{"id":22610,"date":"2025-11-14T14:43:55","date_gmt":"2025-11-14T14:43:55","guid":{"rendered":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/2025\/11\/14\/reglamento-delegado-ue-2025-2003-de-la-comision-de-8-de-septiembre-de-2025-por-el-que-se-modifica-el-reglamento-ue-2021-821-del-parlamento-europeo-y-del-consejo-en-lo-que-concierne-a-la-lista-de\/"},"modified":"2025-11-14T14:43:55","modified_gmt":"2025-11-14T14:43:55","slug":"reglamento-delegado-ue-2025-2003-de-la-comision-de-8-de-septiembre-de-2025-por-el-que-se-modifica-el-reglamento-ue-2021-821-del-parlamento-europeo-y-del-consejo-en-lo-que-concierne-a-la-lista-de","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/2025\/11\/14\/reglamento-delegado-ue-2025-2003-de-la-comision-de-8-de-septiembre-de-2025-por-el-que-se-modifica-el-reglamento-ue-2021-821-del-parlamento-europeo-y-del-consejo-en-lo-que-concierne-a-la-lista-de\/","title":{"rendered":"Reglamento Delegado (UE) 2025\/2003 de la Comisi\u00f3n, de 8 de septiembre de 2025, por el que se modifica el Reglamento (UE) 2021\/821 del Parlamento Europeo y del Consejo en lo que concierne a la lista de productos de doble uso."},"content":{"rendered":"
\n

\u00a0<\/p>\n

LA COMISI\u00d3N EUROPEA,<\/p>\n

Visto el Tratado de Funcionamiento de la Uni\u00f3n Europea,<\/p>\n

Visto el Reglamento (UE)\u00a02021\/821 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 20\u00a0de\u00a0mayo de 2021, por el que se establece un r\u00e9gimen de la Uni\u00f3n de control de las exportaciones, el corretaje, la asistencia t\u00e9cnica, el tr\u00e1nsito y la transferencia de productos de doble uso\u00a0(1<\/span>)<\/a>, y en particular su art\u00edculo\u00a017, apartado\u00a01, letra a),<\/p>\n

Considerando lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n\n <\/colgroup>\n\n\n
\n

(1)<\/p>\n<\/td>\n

\n

De conformidad con el Reglamento (UE)\u00a02021\/821, los productos de doble uso deben someterse a autorizaci\u00f3n y a un control de las exportaciones cuando sean exportados desde la Uni\u00f3n, se encuentren en tr\u00e1nsito en ella o sean entregados a un tercer pa\u00eds como resultado de servicios de corretaje prestados por un corredor residente o establecido en la Uni\u00f3n.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n <\/colgroup>\n\n\n
\n

(2)<\/p>\n<\/td>\n

\n

El anexo\u00a0I del Reglamento (UE)\u00a02021\/821 establece la lista com\u00fan de productos de doble uso sujetos a controles en la Uni\u00f3n. Las decisiones relativas a los productos sujetos a estos controles se adoptan en el marco de los controles de doble uso acordados internacionalmente.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n <\/colgroup>\n\n\n
\n

(3)<\/p>\n<\/td>\n

\n

La lista de productos de doble uso que figura en el anexo\u00a0I del Reglamento (UE)\u00a02021\/821 debe actualizarse peri\u00f3dicamente para cumplir plenamente las obligaciones internacionales en materia de seguridad y los compromisos que los Estados miembros y, en su caso, la Uni\u00f3n han asumido como miembros del Grupo Australia\u00a0(2<\/span>)<\/a>, del R\u00e9gimen de Control de la Tecnolog\u00eda de Misiles\u00a0(3<\/span>)<\/a>, del Grupo de Suministradores Nucleares\u00a0(4<\/span>)<\/a>, del Arreglo de Wassenaar\u00a0(5<\/span>)<\/a> y de la Convenci\u00f3n sobre las Armas Qu\u00edmicas\u00a0(6<\/span>)<\/a>. En este sentido, las listas de control adoptadas en el marco de los reg\u00edmenes internacionales de no proliferaci\u00f3n y de los acuerdos internacionales de control de las exportaciones se modificaron en\u00a02024. Adem\u00e1s, el 23\u00a0de\u00a0mayo de 2025 los Estados miembros informaron a la Comisi\u00f3n de que todos ellos hab\u00edan aceptado, tambi\u00e9n como miembros del Arreglo de Wassenaar, nuevos compromisos para controlar m\u00e1s art\u00edculos. Procede modificar el anexo I del Reglamento (UE)\u00a02021\/821 en consecuencia. Para facilitar su consulta por parte de las autoridades responsables del control de las exportaciones y de los operadores econ\u00f3micos, debe sustituirse el anexo\u00a0I del Reglamento (UE)\u00a02021\/821.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n <\/colgroup>\n\n\n
\n

(4)<\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

(5)<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Para garantizar el pleno cumplimiento de las obligaciones internacionales de seguridad tan pronto como sea posible, el presente Reglamento debe entrar en vigor el d\u00eda siguiente al de su publicaci\u00f3n en el Diario Oficial de la Uni\u00f3n Europea<\/span>.<\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

Procede, por tanto, modificar el Reglamento (UE)\u00a02021\/821 en consecuencia.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00a0<\/p>\n

HA ADOPTADO EL PRESENTE REGLAMENTO:<\/p>\n

Art\u00edculo\u00a01<\/h5>\n

El anexo I del Reglamento (UE)\u00a02021\/821 se sustituye por el texto que figura en el anexo del presente Reglamento.<\/p>\n

Art\u00edculo\u00a02<\/h5>\n

El presente Reglamento entrar\u00e1 en vigor el d\u00eda siguiente al de su publicaci\u00f3n en el Diario Oficial de la Uni\u00f3n Europea.<\/span><\/p>\n

El presente Reglamento ser\u00e1 obligatorio en todos sus elementos y directamente aplicable en cada Estado miembro.<\/p>\n

Hecho en Bruselas, el 8\u00a0de\u00a0septiembre de 2025.<\/p>\n

Por la Comisi\u00f3n<\/span><\/p>\n

La Presidenta<\/span><\/p>\n

Ursula VON DER LEYEN<\/p>\n

(1<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 DO\u00a0L\u00a0206 de 11.6.2021, p.\u00a01<\/a>, ELI: http:\/\/data.europa.eu\/eli\/reg\/2021\/821\/oj<\/a>.<\/p>\n

(2<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 https:\/\/www.dfat.gov.au\/publications\/minisite\/theaustraliagroupnet\/site\/es\/index.html<\/a>.<\/p>\n

(3<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 http:\/\/mtcr.info\/<\/a>.<\/p>\n

(4<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 http:\/\/www.nuclearsuppliersgroup.org\/index.php\/es\/<\/a>.<\/p>\n

(5<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 https:\/\/www.wassenaar.org\/es\/<\/a>.<\/p>\n

(6<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 https:\/\/www.opcw.org\/es\/convencion-sobre-las-armas-quimicas<\/a>.<\/p>\n

ANEXO<\/h5>\n

\u00abANEXO I<\/p>\n

LISTA DE PRODUCTOS DE DOBLE USO CONTEMPLADA EN EL ART\u00cdCULO\u00a03 DEL PRESENTE REGLAMENTO<\/p>\n

La lista de productos de doble uso que figura en el presente anexo tiene por objetivo la ejecuci\u00f3n de los controles de productos de doble uso acordados internacionalmente, en particular en el Grupo Australia (GA)\u00a0(1<\/span>)<\/a>, el R\u00e9gimen de Control de la Tecnolog\u00eda de Misiles (RCTM)\u00a0(2<\/span>)<\/a>, el Grupo de Suministradores Nucleares (GSN)\u00a0(3<\/span>)<\/a>, el Arreglo de Wassenaar\u00a0(4<\/span>)<\/a> y la Convenci\u00f3n sobre las Armas Qu\u00edmicas (CAQ)\u00a0(5<\/span>)<\/a>.<\/p>\n

\u00cdNDICE<\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte I<\/p>\n<\/td>\n

Notas generales, acr\u00f3nimos y abreviaturas, y definiciones<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte II. Categor\u00eda 0<\/p>\n<\/td>\n

Materiales, instalaciones y equipos nucleares<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte III. Categor\u00eda 1<\/p>\n<\/td>\n

Materiales especiales y equipos conexos<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte IV. Categor\u00eda 2<\/p>\n<\/td>\n

Tratamiento de los materiales<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte V. Categor\u00eda 3<\/p>\n<\/td>\n

Electr\u00f3nica<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte VI. Categor\u00eda 4<\/p>\n<\/td>\n

Ordenadores<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte VII. Categor\u00eda 5<\/p>\n<\/td>\n

Telecomunicaciones y \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte VIII. Categor\u00eda 6<\/p>\n<\/td>\n

Sensores y l\u00e1seres<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte IX. Categor\u00eda 7<\/p>\n<\/td>\n

Navegaci\u00f3n y avi\u00f3nica<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte X. Categor\u00eda 8<\/p>\n<\/td>\n

Marina<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Parte XI. Categor\u00eda 9<\/p>\n<\/td>\n

Aeron\u00e1utica y propulsi\u00f3n<\/td>\n\u00a0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE I<\/p>\n

Notas generales, acr\u00f3nimos y abreviaturas, y definiciones<\/span><\/p>\n

NOTAS GENERALES AL ANEXO I<\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

En relaci\u00f3n con el control de productos dise\u00f1ados o modificados para uso militar, v\u00e9anse la Lista Com\u00fan Militar de la Uni\u00f3n Europea\u00a0(6<\/span>)<\/a> y las correspondientes listas de control de material de defensa que mantienen los respectivos Estados miembros de la UE. Las referencias del presente anexo en las que figura la frase \u00abV\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA\u00bb hacen alusi\u00f3n a esas mismas listas.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

El objeto de los controles contenidos en el presente anexo no deber\u00e1 quedar sin efecto por la exportaci\u00f3n de productos no controlados (incluidas las plantas) que contengan uno o m\u00e1s componentes controlados, cuando el componente o componentes controlados sean elementos principales de los productos exportados y sea viable separarlos o emplearlos para otros fines.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

A la hora de juzgar si uno o varios componentes controlados deben considerarse elementos principales, habr\u00e1n de ponderarse los factores de cantidad, valor y conocimientos tecnol\u00f3gicos involucrados, as\u00ed como otras circunstancias especiales que pudieran determinar que el componente o los componentes controlados sean elementos principales de los productos suministrados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

Los productos especificados en el presente anexo pueden ser nuevos o usados.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

En algunos casos, los productos qu\u00edmicos se enumeran por nombre y n\u00famero CAS. La lista se aplica a los productos qu\u00edmicos de la misma f\u00f3rmula estructural (incluidos hidratos, formas marcadas isot\u00f3picamente o todos los estereois\u00f3meros posibles) independientemente del nombre o del n\u00famero CAS. Los n\u00fameros CAS se muestran para ayudar a identificar un producto qu\u00edmico o una mezcla independientemente de su nomenclatura. Los n\u00fameros CAS no pueden ser usados como identificadores \u00fanicos porque algunas formas de los productos qu\u00edmicos listados tienen n\u00fameros CAS diferentes y, adem\u00e1s, algunas mezclas que contienen un producto qu\u00edmico listado pueden tener un n\u00famero CAS diferente.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

NOTA DE TECNOLOG\u00cdA NUCLEAR (NTN)<\/p>\n

(Deber\u00e1 leerse en conjunci\u00f3n con la secci\u00f3n E de la categor\u00eda 0.)<\/p>\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb directamente asociada a cualquier producto controlado de la categor\u00eda 0 se controlar\u00e1 con arreglo a las disposiciones de la categor\u00eda 0.<\/p>\n

Asimismo, se controlar\u00e1 la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los productos sometidos a control, aunque tambi\u00e9n sea aplicable a productos no sometidos a ning\u00fan control.<\/p>\n

La licencia de exportaci\u00f3n concedida para un producto autoriza tambi\u00e9n a exportar al mismo usuario final la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb m\u00ednima necesaria para la instalaci\u00f3n, el funcionamiento, el mantenimiento y las reparaciones de dicho producto.<\/p>\n

Los controles de transferencia de \u00abtecnolog\u00eda\u00bb no se aplicar\u00e1n a la informaci\u00f3n \u00abde conocimiento p\u00fablico\u00bb ni a la \u00abinvestigaci\u00f3n cient\u00edfica b\u00e1sica\u00bb.<\/p>\n

NOTA GENERAL DE TECNOLOG\u00cdA (NGT)<\/p>\n

(Deber\u00e1 leerse en conjunci\u00f3n con la secci\u00f3n E de las categor\u00edas 1 a\u00a09.)<\/p>\n

La exportaci\u00f3n de \u00abtecnolog\u00eda\u00bb \u00abnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de productos sometidos a control incluidos en las categor\u00edas 1 a\u00a09 se someter\u00e1 a control de conformidad con lo dispuesto en las categor\u00edas 1 a\u00a09.<\/p>\n

Asimismo, se controlar\u00e1 la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb \u00abnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los productos sometidos a control, aunque tambi\u00e9n sea aplicable a productos no sometidos a ning\u00fan control.<\/p>\n

No se aplicar\u00e1n controles a aquella \u00abtecnolog\u00eda\u00bb que sea la m\u00ednima necesaria para la instalaci\u00f3n, el funcionamiento, el mantenimiento (revisi\u00f3n) o las reparaciones de aquellos productos no sometidos a control o cuya exportaci\u00f3n se haya autorizado.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Esta disposici\u00f3n no exime de los controles a la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de ese tipo especificada en los subart\u00edculos 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a y\u00a08E002.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Los controles de las transferencias de \u00abtecnolog\u00eda\u00bb no se aplicar\u00e1n a la informaci\u00f3n \u00abde conocimiento p\u00fablico\u00bb, a la \u00abinvestigaci\u00f3n cient\u00edfica b\u00e1sica\u00bb ni a la informaci\u00f3n m\u00ednima necesaria para solicitudes de patentes.<\/p>\n

NOTA SOBRE PROGRAMAS INFORM\u00c1TICOS EN MATERIA NUCLEAR (NPIN)<\/p>\n

(La presente nota tiene primac\u00eda sobre los controles de la secci\u00f3n\u00a0D de la categor\u00eda\u00a00)<\/p>\n

La secci\u00f3n\u00a0D de la categor\u00eda\u00a00 de esta lista no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb que constituyen el \u00abc\u00f3digo objeto\u00bb m\u00ednimo necesario para la instalaci\u00f3n, el funcionamiento, el mantenimiento (revisi\u00f3n) o las reparaciones de aquellos productos cuya exportaci\u00f3n haya sido autorizada.<\/p>\n

La licencia de exportaci\u00f3n concedida para un producto autoriza tambi\u00e9n a exportar al mismo usuario final el \u00abc\u00f3digo objeto\u00bb m\u00ednimo necesario para la instalaci\u00f3n, el funcionamiento, el mantenimiento (revisi\u00f3n) y las reparaciones de dicho producto.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La Nota sobre programas inform\u00e1ticos en materia nuclear no exime de los controles a los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en la segunda parte de la categor\u00eda\u00a05 (\u00abSeguridad de la informaci\u00f3n\u00bb).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

NOTA GENERAL SOBRE PROGRAMAS INFORM\u00c1TICOS (NGPI)<\/p>\n

(La presente nota tiene primac\u00eda sobre los controles de la secci\u00f3n\u00a0D de las categor\u00edas\u00a01 a\u00a09)<\/p>\n

Las categor\u00edas 1 a\u00a09 de esta lista no someten a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb que cumplan cualquiera de las condiciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

que se hallen generalmente a disposici\u00f3n del p\u00fablico por estar:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

a la venta, sin limitaciones, en puntos de venta al por menor, por medio de:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

transacciones en mostrador;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

transacciones por correo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

transacciones electr\u00f3nicas; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

transacciones por tel\u00e9fono; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

dise\u00f1ados para su instalaci\u00f3n por el usuario sin asistencia ulterior importante del proveedor;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La entrada a de la Nota general sobre programas inform\u00e1ticos no exime de los controles a los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en la segunda parte de la categor\u00eda 5 (\u00abSeguridad de la informaci\u00f3n\u00bb).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

que sean \u00abde conocimiento p\u00fablico\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

que constituyan el \u00abc\u00f3digo objeto\u00bb m\u00ednimo necesario para la instalaci\u00f3n, el funcionamiento, el mantenimiento (revisi\u00f3n) o las reparaciones de aquellos productos cuya exportaci\u00f3n haya sido autorizada.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La entrada c de la Nota general sobre programas inform\u00e1ticos no exime de los controles a los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en la segunda parte de la categor\u00eda 5 (\u00abSeguridad de la informaci\u00f3n\u00bb).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

NOTA GENERAL SOBRE \u00abSEGURIDAD DE LA INFORMACI\u00d3N\u00bb (NGSI)<\/p>\n

Los productos o las funciones destinados a la \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb deben considerarse en relaci\u00f3n con lo dispuesto en la segunda parte de la categor\u00eda\u00a05, aunque se trate de componentes, de \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb o de funciones de otros productos.<\/p>\n

PR\u00c1CTICAS EDITORIALES EN EL DIARIO OFICIAL DE LA UNI\u00d3N EUROPEA<\/span><\/p>\n

De conformidad con las reglas establecidas en el Libro de estilo interinstitucional, para los textos en espa\u00f1ol publicados en el Diario Oficial de la Uni\u00f3n Europea<\/span>:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

se utiliza una coma para separar los enteros de los decimales,<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

los n\u00fameros enteros se presentan en series de tres y cada serie se separa por un espacio fino.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

El texto del presente anexo sigue esta pr\u00e1ctica.<\/p>\n

ACR\u00d3NIMOS Y ABREVIATURAS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO<\/p>\n

Los acr\u00f3nimos o abreviaturas que se empleen como t\u00e9rminos definidos figuran en las \u00abDefiniciones de los t\u00e9rminos empleados en el presente anexo\u00bb.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

ACR\u00d3NIMOS Y ABREVIATURAS<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ABEC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Comit\u00e9 T\u00e9cnico de Cojinetes Anulares (Annular Bearing Engineers Committe)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ABMA<\/p>\n<\/td>\n

\n

American Bearing Manufacturers Association<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ADC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Convertidor anal\u00f3gico-digital (Analogue-to-Digital Converter<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

