n 6.\u2003DADE (1,1-diamino-2,2-dinitroetileno, FOX-7) (CAS\u00a0145250-81-3);<\/p>\n 7.\u2003DATB (diaminotrinitrobenceno) (CAS\u00a01630-08-6);<\/p>\n 8.\u2003DDFP (1,4-dinitrodifurazanopiperacina);<\/p>\n 9.\u2003DDPO (2,6-diamino-3,5-dinitropiracina-1-oxido, PZO) (CAS\u00a0194486-77-6);<\/p>\n 10.\u2003DIPAM (3,3\u2019-diamino-2,2\u2019,4,4\u2019,6,6\u2019-hexanitrobifenil o dipicramida) (CAS\u00a017215-44-0);<\/p>\n 11.\u2003DNGU (DINGU o dinitroglicoluril) (CAS\u00a055510-04-8);<\/p>\n 12.\u2003Furazanos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003DAAOF (DAAF, DAAFox, o diaminoazoxifurazano);<\/p>\n b.\u2003DAAzF (diaminoazofurazano) (CAS\u00a078644-90-3).<\/p>\n 13.\u2003HMX y sus derivados (v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a08.g.5 para sus \u201cprecursores\u201d), seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003HMX (Ciclotetrametilenotetranitramina, octahidro-1,3,5,7-tetranitro-1,3,5,7-tetracina, 1,3,5,7-tetranitro-1,3,5,7-tetraza-ciclooctano, octogen u octogeno) (CAS\u00a02691-41-0);<\/p>\n b.\u2003Difluoroaminados an\u00e1logos al HMX;<\/p>\n c.\u2003K-55 (2,4,6,8-tetranitro-2,4,6,8-tetraazabiciclo [3,3,0]-octanona-3, tetranitrosemiglicouril o keto-biciclico HXM) (CAS\u00a0130256-72-3).<\/p>\n 14.\u2003HNAD (hexanitroadamantano) (CAS\u00a0143850-71-9);<\/p>\n 15.\u2003HNS (hexanitroestilbeno) (CAS\u00a020062-22-0);<\/p>\n 16.\u2003Imidazoles, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003BNNII (Octahidro-2,5-bis(nitroimino)imidazo [4,5-d]imidazole);<\/p>\n b.\u2003DNI (2,4-dinitroimidazole) (CAS\u00a05213-49-0);<\/p>\n c.\u2003FDIA (1-fluoro-2,4-dinitroimidazole);<\/p>\n d.\u2003NTDNIA (N-(2-nitrotriazolo)-2,4-dinitroimidazole);<\/p>\n e.\u2003PTIA (1-picril-2,4,5-trinitroimidazole).<\/p>\n 17.\u2003NTNMH (1-(2-nitrotriazolo)-2-dinitrometileno-hidrazina);<\/p>\n 18.\u2003NTO (ONTA o\u00a03-nitro-1,2,4-triazol-5-ona) (CAS\u00a0932-64-9);<\/p>\n 19.\u2003Polinitrocubanos con m\u00e1s de cuatro grupos nitro;<\/p>\n 20.\u2003PYX (2,6-Bis(picrilamino)-3,5-dinitropiridina) (CAS\u00a038082-89-2);<\/p>\n 21.\u2003RDX y sus derivados, seg\u00fan se indica: a. RDX (ciclotrimetilenotrinitramina, ciclonita, T4, hexahidro-1,3,5-trinitro-1,3,5-triacina, 1,3,5-trinitro- 1,3,5,-triaza-ciclohexano, exogen o ex\u00f3geno) (CAS\u00a0121-82-4); b. Keto-RDX (K-6 o\u00a02,4,6-trinitro-2,4,6-triazaciclohexanona) (CAS\u00a0115029-35-1);<\/p>\n 22.\u2003TAGN (triaminoguanidinanitrato) (CAS\u00a04000-16-2);<\/p>\n 23.\u2003TATB (triaminotrinitrobenceno) (CAS\u00a03058-38-6) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.g.7 para sus \u201cprecursores\u201d);<\/p>\n 24.\u2003TEDDZ (3,3,7,7-tetrabis (difluoroamina) octahidro-1,5-dinitro-1,5-diazocina);<\/p>\n 25.\u2003Tetrazoles, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003NTAT (nitrotriazol aminotetrazol);<\/p>\n b.\u2003NTNT (1-N-(2-nitrotriazol)-4-nitrotetrazol).<\/p>\n 26.\u2003Tetril (trinitrofenilmetilnitramina) (CAS\u00a0479-45-8);<\/p>\n 27.\u2003TNAD (1,4,5,8-tetranitro- 1,4,5,8-tetraazadecalin) (CAS\u00a0135877-16-6) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.g.6 para sus \u201cprecursores\u201d);<\/p>\n 28.\u2003TNAZ (1,3,3-trinitroazetidina) (CAS\u00a097645-24-4) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo ML8.g.2 para sus \u201cprecursores\u201d);<\/p>\n 29.\u2003TNGU (SORGUYL o tetranitroglicoluril) (CAS\u00a055510-03-7);<\/p>\n 30.\u2003TNP (1,4,5,8-tetranitro-piridacino[4,5-d]piridacina) (CAS\u00a0229176-04-9);<\/p>\n 31.\u2003Triacinas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003DNAM (2-oxi-4,6-dinitroamino-s-triacina) (CAS\u00a019899-80-0);<\/p>\n b.\u2003NNHT (2-nitroimino-5-nitro-hexahidro-1,3,5-triacina) (CAS\u00a0130400-13-4).<\/p>\n 32.\u2003Triazoles, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u20035-acido-2-nitrotriazol;<\/p>\n b.\u2003ADHTDN (4-amino-3,5-dihidrazino-1,2,4-triazol dinitramida) (CAS\u00a01614-08-0);<\/p>\n c.\u2003ADNT (1-amino-3,5-dinitro-1,2,4-triazol);<\/p>\n d.\u2003BDNTA ([bis-dinitrotriazol]amina);<\/p>\n e.\u2003DBT (3,3\u00b4-dinitro-5,5-bi-1,2,4-triazol) (CAS\u00a030003-46-4);<\/p>\n f.\u2003DNBT (dinitrobistriazol) (CAS\u00a070890-46-9);<\/p>\n g.\u2003Sin uso desde\u00a02010;<\/p>\n h.\u2003NTDNT (1-N-(2-nitrotriazolo) 3,5-dinitrotriazol);<\/p>\n i.\u2003PDNT (1-picril-3,5-dinitrotriazol);<\/p>\n j.\u2003TACOT (tetranitrobenzotriazolobenzotriazol) (CAS\u00a025243-36-1).<\/p>\n 33.\u2003\u201cExplosivos\u201d no incluidos en el subart\u00edculo ML8.a, y con alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Una velocidad de detonaci\u00f3n superior a\u00a08 700 m\/s, a m\u00e1xima densidad, o<\/p>\n b.\u2003Una presi\u00f3n de detonaci\u00f3n superior a\u00a034 GPa (340 kbar).<\/p>\n 34.\u2003No se usa desde\u00a02013;<\/p>\n 35.\u2003DNAN (2,4-dinitroanisol) (CAS\u00a0119-27-7);<\/p>\n 36.\u2003TEX (4,10-dinitro-2,6,8,12-tetraoxa-4,10-diazaisowurtzitano);<\/p>\n 37.\u2003GUDN (guanilurea dinitramida) FOX-12 (CAS\u00a0217464-38-5);<\/p>\n 38.\u2003Tetrazinas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003BTAT (Bis(2,2,2-trinitroetil)-3,6-diaminotetrazina);<\/p>\n b.\u2003LAX-112 (3,6-diamino-1,2,4,5-tetrazina-1,4-di\u00f3xido).<\/p>\n 39.\u2003Materiales i\u00f3nicos energ\u00e9ticos con punto de fusi\u00f3n entre\u00a0343 K (70 \u00b0C) y\u00a0373 K (100 \u00b0C) y velocidad de detonaci\u00f3n superior a\u00a06 800 m\/s o presi\u00f3n de detonaci\u00f3n superior a\u00a018 GPa (180 kbar);<\/p>\n 40.\u2003BTNEN (Bis(2,2,2-trinitroetil)-nitramina) (CAS\u00a019836-28-3);<\/p>\n 41.\u2003FTDO (5,6-(3\u2019,4\u2019-furazano)- 1,2,3,4-tetrazina-1,3-di\u00f3xido);<\/p>\n 42.\u2003EDNA (etilenodinitramina) (CAS\u00a0505-71-5);<\/p>\n 43.\u2003TKX-50 (Dihidroxilamonio\u00a05,5′-bistetrazol-1,1′-diolato).<\/p>\n Nota: ML8.a\u00a0incluye los \u2018cocristales explosivos\u2019.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica: Un \u2018cocristal explosivo\u2019 es un material s\u00f3lido que consta de una disposici\u00f3n tridimensional ordenada de dos o m\u00e1s mol\u00e9culas explosivas de las que al menos una se especifica en el subart\u00edculo ML8.a.<\/p>\n b)\u2003\u201cPropulsantes\u201d, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Cualquier \u201cpropulsante\u201d s\u00f3lido con un impulso espec\u00edfico te\u00f3rico (en condiciones est\u00e1ndar) de m\u00e1s de:<\/p>\n a.\u2003240 segundos para los \u201cpropulsantes\u201d no metalizados, no halogenados;<\/p>\n b.\u2003250 segundos para los \u201cpropulsantes\u201d no metalizados, halogenados; o<\/p>\n c.\u2003260 segundos para los \u201cpropulsantes\u201d metalizados.<\/p>\n 2.\u2003No se usa desde\u00a02013;<\/p>\n 3.\u2003\u201cPropulsante\u201d que tenga una constante de fuerza superior a\u00a01.200 kJ\/kg;<\/p>\n 4.\u2003\u201cPropulsante\u201d que pueda mantener un \u00edndice de combusti\u00f3n lineal en r\u00e9gimen continuo de m\u00e1s de\u00a038 mm\/s en condiciones est\u00e1ndar de presi\u00f3n (realiz\u00e1ndose las mediciones en una sola cadena inhibida) de\u00a06,89 MPa (68,9 bar) y de temperatura\u00a0294 K (21 \u00b0C);<\/p>\n 5.\u2003\u201cPropulsantes\u201d de doble base fundida de elast\u00f3meros modificados () con un alargamiento a tensi\u00f3n m\u00e1xima superior al\u00a05\u202f% a\u00a0233 K (-40 \u00b0C);<\/p>\n 6.\u2003Cualquier \u201cpropulsante\u201d que contenga sustancias incluidas en el subart\u00edculo ML8.a;<\/p>\n 7.\u2003\u201cPropulsantes\u201d no especificados en ninguna otra parte de este anexo I.1, dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n c)\u2003\u201cProductos pirot\u00e9cnicos\u201d, combustibles y sustancias relacionadas, seg\u00fan se indica, y las mezclas de ellos:<\/p>\n 1.\u2003Combustibles para \u201caeronaves\u201d formulados especialmente con fines militares;<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML8.c.1 no se aplica a los combustibles de \u201caeronaves\u201d siguientes: JP-4, JP-5, y JP-8.<\/p>\n Nota\u00a02: Los combustibles de \u201caeronaves\u201d especificados en el subart\u00edculo ML8.c.1 son los productos terminados, y no sus constituyentes.<\/p>\n 2.\u2003Alano (hidruro de aluminio) (CAS\u00a07784-21-6);<\/p>\n 3.\u2003Boranos, seg\u00fan se indica, y sus derivados:<\/p>\n a.\u2003Carboranos;<\/p>\n b.\u2003Hom\u00f3logos del borano, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Decaborano (14) (CAS\u00a017702-41-9);<\/p>\n 2.\u2003Pentaborano (9) (CAS\u00a019624-22-7);<\/p>\n 3.\u2003Pentaborano (11) (CAS\u00a018433-84-6);<\/p>\n 4.\u2003Hidrazina y sus derivados, seg\u00fan se indica (v\u00e9ase tambi\u00e9n los subart\u00edculos ML8.d.8 y d.9 para derivados oxidantes de la hidrazina):<\/p>\n a.\u2003Hidrazina (CAS\u00a0302-01-2) en concentraciones del\u00a070\u202f% o m\u00e1s;<\/p>\n b.\u2003Monometilhidrazina (CAS\u00a060-34-4);<\/p>\n c.\u2003Dimetilhidrazina sim\u00e9trica (CAS\u00a0540-73-8);<\/p>\n d.\u2003Dimetilhidrazina asim\u00e9trica (CAS\u00a057-14-7).<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML8.c.4.a\u00a0no se aplica a las mezclas de hidracina formuladas especialmente para el control de la corrosi\u00f3n.<\/p>\n 5.\u2003Combustibles met\u00e1licos, \u2018mezclas\u2019 de combustibles o \u2018mezclas\u2019 de \u201cproductos pirot\u00e9cnicos\u201d, en forma de part\u00edculas ya sean en granos esf\u00e9ricos, atomizados, esferoidales, en copos o pulverizados, elaborados a partir de materiales con un contenido del\u00a099\u202f% o m\u00e1s de cualquiera de lo siguiente:<\/p>\n a.\u2003Los siguientes metales y \u2018mezclas\u2019 de ellos:<\/p>\n 1.\u2003Berilio (CAS\u00a07440-41-7) con un tama\u00f1o de part\u00edculas menor que\u00a060 micras;<\/p>\n 2.\u2003Polvo de hierro (CAS\u00a07439-89-6), con un tama\u00f1o de part\u00edculas de\u00a03 micras o menor, producido por reducci\u00f3n de \u00f3xido de hierro por hidr\u00f3geno.<\/p>\n b.\u2003\u2018Mezclas\u2019 que contengan cualquiera de lo siguiente:<\/p>\n 1.\u2003Circonio (CAS\u00a07440-67-7), magnesio (CAS\u00a07439-95-4) o aleaciones de ellos con un tama\u00f1o de part\u00edcula inferior a\u00a060 micras; o<\/p>\n 2.\u2003Combustibles de boro (CAS\u00a07440-42-8) o carburo de boro (CAS\u00a012069-32-8) con pureza de\u00a085\u202f% o superior y con un tama\u00f1o de part\u00edcula inferior a\u00a060 micras.<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML8.c.5 se aplica a los explosivos y combustibles, tanto si los metales o las aleaciones est\u00e1n encapsulados o no en aluminio, magnesio, circonio o berilio.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML8.c.5.b se aplica \u00fanicamente a los combustibles met\u00e1licos en forma de part\u00edculas cuando se mezclan con otras sustancias para constituir una \u2018mezcla\u2019 formulada para fines militares, como fangos de \u201cpropulsantes\u201d l\u00edquidos, \u201cpropulsantes\u201d s\u00f3lidos o \u2018mezclas\u2019 \u201cpirot\u00e9cnicas\u201d.<\/p>\n Nota\u00a03: El subart\u00edculo ML8.c.5.b.2 no se aplica al boro ni al carburo de boro enriquecido con boro-10 (20\u202f% o m\u00e1s del contenido total de boro-10).<\/p>\n 6.\u2003Materiales militares, que contengan espesadores para combustibles de hidrocarburo, formulados especialmente para uso en lanzallamas o munici\u00f3n incendiaria, tales como estearatos met\u00e1licos (por ejemplo, octal (CAS\u00a0637-12-7)) o palmitatos;<\/p>\n 7.\u2003Percloratos, cloratos y cromatos, mezclados con polvo met\u00e1lico o con otros componentes de combustibles de alta energ\u00eda;<\/p>\n 8.\u2003Polvo de aluminio de grano esf\u00e9rico o esferoidal (CAS\u00a07429-90-5) con un tama\u00f1o de part\u00edculas de\u00a060 micras o menos y elaborado a partir de materiales con un contenido en aluminio del\u00a099\u202f% o m\u00e1s;<\/p>\n 9.\u2003Subhidruro de titanio (TiHn) de estequiometr\u00eda equivalente a n=0,65-1,68;<\/p>\n 10.\u2003Combustibles l\u00edquidos de alta densidad de energ\u00eda no especificados en el subart\u00edculo ML8.c.1, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003Combustibles mezclados, que contengan combustibles tanto s\u00f3lidos como l\u00edquidos (por ejemplo, la lechada de boro), con una densidad de energ\u00eda por masa igual o superior a\u00a040 MJ\/kg;<\/p>\n b.\u2003Otros combustibles y aditivos para combustibles de alta densidad de energ\u00eda (por ejemplo, cubano, soluciones i\u00f3nicas, JP-7, JP-10), con una densidad de energ\u00eda por volumen igual o superior a\u00a037,5 GJ\/m3, medida a\u00a0293 K (20 \u00b0C) y a una presi\u00f3n de una atm\u00f3sfera (101,325 kPa).<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML8.c.10.b no se aplica a los combustibles f\u00f3siles refinados, a los biocombustibles ni a los combustibles de motores certificados para uso en aviaci\u00f3n civil.<\/p>\n 11.\u2003\u201cProductos pirot\u00e9cnicos\u201d y pirof\u00f3ricos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003\u201cProductos pirot\u00e9cnicos\u201d o pirof\u00f3ricos formulados espec\u00edficamente para aumentar o controlar la producci\u00f3n de energ\u00eda radiada en cualquier parte del espectro infrarrojo;<\/p>\n b.\u2003Mezclas de magnesio, politetrafluoretileno (PTFE) y copol\u00edmero de difluoruro de vinilideno y hexafluoropropileno (por ejemplo, MTV).<\/p>\n 12.\u2003Mezclas de combustibles, mezclas de \u201cproductos pirot\u00e9cnicos\u201d o \u201cmateriales energ\u00e9ticos\u201d, no especificados en ninguna otra parte del art\u00edculo ML8, con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Que contengan m\u00e1s del\u00a00,5\u202f% de part\u00edculas de cualquiera de lo siguiente:<\/p>\n 1.\u2003Aluminio;<\/p>\n 2.\u2003Berilio;<\/p>\n 3.\u2003Boro;<\/p>\n 4.\u2003Circonio;<\/p>\n 5.\u2003Magnesio; o<\/p>\n 6.\u2003Titanio.<\/p>\n b.\u2003Part\u00edculas especificadas en el subart\u00edculo ML8.c.12.a de tama\u00f1o inferior a\u00a0200 nm en cualquier direcci\u00f3n, y<\/p>\n c.\u2003Part\u00edculas especificadas en el subart\u00edculo ML8.c.12.a con un contenido de metal igual o superior a\u00a060\u202f%;<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML8.c.12 incluye termitas.<\/p>\n d)\u2003Oxidantes, seg\u00fan se indica, y las \u2018mezclas\u2019 de ellos:<\/p>\n 1.\u2003ADN (dinitroamida de amonio o SR\u00a012) (CAS\u00a0140456-78-6);<\/p>\n 2.\u2003AP (perclorato de amonio) (CAS\u00a07790-98-9);<\/p>\n 3.\u2003Compuestos con contenido de fl\u00faor y cualquiera de lo siguiente:<\/p>\n a.\u2003Otros hal\u00f3genos;<\/p>\n b.\u2003Oxigeno; o<\/p>\n c.\u2003Nitr\u00f3geno.<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML8.d.3 no se aplica al trifluoruro de cloro (CAS\u00a07790-91-2).<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML8.d.3 no se aplica al trifluoruro de nitr\u00f3geno (CAS\u00a07783-54-2) en estado gaseoso.<\/p>\n Nota\u00a03. El subart\u00edculo ML8.d.3. no se aplica al pentafluoruro de iodo (CAS\u00a07783-66-6).<\/p>\n 4.\u2003DNAD (1,3-dinitro-1,3-diazetidina) (CAS\u00a078246-06-7);<\/p>\n 5.\u2003HAN (nitrato de hidroxilamonio) (CAS\u00a013465-08-2);<\/p>\n 6.\u2003HAP (perclorato de hidroxilamonio) (CAS\u00a015588-62-2);<\/p>\n 7.\u2003HNF (nitroformato de hidrazinio) (CAS\u00a020773-28-8);<\/p>\n 8.\u2003Nitrato de hidrazina (CAS\u00a037836-27-4);<\/p>\n 9.\u2003Perclorato de hidrazina (CAS\u00a027978-54-7);<\/p>\n 10.\u2003Oxidantes l\u00edquidos constituidos por, o que contengan, \u00e1cido n\u00edtrico fumante rojo inhibido (IRFNA) (CAS\u00a08007-58-7);<\/p>\n Nota El subart\u00edculo ML8.d.10 no se aplica al \u00e1cido n\u00edtrico fumante no inhibido.<\/p>\n e)\u2003Aglomerantes, plastificantes, mon\u00f3meros y pol\u00edmeros, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003AMMO (Azidometilmetiloxetano y sus pol\u00edmeros) (CAS\u00a090683-29-7); (V\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo ML8.g.1 para sus \u201cprecursores\u201d);<\/p>\n 2.\u2003BAMO (3,3-bis(azidometil)oxetano y sus pol\u00edmeros) (CAS\u00a017607-20-4) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.g.1 para sus \u201cprecursores\u201d);<\/p>\n 3.\u2003BDNPA (bis (2,2-dinitropropil)acetal) (CAS\u00a05108-69-0);<\/p>\n 4.\u2003BDNPF (bis(2,2-dinitropropil)formal) (CAS\u00a05917-61-3);<\/p>\n 5.\u2003BTTN (butanotrioltrinitrato) (CAS\u00a06659-60-5) (V\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.g.8 para sus \u201cprecursores\u201d);<\/p>\n 6.\u2003Mon\u00f3meros, plastificantes o pol\u00edmeros energ\u00e9ticos, formulados especialmente para uso militar y que contengan cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n a.\u2003Grupos nitro;<\/p>\n b.\u2003Grupos azido;<\/p>\n c.\u2003Grupos nitrato;<\/p>\n d.\u2003Grupos nitraza; o<\/p>\n e.\u2003Grupos difluoroamino.<\/p>\n 7.\u2003FAMAO (3-difluoroaminometil-3-azidometil oxetano) y sus pol\u00edmeros;<\/p>\n 8.\u2003FEFO (bis-(2-fluoro-2,2-dinitroetil)formal) (CAS\u00a017003-79-1);<\/p>\n 9.\u2003FPF-1 (poli-2,2,3,3,4,4-hexafluoropentano-1,5-diol formal) (CAS\u00a0376-90-9);<\/p>\n 10.