AGMA<\/p>\n<\/td>\n

\n

Asociaci\u00f3n Americana de Fabricantes de Engranajes (American Gear Manufacturers Association)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

AHRS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de referencia de actitud y rumbo (Attitude and Heading Reference Systems<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

AISI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instituto Americano del Hierro y del Acero (American Iron and Steel Institute)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ALE<\/p>\n<\/td>\n

\n

Epitaxia a capas at\u00f3micas (Atomic Layer Epitaxy<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ALU<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidad aritm\u00e9tica l\u00f3gica (Arithmetic Logic Unit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ANSI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instituto Nacional Americano de Normas (American National Standards Institute)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

APP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rendimiento m\u00e1ximo ajustado (Adjusted Peak Performance<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

APU<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidad de potencia auxiliar (Auxiliary Power Unit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ASTM<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sociedad Americana de Ensayos y Materiales (American Society for Testing and Materials<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ATC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Control del tr\u00e1fico a\u00e9reo (Air Traffic Control<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

BJT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores de uni\u00f3n bipolar (Bipolar Junction Transistors<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

BPP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Producto de los par\u00e1metros del haz (Beam Parameter Product<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

BSC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Controlador de estaciones de base (Base Station Controller<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CAD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1o asistido por ordenador (Computer-Aided-Design<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CAS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Servicio de res\u00famenes de art\u00edculos sobre temas qu\u00edmicos (Chemical Abstracts Service<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CCD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivo de carga acoplada (Charge Coupled Device<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CDU<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidad de control y visualizaci\u00f3n (Control and Display Unit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CEP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Error circular probable (Circular Error Probable<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CMM<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quina de medida de coordenadas (Coordinate Measuring Machine<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CMOS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Semiconductor de \u00f3xido met\u00e1lico complementario (Complementary Metal Oxide Semiconductor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CNTD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n nuclearia t\u00e9rmica controlada (Controlled Nucleation Thermal Deposition<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CPLD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivo l\u00f3gico programable complejo (Complex Programmable Logic Device<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

UCP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidad central de procesamiento (Central Processing Unit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CVD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito qu\u00edmico en fase de vapor (Chemical Vapour Deposition<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CW<\/p>\n<\/td>\n

\n

Guerra qu\u00edmica (Chemical Warfare<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CW (para l\u00e1seres)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Onda continua (Continuous Wave<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

DAC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Convertidor digital-anal\u00f3gico (Digital-to-Analogue Converter<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

DANL<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nivel de ruido medio visualizado (Displayed Average Noise Level<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

DBRN<\/p>\n<\/td>\n

\n

Navegaci\u00f3n con referencia a bases de datos (Data-Base Referenced Navigation<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

DDS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sintetizador digital directo (Direct Digital Synthesizer<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

DMA<\/p>\n<\/td>\n

\n

An\u00e1lisis mec\u00e1nico din\u00e1mico (Dynamic Mechanical Analysis<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

DME<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo para medici\u00f3n de la distancia (Distance Measuring Equipment<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

DMOSFET<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistor de difusi\u00f3n de efecto de campo metal-\u00f3xido-semiconductor (Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

DS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Solidificado direccionalmente (Directionally Solidified<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

EB<\/p>\n<\/td>\n

\n

Puente explosivo (Exploding Bridge<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

EB-PVD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico por haz de electrones (Electron Beam Physical Vapour Deposition<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

EBW<\/p>\n<\/td>\n

\n

Puente explosivo con filamento met\u00e1lico (Exploding Bridge Wire<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ECAD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1o electr\u00f3nico asistido por ordenador (Electronic Computer-Aided Design<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ECM<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mecanizado electroqu\u00edmico (Electro-Chemical Machining<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

EDM<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de electroerosi\u00f3n (Electrical Discharge Machines<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

EFI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Iniciadores de laminilla (Exploding Foil Initiators<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

EIRP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia is\u00f3tropa radiada equivalente (Effective Isotropic Radiated Power<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

EMP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Impulso electromagn\u00e9tico (Electromagnetic Pulse<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ENOB<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00famero efectivo de bits (Effective Number of Bits<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ERF<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acabado electrorreol\u00f3gico (Electrorheological Finishing<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ERP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia radiada efectiva (Effective Radiated Power<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ESD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Descarga electrost\u00e1tica (Electrostatic Discharge<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ETO<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristor desactivable por emisor (Emitter Turn-Off Thyristor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ETT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristor de activaci\u00f3n el\u00e9ctrica (Electrical Triggering Thyristor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

UE<\/p>\n<\/td>\n

\n

Uni\u00f3n Europea<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

EUV<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radiaci\u00f3n ultravioleta extrema (Extreme UltraViolet<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

FADEC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Control digital del motor con plena autoridad (Full Authority Digital Engine Control<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

FFT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transformada r\u00e1pida de Fourier (Fast Fourier Transform<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

FPGA<\/p>\n<\/td>\n

\n

Matriz de puertas programable in situ (Field Programmable Gate Array<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

FPIC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Interconexi\u00f3n programable in situ (Field Programmable Interconnect<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

FPLA<\/p>\n<\/td>\n

\n

Matriz l\u00f3gica programable in situ (Field Programmable Logic Array<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

FPLD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivo l\u00f3gico programable in situ<\/span> (Field Programmable Logic Device<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

FPO<\/p>\n<\/td>\n

\n

Operaci\u00f3n en coma flotante (Floating Point Operation<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

FWHM<\/p>\n<\/td>\n

\n

Anchura de altura media (Full-Width Half-Maximum<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

GAAFET<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistor de efecto de campo de puerta completa (Gate-All-Around Field-Effect Transistor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

GLONASS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema mundial de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite (Global Navigation Satellite System<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

GNSS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema mundial de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite (Global Navigation Satellite System<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

GPS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema de posicionamiento global (Global Positioning System<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

GSM<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema mundial de comunicaciones m\u00f3viles (Global System for Mobile Communications<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

GTO<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristor desactivable por puerta (Gate Turn-off Thyristor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

HBT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistor bipolar de heterouni\u00f3n<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

HDMI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Interfaz multimedia de alta definici\u00f3n (High-Definition Multimedia Interface<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

HEMT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistor de alta movilidad de electrones (High Electron Mobility Transistor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

OACI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Organizaci\u00f3n de Aviaci\u00f3n Civil Internacional<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

CEI (IEC)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Comisi\u00f3n Electrot\u00e9cnica Internacional<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IED<\/p>\n<\/td>\n

\n

Artefacto explosivo improvisado (Improvised Explosive Device<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IEEE<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instituto de Ingenieros El\u00e9ctricos y Electr\u00f3nicos (Institute of Electrical and Electronic Engineers<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IFOV<\/p>\n<\/td>\n

\n

Campo de visi\u00f3n instant\u00e1neo (Instantaneous Field of View<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IGBT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IGCT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristor conmutado por puerta integrada (Integrated Gate Commutated Thyristor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

OHI (IHO)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Organizaci\u00f3n Hidrogr\u00e1fica Internacional (International Hydrographic Organization<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ILS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema de aterrizaje por instrumentos (Instrument Landing System<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IMU<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidad de medida inercial (Inertial Measurement Unit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

INS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema de navegaci\u00f3n inercial (Inertial Navigation System<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Protocolo de internet (Internet Protocol<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IRS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema de referencia inercial (Inertial Reference System<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

IRU<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidad de referencia inercial (Inertial Reference Unit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ISA<\/p>\n<\/td>\n

\n

Atm\u00f3sfera est\u00e1ndar internacional (International Standard Atmosphere<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ISAR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radar de apertura sint\u00e9tica inversa (Inverse Synthetic Aperture Radar<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ISO<\/p>\n<\/td>\n

\n

Organizaci\u00f3n Internacional de Normalizaci\u00f3n (International Organization for Standardization<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

UIT (ITU)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Uni\u00f3n Internacional de Telecomunicaciones (International Telecommunication Union<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

JT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Joule-Thomson<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LIDAR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detecci\u00f3n y medici\u00f3n de distancias por luz (Light Detection and Ranging<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LIDT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Umbral de da\u00f1o producido por radiaci\u00f3n l\u00e1ser (Laser Induced Damage Threshold<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LOA<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud total (Length Overall<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LRU<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidad sustituible en l\u00ednea (Line Replaceable Unit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LTT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristor de activaci\u00f3n lum\u00ednica (Light Triggering Thyristor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

LUT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tabla de b\u00fasqueda<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MLS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de microondas para aterrizaje (Microwave Landing Systems<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MMIC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuito integrado monol\u00edtico de microondas (Monolithic Microwave Integrated Circuit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MOCVD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de vapores qu\u00edmicos organomet\u00e1licos (Metal Organic Chemical Vapour Deposition<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MOSFET<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistor de efecto campo de uni\u00f3n con semiconductor de \u00f3xido met\u00e1lico (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MPM<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00f3dulo de alimentaci\u00f3n de microondas (Microwave Power Module<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MRF<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acabado magnetorreol\u00f3gico (Magnetorheological Finishing<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MRF<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tama\u00f1o de la caracter\u00edstica resoluble m\u00ednima (Minimum Resolvable Feature size<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MRI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Formaci\u00f3n de im\u00e1genes por resonancia magn\u00e9tica (Magnetic Resonance Imaging<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MTBF<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiempo medio entre fallos (Mean-Time-Between-Failures<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

MTTF<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiempo medio hasta fallo (Mean-Time-To-Failure<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

NA<\/p>\n<\/td>\n

\n

Apertura num\u00e9rica (Numerical Aperture<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

NDT<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ensayo no destructivo (Non-Destructive Test<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

NEQ<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cantidad explosiva neta (Net Explosive Quantity<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

NIJ<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instituto Nacional de Justicia (National Institute of Justice<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

OAM<\/p>\n<\/td>\n

\n

Operaciones, administraci\u00f3n o mantenimiento (Operations, Administration or Maintenance<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

OSI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Interconexi\u00f3n de sistemas abiertos (Open Systems Interconnection<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

PAI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Poliamidas-imidas (Polyamide-imides<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

PAR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radar de precisi\u00f3n de aproximaci\u00f3n (Precision Approach Radar<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

PCL<\/p>\n<\/td>\n

\n

Localizaci\u00f3n coherente pasiva (Passive Coherent Location<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

PDK<\/p>\n<\/td>\n

\n

Kit de dise\u00f1o de procesos (Process Design Kit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

PIN<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00famero de identificaci\u00f3n personal (Personal Identification Number<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

PMAC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Corriente alterna de imanes permanentes<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

PMR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radiocomunicaciones m\u00f3viles privadas (Private Mobile Radio<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

PVD<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico (Physical Vapour Deposition<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ppm<\/p>\n<\/td>\n

\n

Partes por mill\u00f3n<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

QAM<\/p>\n<\/td>\n

\n

Modulaci\u00f3n de amplitud en cuadratura (Quadrature-Amplitude-Modulation<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

QE<\/p>\n<\/td>\n

\n

Eficiencia cu\u00e1ntica (Quantum Efficiency<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

RAP<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plasmas de \u00e1tomos reactivos (Reactive Atom Plasmas<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

RF<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radiofrecuencia<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

rms<\/p>\n<\/td>\n

\n

Media cuadr\u00e1tica (root mean square<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

RNC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Controlador de red radioel\u00e9ctrica (Radio Network Controller<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

RNSS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema regional de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite (Regional Navigation Satellite System<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ROIC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuito integrado de lectura (Read-out Integrated Circuit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

S-FIL<\/p>\n<\/td>\n

\n

Impresi\u00f3n litogr\u00e1fica step and flash (Step and Flash Imprint Lithography<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SAR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radar de apertura sint\u00e9tica (Synthetic Aperture Radar<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SAS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sonar de apertura sint\u00e9tica (Synthetic Aperture Sonar<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SC<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cristal \u00fanico (Single Crystal<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SCR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rectificador de silicio controlado (Silicon Controlled Rectifier<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SFDR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rango din\u00e1mico libre de espurios (Spurious Free Dynamic Range<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SHPL<\/p>\n<\/td>\n

\n

L\u00e1ser de muy alta potencia (Super High Powered Laser<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SLAR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radar aerotransportado de haz oblicuo (Sidelooking Airborne Radar<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SOI<\/p>\n<\/td>\n

\n

Silicio sobre aislante (Silicon-on-Insulator<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SQUID<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivo superconductor de interferencia cu\u00e1ntica (Superconducting Quantum Interference Device<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SRA<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conjunto sustituible en taller (Shop Replaceable Assembly<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SRAM<\/p>\n<\/td>\n

\n

Memoria est\u00e1tica de acceso aleatorio (Static Random Access Memory<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SSB<\/p>\n<\/td>\n

\n

Banda lateral \u00fanica (Single Sideband<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SSR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radar secundario de vigilancia (Secondary Surveillance Radar<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

SSS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sonar de barrido lateral (Side Scan Sonar<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TIR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Lectura indicada total (Total Indicated Reading<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

TVR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Respuesta de tensi\u00f3n de transmisi\u00f3n (Transmitting Voltage Response<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

u<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidad de masa at\u00f3mica (Atomic Mass Unit<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

UPR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Repetibilidad de posicionamiento unidireccional (Unidirectional Positioning Repeatability<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

UTS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resistencia a la rotura por tracci\u00f3n (Ultimate Tensile Strength<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

UV<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ultravioleta<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

VJFET<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistor vertical de efecto de campo de uni\u00f3n (Vertical Junction Field Effect Transistor<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

VOR<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema de medidas de distancia omnidireccional de muy alta frecuencia (Very High Frequency Omni-directional Range<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

OMS<\/p>\n<\/td>\n

\n

Organizaci\u00f3n Mundial de la Salud<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

WLAN<\/p>\n<\/td>\n

\n

Red de \u00e1rea local inal\u00e1mbrica (Wireless Local Area Network<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

DEFINICIONES DE LOS T\u00c9RMINOS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO<\/p>\n

Los t\u00e9rminos entre comillas simples (‘\u2026’) est\u00e1n definidos en la nota t\u00e9cnica que corresponde al art\u00edculo en cuesti\u00f3n.<\/p>\n

A continuaci\u00f3n se definen los t\u00e9rminos que figuran entre comillas dobles (\u00ab\u2026\u00bb):<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La referencia a la categor\u00eda correspondiente aparece entre par\u00e9ntesis tras el t\u00e9rmino definido.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abExactitud\u00bb (2\u00a03\u00a06\u00a07): medida generalmente por referencia a la inexactitud, es la desviaci\u00f3n m\u00e1xima, positiva o negativa, de un valor indicado con respecto a un patr\u00f3n aceptado o a un valor verdadero.<\/p>\n

\u00abSistemas de control activo de vuelo\u00bb (7): tienen como funci\u00f3n impedir los movimientos o las cargas estructurales no deseables en \u00abaeronaves\u00bb y misiles, mediante el procesado aut\u00f3nomo de las salidas de m\u00faltiples sensores y el suministro a continuaci\u00f3n de los comandos preventivos necesarios para el control autom\u00e1tico.<\/p>\n

\u00abP\u00edxel activo\u00bb (6): es el elemento m\u00ednimo (\u00fanico) de un conjunto de estado s\u00f3lido que tiene una funci\u00f3n de transferencia fotoel\u00e9ctrica cuando est\u00e1 expuesto a una radiaci\u00f3n luminosa (electromagn\u00e9tica).<\/p>\n

\u00abRendimiento m\u00e1ximo ajustado\u00bb (4): es un valor m\u00e1ximo ajustado en el que los \u00abordenadores digitales\u00bb realizan sumas y multiplicaciones en coma flotante de 64 bits o m\u00e1s y se expresa en TeraFLOPS ponderados (WT), en unidades de 1012<\/span> operaciones ajustadas en coma flotante por segundo.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase la nota t\u00e9cnica en la categor\u00eda 4.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abAeronave\u00bb (1\u00a06\u00a07\u00a09): es un veh\u00edculo a\u00e9reo de superficies de sustentaci\u00f3n fijas, pivotantes o rotatorias (helic\u00f3ptero), de rotor basculante o de superficies de sustentaci\u00f3n basculantes.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase tambi\u00e9n \u00abaeronave civil\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abDirigible\u00bb (9): es un veh\u00edculo a\u00e9reo de motor que se mantiene en suspensi\u00f3n gracias a un cuerpo gaseoso (por lo general helio, anteriormente hidr\u00f3geno) que es m\u00e1s ligero que el aire.<\/p>\n

\u00abTodas las compensaciones disponibles\u00bb (2): significa tras haberse tenido en cuenta todas las medidas factibles de que dispone el fabricante para reducir al m\u00e1ximo todos los errores sistem\u00e1ticos de posici\u00f3n para una m\u00e1quina-herramienta concreta o los errores de medida para una m\u00e1quina de medida de coordenadas.<\/p>\n

\u00abAsignada por la UIT\u00bb (3\u00a05): se refiere a la asignaci\u00f3n de bandas de frecuencia, seg\u00fan la \u00faltima edici\u00f3n del Reglamento de Radiocomunicaciones de la UIT, a los servicios primarios, autorizados y secundarios.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

No est\u00e1n incluidas las asignaciones adicionales ni alternativas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abDesviaci\u00f3n de la posici\u00f3n angular\u00bb (2): es la diferencia m\u00e1xima entre la posici\u00f3n angular y la posici\u00f3n angular real, medida con gran exactitud, despu\u00e9s de que el portapieza de la mesa se haya desplazado con respecto a su posici\u00f3n inicial.<\/p>\n

\u00abRecorrido aleatorio angular\u00bb (7): es el error angular generado con el tiempo debido al ruido blanco en la velocidad angular (IEEE 528-2001).<\/p>\n

\u00abAPP\u00bb (4): es equivalente a \u00abrendimiento m\u00e1ximo ajustado\u00bb.<\/p>\n

\u00abAlgoritmo asim\u00e9trico\u00bb (5): es un algoritmo criptogr\u00e1fico que requiere distintas claves de naturaleza matem\u00e1tica para el cifrado y el descifrado.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un uso com\u00fan de los \u00abalgoritmos asim\u00e9tricos\u00bb es la gesti\u00f3n de claves.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abAutenticaci\u00f3n\u00bb (5): consiste en verificar la identidad de un usuario, un proceso o un dispositivo, a menudo como requisito previo para permitir el acceso a los recursos en un sistema de informaci\u00f3n. Esto incluye la verificaci\u00f3n del origen o el contenido de un mensaje o de otro tipo de informaci\u00f3n, y todos los aspectos del control del acceso cuando no haya cifrado de ficheros o de texto, salvo el relacionado directamente con la protecci\u00f3n de c\u00f3digos de identificaci\u00f3n (contrase\u00f1as), n\u00fameros de identificaci\u00f3n personal (PIN) o datos similares para evitar el acceso no autorizado.<\/p>\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb (6): significa la energ\u00eda total de salida del \u00abl\u00e1ser\u00bb en julios, dividida por el per\u00edodo durante el cual se emiten una serie de impulsos consecutivos, en segundos. Para una serie de impulsos uniformemente espaciados, equivale a la energ\u00eda total de salida del \u00abl\u00e1ser\u00bb en un impulso \u00fanico, en julios, multiplicado por la frecuencia del impulso del \u00abl\u00e1ser\u00bb en hercios.<\/p>\n

\u00abInvestigaci\u00f3n cient\u00edfica b\u00e1sica\u00bb (NGT NTN): es la labor experimental o te\u00f3rica emprendida principalmente para adquirir nuevos conocimientos sobre los principios fundamentales de fen\u00f3menos o hechos observables y que no est\u00e1 orientada primordialmente hacia un fin u objetivo pr\u00e1ctico espec\u00edfico.<\/p>\n

\u00abSesgo\u00bb (aceler\u00f3metro) (7): es la media en un tiempo determinado de la salida de un aceler\u00f3metro, medida en condiciones de funcionamiento especificadas, que no tiene correlaci\u00f3n con la aceleraci\u00f3n o la rotaci\u00f3n de entrada. El \u00absesgo\u00bb se expresa en g o en metros por segundo al cuadrado (g o m\/s2<\/span>). (IEEE 528-2001) (Micro g igual a\u00a01×10-6<\/span>\u00a0g).<\/p>\n

\u00abSesgo\u00bb (giroscopio) (7): es la media en un tiempo determinado de la salida de un giroscopio, medida en condiciones de funcionamiento especificadas, que no tiene correlaci\u00f3n con la rotaci\u00f3n o la aceleraci\u00f3n de entrada. El \u00absesgo\u00bb se expresa generalmente en grados por hora (\u00b0\/h). (IEEE 528-2001).<\/p>\n

\u00abAgentes biol\u00f3gicos\u00bb (1): son pat\u00f3genos o toxinas, seleccionados o modificados (por ejemplo mediante alteraci\u00f3n de la pureza, caducidad, virulencia, caracter\u00edsticas de diseminaci\u00f3n o resistencia a la radiaci\u00f3n UV) a fin de producir bajas en personas o animales, degradar equipos o da\u00f1ar las cosechas o el medio ambiente.<\/p>\n

La \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb (6): es una forma de amplificaci\u00f3n electr\u00f3nica de imagen definida como la generaci\u00f3n de portadores de carga como consecuencia de un proceso de ganancia de ionizaci\u00f3n por impacto. Los sensores de \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb pueden asumir la forma de tubos intensificadores de imagen, de detectores de estado s\u00f3lido o de \u00abconjuntos de plano focal\u00bb.<\/p>\n

\u00abCEP\u00bb (7): \u00aberror circular probable\u00bb. En una distribuci\u00f3n circular normal, el radio del c\u00edrculo que contenga el 50\u00a0% de las mediciones individuales que se hayan hecho, o el radio del c\u00edrculo dentro del que haya una probabilidad de localizaci\u00f3n del 50\u00a0%.<\/p>\n

\u00abMezcla qu\u00edmica\u00bb (1): es un producto s\u00f3lido, l\u00edquido o gaseoso, formado por dos o m\u00e1s componentes que no reaccionan entre s\u00ed en las condiciones en que se almacena la mezcla.<\/p>\n

\u00abSistemas antipar o sistemas de control de direcci\u00f3n, por control de circulaci\u00f3n\u00bb (7): son sistemas que utilizan aire proyectado sobre superficies aerodin\u00e1micas para aumentar o controlar las fuerzas generadas por esas superficies.<\/p>\n

\u00abAeronave civil\u00bb (1\u00a03\u00a04\u00a07): son las \u00abaeronaves\u00bb cuya denominaci\u00f3n figura en las listas de certificados de aeronavegabilidad que publican las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o varios Estados miembros de la UE o Estados que participan en el Arreglo de Wassenaar por prestar servicio en l\u00edneas comerciales civiles interiores o exteriores o por estar destinadas a un uso civil l\u00edcito, ya sea privado o comercial.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase tambi\u00e9n \u00abaeronave\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abSistemas de compensaci\u00f3n\u00bb (6): se componen del sensor escalar primario, uno o m\u00e1s sensores de referencia (por ej., \u00abmagnet\u00f3metros\u00bb vectores) junto con programas inform\u00e1ticos que permiten la reducci\u00f3n del ruido de rotaci\u00f3n de un cuerpo r\u00edgido de la plataforma.<\/p>\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) (1\u00a02\u00a06\u00a08 9): son una \u00abmatriz\u00bb y una o varias fases adicionales constituidas por part\u00edculas, triquitos, fibras o cualquier combinaci\u00f3n de ellas, presentes para uno o varios fines espec\u00edficos.<\/p>\n

\u00abCompuestos\u00a0III\/V\u00bb (3\u00a06): son productos policristalinos o binarios o bien monocristalinos complejos constituidos por elementos de los grupos IIIA y VA de la tabla de clasificaci\u00f3n peri\u00f3dica de Mendel\u00e9iev (por ejemplo, arseniuro de galio, arseniuro de galio aluminio y fosfuro de indio).<\/p>\n

\u00abControl de contorneado\u00bb (2): se realiza mediante dos o m\u00e1s movimientos \u00abcontrolados num\u00e9ricamente\u00bb y ejecutados siguiendo instrucciones que especifican la siguiente posici\u00f3n requerida y las velocidades de avance necesarias hacia esa posici\u00f3n. Estas velocidades de avance var\u00edan unas con respecto a otras con el fin de producir el contorno deseado (Referencia: ISO\/DIS\u20132806:1980).<\/p>\n

\u00abTemperatura cr\u00edtica\u00bb (1\u00a03\u00a05) (denominada en ocasiones temperatura de transici\u00f3n) de un material \u00absuperconductor\u00bb espec\u00edfico: es aquella temperatura a la que el material pierde completamente la resistencia a la circulaci\u00f3n de corriente continua.<\/p>\n

\u00abActivaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u00bb (5): cualquier t\u00e9cnica que activa o posibilita espec\u00edficamente una capacidad criptogr\u00e1fica de un producto, mediante un mecanismo implementado por el fabricante del producto, en el que este mecanismo guarda un v\u00ednculo exclusivo con cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

un \u00fanico ejemplar del producto; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

un cliente, para m\u00faltiples ejemplares del producto.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las t\u00e9cnicas y mecanismos de \u00abactivaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u00bb pueden aplicarse como equipo inform\u00e1tico, \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb o \u00abtecnolog\u00eda\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los mecanismos para la \u00abactivaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u00bb pueden ser, por ejemplo, claves de licencia basadas en un n\u00famero de serie o instrumentos de autenticaci\u00f3n tales como los certificados con firma digital.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abCriptograf\u00eda\u00bb (5): es la disciplina que engloba los principios, medios y m\u00e9todos para la transformaci\u00f3n de los datos con el fin de ocultar su contenido informativo, impedir que se modifiquen sin que sea detectado o evitar su uso no autorizado. La \u00abcriptograf\u00eda\u00bb se limita a la transformaci\u00f3n de informaci\u00f3n utilizando uno o varios ‘par\u00e1metros secretos’ (por ejemplo, variables criptogr\u00e1ficas) o la gesti\u00f3n de clave asociada.<\/p>\n

Notas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La \u00abcriptograf\u00eda\u00bb no incluye las t\u00e9cnicas ‘fijas’ de compresi\u00f3n o codificaci\u00f3n de datos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La \u00abcriptograf\u00eda\u00bb incluye el descifrado.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Par\u00e1metro secreto’: constante o clave mantenida oculta a otras personas o compartida \u00fanicamente en el seno de un grupo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Fijo’: el algoritmo de codificaci\u00f3n o de compresi\u00f3n que no puede aceptar par\u00e1metros suministrados desde el exterior (por ejemplo, variables criptogr\u00e1ficas o de claves) y no puede ser modificado por el usuario.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abL\u00e1ser CW\u00bb (6): es un \u00abl\u00e1ser\u00bb que produce una energ\u00eda de salida nominalmente constante por m\u00e1s de 0,25 segundos.<\/p>\n

\u00abCiberrespuesta\u00bb (4): es el proceso de intercambio de la informaci\u00f3n necesaria sobre un ciberincidente con las personas u organizaciones responsables de realizar o coordinar las medidas de correcci\u00f3n para hacer frente al ciberincidente.<\/p>\n

Un \u00abequipo de datos\u00bb (def) es un equipo capaz de transmitir o recibir secuencias de informaci\u00f3n digital.<\/p>\n

\u00abSistemas de navegaci\u00f3n con referencia a bases de datos\u00bb (\u00abDBRN\u00bb) (7): son sistemas que emplean diversas fuentes de datos geocartogr\u00e1ficos previamente medidos e integrados de forma que proporcionen informaci\u00f3n precisa para la navegaci\u00f3n en condiciones din\u00e1micas. Entre las fuentes de datos figuran los mapas batim\u00e9tricos, estelares, de gravedad, magn\u00e9ticos y digitales en\u00a03-D del terreno.<\/p>\n

\u00abUranio empobrecido\u00bb (0): es uranio con un contenido del is\u00f3topo 235 inferior al que se da en la naturaleza.<\/p>\n

\u00abDesarrollo\u00bb (NGT NTN Todo): es el conjunto de las etapas previas a la producci\u00f3n en serie, tales como el dise\u00f1o, la investigaci\u00f3n del dise\u00f1o, el an\u00e1lisis del dise\u00f1o, los conceptos del dise\u00f1o, el montaje y el ensayo de prototipos, los esquemas de producci\u00f3n piloto, los datos del dise\u00f1o, el proceso de transformaci\u00f3n de los datos del dise\u00f1o en un producto, el dise\u00f1o de configuraci\u00f3n, el dise\u00f1o de integraci\u00f3n y los planos.<\/p>\n

\u00abUni\u00f3n por difusi\u00f3n\u00bb (1\u00a02): es una uni\u00f3n molecular de estado s\u00f3lido de al menos dos metales independientes para formar una sola pieza, siendo la resistencia de la uni\u00f3n equivalente a la del material menos resistente, en la que el mecanismo principal es la interdifusi\u00f3n de \u00e1tomos a trav\u00e9s de la interfaz.<\/p>\n

\u00abOrdenador digital\u00bb (4\u00a05): es el equipo que puede, en forma de una o m\u00e1s variables discretas, realizar todas las operaciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

almacenar datos o instrucciones en dispositivos de almacenamiento fijos o alterables (por escritura);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

procesar datos con ayuda de una secuencia de instrucciones almacenadas modificables; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

proporcionar datos de salida.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las modificaciones de una secuencia de instrucciones almacenadas incluyen la sustituci\u00f3n de dispositivos fijos de memoria, pero no el cambio f\u00edsico del cableado o las interconexiones.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abTasa de transferencia digital\u00bb (def): es la tasa (bits\/seg.) total de informaci\u00f3n transferida directamente en cualquier tipo de soporte.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase tambi\u00e9n \u00abtasa de transferencia digital total\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abVelocidad de deriva\u00bb (giroscopio) (7): es el componente de la salida del giroscopio que resulta funcionalmente independiente de la rotaci\u00f3n de entrada. Se expresa como una velocidad angular. (IEEE 528-2001).<\/p>\n

Un \u00abgramo efectivo\u00bb (0\u00a01) de \u00abmateriales fisionables especiales\u00bb equivale a:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

en el caso de is\u00f3topos de plutonio y de uranio-233, el peso del is\u00f3topo en gramos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

en el caso de uranio enriquecido al 1\u00a0por ciento o m\u00e1s en el is\u00f3topo uranio-235, el peso del elemento en gramos, multiplicado por el cuadrado de su enriquecimiento expresado como fracci\u00f3n decimal del peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

en el caso de uranio enriquecido a menos del 1\u00a0por ciento en el is\u00f3topo uranio-235, el peso del elemento en gramos, multiplicado por 0,0001;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abConjunto electr\u00f3nico\u00bb (2\u00a03\u00a04): es un grupo de componentes electr\u00f3nicos (‘elementos de circuito’, ‘componentes discretos’, circuitos integrados, etc.) conectados juntos para realizar una o varias funciones espec\u00edficas, sustituibles conjuntamente y, por lo general, desmontables.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a01.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electr\u00f3nico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a02.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘componente discreto’ es un ‘elemento de circuito’ encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abMateriales energ\u00e9ticos\u00bb (1): son sustancias o mezclas que reaccionan qu\u00edmicamente para liberar la energ\u00eda requerida a efectos de su aplicaci\u00f3n prevista. Los \u00abexplosivos\u00bb, \u00abproductos pirot\u00e9cnicos\u00bb y \u00abpropulsantes\u00bb son subclases de materiales energ\u00e9ticos.<\/p>\n

\u00abEfectores terminales\u00bb (2): son las garras, las ‘herramientas activas’ y cualquier otra herramienta que se fije en la placa base del extremo del brazo manipulador de un \u00abrobot\u00bb.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Una ‘herramienta activa’ es un dispositivo destinado a aplicar a la pieza de trabajo la fuerza motriz, la energ\u00eda necesaria para el proceso o los sensores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abDensidad equivalente\u00bb (6): es la masa de un (componente) \u00f3ptico por unidad de \u00e1rea \u00f3ptica proyectada sobre la superficie \u00f3ptica.<\/p>\n

\u00abNormas equivalentes\u00bb (1): son las normas nacionales o internacionales comparables reconocidas por uno o varios Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar y aplicables al subart\u00edculo correspondiente.<\/p>\n

\u00abExplosivos\u00bb (1): son sustancias o mezclas de sustancias s\u00f3lidas, l\u00edquidas o gaseosas que se requieran para la detonaci\u00f3n, utilizadas como cargas de cebos, de sobrepresi\u00f3n o como cargas principales en cabezas explosivas, dispositivos de demolici\u00f3n y otras aplicaciones.<\/p>\n

\u00abSistemas FADEC\u00bb (9): significa sistemas de control digital del motor con plena autoridad. Un \u00absistema FADEC\u00bb es un sistema electr\u00f3nico de control digital para motores de turbina de gas que es capaz de controlar de manera aut\u00f3noma el motor en todo su r\u00e9gimen de funcionamiento, desde la orden de encendido hasta la orden de apagado del motor, tanto en condiciones normales como en caso de fallo.<\/p>\n

Los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb (0\u00a01\u00a08\u00a09) incluyen:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abmonofilamentos\u00bb continuos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abhilos\u00bb y \u00abcables\u00bb continuos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abcintas\u00bb, tejidos, esterillas irregulares y trenzados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

mantas de fibras picadas, fibrana y fibras aglomeradas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

triquitos monocristalinos o policristalinos de cualquier longitud;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

pulpa de poliamida arom\u00e1tica.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abSistema de vuelo por se\u00f1ales \u00f3pticas\u00bb (7): es un sistema de control de vuelo digital primario que utiliza t\u00e9cnicas de realimentaci\u00f3n para controlar la \u00abaeronave\u00bb durante el vuelo, en el que los comandos de los efectores\/actuadores son se\u00f1ales \u00f3pticas.<\/p>\n

\u00abSistema de vuelo por se\u00f1ales el\u00e9ctricas\u00bb (7): es un sistema de control de vuelo digital primario que utiliza t\u00e9cnicas de realimentaci\u00f3n para controlar la \u00abaeronave\u00bb durante el vuelo, en el que los comandos de los efectores\/actuadores son se\u00f1ales el\u00e9ctricas.<\/p>\n

\u00abConjunto de plano focal\u00bb (6\u00a08): significa una capa planar lineal o bidimensional, o bien una combinaci\u00f3n de capas planares, de elementos detectores individuales, con o sin lectura electr\u00f3nica, que funcionan en el plano focal.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Lo anterior no incluye las pilas de elementos detectores simples ni las de dos, tres o cuatro elementos detectores cuando no tengan lugar en ellos el retardo y la integraci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abAncho de banda fraccional\u00bb (3\u00a05): es el \u00abancho de banda instant\u00e1neo\u00bb dividido entre la frecuencia central y expresado como porcentaje.<\/p>\n

\u00abSalto de frecuencia\u00bb (5\u00a06): es una forma de \u00abespectro ensanchado\u00bb en la que se cambia la frecuencia de la transmisi\u00f3n de un canal b\u00e1sico de comunicaciones mediante una secuencia aleatoria o pseudoaleatoria de cambios discretos.<\/p>\n

\u00abTiempo de conmutaci\u00f3n de frecuencia\u00bb (3): es el tiempo (es decir, el retardo) que se requiere para que una se\u00f1al, al conmutarse desde una frecuencia de salida especificada inicial, presente un margen de exactitud igual o inferior a:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00b1\u00a0100\u00a0Hz de una frecuencia de salida especificada final inferior a\u00a01\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00b1\u00a00,1 partes por mill\u00f3n de una frecuencia de salida especificada final igual o superior a\u00a01\u00a0GHz.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abPila de combustible\u00bb (8): es un dispositivo electr\u00f3nico que convierte la energ\u00eda qu\u00edmica directamente en electricidad de corriente continua consumiendo combustible de una fuente externa.<\/p>\n

\u00abFundible\u00bb (1): es aquello que es susceptible de ser entrecruzado o polimerizado en mayor grado (vulcanizado) mediante el uso de calor, radiaci\u00f3n, catalizadores, etc., o que puede ser fundido sin pir\u00f3lisis (carbonizaci\u00f3n).<\/p>\n