\u2003FPF-3 (poli-2,4,4,5,5,6,6-heptafluoro-2-tri-fluorometil-3-oxaheptano-1,7-diol formal);<\/p>\n 11.\u2003GAP (pol\u00edmero de glicidilacida) (CAS\u00a0143178-24-9) y sus derivados;<\/p>\n 12.\u2003HTPB (Polibutadieno con terminal hidroxilo) con una funcionalidad hidroxilo igual o superior a\u00a02,2 e igual o inferior a\u00a02,4, un valor hidroxilo inferior a\u00a00,77 meq\/g, y una viscosidad a\u00a030 \u00b0C inferior a\u00a047 poise (CAS\u00a069102-90-5);<\/p>\n 13.\u2003Poliepiclorhidrina con funci\u00f3n alcohol con un peso molecular inferior a\u00a010000, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003Poli(epiclorohidrindiol);<\/p>\n b.\u2003Poli(epiclorohidrintriol).<\/p>\n 14.\u2003NENAs (compuestos de nitratoetilnitramina) (CAS\u00a017096-47-8, 85068-73-1, 82486-83-7, 82486-82-6 y\u00a085954-06-9);<\/p>\n 15.\u2003PGN (poli-GLYN, poligricidilnitrato o poli(nitratometil oxirano) (CAS\u00a027814-48-8);<\/p>\n 16.\u2003Poli-NIMMO (poli(nitratometilmetiloxetano), poli-NMMO o poli(3-nitratometil-3- metiloxetano)) (CAS\u00a084051-81-0);<\/p>\n 17.\u2003Polinitroortocarbonatos;<\/p>\n 18.\u2003TVOPA (1,2,3-tris[1,2-bis(difluoroamino)etoxi] propano o tri vinoxi propano aducido) (CAS\u00a053159-39-0);<\/p>\n 19.\u20034,5 diazidometil-2-metil-1,2,3-triazol (iso- DAMTR); \u00e7<\/p>\n 20.\u2003PNO (poli(3-nitrato oxetano));<\/p>\n 21.\u2003TMETN (trinitrato de trimetiloletano) (CAS\u00a03032-55-1);<\/p>\n f)\u2003\u201cAditivos\u201d, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Salicilato b\u00e1sico de cobre (CAS\u00a062320-94-9);<\/p>\n 2.\u2003BHEGA (bis-(2-hidroxietil) glicolamida) (CAS\u00a017409-41-5);<\/p>\n 3.\u2003BNO (Nitril\u00f3xido de butadieno);<\/p>\n 4.\u2003Derivados del ferroceno, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003Butaceno (CAS\u00a0125856-62-4);<\/p>\n b.\u2003Catoceno (2, 2 bis-etilferrocenil propano) (CAS\u00a037206-42-1);<\/p>\n c.\u2003\u00c1cidos carbox\u00edlicos ferroceno y \u00e9steres de \u00e1cido carbox\u00edlico ferroceno;<\/p>\n d.\u2003N-butil-ferroceno (CAS\u00a031904-29-7);<\/p>\n e.\u2003Otros pol\u00edmeros aducidos derivados del ferroceno no especificados en ninguna otra parte del subart\u00edculo ML8.f.4;<\/p>\n f.\u2003Etil-ferroceno (CAS\u00a01273-89-8);<\/p>\n g.\u2003Propil-ferroceno;<\/p>\n h.\u2003Pentil-ferroceno (CAS\u00a01274-00-6);<\/p>\n i.\u2003Diciclopentil-ferroceno;<\/p>\n j.\u2003Diciclohexil-ferroceno;<\/p>\n k.\u2003Dietil-ferroceno (CAS\u00a01273-97-8);<\/p>\n l.\u2003Dipropil-ferroceno;<\/p>\n m.\u2003Dibutil-ferroceno (CAS\u00a01274-08-4);<\/p>\n n.\u2003Dihexil-ferroceno (CAS\u00a093894-59-8);<\/p>\n o.\u2003Acetil-ferroceno (CAS\u00a01271-55-2)\/1,1\u2032-diacetil-ferroceno (CAS\u00a01273-94-5);<\/p>\n 5.\u2003Resorcilato beta de plomo (CAS\u00a020936-32-7) o resorcilato beta de cobre (CAS\u00a070983-44-7);<\/p>\n 6.\u2003Citrato de plomo (CAS\u00a014450-60-3);<\/p>\n 7.\u2003Quelatos de plomo- cobre de beta-resorcilato o salicilatos (CAS\u00a068411-07-4);<\/p>\n 8.\u2003Maleato de plomo (CAS\u00a019136-34-6);<\/p>\n 9.\u2003Salicilato de plomo (CAS\u00a015748-73-9);<\/p>\n 10.\u2003Estannato de plomo (CAS\u00a012036-31-6);<\/p>\n 11.\u2003MAPO (\u00d3xido de fosfina tris-1-(2-metil)aziridinilo) (CAS\u00a057-39-6); BOBBA\u00a08 (\u00f3xido de fosfina bis(2-metil aziridinilo) 2-(2-hidroxipropanoxi) propilamino); y otros derivados de MAPO;<\/p>\n 12.\u2003Metil BAPO (\u00d3xido de fosfina bis (2-metil aziridinilo) metilamino) (CAS\u00a085068-72-0);<\/p>\n 13.\u2003N-metil-p-nitroanilina (CAS\u00a0100-15-2);<\/p>\n 14.\u2003Diisocianato de\u00a03-nitraza-1,5-pentano (CAS\u00a07406-61-9);<\/p>\n 15.\u2003Agentes de acoplamiento \u00f3rgano-met\u00e1licos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2003Neopentilo[dialilo]oxi, tri[dioctilo]fosfato-titanato (CAS\u00a0103850-22-2), igualmente llamado titanio IV, 2, 2 [bis\u00a02-propenolato-metil, butanolato, tris(dioctilo) fosfato] (CAS\u00a0110438-25-0), o LICA\u00a012 (CAS\u00a0103850-22-2);<\/p>\n b.\u2003Titanio IV, [(2-propenolato-1) metil, n-propanolatometil] butanolato-1, tris [dioctilo] pirofosfato o KR3538;<\/p>\n c.\u2003Titanio IV, [(2-propenolato-1) metil, n-propanolatometil] butanolato-1, tris-(dioctil) fosfato.<\/p>\n 16.\u2003Policianodifluoroaminoetileno\u00f3xido;<\/p>\n 17.\u2003Agentes de enlace, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u20031, 1R, 1S-Trimesoil-tris (2-etilaziridina) (HX-868, BITA) (CAS\u00a07722-73-8);<\/p>\n b.\u2003Amidas de aziridina polifuncionales con estructuras de refuerzo isoft\u00e1licas, trim\u00e9sicas, isocian\u00faricas o trimetilap\u00eddicas que tengan tambi\u00e9n un grupo\u00a02-metil o\u00a02-etil en el anillo azirid\u00ednico.<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML8.f.17.b incluye:<\/p>\n a.\u20031,1\u2032-Isoftaloilo-bis (2-metilaziridina) (HX-752) (CAS\u00a07652-64-4);<\/p>\n b.\u20032,4,6-tris(2-etil-1-aziridina)-1,3,5-triazina (HX-874) (CAS\u00a018924-91-9);<\/p>\n c.\u20031,1\u2032-trimetiladipoil-bis (2-etilaziridina) (HX-877) (CAS\u00a071463-62-2).<\/p>\n 18.\u2003Propilenimina (2-metilaziridina) (CAS\u00a075-55-8);<\/p>\n 19.\u2003\u00d3xido f\u00e9rrico superfino (Fe2O3) (CAS\u00a01317-60-8) con una superficie espec\u00edfica superior a\u00a0250 m\u00b2\/g y un tama\u00f1o medio de part\u00edculas de\u00a03,0 nm o inferior;<\/p>\n 20.\u2003TEPAN (Tetraetilenopentaaminaacrilonitrilo) (CAS\u00a068412-45-3); poliaminas cianoetiladas y sus sales;<\/p>\n 21.\u2003TEPANOL (Tetraetilenopentaaminaacrilonitriloglicidol) (CAS\u00a068412-46-4); poliaminas cianoetiladas aducidas con glicidol y sus sales;<\/p>\n 22.\u2003TPB (Trifenil bismuto) (CAS\u00a0603-33-8);<\/p>\n 23.\u2003TEPB (Tris (etoxifenil) bismuto) (CAS\u00a090591-48-3);<\/p>\n g)\u2003\u201cPrecursores\u201d, seg\u00fan se indica:<\/p>\n N.B: En el subart\u00edculo ML8.g las referencias son a \u201cmateriales energ\u00e9ticos\u201d especificados manufacturados con estas substancias.as substancias.<\/p>\n 1.\u2003BCMO (3,3-bis(clorometil)oxetano) (CAS\u00a078-71-7) (v\u00e9anse tambi\u00e9n los subart\u00edculos ML8.e.1 y\u00a08.e.2);<\/p>\n 2.\u2003Sal dinitroazetidina-t-butilo (CAS\u00a0125735-38-8) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.a.28);<\/p>\n 3.\u2003Derivados del hexaazaisowurtzitano, incluidos el HBIW (Hexabencilhexaazaisowurtzitano) (CAS\u00a0124782-15-6) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.a.4) y el TAIW (Tetraacetildibenzilhexaazaisowurtzitano) (CAS\u00a0182763-60-6) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo ML8.a.4);<\/p>\n 4.\u2003No se usa desde\u00a02013;<\/p>\n 5.\u2003TAT (1, 3, 5, 7 tetraacetil-1, 3, 5, 7,-tetraaza ciclo-octano) (CAS\u00a041378-98-7) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo ML8.a.13);<\/p>\n 6.\u20031, 4, 5, 8 tetraazadecalino (CAS\u00a05409-42-7) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.a.27);<\/p>\n 7.\u20031,3,5-triclorobenceno (CAS\u00a0108-70-3) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.a.23);<\/p>\n 8.\u20031, 2, 4-trihidroxibutano (1, 2, 4-butanotriol) (CAS\u00a03068-00-6) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.e.5);<\/p>\n 9.\u2003DADN (1,5-diacetil-3,7-dinitro-1, 3, 5, 7-tetraza-ciclooctano) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08.a.13).<\/p>\n h)\u2003Polvos y piezas de \u201cmateriales reactivos\u201d, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Polvos de cualquiera de los siguientes materiales, con un tama\u00f1o de part\u00edculas inferior a\u00a0250 micras en cualquier direcci\u00f3n, no especificados en ninguna otra parte del art\u00edculo ML8:<\/p>\n a.\u2003Aluminio;<\/p>\n b.\u2003Niobio;<\/p>\n c.\u2003Boro;<\/p>\n d.\u2003Zirconio;<\/p>\n e.\u2003Magnesio;<\/p>\n f.\u2003Titanio;<\/p>\n g.\u2003T\u00e1ntalo;<\/p>\n h.\u2003Wolframio;<\/p>\n i.\u2003Molibdeno; o<\/p>\n j.\u2003Hafnio;<\/p>\n 2.\u2003Piezas, no especificadas en los art\u00edculos ML3, ML4, ML12 o ML16, fabricadas a partir de polvos especificados en el art\u00edculo ML8.h.1.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A efectos del subart\u00edculo ML8.h:<\/p>\n 1.\u2003Los \u201cmateriales reactivos\u201d est\u00e1n concebidos para producir una reacci\u00f3n exot\u00e9rmica \u00fanicamente a altas velocidades de cizallamiento y para ser utilizados como conos o carcasas para ojivas.<\/p>\n 2.\u2003Se producen polvos de \u201cmateriales reactivos\u201d, por ejemplo, mediante procesos de molienda en molinos de bolas de alta energ\u00eda.<\/p>\n 3.\u2003Se producen piezas de \u201cmateriales reactivos\u201d, por ejemplo, mediante el sinterizado selectivo por l\u00e1ser.<\/p>\n Nota\u00a01: El art\u00edculo ML8 no se aplica a las sustancias siguientes, salvo que est\u00e9n compuestas o mezcladas con los \u201cmateriales energ\u00e9ticos\u201d especificados en el subart\u00edculo ML8.a o los polvos de metal especificados en el subart\u00edculo ML8.c:<\/p>\n a.\u2003Picrato de amonio (CAS\u00a0131-74-8);<\/p>\n b.\u2003P\u00f3lvora negra;<\/p>\n c.\u2003Hexanitrodifenilamina (CAS\u00a0131-73-7);<\/p>\n d.\u2003Difluoroamina (CAS\u00a010405-27-3);<\/p>\n e.\u2003Nitroalmid\u00f3n (CAS\u00a09056-38-6);<\/p>\n f.\u2003Nitrato pot\u00e1sico (CAS\u00a07757-79-1);<\/p>\n g.\u2003Tetranitronaftaleno;<\/p>\n h.\u2003Trinitroanisol;<\/p>\n i.\u2003Trinitronaftaleno;<\/p>\n j.\u2003Trinitroxileno;<\/p>\n k.\u2003N-pirrolidinona; 1-metil-2-pirrolidinona (CAS\u00a0872-50-4);<\/p>\n l.\u2003Maleato de dioctilo (CAS\u00a0142-16-5);<\/p>\n m.\u2003Acrilato de etilhexilo (CAS\u00a0103-11-7);<\/p>\n n.\u2003Trietil-aluminio (TEA) (CAS\u00a097-93-8), trimetil-aluminio (TMA)(CAS\u00a075-24-1) y otros alquilos y arilos met\u00e1licos pirof\u00f3ricos de litio, de sodio, de magnesio, de zinc y de boro;<\/p>\n o.\u2003Nitrocelulosa (CAS\u00a09004-70-0);<\/p>\n p.\u2003Nitroglicerina (o gliceroltrinitrato, trinitroglicerina) (NG) (CAS\u00a055-63-0);<\/p>\n q.\u20032, 4, 6-trinitrotolueno (TNT) (CAS\u00a0118-96-7);<\/p>\n r.\u2003Dinitrato de etilenodiamina (EDDN) (CAS\u00a020829-66-7);<\/p>\n s.\u2003Tetranitrato de pentaeritritol (PETN) (CAS\u00a078-11-5);<\/p>\n t.\u2003Azida de plomo (CAS\u00a013424-46-9), estifnato de plomo normal (CAS\u00a015245-44-0) y estifnato de plomo b\u00e1sico (CAS\u00a012403-82-6), y explosivos primarios o compuestos de cebado que contengan azidas o complejos de azidas;<\/p>\n u.\u2003Dinitrato de trietilenoglicol (TEGDN) (CAS\u00a0111-22-8);<\/p>\n v.\u20032, 4, 6-trinitrorresorcinol (\u00e1cido est\u00edfnico) (CAS\u00a082-71-3);<\/p>\n w.\u2003Dietildifenilurea (CAS\u00a085-98-3); dimetildifenilurea (CAS\u00a0611-92-7); metiletildifenilurea [Centralitas];<\/p>\n x.\u2003N, N-difenilurea (difenilurea asim\u00e9trica) (CAS\u00a0603-54-3);<\/p>\n y.\u2003Metil-N, N-difenilurea (metildifenilurea asim\u00e9trica) (CAS\u00a013114-72-2);<\/p>\n z.\u2003Etil-N, N-difenilurea (etildifenilurea asim\u00e9trica) (CAS\u00a064544-71-4);<\/p>\n aa.\u20032-nitrodifenilamina (2-NDPA) (CAS\u00a0119-75-5);<\/p>\n bb.\u20034-nitrodifenilamina (4-NDPA) (CAS\u00a0836-30-6);<\/p>\n cc.\u20032, 2-dinitropropanol (CAS\u00a0918-52-5);<\/p>\n dd.\u2003Nitroguanidina (CAS\u00a0556-88-7) (v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a01C011.d de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE).<\/p>\n Nota\u00a02: El art\u00edculo ML8 no se aplica al perclorato de amonio (subart\u00edculo ML8.d.2.), al NTO (subart\u00edculo ML8.a.18.) ni al catoceno (subart\u00edculo ML8.f.4.b), que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Conformados y formulados especialmente para dispositivos de generaci\u00f3n de gases de uso civil;<\/p>\n b.\u2003Compuestos o mezclados con aglutinantes o plastificantes termoendurecibles no activos, y que tengan una masa inferior a\u00a0250 g;<\/p>\n c.\u2003Con un m\u00e1ximo de\u00a080\u202f% de perclorato de amonio (ML8.d.2) en masa de material activo;<\/p>\n d.\u2003Con una cantidad igual o inferior a\u00a04 g de NTO (ML8.a.18); y<\/p>\n e.\u2003Con una cantidad igual o inferior a\u00a01 g de catoceno (ML8.f.4.b).<\/p>\n ML9 Buques de guerra (de superficie o subacu\u00e1ticos), equipos navales especiales, accesorios, componentes y otros buques de superficie, seg\u00fan se indica:<\/p>\n N.B. Para equipos de guiado y navegaci\u00f3n, v\u00e9ase el art\u00edculo ML11.<\/p>\n a)\u2003Los buques y componentes, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Buques (de superficie o subacu\u00e1ticos) dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar, cualquiera que sea su estado actual de conservaci\u00f3n o de funcionamiento, y que tengan o no sistemas de bombardeo o blindaje, y cascos o partes del casco para dichos buques, y componentes para ellos dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML9.a.1 incluye los veh\u00edculos dise\u00f1ados especialmente o modificados para el transporte de buceadores.<\/p>\n 2.\u2003Buques de superficie, no especificados en ML9.a.1, con uno o varios de los siguientes elementos fijados o integrados en el buque:<\/p>\n a.\u2003Armas autom\u00e1ticas, especificadas en el art\u00edculo ML1, o armas especificadas en los art\u00edculos ML2, ML4, ML12 o ML19, o \u201cpuntos de montaje\u201d o puntos duros para armas de calibre\u00a012.7 mm o mayor;<\/p>\n Nota t\u00e9cnica: Por \u201cpuntos de montaje\u201d se entiende los puntos de montaje de armas o los refuerzos estructurales destinados a la instalaci\u00f3n de armas.<\/p>\n b.\u2003Sistemas de direcci\u00f3n de tiro especificados en el art\u00edculo ML5;<\/p>\n c.\u2003Que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n 1.\u2003\u201cProtecci\u00f3n Qu\u00edmica, Biol\u00f3gica, Radiol\u00f3gica y Nuclear (QBRN)\u201d; y<\/p>\n 2.\u2003\u201cSistemas de prehumedecido o de lavado\u201d dise\u00f1ados a efectos de descontaminaci\u00f3n; o<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n Por \u201csistemas de prehumedecido y de lavado\u201d se entiende los sistemas de pulverizaci\u00f3n de agua marina capaces simult\u00e1neamente de humedecer la superestructura exterior y la cubierta de un buque.<\/p>\n d.\u2003Sistemas activos de contramedidas frente a armamentos especificados en los subart\u00edculos ML4.b, ML5.c\u00a0o ML11.a\u00a0y que tengan alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n 1.\u2003\u201cProtecci\u00f3n QBRN\u201d;<\/p>\n 2.\u2003Casco y superestructura especialmente dise\u00f1ados para reducir el perfil transversal de radar;<\/p>\n 3.\u2003Dispositivos de reducci\u00f3n de la firma t\u00e9rmica (por ejemplo, sistema de enfriamiento de los gases de escape), excepto los dise\u00f1ados especialmente para aumentar la eficiencia global del generador de energ\u00eda o para reducir el impacto medioambiental; o<\/p>\n 4.\u2003Un sistema de desmagnetizaci\u00f3n dise\u00f1ado para reducir la firma magn\u00e9tica del conjunto del buque.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A efectos del subart\u00edculo ML9.a.2\u00a0por \u201cprotecci\u00f3n QBRN\u201d se entiende un espacio interior estanco con caracter\u00edsticas tales como sobrepresurizaci\u00f3n, sistemas de aislamiento de la ventilaci\u00f3n, aperturas de ventilaci\u00f3n limitadas con filtros QBRN y puntos de acceso limitado del personal dotados de esclusas de ventilaci\u00f3n.<\/p>\n b)\u2003Motores y sistemas de propulsi\u00f3n, seg\u00fan se indica, dise\u00f1ados especialmente para uso militar y componentes para ellos dise\u00f1ados especialmente para uso militar:<\/p>\n 1.\u2003Motores di\u00e9sel dise\u00f1ados especialmente para submarinos;<\/p>\n 2.\u2003Motores el\u00e9ctricos dise\u00f1ados especialmente para submarinos, que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Potencia superior a\u00a00,75 MW (1.000 CV);<\/p>\n b.\u2003De inversi\u00f3n r\u00e1pida;<\/p>\n c.\u2003Refrigerados por l\u00edquido; y<\/p>\n d.\u2003Herm\u00e9ticos;<\/p>\n 3.\u2003Motores di\u00e9sel que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Potencia de\u00a037,3 kW (50 CV) o m\u00e1s; y<\/p>\n b.\u2003Cuyo contenido \u201camagn\u00e9tico\u201d exceda del\u00a075\u202f% de su masa total;<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A efectos del subart\u00edculo ML9.b.3, \u201camagn\u00e9tico\u201d significa que la permeabilidad relativa es inferior a\u00a02.<\/p>\n 4.\u2003Sistemas de \u2018propulsi\u00f3n independiente del aire\u2019 dise\u00f1ados especialmente para submarinos;<\/p>\n El subart\u00edculo ML9.b.4 no se aplica a las pistolas de se\u00f1alizaci\u00f3n.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A efectos del subart\u00edculo ML9.b.4, la \u201cpropulsi\u00f3n independiente del aire\u201d permite que un submarino sumergido opere su sistema de propulsi\u00f3n, sin acceso al ox\u00edgeno atmosf\u00e9rico, durante m\u00e1s tiempo del que hubieran permitido las bater\u00edas.<\/p>\n N.B.: Para el equipo nuclear de propulsi\u00f3n, v\u00e9ase el subart\u00edculo ML9.h.