\u00abTransistor de efecto de campo de puerta completa\u00bb (\u00abGAAFET\u00bb) (3): dispositivo que tiene uno o varios elementos del canal de conducci\u00f3n semiconductor, con una estructura de puerta com\u00fan que rodea y controla la corriente en todos los elementos del canal de conducci\u00f3n semiconductor.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Esta definici\u00f3n incluye los transistores de efecto campo de nanol\u00e1minas o nanohilos y de puertas circundantes y otras estructuras de elementos del canal semiconductor \u00abGAAFET\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abConjunto de guiado\u00bb (7): son sistemas que integran el proceso de medida y c\u00f3mputo de la posici\u00f3n y la velocidad de un veh\u00edculo (es decir, la navegaci\u00f3n) con el de computaci\u00f3n y env\u00edo de \u00f3rdenes al sistema de control de vuelo del veh\u00edculo, para la correcci\u00f3n de su trayectoria.<\/p>\n

\u00abSelectores r\u00edgidos\u00bb (5): es el dato o conjunto de datos relativos a un individuo (por ejemplo, apellidos, nombre, correo electr\u00f3nico, direcci\u00f3n postal, n\u00famero de tel\u00e9fono o afiliaciones a grupos).<\/p>\n

Los \u00abmotores di\u00e9sel de alta potencia\u00bb (9): son motores di\u00e9sel con una presi\u00f3n efectiva media de freno especificada de 1,8\u00a0MPa o m\u00e1s, a una velocidad de rotaci\u00f3n de 2\u00a0300\u00a0r.p.m., a condici\u00f3n de que la velocidad nominal sea de 2\u00a0300\u00a0r.p.m. o m\u00e1s.<\/p>\n

\u00abCircuito integrado h\u00edbrido\u00bb (3): es cualquier combinaci\u00f3n de circuitos integrados o bien un circuito integrado que contenga ‘elementos de circuito’ o ‘componentes discretos’ conectados entre s\u00ed para realizar una o varias funciones espec\u00edficas, y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

contener al menos un dispositivo no encapsulado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

estar conectados entre s\u00ed por medio de m\u00e9todos t\u00edpicos de producci\u00f3n de circuitos integrados:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

ser sustituibles como una sola entidad; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

que normalmente no puedan desensamblarse.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a01.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electr\u00f3nico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a02.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘componente discreto’: es un ‘elemento de circuito’ encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abResaltado de imagen\u00bb (4): es el procesado de im\u00e1genes exteriores portadoras de informaci\u00f3n por medio de algoritmos tales como compresi\u00f3n de tiempos, filtrado, extracci\u00f3n, selecci\u00f3n, correlaci\u00f3n, convoluci\u00f3n o transformaciones entre dominios (por ejemplo, la transformada r\u00e1pida de Fourier o la transformada de Walsh). No se incluyen los algoritmos que solo utilizan la transformaci\u00f3n lineal o angular de una sola imagen, tales como la traslaci\u00f3n, la extracci\u00f3n de caracter\u00edsticas, el registro o la falsa coloraci\u00f3n.<\/p>\n

\u00abInmunotoxina\u00bb (1): es la conjugaci\u00f3n de un anticuerpo monoclonal espec\u00edfico de c\u00e9lula y una \u00abtoxina\u00bb o \u00absubunidad de toxina\u00bb que afecta selectivamente a las c\u00e9lulas enfermas.<\/p>\n

\u00abDe conocimiento p\u00fablico\u00bb (NGT NTN NGPI), en el marco del presente documento: es la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb o los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb divulgados sin ning\u00fan tipo de restricci\u00f3n para su difusi\u00f3n posterior (las restricciones derivadas del derecho de propiedad intelectual no impiden que la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb o los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb se consideren \u00abde conocimiento p\u00fablico\u00bb).<\/p>\n

\u00abSeguridad de la informaci\u00f3n\u00bb (NGPI NGSI 5): es el conjunto de medios y funciones que aseguran la accesibilidad, el car\u00e1cter confidencial o la integridad de la informaci\u00f3n o de las comunicaciones, exceptuando los previstos para la protecci\u00f3n contra el mal funcionamiento. Se incluyen la \u00abcriptograf\u00eda\u00bb, la \u00abactivaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u00bb, el ‘criptoan\u00e1lisis’, la protecci\u00f3n contra las emanaciones comprometedoras y la seguridad de los ordenadores.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

El ‘criptoan\u00e1lisis’<\/span> es el an\u00e1lisis de un sistema criptogr\u00e1fico o de sus entradas o salidas para derivar variables confidenciales o datos sensibles, incluyendo el texto claro.<\/span><\/p>\n

\u00abAncho de banda instant\u00e1neo\u00bb (3\u00a05\u00a07): es el ancho de banda en el cual la potencia de salida permanece constante dentro de un margen de 3\u00a0dB sin ajuste de otros par\u00e1metros de funcionamiento.<\/p>\n

\u00abForro protector\u00bb (9): es apropiado para la interfaz de uni\u00f3n entre el propulsante s\u00f3lido y la c\u00e1mara, o el aislante. Normalmente se trata de una dispersi\u00f3n de materiales refractarios o aislantes en una base pol\u00edmera l\u00edquida, por ejemplo polibutadieno con grupos terminales hidrox\u00edlicos (HTPB) cargado con carbono, u otro pol\u00edmero con agentes de curado a\u00f1adidos, pulverizado o colocado por tiras en el interior de la carcasa.<\/p>\n

\u00abConvertidores anal\u00f3gico-digitales (ADC) entrelazados\u00bb (3): dispositivos compuestos por m\u00faltiples unidades de ADC que efect\u00faan muestreos de la misma entrada anal\u00f3gica en momentos diferentes, de tal modo que cuando se acumulan las salidas, la entrada anal\u00f3gica se ha sometido a un muestreo y conversi\u00f3n de manera efectiva con una mayor velocidad de muestreo.<\/p>\n

\u00abGradi\u00f3metro magn\u00e9tico intr\u00ednseco\u00bb (6): es un elemento individual de detecci\u00f3n de gradiente de campo magn\u00e9tico y la electr\u00f3nica asociada, cuya salida es una medida del gradiente de campo magn\u00e9tico.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase tambi\u00e9n \u00abgradi\u00f3metro magn\u00e9tico\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos de intrusi\u00f3n\u00bb (4\u00a05): son los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para evitar la detecci\u00f3n mediante ‘herramientas de seguimiento’ o desactivar las ‘contramedidas de protecci\u00f3n’ de un ordenador o dispositivo de conexi\u00f3n en red y que realiza cualquiera de las siguientes funciones:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

la extracci\u00f3n de datos o informaci\u00f3n de un ordenador o dispositivo de conexi\u00f3n en red, o la modificaci\u00f3n de datos de usuario o del sistema; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

la modificaci\u00f3n de la ruta de ejecuci\u00f3n normal de un programa o un proceso con el fin de permitir la ejecuci\u00f3n de instrucciones externas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abprogramas inform\u00e1ticos de intrusi\u00f3n\u00bb no incluyen ninguno de los elementos siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

hipervisores, programas de depuraci\u00f3n o herramientas inform\u00e1ticas de ingenier\u00eda inversa;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb de gesti\u00f3n de derechos digitales; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados para ser instalados por los fabricantes, administradores o usuarios, con fines de seguimiento o recuperaci\u00f3n de activos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los dispositivos de conexi\u00f3n en red incluyen los dispositivos m\u00f3viles y los contadores inteligentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Herramientas de seguimiento’: \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb o dispositivos de equipos inform\u00e1ticos que controlan comportamientos del sistema o procesos que funcionen en un dispositivo. Esto incluye los productos antivirus (AV) los productos de seguridad de punto final, los productos de seguridad personal (PSP), los sistemas de detecci\u00f3n de intrusiones (SDI), los sistemas de prevenci\u00f3n de intrusiones (SPI) o los cortafuegos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Contramedidas de protecci\u00f3n’: t\u00e9cnicas destinadas a garantizar la ejecuci\u00f3n segura del c\u00f3digo, tales como la prevenci\u00f3n de la ejecuci\u00f3n de datos, la aleatorizaci\u00f3n de direcciones de memoria o el aislamiento de procesos (sandboxing).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abCultivos vivos aislados\u00bb (1): incluye cultivos vivos en forma latente y en preparaciones en seco.<\/p>\n

\u00abPrensas isost\u00e1ticas\u00bb (2): son equipos capaces de presurizar una cavidad cerrada, por diversos medios (gas, l\u00edquido, part\u00edculas s\u00f3lidas, etc.), con objeto de generar dentro de esta una presi\u00f3n igual en todas las direcciones sobre la pieza de trabajo o el material.<\/p>\n

\u00abL\u00e1ser\u00bb (0\u00a01\u00a02\u00a03 5\u00a06\u00a07\u00a08 9): es un producto que produce una luz coherente en el espacio y en el tiempo mediante amplificaci\u00f3n por una emisi\u00f3n estimulada de radiaci\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span>V\u00e9anse tambi\u00e9n<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\u00abl\u00e1ser de onda continua (CW)\u00bb;<\/span><\/span><\/p>\n

\u00abl\u00e1ser de muy alta potencia\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abBiblioteca\u00bb (1) (base de datos t\u00e9cnicos param\u00e9tricos): es una recopilaci\u00f3n de informaci\u00f3n t\u00e9cnica a la cual se puede hacer referencia para mejorar el rendimiento de los sistemas, el equipo o los componentes pertinentes.<\/p>\n

\u00abVeh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u00bb (9): son globos u otros \u00abdirigibles\u00bb que se elevan mediante aire caliente u otros gases m\u00e1s ligeros que el aire, tales como el hidr\u00f3geno o el helio.<\/p>\n

\u00abLinealidad\u00bb (2) (se mide generalmente en relaci\u00f3n con la falta de linealidad): es la desviaci\u00f3n m\u00e1xima de la caracter\u00edstica real (media de las lecturas en el sentido ascendente y descendente de la escala), positiva o negativa, con respecto a una l\u00ednea recta situada de manera que se igualen y reduzcan al m\u00ednimo las desviaciones m\u00e1ximas.<\/p>\n

\u00abRed de \u00e1rea local\u00bb (4\u00a05): es un sistema de comunicaci\u00f3n de datos que re\u00fane todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

permite la intercomunicaci\u00f3n directa de un n\u00famero arbitrario de \u00abdispositivos de datos\u00bb independientes; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

est\u00e1 limitado a un \u00e1mbito geogr\u00e1fico de tama\u00f1o moderado (por ejemplo, un edificio de oficinas, una planta, un campus o unos almacenes).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abGradi\u00f3metros magn\u00e9ticos\u00bb (6): son instrumentos dise\u00f1ados para detectar la variaci\u00f3n espacial de los campos magn\u00e9ticos procedentes de fuentes exteriores al instrumento. Constan de m\u00faltiples \u00abmagnet\u00f3metros\u00bb y su electr\u00f3nica asociada, cuya salida es una medida del gradiente de campo magn\u00e9tico.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase tambi\u00e9n \u00abgradi\u00f3metro magn\u00e9tico intr\u00ednseco\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abMagnet\u00f3metros\u00bb (6): son instrumentos dise\u00f1ados para detectar campos magn\u00e9ticos procedentes de fuentes exteriores al instrumento. Constan de un elemento individual de detecci\u00f3n de campo magn\u00e9tico y su electr\u00f3nica asociada, cuya salida es una medida del campo magn\u00e9tico.<\/p>\n

\u00abMateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span> \u00bb (0): entre estos materiales figuran el cobre, las aleaciones de cobre, el acero inoxidable, el aluminio, el \u00f3xido de aluminio, las aleaciones de aluminio, el n\u00edquel o aleaciones que contengan el 60\u00a0% en peso o m\u00e1s de n\u00edquel y pol\u00edmeros de hidrocarburos fluorados.<\/p>\n

\u00abMantenimiento de primer escal\u00f3n\u00bb (7): la aver\u00eda de una unidad de navegaci\u00f3n inercial se detecta en la aeronave por las indicaciones de la unidad de control y visualizaci\u00f3n (CDU) o por el mensaje de estado del subsistema correspondiente. Siguiendo el manual de utilizaci\u00f3n del fabricante, se puede localizar la causa de la aver\u00eda a nivel de la unidad sustituible en l\u00ednea (LRU) que funciona mal. El operador retira entonces dicha unidad y la sustituye por una de repuesto.<\/p>\n

\u00abMantenimiento de segundo escal\u00f3n\u00bb (7): la unidad sustituible en l\u00ednea (LRU) defectuosa se env\u00eda al taller de mantenimiento (al del fabricante o al del operador encargado del mantenimiento de segundo escal\u00f3n). En el taller de mantenimiento, la unidad (LRU) defectuosa se somete a ensayo mediante diversos medios apropiados para verificar y localizar el m\u00f3dulo defectuoso del conjunto sustituible en taller (SRA) responsable de la aver\u00eda. Dicho m\u00f3dulo (SRA) se retira y se sustituye por uno de repuesto en estado operativo. El modelo (SRA) defectuoso (o en su caso, la unidad sustituible en l\u00ednea, LRU, completa) se env\u00eda entonces al fabricante. El \u00abmantenimiento de segundo escal\u00f3n\u00bb no incluye el desensamblado ni la reparaci\u00f3n de los aceler\u00f3metros o de los giroscopios sensores especificados.<\/p>\n

\u00abMatriz\u00bb (1\u00a02\u00a08\u00a09): es una fase sustancialmente continua que rellena el espacio entre las part\u00edculas, los triquitos o las fibras.<\/p>\n

\u00abIncertidumbre de medida\u00bb (2): es el par\u00e1metro caracter\u00edstico que especifica, con un grado de confianza del 95\u00a0%, la escala alrededor del valor de salida en la que se sit\u00faa el valor correcto de la variable medible. Este par\u00e1metro incluye las desviaciones sistem\u00e1ticas no corregidas, el juego no corregido y las desviaciones aleatorias (ref. ISO 10360-2).<\/p>\n

\u00abMicrocircuito de microordenador\u00bb (3): es un \u00abcircuito integrado monol\u00edtico\u00bb o \u00abcircuito integrado multipastilla\u00bb que contiene una unidad aritm\u00e9tica l\u00f3gica (ALU) capaz de ejecutar instrucciones de prop\u00f3sito general almacenadas en una memoria interna, sobre datos obtenidos en la memoria interna.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La memoria interna puede ser ampliada por un almacenamiento externo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abMicrocircuito de microprocesador\u00bb (3): es un \u00abcircuito integrado monol\u00edtico\u00bb o \u00abcircuito integrado multipastilla\u00bb que contiene una unidad aritm\u00e9tica l\u00f3gica (ALU) capaz de ejecutar unas series de instrucciones de prop\u00f3sito general almacenadas en un almacenamiento externo.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Aunque el \u00abmicrocircuito de microprocesador\u00bb no contiene normalmente una memoria a la que pueda acceder completamente el usuario, durante la realizaci\u00f3n de sus funciones l\u00f3gicas puede utilizarse dicha memoria interna.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Se incluyen conjuntos de pastillas que est\u00e1n dise\u00f1ados para operar juntos con objeto de proporcionar las funciones de un \u00abmicrocircuito de microprocesador\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abMicroorganismos\u00bb (1\u00a02): son bacterias, virus, micoplasmas, rickettsias, clamidias u hongos, bien naturales, potenciados o modificados, ya sea en forma de \u00abcultivos vivos aislados\u00bb o como material que incluya materia viva a la que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminada con ellos.<\/p>\n

\u00abMisiles\u00bb (1\u00a02\u00a03\u00a06 7\u00a09): son sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados, capaces de llevar, al menos, una carga \u00fatil de 500\u00a0kg a una distancia de, al menos, 300\u00a0km.<\/p>\n

\u00abMonofilamento\u00bb (1) o filamento: es el incremento m\u00e1s peque\u00f1o de fibra, generalmente de varias micras de di\u00e1metro.<\/p>\n

\u00abCircuito integrado monol\u00edtico\u00bb (3): es una combinaci\u00f3n de ‘elementos de circuito’ pasivos, activos o de ambos tipos que:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

se fabriquen mediante procesos de difusi\u00f3n, de implantaci\u00f3n o de dep\u00f3sito, resultando en una sola pieza de material semiconductor, denominada pastilla;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

se consideren asociados de modo indivisible; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

realicen la funci\u00f3n o funciones de un circuito.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electr\u00f3nico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abCircuito integrado monol\u00edtico de microondas\u00bb (\u00abMMIC\u00bb) (3\u00a05): es un \u00abcircuito integrado monol\u00edtico\u00bb que funciona con frecuencias de microondas o de ondas milim\u00e9tricas.<\/p>\n

\u00abSensores monoespectrales de formaci\u00f3n de im\u00e1genes\u00bb (6): permiten la adquisici\u00f3n de datos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes en una banda espectral discreta.<\/p>\n

\u00abCircuito integrado multipastilla\u00bb (3): es un conjunto de dos o m\u00e1s \u00abcircuitos integrados monol\u00edticos\u00bb fijados a un \u00absustrato\u00bb com\u00fan.<\/p>\n

\u00abConvertidor anal\u00f3gico-digital (ADC) multicanal\u00bb (3): dispositivo que integra m\u00e1s de un ADC dise\u00f1ado de manera tal que cada ADC tenga una entrada anal\u00f3gica separada.<\/p>\n

\u00abSensores multiespectrales de formaci\u00f3n de im\u00e1genes\u00bb (6): permiten la adquisici\u00f3n simult\u00e1nea o en serie de datos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes, en dos o m\u00e1s bandas espectrales discretas. Los sensores con m\u00e1s de 20 bandas espectrales discretas a veces se denominan sensores hiperespectrales de formaci\u00f3n de im\u00e1genes.<\/p>\n

\u00abImpulsos no repetitivos\u00bb (6) significa \u00abl\u00e1seres\u00bb que producen o un \u00fanico impulso de salida o que tienen un tiempo de intervalo entre impulsos superior a un minuto.<\/p>\n

\u00abUranio natural\u00bb (0): es uranio que contenga las mezclas de is\u00f3topo que se dan en la naturaleza.<\/p>\n

\u00abReactor nuclear\u00bb (0): es un reactor completo capaz de funcionar de manera que se pueda mantener una reacci\u00f3n de fisi\u00f3n en cadena autosostenida y controlada. Un \u00abreactor nuclear\u00bb incluye todos los dispositivos que se encuentran en el interior del recipiente del reactor o que est\u00e1n conectados directamente con \u00e9l, el equipo que controla el nivel de potencia en el n\u00facleo y los componentes que normalmente contienen el refrigerante primario del n\u00facleo del reactor o que est\u00e1n directamente en contacto con dicho refrigerante o lo regulan.<\/p>\n