<\/p>\n c)\u2003Aparatos de detecci\u00f3n subacu\u00e1tica, dise\u00f1ados especialmente para uso militar, controles para ellos y componentes para ellos dise\u00f1ados especialmente para un uso militar;<\/p>\n d)\u2003Redes antisubmarinos y antitorpedos, dise\u00f1adas especialmente para un uso militar;<\/p>\n e)\u2003sin uso desde\u00a02003.<\/p>\n f)\u2003Obturadores de casco y conectores, dise\u00f1ados especialmente para uso militar, que permitan una interacci\u00f3n con los equipos exteriores del buque, y componentes para ellos dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML9.f incluye los conectores navales de tipo conductor simple o multiconductor, coaxiales o gu\u00edas de ondas, y los obturadores de casco para buques, ambos capaces de estanqueidad y de conservar las caracter\u00edsticas necesarias a profundidades submarinas de m\u00e1s de\u00a0100 m; as\u00ed como los conectores de fibra \u00f3ptica y los obturadores de casco \u00f3pticos dise\u00f1ados especialmente para transmisi\u00f3n por haz \u201cl\u00e1ser\u201d, cualquiera que sea la profundidad.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML9.f no se aplica a los obturadores de casco ordinarios para el \u00e1rbol de propulsi\u00f3n y el v\u00e1stago del mando hidrodin\u00e1mico.<\/p>\n g)\u2003Rodamientos silenciosos que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes, componentes para ellos y equipos que contengan tales rodamientos, dise\u00f1ados especialmente para uso militar:<\/p>\n 1.\u2003Suspensi\u00f3n magn\u00e9tica o de gas;<\/p>\n 2.\u2003Controles activos para la supresi\u00f3n de la firma; o<\/p>\n 3.\u2003Controles para la supresi\u00f3n de la vibraci\u00f3n.<\/p>\n h)\u2003Equipo nuclear generador de potencia o propulsi\u00f3n, dise\u00f1ado especialmente para buques especificados en el subart\u00edculo ML9.a, y componentes para ellos dise\u00f1ados especialmente o \u201cmodificados\u201d para uso militar;<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A efectos del subart\u00edculo ML9.h., \u201cmodificaci\u00f3n\u201d significa un cambio estructural, el\u00e9ctrico, mec\u00e1nico u otro que confiera a un material no militar capacidades militares equivalentes a las de un material dise\u00f1ado especialmente para uso militar.<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML9.h\u00a0incluye los \u201creactores nucleares\u201d.<\/p>\n ML10 \u201cAeronaves\u201d, \u201cveh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u201d, \u201cveh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados\u201d (\u201cVANT\u201d), motores de aviaci\u00f3n y equipo para \u201caeronaves\u201d, equipos asociados, y componentes, seg\u00fan se indica, dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar:<\/p>\n N.B. Para equipos de guiado y navegaci\u00f3n, v\u00e9ase el art\u00edculo ML11.<\/p>\n a)\u2003\u201cAeronaves\u201d y \u201cveh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u201d, tripulados, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n b)\u2003Sin uso desde\u00a02011;<\/p>\n c)\u2003\u201cAeronaves\u201d y \u201cveh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u201d no tripulados, y equipo relacionado, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n 1.\u2003\u201cVeh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados\u201d, veh\u00edculos a\u00e9reos teledirigidos, veh\u00edculos aut\u00f3nomos programables y \u201cveh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u201d no tripulados;<\/p>\n 2.\u2003Lanzadores, equipo de recuperaci\u00f3n y equipo de apoyo en tierra;<\/p>\n 3.\u2003Equipo dise\u00f1ado para mando o control;<\/p>\n d)\u2003Motores aeron\u00e1uticos de propulsi\u00f3n y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n e)\u2003Equipos aerotransportados para el abastecimiento de carburante dise\u00f1ados especialmente o modificados para cualquiera de las siguientes aeronaves, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n 1.\u2003\u201cAeronaves\u201d especificadas en el subart\u00edculo\u00a010.a; o<\/p>\n 2.\u2003\u201cAeronaves\u201d no tripuladas especificadas en el subart\u00edculo\u00a010.c;<\/p>\n f)\u2003\u201cEquipo de tierra\u201d dise\u00f1ado especialmente para las \u201caeronaves\u201d especificadas en el subart\u00edculo ML10.a o los motores aeron\u00e1uticos especificados en el subart\u00edculo ML10.d;<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML10.f incluye el equipo para el abastecimiento de carburante a presi\u00f3n y el equipo dise\u00f1ado para facilitar operaciones en \u00e1reas restringidas, incluido el equipo situado a bordo de un buque.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML10.f no se aplica a:<\/p>\n 1.\u2003Barras de remolque;<\/p>\n 2.\u2003Esteras y cubiertas de protecci\u00f3n;<\/p>\n 3.\u2003Escaleras de mano, escalones y andenes;<\/p>\n 4.\u2003Chocks, amarres y equipos de basculamiento.<\/p>\n g)\u2003Equipo de supervivencia para tripulaciones a\u00e9reas, equipo de seguridad para tripulaciones a\u00e9reas y otros dispositivos de salida de emergencia, no especificados en el subart\u00edculo ML10.a, dise\u00f1ados para \u201caeronaves\u201d especificadas en el subart\u00edculo ML10.a;<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML10.g. no somete a control los cascos para tripulaciones a\u00e9reas que no llevan incorporados equipos especificados en este anexo I.1, ni llevan acoplamientos o accesorios para tales equipos.<\/p>\n N.B. Para los cascos, v\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo ML13.c.<\/p>\n h)\u2003Paraca\u00eddas, parapentes y equipo relacionado, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n 1.\u2003Paraca\u00eddas no especificados en otro lugar de este anexo I.1;<\/p>\n 2.\u2003Parapentes;<\/p>\n 3.\u2003Equipos dise\u00f1ados especialmente para paracaidismo de gran altura (por ejemplo, trajes, cascos especiales, sistemas de respiraci\u00f3n, equipos de navegaci\u00f3n);<\/p>\n i)\u2003Equipo con apertura controlada o sistemas de pilotaje autom\u00e1tico, dise\u00f1ados para cargas lanzadas en paraca\u00eddas.<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML10.a no se aplica a las \u201caeronaves\u201d ni a los \u201cveh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u201d, o variantes de esas \u201caeronaves\u201d dise\u00f1adas especialmente para uso militar y que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003No ser \u201caeronaves\u201d de combate;<\/p>\n b.\u2003No estar configuradas para uso militar y no incorporar equipos o aditamentos dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar; y<\/p>\n c.\u2003Estar certificadas para uso civil por las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o m\u00e1s Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML10.d no se aplica a:<\/p>\n a.\u2003Motores aeron\u00e1uticos dise\u00f1ados o modificados para uso militar que hayan sido certificados por las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o m\u00e1s Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar para su uso en \u201caeronaves civiles\u201d, o los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n b.\u2003Motores alternativos o los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, salvo los dise\u00f1ados especialmente para veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados ().<\/p>\n Nota\u00a03: A los efectos de los subart\u00edculos ML10.a y ML10.d, los componentes dise\u00f1ados especialmente y el equipo relacionado para \u201caeronaves\u201d y motores aeron\u00e1uticos no militares modificados para uso militar se aplican solo a aquellos componentes y equipo militar relacionado requerido para la modificaci\u00f3n para uso militar.<\/p>\n Nota\u00a04: A los efectos del subart\u00edculo ML10.a, el uso militar incluye: combate, reconocimiento militar, ataque, entrenamiento militar, apoyo log\u00edstico y transporte y paracaidismo de tropas o equipo militar.<\/p>\n Nota\u00a05: El subart\u00edculo ML10.a no se aplica a las \u201caeronaves\u201d ni a los \u201cveh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u201d que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Haber sido manufacturados por primera vez con anterioridad a\u00a01946;<\/p>\n b.\u2003No incorporar art\u00edculos especificados en el presente anexo, salvo que dichos art\u00edculos sean necesarios para cumplir las normas de seguridad o de navegabilidad de las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o m\u00e1s Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar; y<\/p>\n c.\u2003No incorporar armas especificadas en el presente anexo, a menos que sean inservibles y no puedan volver a hacerse funcionar.<\/p>\n Nota\u00a06: El subart\u00edculo ML10.d no se aplica a los motores aeron\u00e1uticos de propulsi\u00f3n manufacturados por primera vez con anterioridad a\u00a01946.<\/p>\n ML11 Equipos electr\u00f3nicos, \u201cveh\u00edculos espaciales\u201d y componentes no especificados en ninguna otra parte de este anexo, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a)\u2003Equipo electr\u00f3nico dise\u00f1ado especialmente para uso militar y componentes dise\u00f1ados especialmente para \u00e9l;<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML11.a incluye:<\/p>\n a.\u2003Los equipos de contramedidas y contracontramedidas electr\u00f3nicas (es decir, equipos dise\u00f1ados para introducir se\u00f1ales extra\u00f1as o err\u00f3neas en un radar o en receptores de radiocomunicaciones, o para perturbar de otro modo la recepci\u00f3n, el funcionamiento o la eficacia de los receptores electr\u00f3nicos del adversario, incluidos sus equipos de contramedidas), incluyendo los equipos de interferencia intencionada y antiinterferencia;<\/p>\n b.\u2003Los tubos con agilidad de frecuencia;<\/p>\n c.\u2003Los sistemas o equipos electr\u00f3nicos dise\u00f1ados bien para la vigilancia y la supervisi\u00f3n del espectro electromagn\u00e9tico para la inteligencia militar o la seguridad, o bien para oponerse a tales controles y vigilancias;<\/p>\n d.\u2003Los equipos subacu\u00e1ticos de contramedidas, incluyendo el material ac\u00fastico y magn\u00e9tico de perturbaci\u00f3n y se\u00f1uelo, dise\u00f1ados para introducir se\u00f1ales extra\u00f1as o err\u00f3neas en los receptores sonar;<\/p>\n e.\u2003Los equipos de seguridad en proceso de datos, de seguridad de los datos y de seguridad de los canales de transmisi\u00f3n y de se\u00f1alizaci\u00f3n, que utilicen procedimientos de cifrado;<\/p>\n f.\u2003Los equipos de identificaci\u00f3n, autenticaci\u00f3n y cargadores de clave, y los equipos de gesti\u00f3n, fabricaci\u00f3n y distribuci\u00f3n de clave;<\/p>\n g.\u2003Los equipos de guiado y navegaci\u00f3n;<\/p>\n h.\u2003Los equipos de transmisi\u00f3n de radiocomunicaciones digitales por dispersi\u00f3n troposf\u00e9rica;<\/p>\n i.\u2003Los desmoduladores digitales dise\u00f1ados especialmente para la inteligencia de se\u00f1ales;<\/p>\n j.\u2003\u201cSistemas automatizados de mando y control\u201d.<\/p>\n NB: Para el \u201cequipo l\u00f3gico\u201d asociado a la radio definida por \u201cequipo l\u00f3gico\u201d para uso militar, v\u00e9ase el art\u00edculo ML21.<\/p>\n b)\u2003Equipos de interferencia intencionada dise\u00f1ados o modificados para impedir la recepci\u00f3n, el funcionamiento o la eficacia de los servicios de posicionamiento, navegaci\u00f3n o temporizaci\u00f3n proporcionados por los \u201csistemas de radionavegaci\u00f3n por sat\u00e9lite\u201d, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n c)\u2003\u201cVeh\u00edculos espaciales\u201d dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar, y componentes de \u201cveh\u00edculos espaciales\u201d dise\u00f1ados especialmente para uso militar.<\/p>\n ML12 Sistemas de armas de energ\u00eda cin\u00e9tica de alta velocidad y equipo relacionado, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n a)\u2003Sistemas de armas de energ\u00eda cin\u00e9tica dise\u00f1ados especialmente para destruir un objetivo o hacer abortar la misi\u00f3n del objetivo;<\/p>\n b)\u2003Instalaciones de ensayo y de evaluaci\u00f3n y modelos de prueba, dise\u00f1adas especialmente, incluidos los instrumentos de diagn\u00f3stico y los blancos, para la prueba din\u00e1mica de proyectiles y sistemas de energ\u00eda cin\u00e9tica.<\/p>\n N.B.: Para los sistemas de armas que utilicen municiones subcalibradas o \u00fanicamente se sirvan de la propulsi\u00f3n qu\u00edmica, y las municiones para ellos, v\u00e9anse los art\u00edculos ML1, ML2, ML3 y ML4.<\/p>\n Nota\u00a01: El art\u00edculo ML12 incluye los equipos siguientes, cuando est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para sistemas de armas de energ\u00eda cin\u00e9tica:<\/p>\n a.\u2003Los sistemas de propulsi\u00f3n para lanzamiento capaces de acelerar masas superiores a\u00a00,1 g a velocidades superiores a\u00a01,6 km\/s, en modo de disparo simple o r\u00e1pido;<\/p>\n b.\u2003Los equipos de producci\u00f3n de potencia principal, de blindaje el\u00e9ctrico, de almacenamiento de energ\u00eda (por ejemplo, condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energ\u00eda), de control t\u00e9rmico, de acondicionamiento, de conmutaci\u00f3n o de manipulaci\u00f3n de combustible; e interfaces el\u00e9ctricas entre la fuente de alimentaci\u00f3n, el ca\u00f1\u00f3n y las dem\u00e1s funciones de excitaci\u00f3n el\u00e9ctrica de la torreta;<\/p>\n N.B.: V\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a03A001.e.2 en la Lista de Productos de Doble Uso de la UE para condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energ\u00eda.<\/p>\n c.\u2003Los sistemas de captaci\u00f3n o seguimiento de objetivos, de direcci\u00f3n de tiro o de evaluaci\u00f3n de da\u00f1os;<\/p>\n d.\u2003Los sistemas de b\u00fasqueda de objetivos, de guiado o de propulsi\u00f3n derivada (aceleraci\u00f3n lateral), para proyectiles.<\/p>\n Nota\u00a02: El art\u00edculo ML12 se aplica a los sistemas de armas que utilicen cualquiera de los m\u00e9todos de propulsi\u00f3n siguientes:<\/p>\n a.\u2003Electromagn\u00e9tica;<\/p>\n b.\u2003Electrot\u00e9rmica;<\/p>\n c.\u2003Por plasma;<\/p>\n d.\u2003De gas ligero; o<\/p>\n e.\u2003Qu\u00edmica (cuando se utilice en combinaci\u00f3n con otro cualquiera de los dem\u00e1s m\u00e9todos indicados).<\/p>\n ML13 Equipos blindados o de protecci\u00f3n, construcciones, componentes y accesorios, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a)\u2003Planchas de blindaje met\u00e1licas o no que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n 1.\u2003Manufacturadas para cumplir est\u00e1ndares o especificaciones militares; o<\/p>\n 2.\u2003Apropiadas para uso militar;<\/p>\n Nota: Para las placas de trajes blindados, v\u00e9ase ML13.d.2.<\/p>\n b)\u2003Construcciones de materiales met\u00e1licos o no y combinaciones de ellas dise\u00f1adas especialmente para ofrecer una protecci\u00f3n bal\u00edstica a los sistemas militares, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellas.<\/p>\n c)\u2003Cascos y componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Cascos manufacturados de acuerdo con est\u00e1ndares o especificaciones militares, o con normas nacionales comparables;<\/p>\n 2.\u2003Armazones, forros y acolchados dise\u00f1ados especialmente para los cascos que se especifican en el subart\u00edculo ML13.c.1;<\/p>\n 3.\u2003Complementos de protecci\u00f3n bal\u00edstica dise\u00f1ados especialmente para los cascos que se especifican en el subart\u00edculo ML13.c.1;<\/p>\n Nota: V\u00e9ase la entrada correspondiente de este anexo para otros componentes o accesorios del casco para militares.<\/p>\n d)\u2003Trajes blindados o prendas de protecci\u00f3n, y componentes para ellos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Trajes blindados blandos, prendas de protecci\u00f3n manufacturadas para cumplir est\u00e1ndares o especificaciones militares, o sus equivalentes, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellas;<\/p>\n Nota: A los efectos del subart\u00edculo ML13.d.1, los est\u00e1ndares o especificaciones militares incluyen, como m\u00ednimo, especificaciones de protecci\u00f3n contra la fragmentaci\u00f3n.<\/p>\n 2.\u2003Placas r\u00edgidas para trajes blindados que proporcionen protecci\u00f3n antibalas de nivel igual o superior al nivel III (NIJ\u00a00101.06, julio de\u00a02008) o \u201cnormas equivalentes\u201d.<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML13.b incluye los materiales dise\u00f1ados especialmente para constituir blindajes explosivos reactivos o para construir refugios militares.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML13.c no se aplica a los cascos que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Haber sido manufacturados por primera vez con anterioridad a\u00a01970; y<\/p>\n b.\u2003No estar dise\u00f1ados ni modificados para aceptar material especificado en la Lista Com\u00fan Militar de la UE ni estar equipados con dicho material.<\/p>\n Nota\u00a03: Los subart\u00edculos ML13.c y ML13.d no se aplican a los cascos, trajes blindados ni prendas de protecci\u00f3n, cuando acompa\u00f1en a su usuario para su protecci\u00f3n personal.