\u00abControl num\u00e9rico\u00bb (2): es el control autom\u00e1tico de un proceso realizado por un dispositivo que utiliza datos num\u00e9ricos introducidos, por lo general, durante el funcionamiento (referencia: ISO\u00a02382:2015).<\/p>\n

\u00abC\u00f3digo objeto\u00bb (NGPI): es una forma ejecutable por el equipo de una expresi\u00f3n adecuada de uno o varios procesos [\u00abc\u00f3digo fuente\u00bb (o lenguaje fuente)] que ha sido compilado por un sistema de programaci\u00f3n.<\/p>\n

\u00abOperaciones, administraci\u00f3n o mantenimiento\u00bb (\u00abOAM\u00bb) (5): es la realizaci\u00f3n de una o varias de las siguientes tareas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

El establecimiento o la gesti\u00f3n de cualquiera de los siguientes elementos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

las cuentas o los privilegios de usuarios o administradores;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

los par\u00e1metros de un producto; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

los datos de autenticaci\u00f3n en apoyo de las tareas descritas en los puntos a.1. o a.2:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

El seguimiento o la gesti\u00f3n del estado de funcionamiento o el rendimiento de un producto; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La gesti\u00f3n de registros o datos de auditor\u00eda en apoyo de cualquiera de las tareas descritas en las letras a. o b.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

\u00abOAM\u00bb no incluye ninguna de las tareas siguientes o sus funciones de gesti\u00f3n clave asociadas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

la prestaci\u00f3n o la mejora de cualquier funcionalidad criptogr\u00e1fica que no est\u00e9 directamente relacionada con el establecimiento o la gesti\u00f3n de datos de autenticaci\u00f3n en apoyo de las tareas descritas en los puntos a.1 o a.2; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

la realizaci\u00f3n de cualquier funcionalidad criptogr\u00e1fica en relaci\u00f3n con el plano de reenv\u00edo o de datos de un producto.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abCircuito integrado \u00f3ptico\u00bb (3): es un \u00abcircuito integrado monol\u00edtico\u00bb o \u00abcircuito integrado h\u00edbrido\u00bb que contiene una o m\u00e1s piezas dise\u00f1adas para funcionar como fotosensor o fotoemisor, o para realizar una o varias funciones \u00f3pticas o electro\u00f3pticas.<\/p>\n

\u00abEstado participante\u00bb (7\u00a09): significa un Estado que participa en el Arreglo de Wassenaar. (V\u00e9ase www.wassenaar.org<\/a>)<\/p>\n

\u00abPotencia de pico\u00bb (6): es el nivel de potencia m\u00e1s alto alcanzado en la \u00abduraci\u00f3n del impulso\u00bb.<\/p>\n

\u00abRed de \u00e1rea personal\u00bb (5): es un sistema de comunicaci\u00f3n de datos que presenta todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

permite la intercomunicaci\u00f3n directa de un n\u00famero arbitrario de \u00abdispositivos de datos\u00bb independientes; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

est\u00e1 limitado a la comunicaci\u00f3n entre equipos situados f\u00edsicamente muy cerca de la persona o el controlador del equipo en cuesti\u00f3n (por ejemplo, en la misma habitaci\u00f3n o el mismo despacho, en un autom\u00f3vil).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

\u00abLa red de \u00e1rea local\u00bb abarca m\u00e1s all\u00e1 de la zona geogr\u00e1fica de la \u00abred de \u00e1rea personal\u00bb.<\/span><\/p>\n

\u00abPreviamente separado\u00bb (1): aplicaci\u00f3n de cualquier proceso tendente a aumentar la concentraci\u00f3n del is\u00f3topo controlado.<\/p>\n

\u00abElemento principal\u00bb (4): en lo referente a la categor\u00eda 4, es un \u00abelemento principal\u00bb cuando su valor de sustituci\u00f3n supera el 35\u00a0% del valor total del sistema del que forma parte. El valor del elemento es el precio pagado por este por el fabricante o el integrador del sistema. El valor total es el precio de venta internacional normal a clientes que no tengan relaci\u00f3n con el vendedor, en el punto de fabricaci\u00f3n o en el punto de consolidaci\u00f3n de la expedici\u00f3n.<\/p>\n

\u00abProducci\u00f3n\u00bb (NGT NTN Todo): es un t\u00e9rmino que abarca todas las fases de la producci\u00f3n, tales como: la construcci\u00f3n, la ingenier\u00eda de la producci\u00f3n, la fabricaci\u00f3n, la integraci\u00f3n, el ensamblaje (montaje), la inspecci\u00f3n, los ensayos y la garant\u00eda de calidad.<\/p>\n

\u00abEquipo de producci\u00f3n\u00bb (1\u00a07\u00a09): son las herramientas, plantillas, utillaje, mandriles, moldes, matrices, utillaje de sujeci\u00f3n, mecanismos de alineaci\u00f3n, equipo de ensayos, la restante maquinaria y componentes para ellos, limitados a los dise\u00f1ados especialmente o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb o para una o m\u00e1s fases de la \u00abproducci\u00f3n\u00bb.<\/p>\n

\u00abMedios de producci\u00f3n\u00bb (7\u00a09): son los \u00abequipos de producci\u00f3n\u00bb y los programas inform\u00e1ticos dise\u00f1ados especialmente para ellos que est\u00e9n integrados en instalaciones para el \u00abdesarrollo\u00bb o para una o m\u00e1s fases de la \u00abproducci\u00f3n\u00bb.<\/p>\n

\u00abPrograma\u00bb (1\u00a07): es una secuencia de instrucciones para llevar a cabo un proceso en, o convertible a, una forma ejecutable por un ordenador electr\u00f3nico.<\/p>\n

\u00abCompresi\u00f3n de impulso\u00bb (6): es la codificaci\u00f3n y el procesado de un impulso de se\u00f1al de radar de larga duraci\u00f3n a un impulso de corta duraci\u00f3n, conservando las ventajas de una elevada energ\u00eda del impulso.<\/p>\n

\u00abDuraci\u00f3n del impulso\u00bb (6): es la duraci\u00f3n de un impulso \u00abl\u00e1ser\u00bb, que corresponde al tiempo entre los puntos de potencia mitad en los frentes anterior y posterior de un impulso particular.<\/p>\n

\u00abCriptograf\u00eda cu\u00e1ntica\u00bb (5): es un conjunto de t\u00e9cnicas para establecer claves compartidas de la \u00abcriptograf\u00eda\u00bb mediante la medici\u00f3n de propiedades de la mec\u00e1nica cu\u00e1ntica de su sistema f\u00edsico (incluidas las propiedades f\u00edsicas regidas espec\u00edficamente por la \u00f3ptica cu\u00e1ntica, la teor\u00eda cu\u00e1ntica o la electrodin\u00e1mica cu\u00e1ntica).<\/p>\n

\u00abRadar, espectro ensanchado\u00bb (6): es cualquier t\u00e9cnica de modulaci\u00f3n para extender la energ\u00eda de una se\u00f1al de una anchura de banda relativamente estrecha a una anchura de banda de frecuencias mucho mayor, usando un c\u00f3digo aleatorio o pseudoaleatorio.<\/p>\n

\u00abSensibilidad radiante\u00bb (6): es la sensibilidad radiante\u00a0(mA\/W) = 0,807 \u00d7 (longitud de onda en nm) \u00d7 eficiencia cu\u00e1ntica (QE).<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En general, la QE se expresa como porcentaje; no obstante, a efectos de la presente f\u00f3rmula la QE se expresa como una cifra decimal inferior a la unidad, por ejemplo un\u00a078\u00a0% es 0,78.<\/span><\/p>\n

\u00abProcesamiento en tiempo real\u00bb (6): es el procesamiento de datos por un sistema inform\u00e1tico, que proporciona un nivel requerido de servicio en funci\u00f3n de los recursos disponibles y en un tiempo de respuesta garantizado, sin considerar la carga del sistema, cuando es estimulado por un suceso externo.<\/p>\n

\u00abRepetibilidad\u00bb (7): es la concordancia entre medidas repetidas de la misma variable bajo las mismas condiciones de funcionamiento cuando se producen cambios en las condiciones o per\u00edodos no operativos entre las medidas. (Referencia: IEEE 528-2001 [desviaci\u00f3n t\u00edpica de un sigma]).<\/p>\n

\u00abNecesaria\u00bb (NGT 3\u00a05\u00a06\u00a07 9): aplicado a la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb, se refiere \u00fanicamente a la parte espec\u00edfica de la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb que es particularmente responsable de alcanzar o sobrepasar los niveles de prestaciones, caracter\u00edsticas o funciones sometidos a control. Tal \u00abtecnolog\u00eda\u00bb \u00abnecesaria\u00bb puede ser com\u00fan a diferentes productos.<\/p>\n

\u00abAgentes antidisturbios\u00bb (1): son sustancias que, utilizadas en las condiciones esperadas de uso como antidisturbios, producen r\u00e1pidamente en los humanos una irritaci\u00f3n sensorial o incapacidad f\u00edsica que desaparecen a los pocos minutos de haber cesado la exposici\u00f3n.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Los gases lacrim\u00f3genos son un subconjunto de los \u00abagentes antidisturbios\u00bb.<\/span><\/p>\n

\u00abRobot\u00bb (2\u00a08): es un mecanismo de manipulaci\u00f3n que puede ser del tipo de trayectoria continua o de la variedad punto a punto, que puede utilizar sensores y que re\u00fane todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

es capaz de posicionar u orientar materiales, piezas, herramientas o dispositivos especiales mediante movimientos variables en un espacio tridimensional;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

cuenta con tres o m\u00e1s servomecanismos de bucle abierto o cerrado, con la posible inclusi\u00f3n de motores paso a paso; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

est\u00e1 dotado de \u00abprogramabilidad accesible al usuario\u00bb por el m\u00e9todo de aprendizaje\/reproducci\u00f3n o mediante un ordenador electr\u00f3nico que puede ser un controlador l\u00f3gico programable, es decir, sin intervenci\u00f3n mec\u00e1nica.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La definici\u00f3n anterior no incluye los dispositivos siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los mecanismos de manipulaci\u00f3n que solo se controlen de forma manual o por teleoperador;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los mecanismos de manipulaci\u00f3n de secuencia fija que constituyan dispositivos m\u00f3viles automatizados que funcionen de acuerdo con movimientos programados definidos mec\u00e1nicamente. El programa debe estar limitado mec\u00e1nicamente por medio de topes fijos del tipo de v\u00e1stagos o levas. La secuencia de los movimientos y la selecci\u00f3n de las trayectorias o los \u00e1ngulos no deben ser variables ni modificables por medios mec\u00e1nicos, electr\u00f3nicos o el\u00e9ctricos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los mecanismos de manipulaci\u00f3n de secuencia variable controlados mec\u00e1nicamente que constituyan dispositivos m\u00f3viles automatizados, que funcionen de acuerdo con movimientos fijos programados mec\u00e1nicamente. El programa debe estar limitado mec\u00e1nicamente por medio de topes fijos, pero regulables, del tipo de v\u00e1stagos o levas. La secuencia de movimientos y la selecci\u00f3n de las trayectorias o los \u00e1ngulos han de ser variables en el marco de la configuraci\u00f3n fija programada. Las variaciones o modificaciones de la configuraci\u00f3n programada (por ejemplo, el cambio de v\u00e1stagos o de levas) en uno o varios ejes de movimiento se introducen exclusivamente mediante operaciones mec\u00e1nicas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los mecanismos de manipulaci\u00f3n de secuencia variable sin servocontrol que constituyan dispositivos m\u00f3viles automatizados, que funcionen de acuerdo con movimientos fijos programados mec\u00e1nicamente. El programa debe ser variable, pero la secuencia solo avanza en funci\u00f3n de una se\u00f1al binaria procedente de dispositivos binarios el\u00e9ctricos fijados mec\u00e1nicamente o topes regulables;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las gr\u00faas apiladoras definidas como sistemas manipuladores por coordenadas cartesianas, construidos como partes integrantes de un conjunto vertical de estanter\u00edas de almacenamiento y dise\u00f1ados para acceder al contenido de dichas estanter\u00edas a efectos de depositar o retirar.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abCable\u00bb (1): es un haz de ‘cordones’ (generalmente de 12 a\u00a0120) aproximadamente paralelos.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘cord\u00f3n’ es un haz de \u00abmonofilamentos\u00bb (por lo general, m\u00e1s de 200) colocados de forma aproximadamente paralela.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abVelocidad de muestras\u00bb (3): en el caso de un convertidor anal\u00f3gico-digital (ADC) es el n\u00famero m\u00e1ximo de muestras medidas en la entrada anal\u00f3gica a lo largo de un per\u00edodo de un segundo, excepto en el caso de los ADC de muestreo sobredimensionado. En el caso de los ADC de muestreo sobredimensionado, se considerar\u00e1 que la \u00abvelocidad de muestras\u00bb es la tasa de salida de palabras. La \u00abvelocidad de muestras\u00bb tambi\u00e9n se puede denominar velocidad de muestreo, por lo general expresada en megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS) o gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS), o tasa de conversi\u00f3n, por lo general expresada en hercios (Hz).<\/p>\n

\u00abSat\u00e9lite\u00bb (5\u00a09): es una \u00abnave espacial\u00bb, distinto de un \u00abveh\u00edculo espacial\u00bb, dise\u00f1ado para funcionar en \u00f3rbita alrededor de la Tierra u otro cuerpo celeste; los \u00absat\u00e9lites\u00bb incluyen las estaciones espaciales orbitales.<\/p>\n

\u00abSistema de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite\u00bb (5\u00a07): sistema, formado por estaciones en tierra, una constelaci\u00f3n de \u00absat\u00e9lites\u00bb y receptores, que permite determinar los lugares de recepci\u00f3n en funci\u00f3n de las se\u00f1ales recibidas de los \u00absat\u00e9lites\u00bb. Incluye sistemas mundiales de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite (GNSS) y sistemas regionales de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite (RNSS).<\/p>\n

\u00abFactor de escala\u00bb (giroscopio o aceler\u00f3metro) (7): es la relaci\u00f3n entre un cambio en la salida y un cambio en la entrada que se pretende medir. El factor de escala se eval\u00faa generalmente como la pendiente de la l\u00ednea recta que puede ajustarse por el m\u00e9todo de los cuadrados m\u00ednimos a los datos de entrada-salida obtenidos haciendo variar la entrada de manera c\u00edclica sobre la gama de entrada.<\/p>\n

\u00abAnalizadores de se\u00f1ales\u00bb (3): son instrumentos capaces de medir y presentar visualmente las propiedades fundamentales de los componentes de frecuencia (tonos) de se\u00f1ales multifrecuencia.<\/p>\n

\u00abProceso de se\u00f1ales\u00bb (3\u00a04\u00a05\u00a06): es el proceso de se\u00f1ales, derivadas externamente, que contienen informaci\u00f3n, por medio de algoritmos como compresi\u00f3n de tiempo, filtrado, extracci\u00f3n, selecci\u00f3n, correlaci\u00f3n, convoluci\u00f3n o transformaciones entre dominios (por ejemplo, transformada r\u00e1pida de Fourier o transformada de Walsh).<\/p>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb (NGPI, Todo): es una colecci\u00f3n de uno o m\u00e1s \u00abprogramas\u00bb o ‘microprogramas’ fijada a cualquier soporte tangible de expresi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘microprograma’ es una secuencia de instrucciones elementales, contenidas en una memoria especial, cuya ejecuci\u00f3n se inicia mediante la introducci\u00f3n de su instrucci\u00f3n de referencia en un registro de instrucci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abC\u00f3digo fuente\u00bb (o lenguaje fuente) (6\u00a07\u00a09): es la expresi\u00f3n adecuada de uno o varios procesos que puede convertirse en forma ejecutable por el equipo (\u00abc\u00f3digo objeto\u00bb o lenguaje objeto) mediante un sistema de programaci\u00f3n.<\/p>\n

\u00abNave espacial\u00bb (5\u00a09): es una nave dise\u00f1ada para funcionar en el espacio, permanecer en \u00e9l o transitar por \u00e9l en forma de \u00absat\u00e9lite\u00bb, \u00absonda espacial\u00bb o \u00abveh\u00edculo espacial\u00bb.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las \u00abnaves espaciales\u00bb no incluyen los aterrizadores, los todoterrenos ni las dem\u00e1s naves que, por su dise\u00f1o, est\u00e9n limitadas a funcionar en o sobre la superficie de un cuerpo celeste extraterrestre o en su atm\u00f3sfera, ni las \u00abnaves suborbitales\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abM\u00f3dulo de servicio de la nave espacial\u00bb (9): es el equipo que proporciona la infraestructura de apoyo de la \u00abnave espacial\u00bb y que acoge el \u00abequipo de la nave espacial para una misi\u00f3n\u00bb.<\/p>\n

\u00abEquipo de la nave espacial para una misi\u00f3n\u00bb (9): es el equipo dise\u00f1ado para estar situado en un \u00abm\u00f3dulo de servicio de la nave espacial\u00bb, as\u00ed como para realizar una misi\u00f3n en el espacio o permitir que la \u00abnave espacial\u00bb realice su misi\u00f3n (por ejemplo, comunicaciones, observaci\u00f3n, ciencia, transporte).<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

El \u00abequipo de la nave espacial para una misi\u00f3n\u00bb se denominan a veces carga \u00fatil de la nave espacial.<\/span><\/p>\n

\u00abSonda espacial\u00bb (9): es una \u00abnave espacial\u00bb, distinta de un \u00absat\u00e9lite\u00bb o \u00abveh\u00edculo espacial\u00bb, dise\u00f1ada para no regresar a la Tierra.<\/p>\n