<\/p>\n Nota\u00a04: Los \u00fanicos cascos dise\u00f1ados especialmente para el personal de desactivaci\u00f3n de explosivos que est\u00e1n especificados en el art\u00edculo ML13.c son los cascos dise\u00f1ados especialmente para uso militar.<\/p>\n Nota\u00a05: El subart\u00edculo ML13.d.1 no se aplica a las gafas protectoras.<\/p>\n N.B.: Para las gafas protectoras, v\u00e9ase ML17.o.<\/p>\n N.B.1.: V\u00e9ase tambi\u00e9n el art\u00edculo\u00a01A005 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n N.B.2: Para los \u201cmateriales fibrosos o filamentosos\u201d utilizados en la manufactura de los trajes blindados y de los cascos, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a01C010 de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE<\/p>\n ML14 \u201cEquipos especializados para el entrenamiento militar\u201d o la simulaci\u00f3n de escenarios militares, simuladores dise\u00f1ados especialmente para el aprendizaje del manejo de armas de fuego u otras armas especificadas en los art\u00edculos ML1 o ML2, y componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/p>\n Nota\u00a01: El art\u00edculo ML14 incluye los sistemas de generaci\u00f3n de im\u00e1genes y los sistemas de entorno interactivo para simuladores cuando est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar.<\/p>\n Nota\u00a02: El art\u00edculo ML14 no se aplica al equipo dise\u00f1ado especialmente para el entrenamiento en el uso de armas de caza o tiro deportivo.<\/p>\n Nota\u00a03: \u201cEquipo especializado para el entrenamiento militar\u201d incluye los tipos militares de entrenadores de ataque, entrenadores de vuelo operativo, entrenadores de blancos radar, generadores de blancos radar, dispositivos de entrenamiento para el tiro, de entrenamiento de guerra antisubmarina, simuladores de vuelo (incluidas las centrifugadoras para personas, destinadas a la formaci\u00f3n de pilotos y astronautas), entrenadores para la utilizaci\u00f3n de radares, entrenadores para instrumentos de vuelo, entrenadores para la navegaci\u00f3n, entrenadores para el lanzamiento de misiles, equipos para blancos, \u201caeronaves\u201d no tripuladas, entrenadores de armamento, \u201caeronaves\u201d no tripuladas, unidades m\u00f3viles de entrenamiento y equipos de entrenamiento para operaciones militares en tierra.<\/p>\n ML15 Equipos de formaci\u00f3n de imagen o de contramedida, seg\u00fan se indica, dise\u00f1ados especialmente para uso militar y componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n a)\u2003Registradores y equipos de proceso de imagen;<\/p>\n b)\u2003C\u00e1maras, equipo fotogr\u00e1fico y equipo para el revelado de pel\u00edculas;<\/p>\n c)\u2003Equipo para la intensificaci\u00f3n de im\u00e1genes;<\/p>\n d)\u2003Equipo de formaci\u00f3n de imagen de infrarrojos o t\u00e9rmica;<\/p>\n e)\u2003Equipo sensor de imagen por radar;<\/p>\n f)\u2003Equipos de contramedida y contracontramedida para los equipos especificados en los subart\u00edculos ML15.a a ML15.e.<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML15.f incluye equipo dise\u00f1ado para degradar el funcionamiento o la efectividad de los sistemas militares de imagen o para minimizar tales efectos degradantes.<\/p>\n Nota: El art\u00edculo ML15 no se aplica a los \u201ctubos intensificadores de imagen de la primera generaci\u00f3n\u201d ni a los equipos dise\u00f1ados especialmente para incorporar \u201ctubos intensificadores de imagen de la primera generaci\u00f3n\u201d.<\/p>\n NB: Para la clasificaci\u00f3n de los visores que incorporen \u201ctubos intensificadores de imagen de la primera generaci\u00f3n\u201d v\u00e9anse los art\u00edculos ML1, ML2 y ML5.a.<\/p>\n N.B.: V\u00e9anse tambi\u00e9n los subart\u00edculos\u00a06A002.a.2 y\u00a06A002.b de la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n ML16 Piezas de forja, piezas de fundici\u00f3n y productos semielaborados, dise\u00f1ados especialmente para los productos especificados en los art\u00edculos ML1, ML2, ML3, ML4, ML6, ML9, ML10, ML12 o ML19.<\/p>\n Nota: El art\u00edculo\u00a016 se aplica a los productos semielaborados que sean identificables por la composici\u00f3n del material, geometr\u00eda o funci\u00f3n.<\/p>\n ML17 Equipos miscel\u00e1neos, materiales y \u201cbibliotecas\u201d, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n a)\u2003Equipos de buceo y nataci\u00f3n subacu\u00e1tica, dise\u00f1ados especialmente o modificados para uso militar, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003Recirculadores para buceo aut\u00f3nomos, de circuito cerrado y semicerrado;<\/p>\n 2.\u2003Equipos de nataci\u00f3n subacu\u00e1tica dise\u00f1ados especialmente para ser utilizados con los equipos de buceo especificados en subart\u00edculo ML17.a.1;<\/p>\n NB: V\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08A002.q en la Lista de Productos de Doble Uso de la UE.<\/p>\n b)\u2003Equipos de construcci\u00f3n dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n c)\u2003Accesorios, revestimientos y tratamientos, para la supresi\u00f3n de firmas, dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n d)\u2003Equipos de ingenier\u00eda dise\u00f1ados especialmente para uso en zona de combate;<\/p>\n e)\u2003\u201cRobots\u201d, unidades de control de \u201crobots\u201d y \u201cefectores terminales\u201d de \u201crobots\u201d, que tengan cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n 1.\u2003Dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n 2.\u2003Que incorporen medios de protecci\u00f3n de conductos hidr\u00e1ulicos contra las perforaciones de origen exterior causadas por fragmentos de proyectiles (por ejemplo, utilizaci\u00f3n de conductos autosellables) y dise\u00f1ados para utilizar fluidos hidr\u00e1ulicos con temperatura de inflamaci\u00f3n superior a\u00a0839 K (566 \u00b0C); o<\/p>\n 3.\u2003Dise\u00f1ados especialmente o preparados para funcionar en ambientes sometidos a \u201cimpulsos electromagn\u00e9ticos\u201d;<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A efectos del subart\u00edculo ML17.e.3, por \u201cimpulsos electromagn\u00e9ticos\u201d no se entiende la interferencia no intencional causada por la radiaci\u00f3n electromagn\u00e9tica de equipos cercanos (p.ej. maquinaria, dispositivos o equipos electr\u00f3nicos) o el rayo.<\/p>\n f)\u2003\u201cBibliotecas\u201d dise\u00f1adas especialmente o modificadas para uso militar con sistemas, equipos o componentes especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1;<\/p>\n g)\u2003Equipo nuclear generador de potencia o propulsi\u00f3n, no especificado en ninguna otra parte, dise\u00f1ado especialmente para uso militar, y componentes para \u00e9l dise\u00f1ados especialmente o \u201cmodificados\u201d para uso militar;<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML17.g incluye los \u201creactores nucleares\u201d.<\/p>\n h)\u2003Equipo y material, revestido o tratado para la supresi\u00f3n de la firma, dise\u00f1ado especialmente para uso militar, no especificado en ninguna otra parte de la Lista Com\u00fan Militar de la UE;<\/p>\n i)\u2003Simuladores dise\u00f1ados especialmente para \u201creactores nucleares\u201d militares;<\/p>\n j)\u2003Talleres de reparaci\u00f3n m\u00f3viles dise\u00f1ados especialmente o \u2018modificados\u2019 para dar servicio a equipo militar;<\/p>\n k)\u2003Generadores de campa\u00f1a dise\u00f1ados especialmente o \u2018modificados\u2019 para uso militar;<\/p>\n l)\u2003Contenedores intermodales ISO o carrocer\u00edas desmontables (es decir, cajas m\u00f3viles), dise\u00f1ados especialmente o \u201cmodificados\u201d para uso militar;<\/p>\n m)\u2003Transbordadores, no especificados en ninguna otra parte de la Lista Com\u00fan Militar de la UE, puentes y pontones dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n n)\u2003Modelos para ensayo dise\u00f1ados especialmente para el \u201cdesarrollo\u201d de los materiales especificados en los art\u00edculos ML4, ML6, ML9 o ML10;<\/p>\n o)\u2003Equipos para protecci\u00f3n de \u201cl\u00e1ser\u201d (por ejemplo, protectores de ojos o sensores) dise\u00f1ados especialmente para uso militar;<\/p>\n p)\u2003\u201cPilas de combustible\u201d no especificadas en ninguna otra parte de la Lista Com\u00fan Militar de la UE ni en este anexo I.1, dise\u00f1adas especialmente o \u201cmodificadas\u201d para uso militar.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n 1.\u2003No se usa desde\u00a02014.<\/p>\n 2.\u2003A efectos del art\u00edculo ML17, \u201cmodificaci\u00f3n\u201d significa un cambio estructural, el\u00e9ctrico, mec\u00e1nico u otro que confiera a un material no militar capacidades militares equivalentes a las de un material dise\u00f1ado especialmente para uso militar.<\/p>\n ML18 Equipo de \u2018producci\u00f3n\u2019, instalaciones de ensayo ambiental y componentes, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a)\u2003Equipos de \u2018producci\u00f3n\u2019 dise\u00f1ados especialmente o modificados para la \u201cproducci\u00f3n\u201d de los art\u00edculos especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n b)\u2003Instalaciones de ensayo ambiental dise\u00f1adas especialmente y equipos dise\u00f1ados especialmente para ellas, que no se especifiquen en otro sitio, para la certificaci\u00f3n, calificaci\u00f3n o ensayo de productos especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A efectos del art\u00edculo ML18, el t\u00e9rmino \u201cproducci\u00f3n\u201d incluye el dise\u00f1o, la inspecci\u00f3n, la fabricaci\u00f3n, el ensayo y la verificaci\u00f3n.<\/p>\n Nota: Los subart\u00edculos ML18.a y ML18.b incluyen los equipos siguientes:<\/p>\n a.\u2003Nitruradores de tipo continuo;<\/p>\n b.\u2003Equipos o aparatos de ensayo por centrifugaci\u00f3n, que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n 1.\u2003Accionados por uno o varios motores de una potencia nominal total de m\u00e1s de\u00a0298 kW (400 CV);<\/p>\n 2.\u2003Capaces de soportar una carga \u00fatil de\u00a0113 kg o m\u00e1s; o<\/p>\n 3.\u2003Capaces de imprimir una aceleraci\u00f3n centr\u00edfuga de\u00a08 g o m\u00e1s con una carga \u00fatil de\u00a091 kg o m\u00e1s;<\/p>\n c.\u2003Prensas de deshidrataci\u00f3n;<\/p>\n d.\u2003Prensas extruidoras de husillo dise\u00f1adas especialmente o modificadas para la extrusi\u00f3n de \u201cexplosivos\u201d militares;<\/p>\n e.\u2003M\u00e1quinas para el corte de \u201cpropulsantes\u201d en forma de macarr\u00f3n;<\/p>\n f.\u2003Tambores amasadores (cubas giratorias) de\u00a01,85 m de di\u00e1metro o m\u00e1s, y con una capacidad de producci\u00f3n de m\u00e1s de\u00a0227 kg;<\/p>\n g.\u2003Mezcladores de acci\u00f3n continua para \u201cpropulsantes\u201d s\u00f3lidos;<\/p>\n h.\u2003Molinos accionados por fluidos, para pulverizar o moler los ingredientes de \u201cexplosivos\u201d militares;<\/p>\n i.\u2003Equipos para obtener a la vez la esfericidad y uniformidad de tama\u00f1o de las part\u00edculas del polvo met\u00e1lico citado en el subart\u00edculo ML8.c.8;<\/p>\n j.\u2003Convertidores de corriente de convecci\u00f3n para la conversi\u00f3n de los materiales incluidos en el subart\u00edculo\u00a08.c.3.<\/p>\n ML19 Sistemas de Armas de Energ\u00eda Dirigida, equipos relacionados o de contramedida y modelos de ensayo, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n a)\u2003Sistemas \u201cl\u00e1ser\u201d dise\u00f1ados especialmente para destruir un objetivo o hacer abortar la misi\u00f3n de un objetivo;<\/p>\n b)\u2003Sistemas de haces de part\u00edculas capaces de destruir un objetivo o hacer abortar la misi\u00f3n de un objetivo;<\/p>\n c)\u2003Sistemas de radiofrecuencia (RF) de gran potencia capaces de destruir un objetivo o de hacer abortar la misi\u00f3n de un objetivo;<\/p>\n d)\u2003Equipos dise\u00f1ados especialmente para la detecci\u00f3n o la identificaci\u00f3n de los sistemas especificados por los subart\u00edculos ML19.a, ML19.b o ML19.c o para la defensa contra esos sistemas;<\/p>\n e)\u2003Modelos f\u00edsicos para ensayo para los sistemas, equipos y componentes, especificados en el art\u00edculo ML19;<\/p>\n f)\u2003Sistemas \u201cl\u00e1ser\u201d dise\u00f1ados especialmente para causar ceguera permanente a un observador sin visi\u00f3n aumentada, es decir, al ojo desnudo o al ojo con dispositivos correctores de la visi\u00f3n.<\/p>\n Nota\u00a01: Los sistemas de armas de energ\u00eda dirigida especificados en el art\u00edculo ML19 incluyen los sistemas cuyas posibilidades se deriven de la aplicaci\u00f3n controlada de:<\/p>\n a.\u2003\u201cL\u00e1seres\u201d con suficiente potencia para efectuar una destrucci\u00f3n semejante a la obtenida por municiones convencionales;<\/p>\n b.\u2003Aceleradores de part\u00edculas que proyecten un haz de part\u00edculas cargadas o neutras con potencia destructora;<\/p>\n c.\u2003Transmisores de radiofrecuencia de alta potencia emitida en impulsos o de alta potencia media, que produzcan campos suficientemente intensos para inutilizar los circuitos electr\u00f3nicos de un objetivo distante.<\/p>\n Nota\u00a02: El art\u00edculo ML19 incluye lo siguiente cuando est\u00e9 dise\u00f1ado especialmente para los sistemas de armas de energ\u00eda dirigida:<\/p>\n a.\u2003Equipos de producci\u00f3n de potencia principal, de almacenamiento de energ\u00eda, de conmutaci\u00f3n, de acondicionamiento de potencia o de manipulaci\u00f3n de combustible;<\/p>\n b.\u2003Sistemas de captaci\u00f3n o seguimiento de objetivos;<\/p>\n c.\u2003Sistemas capaces de evaluar los da\u00f1os causados a un objetivo, su destrucci\u00f3n o el aborto de su misi\u00f3n;<\/p>\n d.\u2003Equipos de manipulaci\u00f3n, propagaci\u00f3n y punter\u00eda, de haz;<\/p>\n e.\u2003Equipos con exploraci\u00f3n r\u00e1pida por haces para operaciones r\u00e1pidas contra objetivos m\u00faltiples;<\/p>\n f.\u2003\u00d3pticas adaptativas y dispositivos de conjugaci\u00f3n de fase;<\/p>\n g.\u2003Inyectores de corriente por haces de iones de hidr\u00f3geno negativos;<\/p>\n h.\u2003Componentes de acelerador \u201ccalificados para uso espacial\u201d;<\/p>\n i.\u2003Equipos de canalizaci\u00f3n de haces de iones negativos;<\/p>\n j.\u2003Equipos para el control y la orientaci\u00f3n de un haz de iones de alta energ\u00eda;<\/p>\n k.\u2003L\u00e1minas \u201ccalificadas para uso espacial\u201d para la neutralizaci\u00f3n de haces de is\u00f3topos de hidr\u00f3geno negativos.<\/p>\n ML20 Equipos criog\u00e9nicos y \u201csuperconductores\u201d, seg\u00fan se indica, componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n a)\u2003Equipos dise\u00f1ados especialmente o configurados para ser instalados en veh\u00edculos para aplicaciones militares terrestres, mar\u00edtimas, aeron\u00e1uticas o espaciales, capaces de funcionar en movimiento y de producir o mantener temperaturas inferiores a\u00a0103 K (-170 \u00b0C);<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML20.a incluye los sistemas m\u00f3viles que contengan o utilicen accesorios o componentes fabricados a partir de materiales no met\u00e1licos o no conductores de electricidad, tales como los materiales pl\u00e1sticos o los materiales impregnados de resinas epoxi.<\/p>\n b)\u2003Equipos el\u00e9ctricos \u201csuperconductores\u201d (m\u00e1quinas rotativas y transformadores) dise\u00f1ados especialmente o configurados para ser instalados en veh\u00edculos para aplicaciones militares terrestres, mar\u00edtimas, aeron\u00e1uticas o espaciales, y capaces de funcionar en movimiento.<\/p>\n Nota: El subart\u00edculo ML20.b no se aplica a los generadores homopolares h\u00edbridos de corriente continua que tengan armaduras met\u00e1licas normales de un solo polo girando en un campo magn\u00e9tico producido por bobinados superconductores, a condici\u00f3n de que estos bobinados sean el \u00fanico elemento superconductor en el generador.<\/p>\n ML21 \u201cProgramas inform\u00e1ticos\u201d, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a)\u2003\u201cEquipo l\u00f3gico\u201d dise\u00f1ado especialmente o modificado para cualquiera de lo siguiente:<\/p>\n 1.\u2003El \u201cdesarrollo\u201d, la \u201cproducci\u00f3n\u201d, el funcionamiento o el mantenimiento de equipos especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1;<\/p>\n 2.\u2003El \u201cdesarrollo\u201d o la \u201cproducci\u00f3n\u201d de materiales especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1; o<\/p>\n 3.\u2003El \u201cdesarrollo\u201d, la \u201cproducci\u00f3n\u201d, el funcionamiento o el mantenimiento de \u201cequipo l\u00f3gico\u201d especificado en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1;<\/p>\n b)\u2003\u201cEquipo l\u00f3gico\u201d espec\u00edfico distinto del especificado en el subart\u00edculo ML21.a, seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003\u201cEquipo l\u00f3gico\u201d dise\u00f1ado especialmente para uso militar y dise\u00f1ado especialmente para la modelizaci\u00f3n, la simulaci\u00f3n o la evaluaci\u00f3n de sistemas de armas militares;<\/p>\n 2.\u2003\u201cEquipo l\u00f3gico\u201d dise\u00f1ado especialmente para uso militar y dise\u00f1ado especialmente para la modelizaci\u00f3n, la simulaci\u00f3n o la evaluaci\u00f3n de escenarios de operaciones militares;<\/p>\n 3.\u2003\u201cEquipo l\u00f3gico\u201d destinado a determinar los efectos de las armas de guerra convencionales, nucleares, qu\u00edmicas o biol\u00f3gicas;<\/p>\n 4.\u2003\u201cEquipo l\u00f3gico\u201d dise\u00f1ado especialmente para uso militar y dise\u00f1ado especialmente para aplicaciones de Mando, Comunicaciones, Control e Inteligencia (C3I) o de Mando, Comunicaciones, Control, Inform\u00e1tica e Inteligencia (C4I);<\/p>\n 5.\u2003\u201cEquipo l\u00f3gico\u201d dise\u00f1ado especialmente o modificado para la realizaci\u00f3n de ciberoperaciones ofensivas militares;<\/p>\n Nota\u00a01: El subart\u00edculo ML21.b.5 incluye el \u201cequipo l\u00f3gico\u201d dise\u00f1ado para destruir, da\u00f1ar, degradar o desactivar sistemas, equipo o \u201cequipo l\u00f3gico\u201d especificados en el presente anexo, y el \u201cequipo l\u00f3gico\u201d para el reconocimiento cibern\u00e9tico y el mando y control cibern\u00e9ticos de estos.<\/p>\n Nota\u00a02: El subart\u00edculo ML21.b.5 no se aplica a la \u201cdivulgaci\u00f3n de la vulnerabilidad\u201d ni a la \u201crespuesta en caso de incidente cibern\u00e9tico\u201d, con limitaci\u00f3n a la preparaci\u00f3n o respuesta no militares en materia de ciberseguridad defensiva.<\/p>\n c)\u2003\u201cEquipo l\u00f3gico\u201d, no especificado en los subart\u00edculos ML21.a o ML21.b., dise\u00f1ado especialmente o modificado para capacitar a equipos, no especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en el presente anexo, para desarrollar las funciones militares de los equipos especificados en el presente anexo.<\/p>\n N.B.: V\u00e9anse los sistemas, equipos o componentes especificados en el presente anexo como \u201cordenadores digitales\u201d de uso general que lleven instalado un \u201cequipo l\u00f3gico\u201d especificado en el subart\u00edculo ML21.c.<\/p>\n ML22 \u201cTecnolog\u00eda\u201d, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a)\u2003\u201cTecnolog\u00eda\u201d, distinta de la especificada en el subart\u00edculo ML22.b, \u201cnecesaria\u201d para el \u201cdesarrollo\u201d, la \u201cproducci\u00f3n\u201d, el funcionamiento, la instalaci\u00f3n, el mantenimiento, la reparaci\u00f3n, la revisi\u00f3n o la restauraci\u00f3n de los materiales especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1.<\/p>\n b)\u2003\u201cTecnolog\u00eda\u201d seg\u00fan se indica:<\/p>\n 1.\u2003\u201cTecnolog\u00eda\u201d \u201cnecesaria\u201d para el dise\u00f1o de las instalaciones completas de producci\u00f3n, el montaje de los componentes en ellas, y el funcionamiento, mantenimiento y reparaci\u00f3n de dichas instalaciones para los materiales especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1, aunque los componentes de tales instalaciones de producci\u00f3n no est\u00e9n especificados;<\/p>\n 2.\u2003\u201cTecnolog\u00eda\u201d \u201cnecesaria\u201d para el \u201cdesarrollo\u201d y la \u201cproducci\u00f3n\u201d de armas peque\u00f1as, aunque se use para la fabricaci\u00f3n de reproducciones de armas peque\u00f1as antiguas;<\/p>\n 3.\u2003No se usa desde\u00a02013;<\/p>\n N.B.: V\u00e9ase el subart\u00edculo ML22.a para \u201ctecnolog\u00eda\u201d, anteriormente especificada en el subart\u00edculo ML22.b.3.<\/p>\n 4.\u2003No se usa desde\u00a02013;<\/p>\n N.B.: V\u00e9ase el subart\u00edculo ML22.a para \u201ctecnolog\u00eda\u201d, anteriormente especificada en el subart\u00edculo ML22.b.4.<\/p>\n 5.\u2003\u201cTecnolog\u00eda\u201d \u201cnecesaria\u201d exclusivamente para la incorporaci\u00f3n de los \u201cbiocatalizadores\u201d especificados en el subart\u00edculo ML7.i.1, en las sustancias portadoras militares o materiales militares.<\/p>\n Nota\u00a01: La \u201ctecnolog\u00eda\u201d \u201cnecesaria\u201d para el \u201cdesarrollo\u201d, la \u201cproducci\u00f3n\u201d, el funcionamiento, la instalaci\u00f3n, el mantenimiento, la reparaci\u00f3n, la revisi\u00f3n o la restauraci\u00f3n de los materiales especificados en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1 permanece bajo control, aunque se aplique a cualquier material no especificado en la Lista Com\u00fan Militar de la UE y en este anexo I.1.<\/p>\n Nota\u00a02: El art\u00edculo ML22 no se aplica a:<\/p>\n a.\u2003La \u201ctecnolog\u00eda\u201d m\u00ednima necesaria para la instalaci\u00f3n, el funcionamiento, mantenimiento o reparaci\u00f3n, de los materiales no especificados o cuya exportaci\u00f3n haya sido autorizada.<\/p>\n b.\u2003La \u201ctecnolog\u00eda\u201d que sea \u201cde conocimiento p\u00fablico\u201d, de \u201cinvestigaci\u00f3n cient\u00edfica b\u00e1sica\u201d o la informaci\u00f3n m\u00ednima necesaria para solicitudes de patentes.<\/p>\n c.\u2003La \u201ctecnolog\u00eda\u201d para la inducci\u00f3n magn\u00e9tica para la propulsi\u00f3n continua de dispositivos de transporte civil.\u00bb<\/p>\n<\/p><\/div>\n Dos.\u2003Se modifica el punto\u00a01 de la letra a) de la categor\u00eda\u00a07 del anexo III.1, que queda redactado en los siguientes t\u00e9rminos:<\/p>\n \u00ab1.\u2003Agentes nerviosos para la guerra qu\u00edmica:<\/p>\n a.\u2003Alquil (metil, etil, n-propil o isopropil)-fosfonofluoridatos de O-alquilo (iguales o inferiores a C10<\/sub> incluyendo los cicloalquilos), tales como:<\/p>\n Sar\u00edn (GB): metilfosfonofluoridato de O-isopropilo (CAS\u00a0107-44-8);<\/p>\n Som\u00e1n (GD): metilfosfonofluoridato de O-pinac\u00f3lilo (CAS\u00a096-64-0).<\/p>\n b.\u2003N, N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosforamidocianidatos de O-alquilo (iguales o inferiores a C10<\/sub>), incluyendo los cicloalquilos, tales como:<\/p>\n Tab\u00fan (GA): N, N-dimetilfosforamidocianidato de O-etilo (CAS\u00a077-81-6).<\/p>\n c.\u2003Alquil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonotiolatos de O-alquilo (H o \u2264 C10<\/sub>, incluyendo los cicloalquilos) y de S-2-dialquilo (metil, etil, n-propil o isopropil)-aminoetil y sus sales alquiladas y protonadas, tales como:<\/p>\n VX: Metil fosfonotiolato de O-etilo y de S-2-diisopropilaminoetilo (CAS\u00a050782-69-9).<\/p>\n d.\u2003Amit\u00f3n: fosforotiolato de O,Odietilo y S[ 2 (dietilamino) etilo] (CAS\u00a078-53-5) y las sales alquiladas o protonadas correspondientes.<\/p>\n e.\u2003Fluoruros de P-alquil (H o \u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo) N-(1-(dialquil(\u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo)amino))alquiliden(H o \u2264 C10<\/sub>, incluido el cicloalquilo) fosfonam\u00eddicos y sales alquilatadas o protonadas correspondientes.<\/p>\n Nota:<\/p>\n A los efectos de ML7.b.1.e, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:<\/p>\n Fluoruro de N-(1-(di-n-decilamino)-n-deciliden)-P-decilfosfonamidico (CAS\u00a02387495-99-8).<\/p>\n Metil-(1-(dietilamino) etiliden) fosfonamidofluoridato (CAS\u00a02387496-12-8).<\/p>\n f.\u2003O-alquil (H o \u2264 C10, incluido el cicloalquilo) N-(1-(dialquil(\u2264 C10, incluido el cicloalquilo)amino))alquiliden(H o \u2264 C10, incluido el cicloalquilo) fosforamidofluoridatos y sales alquilatadas o protonadas correspondientes:<\/p>\n Nota:<\/p>\n A los efectos de ML7.b.1f, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:<\/p>\n O-n-decil N-(1-(di-n-decilamino)-n-deciliden)fosforamidofluoridato (CAS\u00a02387496-00-4).<\/p>\n Metil-(1-(dietilamino)etiliden)fosforamidofluoridato (CAS\u00a02387496-04-8).<\/p>\n Etil-(1-(dietilamino)etiliden)fosforamidofluoridato (CAS\u00a02387496-06-0).<\/p>\n g.\u2003Metil-(bis(dietilamino)metilen)fosfonamidofluoridato (CAS\u00a02387496-14-0).<\/p>\n h.\u2003Carbamatos. Cuaternarios de dimetilcarbamoiloxipiridinas: Dibromuro de\u00a01-[N,N-dialquil(\u0421\u226410)-N-(n-(hidroxil, ciano, acetoxi)alquil(\u0421\u226410)) amonio]-n- [N-(3-dimetil-carbamoxi-\u03b1-picolinil)-N,N-dialquil(\u0421\u226410) amonio]decano (n=1-8).<\/p>\n Nota:<\/p>\n A los efectos de ML7.b.1h, se incluyen las siguientes sustancias, tales como:<\/p>\n Dibromuro de\u00a01-[N,N-dimetil-N-(2-hidroxi)etilamonio]-10-[N-(3-dimetil carbamoxi-\u03b1-picolinil)-N,N-dimetilamonio]decano (CAS\u00a077104-62-2).<\/p>\n i.\u2003Carbamatos. Bicuaternarios de dimetilcarbamoiloxipiridinas: Dibromuro de\u00a01,n-bis[N-(3-dimetilcarbamoxi-\u03b1-picolil)-N,N-dialquil((\u0421\u226410) amonio]-alcano-(2,(n-1)-diona) (n=2-12).<\/p>\n Nota:<\/p>\n A los efectos de ML7.b.1i, se incluye la siguiente sustancia, tal como:<\/p>\n Dibromuro de\u00a01,10-bis[N-(3-dimetilcarbamoxi-\u03b1-picolil)-N-etil-N-metilamonio]- decano-2,9-diona (CAS77104-00-8).\u00bb<\/p>\n<\/p><\/div>\n Cinco.\u2003Se modifica el anexo III.5, que queda redactado en los siguientes t\u00e9rminos:<\/p>\n Nota general sobre tecnolog\u00eda<\/p>\n La exportaci\u00f3n de \u201ctecnolog\u00eda\u201d \u201cnecesaria\u201d para el \u201cdesarrollo\u201d, la \u201cproducci\u00f3n\u201d o la \u201cutilizaci\u00f3n\u201d de productos sometidos a control incluidos en las categor\u00edas\u00a00 a\u00a09 se someter\u00e1 a control de conformidad con lo dispuesto en las categor\u00edas\u00a01 a\u00a09. Asimismo, se controlar\u00e1 la \u201ctecnolog\u00eda\u201d \u201cnecesaria\u201d para el \u201cdesarrollo\u201d, la \u201cproducci\u00f3n\u201d o la \u201cutilizaci\u00f3n\u201d de los productos sometidos a control, aunque tambi\u00e9n sea aplicable a productos no sometidos a ning\u00fan control. No se aplicar\u00e1n controles a aquella \u201ctecnolog\u00eda\u201d que sea la m\u00ednima necesaria para la instalaci\u00f3n, el funcionamiento, el mantenimiento (revisi\u00f3n) o las reparaciones de aquellos productos no sometidos a control o cuya exportaci\u00f3n se haya autorizado.<\/p>\n Acr\u00f3nimos y abreviaturas<\/p>\n Para la aplicaci\u00f3n e interpretaci\u00f3n de este anexo resulta de aplicaci\u00f3n la lista de acr\u00f3nimos y abreviaturas contemplados en el anexo I del Reglamento (UE) 2021\/821, as\u00ed como los siguientes:<\/p>\n Definiciones<\/p>\n Resulta de aplicaci\u00f3n a este anexo la lista de definiciones contempladas en el anexo I del Reglamento (UE) 2021\/821, as\u00ed como las siguientes:<\/p>\n \u201cMetales y aleaciones refractarias\u201d: Metales y aleaciones de niobio, molibdeno, tungsteno y tantalio.<\/p>\n \u201cGDSII\u201d (\u201cGraphic Design System II\u201d) es un formato de archivo de base de datos para el intercambio de datos de dise\u00f1os de circuitos integrados o de dise\u00f1os de circuitos integrados.<\/p>\n Lista de productos<\/p>\n Polvos de \u201caleaciones de alta entrop\u00eda\u201d o de \u201cmetales y aleaciones refractarios\u201d, que tengan una superficie modificada con \u201cinoculantes\u201d.<\/p>\n Notas t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 1A901:<\/p>\n 1.\u2002Las \u2018aleaciones de alta entrop\u00eda\u2019 son aleaciones que tienen al menos 5 elementos met\u00e1licos principales, cada uno con una concentraci\u00f3n dentro del rango de 5 a 35 por ciento at\u00f3mico, de la siguiente lista: Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta o W.<\/p>\n 2.\u2002Los \u2018inoculantes\u2019 son aditivos que promueven la nucleaci\u00f3n de granos y aumentan el \u00e1rea total de los l\u00edmites de grano para inhibir los defectos de solidificaci\u00f3n.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n \u201cTecnolog\u00eda\u201d, no especificada en otra parte, para el \u201cdesarrollo\u201d o la \u201cproducci\u00f3n\u201d de \u201csistemas de revestimiento\u201d que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n 1.\u2002Dise\u00f1ados para proteger los materiales \u201ccompuestos\u201d de \u201cmatriz\u201d cer\u00e1mica especificados en 1A901 contra la corrosi\u00f3n; y<\/p>\n 2.\u2002Dise\u00f1ados para funcionar a temperaturas superiores a 1.373,15 K (1.100 \u00b0C).<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos del apartado 1E901, los \u00absistemas de revestimiento\u00bb consisten en una o m\u00e1s capas (por ejemplo, capa de uni\u00f3n, capa intermedia, capa superior) de material depositadas sobre el sustrato.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos de fabricaci\u00f3n aditiva, dise\u00f1ados para producir componentes de metal o aleaciones de metal, que tengan todo lo siguiente, y componentes especialmente dise\u00f1ados para ello:<\/p>\n a.\u2002Tener al menos una de las siguientes fuentes de consolidaci\u00f3n:<\/p>\n 1.\u2002\u201cL\u00e1ser\u201d;<\/p>\n 2.\u2002Haz de electrones; o<\/p>\n 3.\u2002Arco el\u00e9ctrico;<\/p>\n b.\u2002Tener una atm\u00f3sfera de proceso controlada de cualquiera de las siguientes:<\/p>\n 1.\u2002Gas inerte; o<\/p>\n 2.\u2002Vac\u00edo (igual o menor a 100 Pa);<\/p>\n c.\u2002Tener cualquiera de los siguientes equipos de \u201cmonitoreo en proceso\u201d en una \u201cconfiguraci\u00f3n coaxial\u201d o \u201cconfiguraci\u00f3n paraxial\u201d:<\/p>\n 1.\u2002C\u00e1mara de im\u00e1genes con una respuesta de pico en el rango de longitud de onda superior a 380 nm pero no superior a 14.000 nm;<\/p>\n 2.\u2002Pir\u00f3metro dise\u00f1ado para medir temperaturas superiores a 1.273,15 K (1.000 \u00b0C); o<\/p>\n 3.\u2002Radi\u00f3metro o espectr\u00f3metro con una respuesta de pico en el rango de longitud de onda superior a 380 nm pero no superior a 3000 nm; y<\/p>\n d.\u2002Un sistema de control de circuito cerrado dise\u00f1ado para modificar los par\u00e1metros de la fuente de consolidaci\u00f3n, la ruta de construcci\u00f3n o la configuraci\u00f3n del equipo durante el ciclo de construcci\u00f3n en respuesta a la retroalimentaci\u00f3n del equipo de \u201cmonitoreo en proceso\u201d especificado en 2B901.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A los efectos de 2B901:<\/p>\n 1.\u2002La \u201csupervisi\u00f3n en proceso\u201d, tambi\u00e9n conocida como supervisi\u00f3n del proceso in situ, se refiere a la observaci\u00f3n y medici\u00f3n del proceso de fabricaci\u00f3n aditiva, incluidas las emisiones electromagn\u00e9ticas o t\u00e9rmicas del ba\u00f1o de fusi\u00f3n.<\/p>\n 2.\u2002La \u201cconfiguraci\u00f3n coaxial\u201d, tambi\u00e9n conocida como configuraci\u00f3n en l\u00ednea o sobre el eje, se refiere a uno o m\u00e1s sensores que est\u00e1n montados en una trayectoria \u00f3ptica compartida por la fuente de consolidaci\u00f3n \u201cl\u00e1ser\u201d.<\/p>\n 3.\u2002La \u201cconfiguraci\u00f3n paraxial\u201d se refiere a uno o m\u00e1s sensores que est\u00e1n montados f\u00edsicamente sobre el componente de la fuente de consolidaci\u00f3n \u201cl\u00e1ser\u201d, haz de electrones o arco el\u00e9ctrico o que est\u00e1n integrados en \u00e9l.<\/p>\n 4.\u2002Tanto para la \u201cconfiguraci\u00f3n coaxial\u201d como para la \u201cconfiguraci\u00f3n paraxial\u201d, el campo de visi\u00f3n del o los sensores est\u00e1 fijado al marco de referencia m\u00f3vil de la fuente de consolidaci\u00f3n y se mueve en las mismas trayectorias de escaneo de la fuente de consolidaci\u00f3n durante todo el proceso de construcci\u00f3n.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipo de litograf\u00eda como sigue:<\/p>\n 1.\u2002Alinear y exponer equipos de paso y repetici\u00f3n (paso directo sobre la oblea) o de paso y escaneo (esc\u00e1ner) para el procesamiento de obleas mediante m\u00e9todos foto\u00f3pticos o de rayos X y que tengan cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n a.\u2002Una longitud de onda de fuente de luz inferior a 193 nm; o<\/p>\n b.\u2002Tener todo lo siguiente:<\/p>\n 1.\u2002Una longitud de onda de fuente de luz igual o superior a 193 nm;<\/p>\n 2.\u2002Capaz de producir un patr\u00f3n con un \u2018tama\u00f1o de caracter\u00edstica resoluble m\u00ednimo\u2019 (\u2018MRF\u2019) de 45 nm o menos; y<\/p>\n 3.\u2002Un valor m\u00e1ximo de precisi\u00f3n para posicionar la oblea durante la exposici\u00f3n menor o igual a 1,50 nm.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A los efectos del art\u00edculo 3B903:<\/p>\n 1.\u2002El ‘Tama\u00f1o de caracter\u00edstica resoluble m\u00ednimo’ (\u2018MRF\u2019) es calculado de acuerdo con la siguiente f\u00f3rmula:<\/p>\n donde, el factor K = 0.25.<\/p>\n \u2018MRF\u2019 Tambi\u00e9n se le conoce como resoluci\u00f3n.<\/p>\n 2. \u2018El valor m\u00e1ximo de precisi\u00f3n para posicionar la oblea durante la exposici\u00f3n\u2019 es la precisi\u00f3n de alineaci\u00f3n de un nuevo patr\u00f3n con un patr\u00f3n existente impreso en una oblea mediante el mismo sistema litogr\u00e1fico.<\/p>\n \u2018El valor m\u00e1ximo de precisi\u00f3n para posicionar la oblea durante la exposici\u00f3n\u2019 se le conoce tambi\u00e9n por precisi\u00f3n de posicionamiento de la m\u00e1quina.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos para la fabricaci\u00f3n de dispositivos o materiales semiconductores, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n, y componentes y accesorios especialmente dise\u00f1ados para ellos:<\/p>\n a.