\u00abVeh\u00edculo espacial\u00bb (9): es una \u00abnave espacial\u00bb dise\u00f1ada para el transporte de carga o pasajeros.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abveh\u00edculos espaciales\u00bb incluyen las naves dise\u00f1adas para regresar a la Tierra de forma segura.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abCalificados para uso espacial\u00bb (3\u00a06\u00a07): significa que se han dise\u00f1ado, fabricado o calificado, mediante ensayos que han tenido \u00e9xito, para operar a altitudes de 100\u00a0km o m\u00e1s sobre la superficie de la Tierra.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La determinaci\u00f3n de que un producto espec\u00edfico sea \u00abcalificado para uso espacial\u00bb con arreglo a determinados ensayos no significa que otros productos de la misma serie de producci\u00f3n o de modelos tambi\u00e9n sean \u00abcalificados para uso espacial\u00bb si no han sido sometidos a ensayo de forma individual.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abMateriales fisionables especiales\u00bb (0): son el plutonio-239, el uranio-233, el \u00aburanio enriquecido en los is\u00f3topos 235 o 233\u00bb y cualquier material que contenga los anteriores.<\/p>\n

\u00abM\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb (0\u00a01\u00a09): es el m\u00f3dulo de Young medido en pascales, equivalente a N\/m2<\/span> divididos por el peso espec\u00edfico en N\/m3<\/span>, medido a una temperatura de (296 \u00b1 2) K ([23 \u00b1 2]\u00a0\u00b0C) y a una humedad relativa del (50 \u00b1 5)%.<\/p>\n

\u00abResistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb (0\u00a01\u00a09): es la resistencia a la rotura por tracci\u00f3n medida en pascales, equivalente a N\/m2<\/span> divididos por el peso espec\u00edfico en N\/m3<\/span>, medido a una temperatura de (296 \u00b1 2) K ([23 \u00b1 2]\u00a0\u00b0C) y a una humedad relativa del (50 \u00b1 5)%.<\/p>\n

\u00abGiroscopios por masa giratoria\u00bb (7): son giroscopios que utilizan una masa en rotaci\u00f3n continua para medir el movimiento angular.<\/p>\n

\u00abEspectro ensanchado\u00bb (5): es una t\u00e9cnica mediante la cual la energ\u00eda de un canal de comunicaciones de banda relativamente estrecha se extiende sobre un espectro de energ\u00eda mucho m\u00e1s ancho.<\/p>\n

\u00abEspectro ensanchado\u00bb de radar, (6): v\u00e9ase \u00abradar, espectro ensanchado\u00bb.<\/p>\n

\u00abEstabilidad\u00bb (7): es la desviaci\u00f3n t\u00edpica (1\u00a0sigma) de la variaci\u00f3n de un par\u00e1metro determinado respecto de su valor calibrado, medido en condiciones de temperatura estables. Puede expresarse en funci\u00f3n del tiempo.<\/p>\n

\u00abEstados Parte \/ Estados que no son Parte de la Convenci\u00f3n sobre Armas Qu\u00edmicas\u00bb (1): son aquellos Estados en los que ha entrado en vigor \/ no ha entrado en vigor la Convenci\u00f3n sobre la Prohibici\u00f3n del Desarrollo, la Producci\u00f3n, el Almacenamiento y el Empleo de Armas Qu\u00edmicas. (V\u00e9ase www.opcw.org<\/a><\/span>.)<\/p>\n

\u00abR\u00e9gimen constante\u00bb (9): las condiciones de funcionamiento del motor, cuando los par\u00e1metros del motor como empuje\/potencia, rpm y otros, no presentan fluctuaciones apreciables y cuando la temperatura ambiente y la presi\u00f3n en la abertura de admisi\u00f3n del motor permanecen constantes.<\/p>\n

\u00abUni\u00f3n mec\u00e1nica fuerte\u00bb (9) significa una uni\u00f3n que tiene una fuerza de uni\u00f3n igual o superior a la fuerza del propulsante.<\/p>\n

\u00abNave suborbital\u00bb (9): es una nave con una cabina o bodega, dise\u00f1ada para el transporte de personas o mercanc\u00edas y para:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

operar por encima de la estratosfera;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

seguir solo trayectorias no orbitales; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

aterrizar en la Tierra con las personas o mercanc\u00edas intactas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abSustrato\u00bb (3): es una l\u00e1mina de material de base con una estructura de interconexi\u00f3n o sin ella y sobre la cual, o dentro de la cual, se pueden situar ‘componentes discretos’, circuitos integrados o ambas cosas.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a01.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘componente discreto’ es un ‘elemento de circuito’ encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electr\u00f3nico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abSustratos en bruto\u00bb (3\u00a06): son compuestos monol\u00edticos de dimensiones adecuadas para la fabricaci\u00f3n de elementos \u00f3pticos tales como espejos o ventanas \u00f3pticas.<\/p>\n

\u00abSubunidad de toxina\u00bb (1): es un componente estructuralmente y funcionalmente discreto de una \u00abtoxina\u00bb entera.<\/p>\n

\u00abSuperaleaciones\u00bb (2\u00a09): son aleaciones a base de n\u00edquel, cobalto o hierro que presentan una longevidad a la rotura por sobretensiones superior a 1\u00a0000 horas a\u00a0400\u00a0MPa y una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n superior a\u00a0850\u00a0MPa, a\u00a0922 K (649\u202f\u00b0C) o m\u00e1s.<\/p>\n

\u00abSuperconductores\u00bb (1\u00a03\u00a05\u00a06 8): son materiales, esto es, metales, aleaciones o compuestos que pueden perder totalmente la resistencia el\u00e9ctrica, es decir, que pueden alcanzar una conductividad el\u00e9ctrica infinita y transportar corrientes el\u00e9ctricas muy grandes sin calentamiento Joule.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El estado \u00absuperconductor\u00bb de un material se caracteriza individualmente por una \u00abtemperatura cr\u00edtica\u00bb, un campo magn\u00e9tico cr\u00edtico que es una funci\u00f3n de la temperatura, y una densidad de corriente cr\u00edtica que es una funci\u00f3n del campo magn\u00e9tico y de la temperatura.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abL\u00e1ser de muy alta potencia\u00bb (\u00abSHPL\u00bb) (6): es un \u00abl\u00e1ser\u00bb capaz de emitir (la totalidad o una parte de) una energ\u00eda de salida que exceda de 1\u00a0kJ dentro de 50\u00a0ms o que tenga una potencia media o en ondas continuas superior a\u00a020\u00a0kW.<\/p>\n

\u00abConformaci\u00f3n superpl\u00e1stica\u00bb (1\u00a02): es un procedimiento de deformaci\u00f3n en el que se utiliza calor para metales que se caracterizan normalmente por valores de alargamiento bajos (menos del 20\u00a0%) en el punto de ruptura, determinado a temperatura ambiente de acuerdo con los ensayos convencionales de resistencia a la tracci\u00f3n, con objeto de conseguir durante el tratamiento alargamientos de al menos el doble de dichos valores.<\/p>\n

\u00abCinta\u00bb (1): es un material construido de \u00abmonofilamentos\u00bb, ‘cordones’, \u00abcables\u00bb, \u00abcabos\u00bb o \u00abhilos\u00bb, etc., entrelazados o unidireccionales, generalmente preimpregnados con resina.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘cord\u00f3n’ es un haz de \u00abmonofilamentos\u00bb (por lo general, m\u00e1s de 200) colocados de forma aproximadamente paralela.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb (NGT NTN Todo): es la informaci\u00f3n espec\u00edfica necesaria para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de un producto. Puede adoptar la forma de ‘datos t\u00e9cnicos’ o de ‘asistencia t\u00e9cnica’.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a01.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘asistencia t\u00e9cnica’ puede adoptar la modalidad de instrucci\u00f3n, transmisi\u00f3n de competencias, formaci\u00f3n, conocimientos pr\u00e1cticos, servicios consultivos y podr\u00e1 entra\u00f1ar la transferencia de ‘datos t\u00e9cnicos’.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘datos t\u00e9cnicos’ pueden adoptar la forma de copias heliogr\u00e1ficas, planos, diagramas, modelos, f\u00f3rmulas, algoritmos, tablas, dise\u00f1o y especificaciones de ingenier\u00eda, manuales e instrucciones escritas o registradas en otros medios o soportes tales como discos, cintas o memorias ROM.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abHusillo basculante\u00bb (2): es un husillo portaherramientas que modifica, durante el proceso de mecanizado, la posici\u00f3n angular de su eje de referencia con respecto a cualquier otro eje.<\/p>\n

\u00abConstante de tiempo\u00bb (6): es el tiempo transcurrido entre la aplicaci\u00f3n de un est\u00edmulo y el momento en el que el aumento de corriente alcanza un valor de 1-1\/e veces el valor final (es decir, el 63\u00a0% del valor final).<\/p>\n

\u00abTiempo hasta el estado estable\u00bb (6): (tambi\u00e9n denominado tiempo de respuesta del grav\u00edmetro) es el per\u00edodo durante el cual se reducen las perturbaciones producidas por las aceleraciones que haya inducido la plataforma (ruido de alta frecuencia).<\/p>\n

\u00abCarenado de extremo\u00bb (9): es un componente estacionario anular (en una pieza o segmentado) fijado a la superficie interna de la carcasa de la turbina del motor o una parte del extremo exterior del \u00e1labe, que sirve fundamentalmente como sellado contra gases entre los componentes estacionarios y rotatorios.<\/p>\n

\u00abControl total de vuelo\u00bb (7): es un control autom\u00e1tico de las variables de situaci\u00f3n y de la trayectoria de vuelo de una \u00abaeronave\u00bb para el cumplimiento de misiones objetivas, que responde en tiempo real a los cambios de los datos correspondientes a los objetivos, riesgos u otra \u00abaeronave\u00bb.<\/p>\n

\u00abTasa de transferencia digital total\u00bb (5): es el n\u00famero de bits, incluidos los de codificaci\u00f3n en l\u00ednea, los de encabezamiento, etc., por unidad de tiempo, que pasan entre los equipos correspondientes, en un sistema de transmisi\u00f3n digital.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase tambi\u00e9n la \u00abtasa de transferencia digital\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abCabo\u00bb (1): es un haz de \u00abmonofilamentos\u00bb, por lo general en forma aproximadamente paralela.<\/p>\n

\u00abToxinas\u00bb (1\u00a02): son toxinas en forma de preparados o mezclas aisladas deliberadamente, con independencia de c\u00f3mo se hayan obtenido, con excepci\u00f3n de las toxinas presentes como contaminantes en otros materiales, tales como espec\u00edmenes patol\u00f3gicos, cultivos, alimentos o material de siembra de \u00abmicroorganismos\u00bb.<\/p>\n

\u00abSintonizable\u00bb (6): es la capacidad de un \u00abl\u00e1ser\u00bb para producir una salida continua en todas las longitudes de onda de una gama de varias transiciones \u00abl\u00e1ser\u00bb. Un \u00abl\u00e1ser\u00bb de l\u00ednea seleccionable produce longitudes de onda discretas dentro de una transici\u00f3n \u00abl\u00e1ser\u00bb y no se considera \u00absintonizable\u00bb.<\/p>\n

\u00abRepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb (2): son los valores m\u00e1s bajos de R\u2191 y R\u2193 (hacia adelante y hacia atr\u00e1s), tal como se definen en el punto\u00a03.21 de la norma ISO 230-2:2014 o en equivalentes nacionales, del eje de una m\u00e1quina herramienta espec\u00edfica.<\/p>\n

\u00abVeh\u00edculo a\u00e9reo no tripulado\u00bb (\u00abUAV\u00bb) (9): es toda aeronave que pueda despegar, mantenerse en vuelo y navegar de forma controlada, sin una presencia humana a bordo.<\/p>\n

\u00abUranio enriquecido en los is\u00f3topos 235 o 233\u00bb (0): es uranio que contiene los is\u00f3topos 235 o 233, o ambos, en tal cantidad que la relaci\u00f3n entre la suma de las cantidades de estos is\u00f3topos y la de is\u00f3topo 238 sea mayor que la relaci\u00f3n entre la cantidad de is\u00f3topo 235 y la de is\u00f3topo 238 tal y como se da en la naturaleza (relaci\u00f3n isot\u00f3pica del 0,71\u00a0%).<\/p>\n

\u00abUtilizaci\u00f3n\u00bb (NGT NTN Todo): comprende el funcionamiento, la instalaci\u00f3n (incluida la instalaci\u00f3n in situ), el mantenimiento (verificaci\u00f3n), la reparaci\u00f3n, la revisi\u00f3n y la renovaci\u00f3n.<\/p>\n

\u00abProgramabilidad accesible al usuario\u00bb (6): es la prestaci\u00f3n del sistema que permite al usuario insertar, modificar o sustituir \u00abprogramas\u00bb por medios distintos de:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

el cambio f\u00edsico del cableado o las interconexiones; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

el establecimiento de controles de funci\u00f3n, incluida la introducci\u00f3n de par\u00e1metros.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00abVacuna\u00bb (1): es un producto medicinal en formulaci\u00f3n farmac\u00e9utica que cuenta con una licencia o autorizaci\u00f3n de comercializaci\u00f3n o de ensayo cl\u00ednico de las autoridades de reglamentaci\u00f3n, ya sean del pa\u00eds de fabricaci\u00f3n o de empleo del producto, cuya finalidad es estimular una respuesta inmunol\u00f3gica protectora en seres humanos o en animales, con objeto de prevenir enfermedades en el individuo al que se administra.<\/p>\n

\u00abDispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb (3): son dispositivos electr\u00f3nicos basados en la interacci\u00f3n de un haz de electrones con una onda electromagn\u00e9tica que se propaga en un circuito de vac\u00edo o que interact\u00faa con resonadores de cavidad, en vac\u00edo, de radiofrecuencia. Los \u00abdispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb incluyen klistrones, tubos de ondas progresivas y sus derivados.<\/p>\n

\u00abDivulgaci\u00f3n de vulnerabilidad\u00bb (4): es el proceso de identificaci\u00f3n, notificaci\u00f3n o comunicaci\u00f3n de una vulnerabilidad a personas u organizaciones responsables de realizar o coordinar las medidas de reparaci\u00f3n, o bien el an\u00e1lisis de una vulnerabilidad con estas personas u organizaciones, con el fin de solucionar la vulnerabilidad.<\/p>\n

\u00abRendimiento de potencia transmitida con respecto a la potencia consumida\u00bb (6): es la proporci\u00f3n de la potencia de salida del \u00abl\u00e1ser\u00bb (o \u00abpotencia de salida media\u00bb) respecto a la potencia de consumo el\u00e9ctrico requerida para el funcionamiento del \u00abl\u00e1ser\u00bb, con inclusi\u00f3n de fuente de alimentaci\u00f3n\/acondicionador y acondicionador t\u00e9rmico\/intercambiador de calor.<\/p>\n

\u00abHilo\u00bb (1): es un haz de ‘cordones’ retorcidos.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘cord\u00f3n’ es un haz de \u00abmonofilamentos\u00bb (por lo general, m\u00e1s de 200) colocados de forma aproximadamente paralela.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE II<\/p>\n

Categor\u00eda 0<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 0. MATERIALES, INSTALACIONES Y EQUIPOS NUCLEARES<\/span><\/p>\n

0A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0A001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abReactores nucleares\u00bb y equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o preparados para los mismos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Recipientes met\u00e1licos o piezas importantes manufacturadas de estos, incluida la cabeza del recipiente de presi\u00f3n del reactor, especialmente dise\u00f1ados o preparados para contener el n\u00facleo de un \u00abreactor nuclear\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de manipulaci\u00f3n especialmente dise\u00f1ados o preparados para cargar y descargar el combustible en un \u00abreactor nuclear\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Barras de control dise\u00f1adas especialmente o preparadas para el control del proceso de fisi\u00f3n en un \u00abreactor nuclear\u00bb, las estructuras de apoyo o suspensi\u00f3n de las mismas y los tubos gu\u00eda de las barras de control;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos de presi\u00f3n especialmente dise\u00f1ados o preparados para contener los elementos combustibles y el refrigerante primario en un \u00abreactor nuclear\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos (o ensamblajes de tubos) de circonio met\u00e1lico o de aleaciones de circonio especialmente dise\u00f1ados o preparados para su utilizaci\u00f3n como tubos de revestimiento de combustible en un \u00abreactor nuclear\u00bb y en cantidades que excedan de 10\u00a0kg;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los tubos de presi\u00f3n de circonio, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a00A001.e y para los tubos de calandria, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a00A001.h.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bombas o circuladores de refrigerante especialmente dise\u00f1adas o preparadas para hacer circular el refrigerante primario en \u00abreactores nucleares\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Componentes internos de reactor nuclear’ especialmente dise\u00f1ados o preparados para su utilizaci\u00f3n en un \u00abreactor nuclear\u00bb, incluidas las columnas de apoyo del n\u00facleo, los canales de combustible, los tubos de calandria, los blindajes t\u00e9rmicos, las placas deflectoras, las placas para el reticulado del n\u00facleo y las placas difusoras;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a00A001.h, ‘componentes internos de reactor nuclear’ se refiere a cualquier estructura importante en una vasija de reactor que desempe\u00f1e una o m\u00e1s funciones tales como el apoyo del n\u00facleo, el mantenimiento de la alineaci\u00f3n del combustible, la orientaci\u00f3n del flujo refrigerante primario, el suministro de blindajes de radiaci\u00f3n para la vasija del reactor y la direcci\u00f3n de la instrumentaci\u00f3n en el n\u00facleo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Intercambiadores de calor, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Generadores de vapor especialmente dise\u00f1ados o preparados para el circuito de refrigerante primario o intermedio de un \u00abreactor nuclear\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Otros intercambiadores de calor especialmente dise\u00f1ados o preparados para su utilizaci\u00f3n en el circuito de refrigerante primario de un \u00abreactor nuclear\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a00A001.i no somete a control los intercambiadores de calor para sistemas de apoyo del reactor, p. ej. el sistema de refrigeraci\u00f3n de emergencia o el sistema de refrigeraci\u00f3n del calor de desintegraci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de neutrones, especialmente dise\u00f1ados o preparados para determinar los niveles de flujo de neutrones en el n\u00facleo de un \u00abreactor nuclear\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

k.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Blindajes t\u00e9rmicos exteriores’ especialmente dise\u00f1ados o preparados para su utilizaci\u00f3n en un \u00abreactor nuclear\u00bb para la reducci\u00f3n de las p\u00e9rdidas de calor y tambi\u00e9n para la protecci\u00f3n del recipiente de contenci\u00f3n.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a00A001.k, ‘blindajes t\u00e9rmicos exteriores’ se refiere a las estructuras principales situadas por encima del recipiente del reactor que reducen las p\u00e9rdidas de calor del reactor y disminuyen la temperatura en el recipiente de contenci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