\u2002Equipo dise\u00f1ado para crecimiento epitaxial como se indica a continuaci\u00f3n:<\/p>\n 2.\u2002Equipo dise\u00f1ado o modificado para producir una capa de cualquier material distinto de silicona con un espesor uniforme de menos de \u00b1 2,5\u202f% a lo largo de una distancia de 75 mm o m\u00e1s;<\/p>\n 3.\u2002Reactores de deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase de vapor de metal org\u00e1nico (MOCVD) dise\u00f1ados para el crecimiento epitaxial de materiales semiconductores compuestos que tienen dos o m\u00e1s de los siguientes elementos: aluminio, galio, indio, ars\u00e9nico, f\u00f3sforo, antimonio o nitr\u00f3geno.;<\/p>\n 4.\u2002Equipos de crecimiento epitaxial por haz molecular utilizando fuentes gaseosas o s\u00f3lidas;<\/p>\n 5.\u2002Equipo dise\u00f1ado para el crecimiento epitaxial de silicio (Si) o silicio germanio (SiGe), y que tenga todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2002Al menos una c\u00e1mara de prelimpieza dise\u00f1ada para proporcionar un medio de preparaci\u00f3n de la superficie para limpiar la superficie de la oblea; y<\/p>\n b.\u2002Una c\u00e1mara de deposici\u00f3n epitaxial dise\u00f1ada para funcionar a una temperatura inferior a 958 K (685 \u00b0C).<\/p>\n Nota 3B906.a.1\u00a0y 3.B906.a.4\u00a0incluye equipos de crecimiento epitaxial de capa at\u00f3mica (ALE).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Pel\u00edculas especialmente dise\u00f1adas para litograf\u00eda ultravioleta extrema.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos del apartado 3B904, una \u00abpel\u00edcula\u00bb es una membrana integrada en un marco, dise\u00f1ada para proteger una m\u00e1scara o ret\u00edcula de la contaminaci\u00f3n por part\u00edculas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Conjuntos, m\u00f3dulos o dispositivos electr\u00f3nicos que contienen uno o m\u00e1s dispositivos l\u00f3gicos programables (FPLD) configurables por el usuario y que tienen un ‘recuento de entradas de tabla de b\u00fasqueda agregada’ mayor o igual a 1.800.000.<\/p>\n N.B.: Para art\u00edculos que tengan FPLD combinados con un convertidor anal\u00f3gico a digital, clasificados para temperaturas de funcionamiento extendidas o reforzados contra la radiaci\u00f3n, o que tengan funcionalidad criptogr\u00e1fica, consultar tambi\u00e9n los art\u00edculos 3A002.h., 4A001.a y 5A002.a respectivamente, recogidos en el Reglamento (UE) 2021\/821 de 20 de mayo de 2021.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A los efectos de 3.A.2.i.:<\/p>\n 1.\u2002\u201cConfigurable por el usuario\u201d significa que un usuario puede configurar o modificar las celdas l\u00f3gicas o las interconexiones entre celdas l\u00f3gicas dentro de la estructura l\u00f3gica del FPLD para prescribir la funci\u00f3n espec\u00edfica que realiza el elemento 3B905.<\/p>\n 2.\u2002\u201crecuento de entrada de tabla de b\u00fasqueda agregada\u201d es la suma del n\u00famero de entradas independientes disponibles para cada tabla de b\u00fasqueda programable (LUT), acumulada en todas las LUT f\u00edsicas contenidas dentro de un FPLD u otro elemento programable. Los siguientes son ejemplos de c\u00e1lculo del \u201crecuento de entrada de tabla de b\u00fasqueda agregada\u201d. Un ejemplo es: una placa de circuito que contiene 2 FPGA, cada uno con 150.000 LUT programables con 6 entradas, tendr\u00eda un \u201crecuento de entrada de tabla de b\u00fasqueda agregada\u201d de 2 X 150.000 X 6 = 1.800.000.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos electr\u00f3nicos, circuitos integrados de uso general, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n:<\/p>\n 1.\u2002\u201cMicrocircuitos de microprocesador\u201d.<\/p>\n a.\u2002Clasificados para funcionar a una temperatura ambiente superior a 398 K (+125 \u00b0C);<\/p>\n b.\u2002Clasificados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 218 K (-55 \u00b0C); o<\/p>\n c.\u2002Clasificados para funcionar en todo el rango de temperatura ambiente de 218 K (-55\u00b0C) a 398 K (+125 \u00b0C);<\/p>\n Nota:<\/p>\n 3A906.1 no se aplica a los circuitos integrados dise\u00f1ados para aplicaciones de autom\u00f3viles civiles o trenes ferroviarios.<\/p>\n N.B.: Para circuitos integrados CMOS criog\u00e9nicos no especificados en 3A906.1.a.2., v\u00e9ase 3A906.2.<\/p>\n 2.\u2002Circuitos integrados de semiconductores de \u00f3xido met\u00e1lico complementario (CMOS), no especificados en el apartado 3A906.1, dise\u00f1ados para funcionar a una temperatura ambiente igual o inferior a (mejor que) 4,5 K (-268,65 \u00b0C).<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos del apartado 3A906.2, los circuitos integrados CMOS tambi\u00e9n se denominan circuitos integrados CMOS criog\u00e9nicos o crioCMOS.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Circuitos integrados que tienen una o m\u00e1s unidades de procesamiento digital con un \u2018Rendimiento de Procesamiento Total\u2019 (\u201cTPP\u201d) de 6.000 o m\u00e1s.<\/p>\n N.B. Para \u201ccomputadoras digitales\u201d y \u201cconjuntos electr\u00f3nicos\u201d que contengan circuitos integrados especificados en 3A907, consulte tambi\u00e9n el art\u00edculo 4A007 recogido en el Reglamento (UE) 2021\/821 de 20 de mayo de 2021.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos del art\u00edculo 3A907:<\/p>\n 1.\u2002El \u00abrendimiento total de procesamiento\u00bb (\u00abTPP\u00bb) es 2 x \u00abMacTOPS\u00bb x \u00ablongitud en bits de la operaci\u00f3n\u00bb, sumados a todas las unidades de procesamiento del circuito integrado.<\/p>\n a.\u2002\u00abMacTOPS\u00bb es el n\u00famero m\u00e1ximo te\u00f3rico de Tera (1012<\/sup>) operaciones por segundo para el c\u00e1lculo de multiplicaci\u00f3n-acumulaci\u00f3n (D=AxB+C).<\/p>\n b.\u2002El 2 en la f\u00f3rmula \u00abTPP\u00bb se basa en la convenci\u00f3n de la industria de contar un c\u00e1lculo de multiplicaci\u00f3n-acumulaci\u00f3n, D=AxB+C, como 2 operaciones a los efectos de las hojas de datos. Por lo tanto, 2 x MacTOPS puede corresponder a los TOPS o FLOPS informados en una hoja de datos.<\/p>\n c.\u2002La \u00ablongitud en bits de la operaci\u00f3n\u00bb para un c\u00e1lculo de multiplicaci\u00f3n-acumulaci\u00f3n es la longitud en bits m\u00e1s grande de las entradas a la operaci\u00f3n de multiplicaci\u00f3n.<\/p>\n d.\u2002Sume los \u00abTPP\u00bb para cada unidad de procesamiento del circuito integrado para obtener un total. \u2018TPP\u2019 = TPP1 + TPP2 +…. + TPPn (donde n es el n\u00famero de unidades de procesamiento en el circuito integrado).<\/p>\n 2.\u2002La tasa de \u2018MacTOPS\u2019 se debe calcular en su valor m\u00e1ximo te\u00f3ricamente posible. Se supone que la tasa de \u2018MacTOPS\u2019 es el valor m\u00e1s alto que el fabricante afirma en un manual o folleto para el circuito integrado. Por ejemplo, el umbral de \u2018TPP\u2019 de 6000 se puede cumplir con 750 Tera operaciones enteras (o 2 x 375 \u2018MacTOPS\u2019) a 8 bits o 300 Tera FLOPS (o 2 x 150 \u2018MacTOPS\u2019) a 16 bits. Si el CI est\u00e1 dise\u00f1ado para el c\u00e1lculo MAC con m\u00faltiples longitudes de bits que alcanzan diferentes valores de \u2018TPP\u2019, el valor de \u2018TPP\u2019 m\u00e1s alto se debe evaluar en relaci\u00f3n con los par\u00e1metros en 3A907.<\/p>\n 3.\u2002Para los circuitos integrados, especificados por 3A907, que proporcionan procesamiento de matrices tanto dispersas como densas, los valores ‘TPP’ son los valores para el procesamiento de matrices densas (por ejemplo, sin escasez).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos para la fabricaci\u00f3n de dispositivos o materiales semiconductores, y componentes y accesorios especialmente dise\u00f1ados para ellos. Equipos de deposici\u00f3n para la fabricaci\u00f3n de semiconductores. Equipos de deposici\u00f3n de capas at\u00f3micas (ALD), dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n de un \u00abmetal con funci\u00f3n de trabajo\u00bb compuesto de carburo de aluminio y titanio (TiAlC) y que tengan una funci\u00f3n de trabajo superior a 4,0 eV, y que tengan todas las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n 1.\u2002M\u00e1s de una fuente de metal, de las cuales una funciona como fuente de precursor de aluminio; y<\/p>\n 2.\u2002Un recipiente de precursor dise\u00f1ado para funcionar a una temperatura superior o igual a 303,15 K (30 \u00b0C);<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos del apartado 3B906, un \u00abmetal con funci\u00f3n de trabajo\u00bb es un material que controla el voltaje umbral de un transistor.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos para la fabricaci\u00f3n de dispositivos o materiales semiconductores, y componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos. Equipos dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n mejorada por plasma sin huecos de una capa con una constante diel\u00e9ctrica inferior a 3,3, en \u00abespacios\u00bb que tienen una \u00abrelaci\u00f3n de aspecto\u00bb igual o superior a 1:1 y un ancho inferior a 25 nm.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A los efectos de 3B907:<\/p>\n 1.\u2002Un \u00abespacio\u00bb es el espacio entre l\u00edneas de metal.<\/p>\n 2.\u2002La \u00abrelaci\u00f3n de aspecto\u00bb (profundidad:ancho) se define como la relaci\u00f3n entre la profundidad y el ancho del espacio entre las l\u00edneas de metal.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos de deposici\u00f3n para la fabricaci\u00f3n de semiconductores. Equipos de deposici\u00f3n de capas at\u00f3micas (ALD) seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n:<\/p>\n a.\u2002Equipos dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n de tungsteno para llenar una interconexi\u00f3n completa o en un canal de menos de 40 nm de ancho;<\/p>\n b.\u2002Equipos dise\u00f1ados para la \u201cdeposici\u00f3n selectiva de \u00e1rea\u201d de una barrera de pared lateral de metal o nitruro met\u00e1lico utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico;<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 3.B.1.k.1.b, \u201cdeposici\u00f3n selectiva de \u00e1rea\u201d se refiere a la deposici\u00f3n de material en la pared lateral pero no en la parte inferior de una caracter\u00edstica.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos o sistemas de deposici\u00f3n para la fabricaci\u00f3n de semiconductores, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n:<\/p>\n 1.\u2002Equipos dise\u00f1ados para procesos de deposici\u00f3n electrol\u00edtica de cobalto o de deposici\u00f3n electrol\u00edtica de cobalto;<\/p>\n 2.\u2002Equipos dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase de vapor (CVD) de metal de relleno de cobalto (Co);<\/p>\n 3.\u2002Equipos dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase de vapor (CVD) \u201cselectiva de abajo hacia arriba\u201d de metal de relleno de tungsteno.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 3B909, \u201cselectiva de abajo hacia arriba\u201d se refiere a la deposici\u00f3n preferencial de material en la parte inferior en relaci\u00f3n con la pared lateral.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos o sistemas de deposici\u00f3n para la fabricaci\u00f3n de semiconductores, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n. Equipos dise\u00f1ados para el procesamiento en m\u00faltiples etapas en m\u00faltiples c\u00e1maras y que mantienen un alto vac\u00edo o un entorno inerte durante la transferencia entre etapas del proceso, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n:<\/p>\n a.\u2002Equipos dise\u00f1ados para fabricar un contacto met\u00e1lico mediante la realizaci\u00f3n de todos los procesos siguientes:<\/p>\n 1.\u2002Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza hidr\u00f3geno, hidr\u00f3geno y nitr\u00f3geno, o amon\u00edaco (NH3), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 \u00b0C) e inferior a 773,15 K (500 \u00b0C);<\/p>\n 2.\u2002Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza ox\u00edgeno u ozono, mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 313,15 K (40 \u00b0C) e inferior a 773,15 K (500 \u00b0C); y<\/p>\n 3.\u2002Deposici\u00f3n de una capa de tungsteno manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 \u00b0C) e inferior a 773,15 K (500 \u00b0C);<\/p>\n b.\u2002Equipos dise\u00f1ados para fabricar un contacto met\u00e1lico realizando todos los procesos siguientes:<\/p>\n 1.\u2002Proceso de plasma de tratamiento de superficie utilizando un generador de plasma remoto y un filtro de iones; y<\/p>\n 2.\u2002Deposici\u00f3n de una capa de cobalto selectivamente sobre cobre utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico;<\/p>\n c.\u2002Equipos dise\u00f1ados para fabricar un contacto met\u00e1lico realizando todos los procesos siguientes:<\/p>\n 1.\u2002Deposici\u00f3n de una capa de nitruro de titanio (TiN) o carburo de tungsteno (WC), utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 \u00b0C) e inferior a 773,15 K (500 \u00b0C);<\/p>\n 2.\u2002Deposici\u00f3n de una capa de cobalto utilizando una t\u00e9cnica de deposici\u00f3n f\u00edsica por pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica y que tiene una presi\u00f3n de proceso mayor que 1,33×10-1<\/sup> Pa (1 mTorr) y menor que 1,33×101<\/sup> Pa (100 mTorr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura menor que 773,15 K (500 \u00b0C); y<\/p>\n 3.\u2002Deposici\u00f3n de una capa de cobalto utilizando un compuesto organomet\u00e1lico y que tiene una presi\u00f3n de proceso mayor que 1,33×102<\/sup> Pa (1 Torr) y menor que 1,33×104<\/sup> Pa (100 Torr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura mayor que 293,15 K (20 \u00b0C) y menor que 773,15 K (500 \u00b0C);<\/p>\n d.\u2002Equipos dise\u00f1ados para fabricar interconexiones de cobre (Cu) mediante la realizaci\u00f3n de todos los procesos siguientes:<\/p>\n 1.\u2002Deposici\u00f3n de una capa de cobalto o rutenio utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico y que tenga una presi\u00f3n de proceso superior a 1,33×102<\/sup> Pa (1 Torr) y menor a 1,33×104<\/sup> Pa (100 Torr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 \u00b0C) y menor a 773,15 K (500 \u00b0C); y<\/p>\n 2.\u2002Deposici\u00f3n de una capa de cobre utilizando una t\u00e9cnica de deposici\u00f3n f\u00edsica de vapor que tenga una presi\u00f3n de proceso superior a 1,33×10-1<\/sup> Pa (1 mTorr) y menor a 1,33×101<\/sup> Pa (100 mTorr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura inferior a 773,15 K (500 \u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipos o sistemas de deposici\u00f3n para la fabricaci\u00f3n de semiconductores. Equipos dise\u00f1ados para fabricar un contacto met\u00e1lico mediante un procesamiento de m\u00faltiples pasos dentro de una \u00fanica c\u00e1mara, realizando todo lo siguiente:<\/p>\n a.\u2002Deposici\u00f3n de una capa de tungsteno, utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico, mientras se mantiene la temperatura del sustrato de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 \u00b0C) e inferior a 773,15 K (500 \u00b0C); y<\/p>\n b.\u2002Proceso de plasma para el tratamiento de superficies utilizando hidr\u00f3geno, hidr\u00f3geno y nitr\u00f3geno, o amon\u00edaco (NH3).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Sistemas y componentes de refrigeraci\u00f3n criog\u00e9nica, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n:<\/p>\n a.\u2002Sistemas dise\u00f1ados para proporcionar una potencia de refrigeraci\u00f3n mayor o igual a 600\u00b5W a una temperatura de 0,1 K (-273,05 \u00b0C) o inferior durante un per\u00edodo de m\u00e1s de 48 horas;<\/p>\n b.\u2002Criorrefrigeradores de tubo de impulsos de dos etapas dise\u00f1ados para mantener una temperatura inferior a 4 K (-269,15 \u00b0C) y proporcionar una potencia de refrigeraci\u00f3n mayor o igual a 1,5 W a una temperatura de 4,2 K (-268,95 \u00b0C) o inferior.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Circuitos integrados que tengan una tasa de transferencia bidireccional agregada de 600 Gbyte\/s o m\u00e1s en todas las entradas y salidas y hacia o desde otros circuitos integrados que no incluyan memorias vol\u00e1tiles, y que tengan o sean programables para tener cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n a.\u2002Una o m\u00e1s unidades de procesamiento digital que ejecuten instrucciones de m\u00e1quina que tengan un \u00abrendimiento de procesamiento total\u00bb de 6000 o m\u00e1s;<\/p>\n b.\u2002Una o m\u00e1s \u00abunidades computacionales primitivas\u00bb digitales, excluidas aquellas unidades que contribuyan a la ejecuci\u00f3n de instrucciones de m\u00e1quina especificadas en 3A909.a, que tengan un \u00abrendimiento de procesamiento total\u00bb de 6000 o m\u00e1s;<\/p>\n c.\u2002Una o m\u00e1s \u00abunidades computacionales primitivas\u00bb anal\u00f3gicas que tengan un \u00abrendimiento de procesamiento total\u00bb de 6000 o m\u00e1s; o<\/p>\n d.\u2002Cualquier combinaci\u00f3n de unidades de procesamiento digital y \u201cunidades computacionales primitivas\u201d en un circuito integrado cuyo \u201crendimiento de procesamiento total\u201d en los puntos 3A909.a, 3A909.b y 3A909.c sume 6.000 o m\u00e1s.<\/p>\n Nota: Los circuitos integrados especificados en el punto 3A909 incluyen unidades de procesamiento gr\u00e1fico (GPU), unidades de procesamiento tensorial (TPU), procesadores neuronales, procesadores en memoria, procesadores de visi\u00f3n, procesadores de texto, coprocesadores\/aceleradores, procesadores adaptativos, dispositivos l\u00f3gicos programables en campo (FPLD) y circuitos integrados espec\u00edficos de la aplicaci\u00f3n (ASIC).<\/p>\n N.B. Para \u201ccomputadoras digitales\u201d y \u201cconjuntos electr\u00f3nicos\u201d que contengan circuitos integrados especificados en el punto 3A909, v\u00e9ase tambi\u00e9n el art\u00edculo 4A006 del Reglamento (UE) 2021\/821 de 20 de mayo.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A los efectos de 3A909:<\/p>\n 1.\u2002El \u201crendimiento total de procesamiento\u201d (\u201cTPP\u201d) es la longitud de bits por operaci\u00f3n multiplicada por el rendimiento de procesamiento medido en Tera (1012<\/sup>) Operaciones por segundo (TOPS) en todas las unidades de procesador del circuito integrado. Por ejemplo, el \u00abTPP\u00bb para un circuito integrado que tiene dos unidades de procesador digital que son capaces de 200 TOPS a 16 bits es 6400 (2 procesadores x 200 TOPS x 16 bits = 6400). En 3A909, el \u00abTPP\u00bb de cada \u00abunidad computacional primitiva\u00bb anal\u00f3gica es el rendimiento de procesamiento expresado en TOPS multiplicado por 8.<\/p>\n 2.\u2002Una \u00abunidad computacional primitiva\u00bb se define como aquella que contiene cero o m\u00e1s pesos modificables, recibe una o m\u00e1s entradas y produce una o m\u00e1s salidas. Se dice que una unidad computacional realiza 2N-1 operaciones cada vez que se actualiza una salida en funci\u00f3n de N entradas, donde cada peso modificable contenido en el elemento de procesamiento cuenta como una entrada. Cada entrada, peso y salida puede ser un nivel de se\u00f1al anal\u00f3gica o un valor digital escalar representado mediante uno o m\u00e1s bits. Dichas unidades incluyen:<\/p>\n \u2013\u2002Neuronas artificiales.<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de multiplicaci\u00f3n y acumulaci\u00f3n (MAC).<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de punto flotante (FPUs).<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de multiplicaci\u00f3n anal\u00f3gica.<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de procesamiento que utilizan memristores, espintr\u00f3nica o magn\u00f3nica.<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de procesamiento que utilizan fot\u00f3nica u \u00f3ptica no lineal.<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de procesamiento que utilizan pesos anal\u00f3gicos o no vol\u00e1tiles de varios niveles.<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de procesamiento que utilizan memoria de varios niveles o memoria anal\u00f3gica.<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de varios valores o de varios niveles.<\/p>\n \u2013\u2002Unidades de picos.<\/p>\n 3.\u2002Las operaciones relevantes para el c\u00e1lculo de TOPS incluyen tanto operaciones escalares como los componentes escalares de operaciones compuestas, como operaciones vectoriales, operaciones matriciales y operaciones tensoriales. Las operaciones escalares incluyen operaciones con n\u00fameros enteros, operaciones de punto flotante (que a menudo se miden en FLOPS), operaciones de punto fijo, operaciones de manipulaci\u00f3n de bits y\/o operaciones bit a bit.<\/p>\n 4.\u2002La tasa de TOPS es el valor m\u00e1ximo te\u00f3ricamente posible cuando todas las unidades de procesamiento funcionan simult\u00e1neamente. Se supone que la tasa de TOPS y la tasa de transferencia bidireccional agregada son el valor m\u00e1s alto que el fabricante afirma en un manual o folleto para el chip.<\/p>\n 5.\u2002La longitud de bits de una operaci\u00f3n es igual a la longitud de bits m\u00e1s alta de cualquier entrada o salida de esa operaci\u00f3n. Adem\u00e1s, si la unidad de procesamiento est\u00e1 dise\u00f1ada para operaciones que alcanzan diferentes valores de bits x TOPS, se debe utilizar el valor de bits x TOPS m\u00e1s alto.<\/p>\n 6.\u2002Para las unidades de procesamiento que proporcionan procesamiento de matrices dispersas y densas, los valores de TOPS son los valores para el procesamiento de matrices densas (por ejemplo, sin escasez).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Amplificadores de se\u00f1al param\u00e9tricos que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2002Dise\u00f1ados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 1 K (-272,15 \u00b0C);<\/p>\n b.\u2002Dise\u00f1ados para funcionar a cualquier frecuencia desde 2 GHz hasta 15 GHz inclusive; y<\/p>\n c.\u2002Un factor de ruido inferior a (mejor que) 0,015 dB a cualquier frecuencia desde 2 GHz hasta 15 GHz inclusive a 1 K (-272,15 \u00b0C).<\/p>\n Nota: Los amplificadores de se\u00f1al param\u00e9tricos incluyen los amplificadores param\u00e9tricos de ondas viajeras (TWPAs).<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 3A910, los amplificadores de se\u00f1al param\u00e9tricos tambi\u00e9n pueden denominarse amplificadores limitados cu\u00e1nticamente (QLAs).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n M\u00e1scaras \u201cultravioleta extremo\u201d \u201cEUV\u201d y ret\u00edculas \u201cEUV\u201d, dise\u00f1adas para circuitos integrados, no especificadas en el art\u00edculo 3B001.g del Reglamento (UE) 2021\/821, y que tengan un \u201csustrato en blanco\u201d de m\u00e1scara especificado en el art\u00edculo 3B001.j del mencionado Reglamento;<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 3B913, las m\u00e1scaras o ret\u00edculas con una pel\u00edcula montada se consideran m\u00e1scaras y ret\u00edculas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Materiales epitaxiales que consisten en un \u201csustrato\u201d que tiene al menos una capa epitaxialmente desarrollada de cualquiera de los siguientes:<\/p>\n a.\u2002Silicio que tiene una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o<\/p>\n b.\u2002Germanio que tiene una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Fluoruros, hidruros o cloruros de silicio o germanio que contienen cualquiera de los siguientes:<\/p>\n a.\u2002Silicio que tiene una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o<\/p>\n b.\u2002Germanio que tiene una impureza isot\u00f3pica inferior al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Silicio, \u00f3xidos de silicio, germanio u \u00f3xidos de germanio que contengan cualquiera de los siguientes:<\/p>\n a.\u2002Silicio que tiene una impureza isot\u00f3pica inferior al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o<\/p>\n b.\u2002Germanio que tiene una impureza isot\u00f3pica inferior al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.<\/p>\n Nota:<\/p>\n 3C903 incluye \u201csustratos\u201d, trozos, lingotes, bolas y preformas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipo de sondeo criog\u00e9nico de obleas que tenga todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2002Dise\u00f1ado para probar dispositivos a temperaturas inferiores o iguales a 4,5\u00a0K (268,65\u00b0C); y<\/p>\n b.\u2002Dise\u00f1ado para adaptarse a di\u00e1metros de obleas superiores o iguales a 100\u00a0mm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Tecnolog\u00eda\u201d seg\u00fan la Nota General de Tecnolog\u00eda para el \u201cdesarrollo\u201d o \u201cproducci\u00f3n\u201d de circuitos o dispositivos integrados, utilizando estructuras de \u201ctransistor de efecto de campo de puerta envolvente\u201d (\u201cGAAFET\u201d).<\/p>\n Nota 1: 3E924 incluye \u201cinstrucciones de proceso\u201d.<\/p>\n Nota 2: 3E924. no aplica para la calificaci\u00f3n o el mantenimiento de herramientas.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 3E924., una \u201cinstrucci\u00f3n de proceso\u201d es un conjunto de condiciones, par\u00e1metros e instrucciones para un paso de proceso en particular.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Computadoras, \u201cconjuntos electr\u00f3nicos\u201d y \u201ccomponentes\u201d que contienen uno o m\u00e1s circuitos integrados, especificados en el art\u00edculo 3A907.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 4A902, las computadoras incluyen \u201ccomputadoras digitales\u201d y computadoras h\u00edbridas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Software, tal y como se describe a continuaci\u00f3n:<\/p>\n a.\u2002\u201cProgramas inform\u00e1ticos\u201d especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u201cdesarrollo\u201d o la \u201cproducci\u00f3n\u201d de equipos o \u201cprogramas inform\u00e1ticos\u201d especificados en 4A901.<\/p>\n b.\u2002\u201cProgramas inform\u00e1ticos\u201d, distintos de los especificados en 4D901.a., especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u201cdesarrollo\u201d o la \u201cproducci\u00f3n\u201d de equipos para elementos especificados en 4A901.b. o 4A901.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Productos derivados del potasio, seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2002Cloruro de potasio (CAS 7447-40-7).<\/p>\n b.\u2002Abonos de cloruro potasio.<\/p>\n c.\u2002Abonos minerales o qu\u00edmicos cuya base sea f\u00f3sforo y potasio.<\/p>\n Abonos minerales o qu\u00edmicos cuya base sea nitr\u00f3geno, f\u00f3sforo y potasio.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Tecnolog\u00eda asociada para la fabricaci\u00f3n, desarrollo, utilizaci\u00f3n de armamento convencional fabricado a trav\u00e9s de fabricaci\u00f3n aditiva.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 1E902, el armamento convencional incluye aquellas armas seg\u00fan se indica:<\/p>\n a.\u2002Clasificadas bajo las categor\u00edas ML1 y ML2 de la Lista Com\u00fan Militar Europea.<\/p>\n b.\u2002Armas de fuego, sus piezas y componentes y municiones seg\u00fan lo contemplado en el Reglamento (UE) 2025\/41 del Parlamento y del Consejo de 19 de diciembre de 2024.<\/p>\n c.\u2002Armas de fuego improvisadas.<\/p>\n Nota: \u201cArmas de fuego improvisadas\u201d, incluye cualquier producto, terminado o no terminado, no contemplado bajo los art\u00edculos 1E902.a y 1E902.b, pero que puede llevar a cabo las mismas funciones independientemente de su precisi\u00f3n, resistencia, fiabilidad y durabilidad.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Circuitos electro\u00f3pticos y circuitos integrados \u00f3pticos con 70 o m\u00e1s canales \u00f3pticos direccionables, que tengan todas las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n a.\u2002Una o m\u00e1s gu\u00edas de ondas \u00f3pticas;<\/p>\n b.\u2002Uno o m\u00e1s dispositivos de interferencia \u00f3ptica interna, l\u00edneas de retardo, divisores de haz, desfasadores o resonadores de anillo; y<\/p>\n c.\u2002Cualquiera de los siguientes:<\/p>\n 1.\u2002Una o m\u00e1s fuentes integradas en gu\u00edas de ondas de fotones simples o entrelazados; o<\/p>\n 2.\u2002Uno o m\u00e1s fotodetectores acoplados a gu\u00edas de ondas que tengan resoluci\u00f3n de fot\u00f3n cero, fot\u00f3n \u00fanico y multifot\u00f3n.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n A los efectos de 3A911, la cantidad de \u201ccanales \u00f3pticos direccionables\u201d en un \u201ccircuito integrado \u00f3ptico\u201d se calcula de la siguiente manera:<\/p>\n (la cantidad de gu\u00edas de ondas que terminan en un acoplador de salida) + (la cantidad de gu\u00edas de ondas que est\u00e1n acopladas a un fotodetector especificado en 3A911).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de circuitos electro\u00f3pticos y circuitos integrados \u00f3pticos, especificados en 3A911.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Equipo dise\u00f1ado para \u201cuni\u00f3n h\u00edbrida\u201d y que tenga todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n 1.\u2002Precisi\u00f3n de alineaci\u00f3n mejor (menor) que 1 \u00b5m; y<\/p>\n 2.\u2002\u201cMinientorno\u201d clasificado para ISO 3 o mejor.<\/p>\n Nota: 3B915 incluye equipos dise\u00f1ados para uni\u00f3n de matriz a matriz (D2D), matriz a oblea con colocaci\u00f3n directa (DP-D2W), D2W colectiva (Co-D2W) y oblea a oblea (W2W).<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A los efectos de 3B915:<\/p>\n 1.\u2002La \u201cuni\u00f3n h\u00edbrida\u201d se define como la uni\u00f3n de metal con metal y de diel\u00e9ctrico con capas diel\u00e9ctricas en la misma secuencia de proceso.<\/p>\n 2.\u2002El \u201cminientorno\u201d es el entorno dentro de la herramienta.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de equipos dise\u00f1ados para \u201cuni\u00f3n h\u00edbrida\u201d, especificados en 3B915.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n 5A902. Sistemas, equipos y componentes de vigilancia para redes p\u00fablicas de informaci\u00f3n y comunicaci\u00f3n, no especificados en el art\u00edculo\u00a05A001 del anexo I del Reglamento (UE) 2021\/821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de\u00a020 de mayo de\u00a02021, dise\u00f1ados para cualquiera de las siguientes funciones:<\/p>\n 1.\u2003Monitorizaci\u00f3n para aplicaciones de interceptaci\u00f3n legal (de acuerdo con los requisitos de interceptaci\u00f3n legal y de seguridad de las telecomunicaciones para funciones de red ETSI ES\u00a0201 158, interfaz de traspaso para interceptaci\u00f3n legal del tr\u00e1fico de telecomunicaciones ETSI ES\u00a0201 671 o est\u00e1ndares y especificaciones equivalentes) y componentes especialmente dise\u00f1ados para ellos.<\/p>\n 2.\u2003Retenci\u00f3n de datos de llamadas (de acuerdo con los requisitos para la interceptaci\u00f3n legal de datos por los organismos encargados de hacer cumplir la ley para el manejo de datos ETSI TS\u00a0102 656 o est\u00e1ndares y especificaciones equivalentes) y componentes especialmente dise\u00f1ados para los mismos.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica: Los datos de llamadas incluyen informaci\u00f3n de se\u00f1alizaci\u00f3n, origen y destino (por ejemplo, n\u00fameros de tel\u00e9fono, direcciones IP o MAC, etc.), fecha y hora y origen geogr\u00e1fico de la comunicaci\u00f3n.<\/p>\n Nota: el subart\u00edculo\u00a05A902 no somete a control los sistemas, equipos o componentes dise\u00f1ados especialmente para cualquiera de los siguientes prop\u00f3sitos:<\/p>\n a)\u2003Facturaci\u00f3n,<\/p>\n b)\u2003Funciones de recopilaci\u00f3n de datos dentro de los elementos de la red,<\/p>\n c)\u2003Calidad de servicio de la red, o<\/p>\n d)\u2003Satisfacci\u00f3n del usuario.<\/p>\n 5D902. Programas inform\u00e1ticos no especificados en el art\u00edculo\u00a05D001 del anexo I del Reglamento (UE) 2021\/821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de\u00a020 de mayo de\u00a02021, especialmente dise\u00f1ados o modificados para el desarrollo, producci\u00f3n, uso, configuraci\u00f3n funcional y control de rendimiento de los sistemas, equipos y componentes de vigilancia especificados en los art\u00edculos\u00a05A902.<\/p>\n 4A901. Computadoras cu\u00e1nticas y ensamblajes electr\u00f3nicos relacionados y sus componentes, como sigue:<\/p>\n a.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas, de acuerdo con los siguientes requisitos;<\/p>\n 1.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas que admiten\u00a034 o m\u00e1s c\u00fabits f\u00edsicos, pero menos de\u00a0100, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a\u00a010-4;<\/p>\n 2.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas que admiten\u00a0100 o m\u00e1s c\u00fabits f\u00edsicos, pero menos de\u00a0200, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a\u00a010-3;<\/p>\n 3.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas que admiten\u00a0200 o m\u00e1s c\u00fabits f\u00edsicos, pero menos de\u00a0350, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a\u00a02×10-3;<\/p>\n 4.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas que admiten\u00a0350 o m\u00e1s c\u00fabits f\u00edsicos, pero menos de\u00a0500, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a\u00a03×10-3;<\/p>\n 5.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas que admiten\u00a0500 o m\u00e1s c\u00fabits f\u00edsicos, pero menos de\u00a0700, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a\u00a04 x\u00a010-3;<\/p>\n 6.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas que admiten\u00a0700 o m\u00e1s c\u00fabits f\u00edsicos, pero menos de\u00a01.100, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a\u00a05 x\u00a010-3;<\/p>\n 7.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas que admiten\u00a01.100 o m\u00e1s c\u00fabits f\u00edsicos, pero menos de\u00a02.000, totalmente controlados, conectados y funcionando, y tener un error C-NOT menor o igual a\u00a06 x\u00a010-3;<\/p>\n 8.