0B<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0B001<\/p>\n<\/td>\n

Plantas para la separaci\u00f3n de is\u00f3topos de \u00aburanio natural\u00bb, \u00aburanio empobrecido\u00bb o \u00abmateriales fisionables especiales\u00bb, y equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o preparados para ello, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas dise\u00f1adas especialmente para la separaci\u00f3n de is\u00f3topos de \u00aburanio natural\u00bb, \u00aburanio empobrecido\u00bb o \u00abmateriales fisionables especiales\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n por centrifugaci\u00f3n gaseosa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n por difusi\u00f3n gaseosa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n aerodin\u00e1mica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n por intercambio qu\u00edmico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n por intercambio de iones;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n de is\u00f3topos por \u00abl\u00e1ser\u00bb de vapor at\u00f3mico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n de is\u00f3topos por \u00abl\u00e1ser\u00bb molecular;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n de plasma;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de separaci\u00f3n electromagn\u00e9tica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Centrifugadoras de gas y conjuntos y componentes, especialmente dise\u00f1ados o preparados para procesos de separaci\u00f3n por centrifugaci\u00f3n gaseosa, seg\u00fan se indica:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a00B001.b, \u2018materiales de elevada relaci\u00f3n resistencia\/densidad’ se refiere a cualquiera de los siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Acero martens\u00edtico envejecido capaz de oponer una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n de 1,95\u00a0GPa o m\u00e1s;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de aluminio capaces de oponer una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n de 0,46\u00a0GPa o m\u00e1s; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb con un \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb superior a\u00a03,18\u00a0x\u00a0106<\/span>\u00a0m y una \u00abresistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb superior a\u00a07,62\u00a0x 104<\/span>\u00a0m;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Centrifugadoras de gas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conjuntos rotores completos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cilindros para tubos rotores con un espesor de paredes de 12\u00a0mm o menos y un di\u00e1metro de entre 75\u00a0mm y\u00a0650\u00a0mm, fabricados con ‘materiales de elevada relaci\u00f3n resistencia\/densidad’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Anillos o fuelles con un espesor de paredes de 3\u00a0mm como m\u00e1ximo y con un di\u00e1metro de entre 75\u00a0mm y\u00a0650\u00a0mm, dise\u00f1ados para reforzar localmente un tubo rotor o para unir varios de ellos y fabricados con ‘materiales de elevada relaci\u00f3n resistencia\/densidad’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pantallas con un di\u00e1metro de entre 75\u00a0mm y\u00a0650\u00a0mm, para ser montadas dentro del tubo rotor y fabricadas con ‘materiales de elevada relaci\u00f3n resistencia\/densidad’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tapones superiores e inferiores con un di\u00e1metro de entre 75\u00a0mm y\u00a0650\u00a0mm para ajustarse a los extremos del tubo rotor, fabricados con ‘materiales de elevada relaci\u00f3n resistencia\/densidad’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Soportes magn\u00e9ticos de suspensi\u00f3n, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conjuntos de soportes consistentes en un electroim\u00e1n anular suspendido en un marco protegido o construido con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00bb y que contiene un medio amortiguador. El im\u00e1n se acopla con una pieza polo o con un segundo im\u00e1n ajustado a la tapa superior del rotor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Soportes magn\u00e9ticos activos especialmente dise\u00f1ados o preparados para su uso en centrifugadoras de gas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Soportes preparados especialmente que comprenden un conjunto pivote\/copa montado en un amortiguador;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bombas moleculares compuestas de cilindros con surcos helicoidales mecanizados o extrudidos internamente y con orificios mecanizados internamente;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estatores, de forma anular, destinados a motores multif\u00e1sicos de corriente alterna por hist\u00e9resis (o reluctancia) para un funcionamiento s\u00edncrono en el vac\u00edo en la gama de frecuencias de 600\u00a0Hz o superior y una potencia de 40 VA o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Recipientes\/cajas de centrifugadoras para alojar el conjunto del tubo rotor de una centrifugadora de gas, consistente en un cilindro r\u00edgido de espesor de pared de hasta 30\u00a0mm con extremos mecanizados con precisi\u00f3n que son paralelos entre s\u00ed y perpendiculares al eje longitudinal del cilindro en\u00a00,05\u00b0 o menos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

12.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Paletas consistentes en tubos especialmente dise\u00f1ados o preparados para la extracci\u00f3n de gas UF6<\/span> del tubo rotor, por acci\u00f3n de un tubo de Pitot, que puedan fijarse al sistema central de extracci\u00f3n de gas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

13.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cambiadores de frecuencia (convertidores o inversores) especialmente dise\u00f1ados o preparados para alimentar los estatores de motores para el enriquecimiento por centrifugaci\u00f3n gaseosa, que posean todas las caracter\u00edsticas, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos que se indican a continuaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida el\u00e9ctrica multif\u00e1sica de frecuencia igual o superior a\u00a0600\u00a0Hz; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elevada estabilidad (con control de frecuencia superior a\u00a00,2\u00a0%);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

14.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas de cierre y de control, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas de cierre especialmente dise\u00f1adas o preparadas para actuar en la alimentaci\u00f3n, el producto o las colas de flujos gaseosos de UF6<\/span> de una centrifugadora individual de gas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas de fuelle con anillo de sello, cierre o control, fabricadas o protegidas con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab, con un di\u00e1metro interior de entre 10\u00a0mm y\u00a0160\u00a0mm, especialmente dise\u00f1adas o preparadas para su utilizaci\u00f3n en los sistemas principales o auxiliares de plantas de enriquecimiento por centrifugaci\u00f3n gaseosa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o preparados para procesos de separaci\u00f3n por difusi\u00f3n gaseosa, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Barreras de difusi\u00f3n gaseosa fabricadas con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00bb porosos met\u00e1licos, pol\u00edmeros o cer\u00e1micos, con un tama\u00f1o de poro de\u00a010 a\u00a0100\u00a0nm, un espesor de 5\u00a0mm como m\u00e1ximo y, para aquellas de forma tubular, un di\u00e1metro de 25\u00a0mm como m\u00e1ximo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cajas de difusores gaseosos, fabricados o protegidos con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Compresores o sopladores de gas con una capacidad de aspiraci\u00f3n de 1\u00a0m3<\/span>\/min o mayor de UF6<\/span>, una presi\u00f3n de descarga de hasta 500\u00a0kPa y un ratio de presi\u00f3n de\u00a010:1 como m\u00e1ximo, que hayan sido fabricados o protegidos con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Obturadores para ejes de rotaci\u00f3n destinados a los compresores o sopladores especificados en el subart\u00edculo\u00a00B001.c.3 y dise\u00f1ados para una tasa de penetraci\u00f3n de gas separador inferior a 1\u00a0000\u00a0cm3<\/span>\/min;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Intercambiadores de calor fabricados o protegidos con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab, y dise\u00f1ados para una tasa de presi\u00f3n de fuga inferior a\u00a010\u00a0Pa por hora bajo una diferencia de presi\u00f3n de 100\u00a0kPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas de fuelle con anillo de sello, manuales o autom\u00e1ticas, de cierre o control, fabricadas o protegidas con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes, seg\u00fan se indica, especialmente dise\u00f1ados o preparados para procesos de separaci\u00f3n aerodin\u00e1mica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Toberas de separaci\u00f3n, formadas por canales curvos en forma de ranura con un radio de curvatura inferior a\u00a01\u00a0mm, resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span> y en cuyo interior hay una cuchilla que separa en dos el flujo de gas que circula por la tobera;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos cil\u00edndricos o c\u00f3nicos (tubos vorticiales), fabricados o protegidos con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab, con una o m\u00e1s entradas tangenciales;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Compresores o sopladores de gas hechos de, o protegidos con, \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00bb y los obturadores para sus ejes de rotaci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Intercambiadores de calor fabricados o protegidos con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cajas de los elementos de separaci\u00f3n, fabricadas o protegidas con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab, para alojar los tubos vorticiales o las toberas de separaci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas de fuelle con anillo de sello, manuales o autom\u00e1ticas, de cierre o control, fabricadas o protegidas con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab, con un di\u00e1metro igual o superior a\u00a040\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de proceso para la separaci\u00f3n del UF6<\/span> del gas portador (hidr\u00f3geno o helio) hasta 1\u00a0ppm de contenido m\u00e1ximo de UF6<\/span>, incluyendo:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Intercambiadores de calor criog\u00e9nicos y crioseparadores capaces de alcanzar temperaturas de 153\u00a0K (\u2013\u00a0120\u202f\u00b0C) como m\u00e1ximo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades refrigeradoras criog\u00e9nicas capaces de alcanzar temperaturas de 153\u00a0K (\u2013\u00a0120\u202f\u00b0C) como m\u00e1ximo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Toberas de separaci\u00f3n o tubos vorticiales para separar el UF6<\/span> del gas portador;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Trampas fr\u00edas de UF6<\/span> capaces de congelar UF6<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes, seg\u00fan se indica, especialmente dise\u00f1ados o preparados para procesos de separaci\u00f3n por intercambio qu\u00edmico:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Columnas pulsatorias de intercambio r\u00e1pido l\u00edquido-l\u00edquido con tiempo de residencia correspondiente a una etapa de 30\u00a0segundos como m\u00e1ximo y resistentes al \u00e1cido clorh\u00eddrico concentrado (por ejemplo, fabricados o protegidos con materiales pl\u00e1sticos apropiados, tales como los pol\u00edmeros de hidrocarburo fluorado o vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Contactores centr\u00edfugos de intercambio r\u00e1pido l\u00edquido-l\u00edquido con un tiempo de residencia correspondiente a una etapa de 30\u00a0segundos como m\u00e1ximo y resistentes al \u00e1cido clorh\u00eddrico concentrado (por ejemplo, fabricados o protegidos con materiales pl\u00e1sticos apropiados, tales como pol\u00edmeros de fluorocarbono o vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Celdas de reducci\u00f3n electroqu\u00edmica resistentes a las soluciones de \u00e1cido clorh\u00eddrico concentrado para reducir uranio de un estado de valencia a otro;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos destinados a la alimentaci\u00f3n de las celdas de reducci\u00f3n electroqu\u00edmica para separar el U+4<\/span> de la corriente org\u00e1nica y, en el caso de las partes en contacto con la corriente del proceso, hechos o protegidos por materiales adecuados (por ejemplo, vidrio, pol\u00edmeros de hidrocarburos fluorados, sulfato de polifenilo, sulfonas de poli\u00e9ter y grafito impregnado con resina);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de preparaci\u00f3n de la alimentaci\u00f3n encaminados a producir soluciones de cloruro de uranio de elevada pureza consistentes en la disoluci\u00f3n, la extracci\u00f3n del solvente y\/o los equipos de intercambio de iones para purificaci\u00f3n y celdas electrol\u00edticas para reducir el uranio U+6<\/span> o U+4<\/span> a U+3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de oxidaci\u00f3n del uranio para la oxidaci\u00f3n del U+3<\/span> a U+4<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes, seg\u00fan se indica, especialmente dise\u00f1ados o preparados para procesos de separaci\u00f3n por intercambio de iones:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resinas de intercambio i\u00f3nico de reacci\u00f3n r\u00e1pida, peliculares o macrorreticulares porosas, en las que los grupos de intercambio qu\u00edmico activo est\u00e1n limitados a un revestimiento superficial en un soporte poroso inactivo, y otras estructuras de materiales compuestos (composites<\/span>) en cualquier forma adecuada, incluyendo part\u00edculas o fibras con di\u00e1metros de 0,2\u00a0mm como m\u00e1ximo, resistentes al \u00e1cido clorh\u00eddrico concentrado y dise\u00f1adas para tener una tasa de intercambio de tiempo de semirreacci\u00f3n menor de 10\u00a0segundos y capaces de funcionar a temperaturas en la gama de entre 373\u00a0K (100\u202f\u00b0C) y\u00a0473\u00a0K (200\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Columnas de intercambio i\u00f3nico (cil\u00edndricas) con un di\u00e1metro mayor de 1\u00a0000\u00a0mm, hechas de, o protegidas con, materiales resistentes al \u00e1cido clorh\u00eddrico concentrado (por ejemplo titanio o pl\u00e1sticos de fluorocarbono) y capaces de funcionar a temperaturas en la gama de entre 373\u00a0K (100\u202fo<\/span>C) y\u00a0473\u00a0K (200\u202fo<\/span>C) y presiones superiores a\u00a00,7\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de reflujo para el intercambio i\u00f3nico (sistemas de oxidaci\u00f3n o reducci\u00f3n, qu\u00edmicos o electroqu\u00edmicos) para la regeneraci\u00f3n del agente qu\u00edmico oxidante o reductor utilizado en las cascadas de enriquecimiento por intercambio i\u00f3nico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o preparados para procesos de separaci\u00f3n basados en l\u00e1ser que utilizan separaci\u00f3n de is\u00f3topos por l\u00e1ser de vapor at\u00f3mico, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de vaporizaci\u00f3n de uranio met\u00e1lico destinados a alcanzar una potencia de salida de 1\u00a0kW o m\u00e1s en el objetivo para su uso en el enriquecimiento por l\u00e1ser;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de manipulaci\u00f3n de uranio met\u00e1lico en forma l\u00edquida o de vapor, especialmente dise\u00f1ados o preparados con objeto de manejar el uranio fundido, las aleaciones de uranio fundido o el vapor de uranio met\u00e1lico para su uso en el enriquecimiento por l\u00e1ser, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02A225.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas colectores de productos y colas para la recogida de uranio met\u00e1lico en forma l\u00edquida o s\u00f3lida, fabricados o protegidos con materiales resistentes al calor y a la corrosi\u00f3n por uranio met\u00e1lico en forma l\u00edquida o de vapor, como el grafito revestido con itria o el t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cajas de m\u00f3dulo separador (vasijas cil\u00edndricas o rectangulares) para contener la fuente de vapor de uranio met\u00e1lico, el ca\u00f1\u00f3n de haz electr\u00f3nico y los colectores del producto y de las colas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb o sistemas de \u00abl\u00e1ser\u00bb especialmente dise\u00f1ados o preparados para la separaci\u00f3n de los is\u00f3topos de uranio con un estabilizador del espectro de frecuencias que les permita funcionar durante per\u00edodos de tiempo prolongados;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 6A005 Y 6A205.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o preparados para procesos de separaci\u00f3n basados en l\u00e1ser que utilizan separaci\u00f3n de is\u00f3topos por l\u00e1ser molecular, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Toberas de expansi\u00f3n supers\u00f3nica para enfriar mezclas de UF6<\/span> y gas portador a\u00a0150\u00a0K (\u2013\u00a0123\u202f\u00b0C) como m\u00e1ximo y hechas de \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes o dispositivos colectores de productos o colas especialmente dise\u00f1ados o preparados para la recogida de material de uranio o material de colas de uranio tras la iluminaci\u00f3n con luz l\u00e1ser, fabricados con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Compresores hechos de, o protegidos con, \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00bb y los obturadores de sus ejes de rotaci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos para fluorar UF5<\/span> (s\u00f3lido) convirti\u00e9ndolo en UF6<\/span> (gas);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de procesamiento para la separaci\u00f3n del UF6<\/span> del gas portador (por ejemplo nitr\u00f3geno o arg\u00f3n u otro gas), incluido lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Intercambiadores de calor criog\u00e9nicos y crioseparadores capaces de alcanzar temperaturas de 153\u00a0K (\u2013\u00a0120\u202f\u00b0C) como m\u00e1ximo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades refrigeradoras criog\u00e9nicas capaces de alcanzar temperaturas de 153\u00a0K (\u2013\u00a0120\u202fo<\/span>C) como m\u00e1ximo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Trampas fr\u00edas de UF6<\/span> capaces de congelar UF6<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb o sistemas de \u00abl\u00e1ser\u00bb especialmente dise\u00f1ados o preparados para la separaci\u00f3n de los is\u00f3topos de uranio con un estabilizador del espectro de frecuencias que les permita funcionar durante per\u00edodos de tiempo prolongados;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 6A005 Y 6A205.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes, seg\u00fan se indica, especialmente dise\u00f1ados o preparados para procesos de separaci\u00f3n en un plasma:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes de energ\u00eda para microondas y antenas encaminadas a producir o acelerar iones, con frecuencias de salida superiores a\u00a030\u00a0GHz y potencia de salida media superior a\u00a050\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bobinas excitadoras de iones por radiofrecuencias, para frecuencias superiores a\u00a0100\u00a0kHz, y capaces de funcionar con potencias medias superiores a\u00a040\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas generadores de plasma de uranio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas colectores de productos y colas de uranio met\u00e1lico en forma s\u00f3lida, fabricados o protegidos con materiales resistentes al calor y a la corrosi\u00f3n por uranio en forma de vapor, como el grafito revestido con itria o el t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cajas de m\u00f3dulos separadores (cil\u00edndricos) para alojar la fuente de plasma de uranio, la bobina excitadora de radiofrecuencia y los colectores del producto y las colas, hechos con un material adecuado que no sea magn\u00e9tico (por ejemplo, acero inoxidable);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes, especialmente dise\u00f1ados o preparados para el proceso de separaci\u00f3n electromagn\u00e9tica, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes de iones, \u00fanicas o m\u00faltiples, consistentes en una fuente de vapor, un ionizador y un acelerador de haz, hechas de unos materiales apropiados que no sean magn\u00e9ticos (por ejemplo, grafito, acero inoxidable o cobre) y capaces de proporcionar una corriente i\u00f3nica de haz total de 50\u00a0mA o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Placas colectoras de iones para recoger haces de iones de uranio enriquecido o empobrecido, formadas por dos o m\u00e1s ranuras y bolsas (slits and pockets<\/span>) y hechas de materiales adecuados que no sean magn\u00e9ticos (por ejemplo, grafito o acero inoxidable);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cajas de vac\u00edo para los separadores electromagn\u00e9ticos del uranio hechas de materiales que no sean magn\u00e9ticos (por ejemplo, acero inoxidable) y dise\u00f1adas para funcionar a presiones de 0,1\u00a0Pa como m\u00e1ximo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Piezas polares de los imanes con un di\u00e1metro superior a\u00a02\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes de alimentaci\u00f3n de alta tensi\u00f3n para las fuentes de iones, que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aptas para un funcionamiento continuo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n de salida de 20\u00a0000\u00a0V o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Corriente de salida de 1\u00a0A o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Regulaci\u00f3n de la tensi\u00f3n mejor que 0,01\u00a0% en un per\u00edodo de 8\u00a0horas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a03A227.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes de alimentaci\u00f3n para imanes (alta potencia, corriente continua) que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aptas para un funcionamiento continuo con una corriente de salida de 500\u00a0A o superior a una tensi\u00f3n de 100\u00a0V o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Regulaci\u00f3n de corriente o tensi\u00f3n mejor que 0,01\u00a0% en un per\u00edodo de 8\u00a0horas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a03A226.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0B002<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas, equipos y componentes auxiliares especialmente dise\u00f1ados o preparados, seg\u00fan se indica, para las plantas de separaci\u00f3n de is\u00f3topos especificadas en el art\u00edculo\u00a00B001, que hayan sido fabricados con, o protegidos por, \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Autoclaves de alimentaci\u00f3n, hornos o sistemas usados para introducir el UF6<\/span> en el proceso de enriquecimiento;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Desublimadores o trampas fr\u00edas, utilizados para extraer el UF6<\/span> del proceso de enriquecimiento para la posterior transferencia una vez calentado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estaciones para el producto y las colas para transferir UF6<\/span> a contenedores;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estaciones de licuefacci\u00f3n o solidificaci\u00f3n, utilizadas para extraer el UF6<\/span> del proceso de enriquecimiento mediante la compresi\u00f3n, la refrigeraci\u00f3n y la conversi\u00f3n del UF6<\/span> a una forma l\u00edquida o s\u00f3lida;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de tuber\u00edas y sistemas de colectores especialmente dise\u00f1ados o preparados para manipular el UF6<\/span>, dentro de las cascadas de difusi\u00f3n gaseosa, de centrifugaci\u00f3n o aerodin\u00e1micas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bombas y sistemas de vac\u00edo, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Distribuidores de vac\u00edo, colectores de vac\u00edo o bombas de vac\u00edo con una capacidad de aspiraci\u00f3n igual o superior a\u00a05\u00a0m3<\/span>\/min;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bombas de vac\u00edo dise\u00f1adas especialmente para funcionar en ambientes que contengan UF6<\/span>, fabricadas o protegidas con \u00abmateriales resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span>\u00ab; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de vac\u00edo que comprendan distribuidores de vac\u00edo, colectores de vac\u00edo y bombas de vac\u00edo, y que hayan sido dise\u00f1ados para funcionar en ambientes que contengan UF6<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espectr\u00f3metros de masas para UF6<\/span> \/ fuentes de iones que puedan tomar muestras en l\u00ednea de flujos de UF6<\/span> y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser capaces de medir iones de 320\u00a0unidades de masa at\u00f3mica o superiores, y que tengan una resoluci\u00f3n mayor de una parte por 320;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes de iones construidas o revestidas con n\u00edquel, aleaciones de cupron\u00edquel con un contenido de n\u00edquel superior o igual al 60\u00a0% en peso, o aleaciones de n\u00edquel y cromo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes de ionizaci\u00f3n por bombardeo electr\u00f3nico; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar provistos de un sistema colector apropiado para el an\u00e1lisis isot\u00f3pico.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0B003<\/p>\n<\/td>\n