\u2003Computadoras cu\u00e1nticas que admiten\u00a02.000 c\u00fabits f\u00edsicos o m\u00e1s totalmente controlados, conectados y en funcionamiento;<\/p>\n b.\u2003Dispositivos c\u00fabits y circuitos c\u00fabits, que contengan o admitan grupos de c\u00fabits f\u00edsicos, y especialmente dise\u00f1ados para elementos especificado en\u00a04A901;<\/p>\n c.\u2003Componentes de control cu\u00e1ntico y dispositivos de medici\u00f3n cu\u00e1ntica, dise\u00f1ados especialmente para los elementos especificados en\u00a04A901;<\/p>\n Notas:<\/p>\n 1.\u20034A901 se aplica al modelo de circuito (o \u201cgate-based\u201d) y computadores cu\u00e1nticos unidireccionales (o \u201cmeasurement-based\u201d, MBQC).<\/p>\n 2.\u2003Los art\u00edculos especificados por\u00a04A901 no necesariamente deben de contener f\u00edsicamente cualquier c\u00fabit. Por ejemplo, las computadoras cu\u00e1nticas basadas en esquemas de fot\u00f3nica no contienen permanentemente un elemento f\u00edsico que puede ser identificado como un c\u00fabit. Los c\u00fabits fot\u00f3nicos se generan mientras la computadora est\u00e1 funcionando y luego se descartan.<\/p>\n 3.\u2003Los art\u00edculos especificados por\u00a04A901 incluyen semiconductores, superconductores, y chips de c\u00fabits fot\u00f3nicos y conjuntos de chips; conjuntos de dispositivos para capturar iones; otras tecnolog\u00edas de confinamiento de c\u00fabits; e interconexiones coherentes entre dichos elementos.<\/p>\n 4.\u20034A901 se aplica a elementos dise\u00f1ados para calibrar, inicializar, manipular o medir los c\u00fabits residentes de una computadora cu\u00e1ntica.<\/p>\n Notas t\u00e9cnicas:<\/p>\n A los efectos de\u00a04A901:<\/p>\n 1.\u2003Un c\u00fabit f\u00edsico es un sistema cu\u00e1ntico de dos niveles que se utiliza para representar la unidad elemental de la l\u00f3gica cu\u00e1ntica por medio de manipulaciones y mediciones que no tienen errores corregidos. Los c\u00fabits f\u00edsicos se distinguen de los c\u00fabits l\u00f3gicos, en que los c\u00fabits l\u00f3gicos son c\u00fabits con errores corregidos compuestos por muchos c\u00fabits f\u00edsicos.<\/p>\n 2.\u2003Totalmente controlado significa que el c\u00fabit f\u00edsico se puede calibrar, inicializar, activar y leer, seg\u00fan sea necesario.<\/p>\n 3.\u2003Conectado significa que las operaciones de puerta de dos c\u00fabits pueden ser realizadas entre cualquier par arbitrario de los c\u00fabits f\u00edsicos de trabajo disponibles. Esto no implica necesariamente que se tenga que producir conectividad \u201ctodos a todos\u201d.<\/p>\n 4.\u2003Funcionamiento significa que el c\u00fabit f\u00edsico realiza funciones universales de trabajo computacional cu\u00e1ntico de acuerdo con las especificaciones del sistema para las medidas del volumen y la capacidad, de acuerdo con la fidelidad operativa de c\u00fabit.<\/p>\n 5.\u2003Que admiten\u00a034 c\u00fabits f\u00edsicos o m\u00e1s totalmente controlados, conectados, y en funcionamiento se refiere a la capacidad de una computadora cu\u00e1ntica para confinar, controlar, medir y procesar la informaci\u00f3n cu\u00e1ntica incorporada en\u00a034 o m\u00e1s c\u00fabits f\u00edsicos.<\/p>\n 6.\u2003Error C-NOT es el error de puerta f\u00edsica promedio para las \u201cControlled-NOT (C-NOT)\u201d puertas vecinas m\u00e1s cercanas de dos c\u00fabits f\u00edsicos.<\/p>\n 4E901. Tecnolog\u00eda para el desarrollo o la producci\u00f3n de computadoras cu\u00e1nticas, dispositivos y circuitos c\u00fabits, as\u00ed como componentes de control y medici\u00f3n cu\u00e1ntica especificados en\u00a04A901.<\/p>\n 3B901. Equipos de microscopios electr\u00f3nicos de barrido dise\u00f1ados para im\u00e1genes de dispositivos semiconductores o circuitos integrados, que tengan todas las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n a.\u2003Precisi\u00f3n de colocaci\u00f3n en el escenario igual o inferior a\u00a030 nm;<\/p>\n b.\u2003Medici\u00f3n de posicionamiento del escenario realizada con interferometr\u00eda l\u00e1ser;<\/p>\n c.\u2003Calibraci\u00f3n de posici\u00f3n dentro de un campo de visi\u00f3n basado en medici\u00f3n de la longitud de escala por interferometr\u00eda l\u00e1ser;<\/p>\n d.\u2003Capacidad de recopilar y almacenar im\u00e1genes con m\u00e1s de\u00a02 x\u00a0108 p\u00edxeles;<\/p>\n e.\u2003Superposici\u00f3n del campo de visi\u00f3n de menos del\u00a05 por ciento en las direcciones vertical y horizontal;<\/p>\n f.\u2003Uni\u00f3n del campo de visi\u00f3n por superposici\u00f3n inferior a\u00a050 nm; y<\/p>\n g.\u2003Voltaje de aceleraci\u00f3n superior a\u00a021 kV;<\/p>\n Nota:<\/p>\n 3B901. Incluye equipos de microscopios electr\u00f3nicos de barrido dise\u00f1ados para la reparaci\u00f3n de chips.<\/p>\n 3E901. Tecnolog\u00eda para el desarrollo o la producci\u00f3n de microscopios electr\u00f3nicos de barrido especificados en\u00a03B901.<\/p>\n 3D901. Software dise\u00f1ado para extraer GDSII o datos de dise\u00f1o est\u00e1ndar equivalentes y realizar una alineaci\u00f3n de capa a capa a partir de im\u00e1genes de microscopios electr\u00f3nicos de barrido, y generar una lista de conexi\u00f3n de circuito o datos GDSII de varias capas.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica:<\/p>\n Por GDSII (Graphic Design System II) se entiende un formato de archivo de base de datos para el intercambio de datos de ilustraciones de circuitos integrados o ilustraciones de dise\u00f1os de circuitos integrados.<\/p>\n 3E902. Tecnolog\u00eda para el desarrollo o la producci\u00f3n de software especificado en\u00a03D901.<\/p>\n 3B902. Equipo dise\u00f1ado para el grabado seco que tenga cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n 1.\u2003Equipos dise\u00f1ados o modificados para el grabado seco isotr\u00f3pico, que tengan una selectividad en el grabado de silicio-germanio respecto al silicio (SiGe:Si) mayor o igual que\u00a0100:1; o<\/p>\n 2.\u2003Equipo dise\u00f1ado o modificado para el grabado anisotr\u00f3pico seco, que tenga todas las siguientes caracter\u00edsticas;<\/p>\n a.\u2003Fuentes de energ\u00eda de radiofrecuencia con al menos una salida de radiofrecuencia pulsada;<\/p>\n b.\u2003V\u00e1lvulas de conmutaci\u00f3n r\u00e1pida de gas con tiempo de conmutaci\u00f3n inferior a\u00a0300 milisegundos; y<\/p>\n c.\u2003Abrazadera electrost\u00e1tica con veinte o m\u00e1s elementos de temperatura variable controlables.<\/p>\n Nota\u00a01:<\/p>\n 3B902 incluye grabado por radicales, iones, reacciones secuenciales o reacciones no secuenciales.<\/p>\n Nota\u00a02:<\/p>\n 3B902 incluye el grabado con plasma excitado por pulsos de radio frecuencia, plasma excitado con ciclo de trabajo pulsado, plasma modificado con voltaje pulsado en electrodos, inyecci\u00f3n c\u00edclica y purga de gases combinados con plasma, grabado de capa at\u00f3mica de plasma o grabado de capa cuasi at\u00f3mica de plasma.<\/p>\n Nota t\u00e9cnica\u00a01:<\/p>\n A efectos de\u00a03B902, la selectividad en el grabado de silicio-germanio respecto al silicio (SiGe:Si) se mide para una concentraci\u00f3n de Ge superior o igual al\u00a030\u202f% (Si0,70Ge0,30).<\/p>\n Nota t\u00e9cnica\u00a02:<\/p>\n A los efectos de\u00a03B902, radical se define como un \u00e1tomo, mol\u00e9cula o ion que tiene un electr\u00f3n desapareado en una configuraci\u00f3n de capa de electrones abierta.<\/p>\n 3E903. Tecnolog\u00eda para el desarrollo o la producci\u00f3n de equipos dise\u00f1ado para el grabado seco especificados en\u00a03B902.<\/p>\n 3E904. Tecnolog\u00eda para el desarrollo o la producci\u00f3n de circuitos o dispositivos integrados, utilizando estructuras de transistor de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET).<\/p>\n 1B901. Equipos de fabricaci\u00f3n aditiva dise\u00f1ados o modificados para producir, a partir de materiales energ\u00e9ticos, dispositivos o formas que sean del tipo explosivo, pirot\u00e9cnicos o propulsores, y que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n a.\u2003Dise\u00f1ado o modificado para cumplir con las normas nacionales de seguridad aplicables a entornos con municiones potencialmente explosivas; o<\/p>\n b.\u2003Una o m\u00e1s extrusoras ultras\u00f3nicas.\u00bb<\/p>\n<\/p><\/div>\n Mediante esta orden se incorpora al ordenamiento jur\u00eddico espa\u00f1ol la Directiva Delegada (UE) 2025\/290 de la Comisi\u00f3n de\u00a04 de octubre de\u00a02024, por la que se modifica la Directiva\u00a02009\/43\/CE del Parlamento Europeo y del Consejo en lo que respecta a la actualizaci\u00f3n de la lista de productos relacionados con la defensa en consonancia con la Lista Com\u00fan Militar de la Uni\u00f3n Europea actualizada de\u00a019 de febrero de\u00a02024.<\/p>\n Esta orden entrar\u00e1 en vigor el d\u00eda\u00a05 de junio de\u00a02025.<\/p>\n Madrid, 30 de mayo de\u00a02025.\u2013El Ministro de Econom\u00eda, Comercio y Empresa, Carlos Cuerpo Caballero.<\/p>\n source<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" La Ley\u00a053\/2007, de\u00a028 de diciembre, sobre el control del comercio exterior de material de defensa y de doble<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":12677,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_bbp_topic_count":0,"_bbp_reply_count":0,"_bbp_total_topic_count":0,"_bbp_total_reply_count":0,"_bbp_voice_count":0,"_bbp_anonymous_reply_count":0,"_bbp_topic_count_hidden":0,"_bbp_reply_count_hidden":0,"_bbp_forum_subforum_count":0,"_joinchat":[],"footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-11719","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-noticias"],"featured_image_urls":{"full":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=1920&resize=1920,998&ssl=1",1920,998,false],"thumbnail":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=150&resize=150,150&ssl=1",150,150,false],"medium":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=300&resize=300,300&ssl=1",300,300,false],"medium_large":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=768&resize=768,0&ssl=1",768,0,false],"large":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=1024&resize=1024,1024&ssl=1",1024,1024,false],"1536x1536":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=1536&resize=1536,1536&ssl=1",1536,1536,false],"2048x2048":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=2048&resize=2048,2048&ssl=1",2048,2048,false],"morenews-large":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=825&resize=825,575&ssl=1",825,575,false],"morenews-medium":["https:\/\/i3.wp.com\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/02\/IMAGEN-ESTANDAR-BLOGEMERGENCIAS-ENTRADAS.png?w=590&resize=590,410&ssl=1",590,410,false]},"author_info":{"info":["admin"]},"category_info":"Noticias<\/a>","tag_info":"Noticias","comment_count":0,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/11719","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=11719"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/11719\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/media\/12677"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=11719"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=11719"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=11719"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}\u00abANEXO III.5<\/h5>\n
Lista de productos sometidos a control en la exportaci\u00f3n no incluidos en\u00a0el\u00a0anexo I del Reglamento (UE) 2021\/821<\/h5>\n
\n
\n \nAcr\u00f3nimos y abreviaturas<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n \n FPLD<\/td>\n Field Programmable Logic Device.<\/td>\n<\/tr>\n \n LUT<\/td>\n Lookup table.<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n \n
\n 1A901<\/td>\n \n \n 1E901<\/td>\n \n \n 2B901<\/td>\n \n \n 2E901<\/td>\n Tecnolog\u00eda para el desarrollo o la producci\u00f3n de equipos de fabricaci\u00f3n aditiva, dise\u00f1ados para producir componentes de metal o aleaciones de metal especificados en 2B901.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B903<\/td>\n \n ![\"Imagen:](\"\/datos\/imagenes\/disp\/2025\/131\/10778_15738986_1.png\")
<\/p>\n\n 3E905<\/td>\n Tecnolog\u00eda para el desarrollo o la producci\u00f3n de equipos de equipos de litograf\u00eda, especificados en 3B903.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B904<\/td>\n \n \n 3E906<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de dispositivos o materiales semiconductores, especificados en 3B904.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B904<\/td>\n \n \n 3E907<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de dispositivos o materiales semiconductores, especificados en 3B904.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B905<\/td>\n \n \n 3E908<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de Conjuntos, m\u00f3dulos o dispositivos electr\u00f3nicos que contienen uno o m\u00e1s dispositivos l\u00f3gicos programables (FPLD), especificados en 3B905.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3A906<\/td>\n \n \n 3E909<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de conjuntos, m\u00f3dulos o dispositivos electr\u00f3nicos que contienen uno o m\u00e1s dispositivos l\u00f3gicos programables (FPLD), especificados en 3B906.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3A907<\/td>\n \n \n 3E910<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de circuitos integrados que tienen una o m\u00e1s unidades de procesamiento digital, especificados en 3A907.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B906<\/td>\n \n \n 3E911<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de equipos para la manufactura de dispositivos o materiales semiconductores especificados en 3B906.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B907<\/td>\n \n \n 3E912<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de equipos para la manufactura de dispositivos o materiales semiconductores especificados en 3B907.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B908<\/td>\n \n \n 3E913<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de equipos para la deposici\u00f3n de capas at\u00f3micas especificados en 3B908.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B909<\/td>\n \n \n 3E914<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de equipos para la manufactura de semiconductores especificados en 3B909.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B910<\/td>\n \n \n 3E915<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de equipos para la fabricaci\u00f3n de semiconductores especificados en 3B910.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B911<\/td>\n \n \n 3E916<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de semiconductores mediante equipos por contacto met\u00e1lico especificados en 3B911.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B912<\/td>\n Equipos o sistemas de deposici\u00f3n para la fabricaci\u00f3n de semiconductores, por deposici\u00f3n de una capa de rutenio utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 \u00b0C) e inferior a 773,15 K (500 \u00b0C).<\/td>\n<\/tr>\n \n 3E917<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de semiconductores mediante equipos por contacto met\u00e1lico especificados en 3B911.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3A908<\/td>\n \n \n 3E918<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de semiconductores mediante equipos por contacto met\u00e1lico especificados en 3B908.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3A909<\/td>\n \n \n 3E919<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de circuitos integrados especificados en 3B909<\/td>\n<\/tr>\n \n 3A910<\/td>\n \n \n 3E920<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de Amplificadores de se\u00f1al param\u00e9tricos especificados en 3B910.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B913<\/td>\n \n \n 3E921<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de m\u00e1scaras \u201cultravioleta extremo\u201d \u201cEUV\u201d y ret\u00edculas \u201cEUV\u201d, especificados en 3B913.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3C901<\/td>\n \n \n 3C902<\/td>\n \n \n 3C903<\/td>\n \n \n 3E922<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de los materiales, especificados en 3C901, 3C902 y 3C903.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3B914<\/td>\n \n \n 3E923<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la fabricaci\u00f3n de equipos de sondeo criog\u00e9nico, especificados en 3B914.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3E924<\/td>\n \n \n 3D902<\/td>\n \u201cSoftware\u201d especialmente dise\u00f1ado para el \u201cuso\u201d de equipos especificados en 3B902.<\/td>\n<\/tr>\n \n 3E923<\/td>\n Tecnolog\u00eda para la programaci\u00f3n de software, especificados en 3D914.<\/td>\n<\/tr>\n \n 4A902<\/td>\n \n \n 4D901<\/td>\n \n \n 1C902<\/td>\n \n \n 1E902<\/td>\n \n \n 3A911<\/td>\n \n \n 1E924<\/td>\n \n \n 3B915<\/td>\n \n \n 1E925<\/td>\n \n