Plantas para la conversi\u00f3n de uranio y equipos especialmente dise\u00f1ados o preparados para ellas, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de concentrado de mena de uranio en UO3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de UO3<\/span> en UF6<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de UO3<\/span> en UO2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de UO2<\/span> en UF4<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de UF4<\/span> en UF6<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de UF4<\/span> en uranio met\u00e1lico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de UF6<\/span> en UO2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de UF6<\/span> en UF4<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de UO2<\/span> en UCl4<\/span>.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0B004<\/p>\n<\/td>\n

Plantas para la producci\u00f3n o concentraci\u00f3n de agua pesada, deuterio y compuestos de deuterio y equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o preparados para ello, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas para la producci\u00f3n de agua pesada, deuterio o compuestos de deuterio, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de intercambio de sulfuro de hidr\u00f3geno-agua;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de intercambio de amoniacohidr\u00f3geno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de procesos combinados de electr\u00f3lisis e intercambio catal\u00edtico (CECE);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de procesos combinados de reforma industrial e intercambio catal\u00edtico (CIRCE);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantas de intercambio bit\u00e9rmico hidr\u00f3geno-agua (BHW);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Torres de intercambio de sulfuro de hidr\u00f3geno-agua con un di\u00e1metro igual o superior a\u00a01,5\u00a0m, capaces de funcionar a presiones superiores o iguales a\u00a02\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sopladores o compresores centr\u00edfugos, de etapa \u00fanica y baja presi\u00f3n (es decir, 0,2\u00a0MPa), para la circulaci\u00f3n de sulfuro de hidr\u00f3geno gaseoso (es decir, gas que contiene m\u00e1s del 70\u00a0% en peso de sulfuro de hidr\u00f3geno, H2<\/span>S) con una capacidad de caudal superior o igual a\u00a05\u00a0m3<\/span>\/s al funcionar a presiones de aspiraci\u00f3n superiores o iguales a\u00a01,8\u00a0MPa, que tienen juntas dise\u00f1adas para trabajar en un medio h\u00famedo con H2<\/span>S;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Torres de intercambio amon\u00edaco-hidr\u00f3geno de altura superior o igual a\u00a035\u00a0m y di\u00e1metro superior o igual a\u00a01,5\u00a0m capaces de funcionar a presiones superiores a\u00a015\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Partes internas de las torres, que comprenden contactores de etapa y bombas de etapa, incluidas las bombas sumergibles, para la producci\u00f3n de agua pesada por el proceso de intercambio amon\u00edaco-hidr\u00f3geno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fraccionadores de amon\u00edaco con presiones de funcionamiento superiores o iguales a\u00a03\u00a0MPa para la producci\u00f3n de agua pesada por el proceso de intercambio amon\u00edaco-hidr\u00f3geno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Quemadores catal\u00edticos para la conversi\u00f3n en agua pesada del deuterio gaseoso enriquecido por el proceso de intercambio amon\u00edaco-hidr\u00f3geno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de acabado completas o sistemas de enriquecimiento completos del agua pesada, o columnas para ellos con un di\u00e1metro igual o superior a\u00a00,1\u00a0m, para elevar la concentraci\u00f3n en deuterio del agua pesada hasta la de utilizaci\u00f3n en reactores;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Convertidores de s\u00edntesis de amon\u00edaco o unidades de s\u00edntesis dise\u00f1adas especialmente o preparadas para la producci\u00f3n de agua pesada por el proceso de intercambio amoniaco-hidr\u00f3geno.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Columnas o torres completas dise\u00f1adas especialmente o preparadas para el intercambio de is\u00f3topos de hidr\u00f3geno que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Embaladas con catalizadores platinizados aleatorios o estructurados a prueba de humedad;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fabricadas con acero al carbono o acero inoxidable;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de funcionar con presiones en la gama de 0,1 a\u00a04\u00a0MPa; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de funcionar a temperaturas en la gama de 293\u00a0K (20\u202f\u00b0C) a\u00a0473\u00a0K (200\u202f\u00b0C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0B005<\/p>\n<\/td>\n

Plantas dise\u00f1adas especialmente para la fabricaci\u00f3n de elementos combustibles para \u00abreactores nucleares\u00bb y equipos especialmente dise\u00f1ados o preparados para ellas.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Las plantas para la fabricaci\u00f3n de elementos combustibles del \u00abreactor nuclear\u00bb incluyen equipos que:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Normalmente est\u00e1n en contacto directo, o procesan o controlan directamente el flujo de producci\u00f3n de materiales nucleares;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sellan herm\u00e9ticamente los materiales nucleares dentro de la vaina;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Comprueban la integridad de la vaina o el sellado;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Comprueban el tratamiento de acabado del combustible sellado; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Se utilizan para reunir elementos de reactores.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0B006<\/p>\n<\/td>\n

Plantas para el reprocesado de elementos combustibles irradiados de \u00abreactores nucleares\u00bb, as\u00ed como equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o preparados para ellas.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a00B006 incluye:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las plantas para el reprocesado de elementos combustibles irradiados de \u00abreactores nucleares\u00bb, incluidos los equipos y componentes que normalmente est\u00e1n en contacto directo con el combustible irradiado y los flujos de procesado de los principales materiales nucleares y productos de fisi\u00f3n, y los controlan directamente;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los aparatos de desenvainado y las m\u00e1quinas troceadoras o desmenuzadoras de elementos combustibles, es decir, equipos accionados a distancia para cortar, trocear o cizallar conjuntos, haces o varillas de combustible irradiado de \u00abreactores nucleares\u00bb;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los recipientes de disoluci\u00f3n, utilicen o no aparatos mec\u00e1nicos, especialmente dise\u00f1ados o preparados para la disoluci\u00f3n del combustible irradiado de \u00abreactores nucleares\u00bb, capaces de resistir l\u00edquidos calientes y altamente corrosivos, y que puedan ser cargados, operados y mantenidos a distancia;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los extractores por disolvente, como columnas pulsatorias o de relleno, mezcladores-sedimentadores, o contactores centr\u00edfugos, resistentes a los efectos corrosivos del \u00e1cido n\u00edtrico y especialmente dise\u00f1ados o preparados para emplearse en plantas destinadas al reprocesado de \u00aburanio natural\u00bb irradiado, \u00aburanio empobrecido\u00bb o \u00abmateriales fisionables especiales\u00bb;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los recipientes de recogida o de almacenamiento dise\u00f1ados especialmente para ser seguros en condiciones cr\u00edticas y resistentes a los efectos corrosivos del \u00e1cido n\u00edtrico;<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Los recipientes de recogida o de almacenamiento pueden presentar las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Paredes o estructuras internas con un equivalente de boro (calculado para todos los elementos constitutivos tal como se definen en la nota del art\u00edculo\u00a00C004) de al menos un dos por ciento;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un di\u00e1metro m\u00e1ximo de 175\u00a0mm en el caso de los recipientes cil\u00edndricos; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una anchura m\u00e1xima de 75\u00a0mm en el caso de recipientes anulares o de poca altura<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de medici\u00f3n de neutrones, especialmente dise\u00f1ados o preparados para su integraci\u00f3n y uso con sistemas de control de procesos automatizados en plantas para el reprocesado de \u00aburanio natural\u00bb irradiado, \u00aburanio empobrecido\u00bb o \u00abmateriales fisionables especiales\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0B007<\/p>\n<\/td>\n

Plantas para la conversi\u00f3n del plutonio, as\u00ed como equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o preparados para ellas, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la conversi\u00f3n de nitrato de plutonio a \u00f3xido;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas para la producci\u00f3n de plutonio metal.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

0C<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0C001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abUranio natural\u00bb, \u00aburanio empobrecido\u00bb o torio en forma de metal, aleaci\u00f3n, compuesto qu\u00edmico o concentrado, as\u00ed como cualquier otro material que contenga uno o m\u00e1s de los anteriores;<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a00C001 no somete a control lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Cuatro gramos o menos de \u00aburanio natural\u00bb o \u00aburanio empobrecido\u00bb cuando est\u00e9n contenidos en un elemento sensor de un instrumento;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abUranio empobrecido\u00bb fabricado especialmente para las siguientes aplicaciones civiles no nucleares:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Lastres de masa no superior a\u00a0100\u00a0kg;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Contrapesos de masa no superior a\u00a0100\u00a0kg;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones que contengan menos del 5\u00a0% de torio;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos de cer\u00e1mica que contengan torio, fabricados para aplicaciones no nucleares.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0C002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abMateriales fisionables especiales\u00bb.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a00C002 no somete a control cuatro \u00abgramos efectivos\u00bb o menos cuando est\u00e9n contenidos en el elemento sensor de un instrumento.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0C003<\/p>\n<\/td>\n

Deuterio, agua pesada (\u00f3xido de deuterio) y otros compuestos del deuterio, as\u00ed como mezclas y soluciones que contengan deuterio, en las que la raz\u00f3n isot\u00f3pica entre deuterio e hidr\u00f3geno sea superior a\u00a01:5\u00a0000.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0C004<\/p>\n<\/td>\n

Grafito con un nivel de pureza superior a\u00a05\u00a0partes por mill\u00f3n de ‘equivalente de boro’ y con una densidad superior a\u00a01,50\u00a0g\/cm3<\/span> para su utilizaci\u00f3n en un \u00abreactor nuclear\u00bb, y en cantidades que excedan de 1\u00a0kg.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01C107.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del control de las exportaciones, las autoridades competentes del Estado miembro de la UE en el que est\u00e9 establecido el exportador determinar\u00e1n si las exportaciones de grafito que cumplan las especificaciones anteriores son para uso en un \u00abreactor nuclear\u00bb. El art\u00edculo\u00a00C004 no somete a control el grafito con un nivel de pureza superior a\u00a05\u00a0partes por mill\u00f3n de ‘equivalente de boro’ y con una densidad superior a\u00a01,50\u00a0g\/cm3<\/span> no destinado a ser utilizado en un \u00abreactor nuclear\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a00C004, el ‘equivalente de boro’ (BE) se define como la suma de BEz<\/span> para las impurezas (excluido el BEcarbono<\/span>, ya que el carbono no se considera una impureza), incluido el boro, siendo:<\/span><\/span><\/p>\n

BEZ<\/span> (ppm) = CF \u00d7 concentraci\u00f3n del elemento Z en ppm;<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

\"Imagen:<\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

y \u03c3B<\/span> y \u03c3Z<\/span> las secciones eficaces de captura de neutrones t\u00e9rmicos (en barnios) del boro producido naturalmente y del elemento Z, respectivamente; y AB<\/span> y AZ<\/span> las masas at\u00f3micas del boro producido naturalmente y del elemento Z, respectivamente.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0C005<\/p>\n<\/td>\n

Compuestos o polvos preparados especialmente para la fabricaci\u00f3n de barreras de difusi\u00f3n gaseosa resistentes a la corrosi\u00f3n por UF6<\/span> (por ejemplo, n\u00edquel o aleaciones que contengan el 60\u00a0% en peso o m\u00e1s de n\u00edquel, \u00f3xido de aluminio y pol\u00edmeros de hidrocarburos totalmente fluorados) de una pureza igual o superior al 99,9\u00a0% (en peso), con un tama\u00f1o de las part\u00edculas inferior a\u00a010\u00a0\u03bcm, de acuerdo con la norma ASTM B330, y una granulometr\u00eda de alto grado de uniformidad.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

0D<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de productos especificados en la presente categor\u00eda.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

0E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

0E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota de Tecnolog\u00eda Nuclear, para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los productos especificados en la presente categor\u00eda.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE III<\/p>\n

Categor\u00eda 1<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 1 \u2014 MATERIALES ESPECIALES Y EQUIPOS CONEXOS<\/span><\/p>\n

1A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A001<\/p>\n<\/td>\n

Componentes elaborados a partir de compuestos fluorados, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cierres herm\u00e9ticos, juntas de estanqueidad, sellantes o vejigas de combustible, dise\u00f1ados especialmente para uso en \u00abaeronaves\u00bb o espacial, constituidos por m\u00e1s del 50\u00a0% en peso de cualquiera de los materiales especificados en los subart\u00edculos 1C009.b o 1C009.c;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A002<\/p>\n<\/td>\n

Estructuras de materiales \u00abcompuestos\u00bb (composites) o laminados, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 1A202, 9A010 y\u00a09A110.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fabricados con cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abmatriz\u00bb org\u00e1nica y \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb especificados en los subart\u00edculos\u00a01C010.c o 1C010.d, o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos preimpregnados (prepregs) o preformas especificados en el subart\u00edculo\u00a01C010.e;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fabricados con una \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica o de carbono y uno de los siguientes elementos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de carbono que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abM\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb superior a\u00a010,15 \u00d7 106<\/span>\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abResistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb superior a\u00a017,7 \u00d7 104<\/span>\u00a0m; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales especificados en el subart\u00edculo\u00a01C010.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A002 no somete a control las estructuras o productos laminados de \u00abmateriales compuestos\u00bb (<\/span>composites) constituidos por \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de carbono impregnados con resina epox\u00eddica, para la reparaci\u00f3n de estructuras o productos laminados de \u00abaeronaves civiles\u00bb, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Superficie no superior a\u00a01\u00a0m2<\/span>;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud no superior a\u00a02,5\u00a0m; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Anchura superior a\u00a015\u00a0mm.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A002 no somete a control los productos semiacabados, dise\u00f1ados especialmente para aplicaciones de car\u00e1cter exclusivamente civil, seg\u00fan se indica:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Industria de m\u00e1quinas herramientas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01A002.b.1 no somete a control los productos semiacabados que contengan como m\u00e1ximo dos dimensiones de filamentos entrecruzados y que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para las siguientes aplicaciones:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Hornos de tratamiento t\u00e9rmico de metales para templado de metales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de producci\u00f3n de lingotes de silicio monocristalino.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A002 no somete a control los productos acabados dise\u00f1ados especialmente para una aplicaci\u00f3n en particular.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 5:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01A002.b.1. no somete a control los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de carbono picados, molidos o cortados por medios mec\u00e1nicos, de longitud inferior o igual a\u00a025,0\u00a0mm.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A003<\/p>\n<\/td>\n

Productos manufacturados de poliimidas arom\u00e1ticas no \u00abfundibles\u00bb, en forma de pel\u00edcula, hoja, banda o cinta que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espesor superior a\u00a00,254\u00a0mm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar revestidos o laminados con carbono, grafito, metales o sustancias magn\u00e9ticas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A003 no somete a control los productos manufacturados que est\u00e9n revestidos o laminados con cobre y dise\u00f1ados para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de placas de circuitos impresos electr\u00f3nicos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para las poliimidas arom\u00e1ticas \u00abfundibles\u00bb en cualquiera de sus formas, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a01C008.a.3.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A004<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de protecci\u00f3n y detecci\u00f3n y sus componentes no dise\u00f1ados especialmente para uso militar, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA, ART\u00cdCULOS 2B351 Y 2B352.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1scaras faciales completas, recipientes de filtros y equipos de descontaminaci\u00f3n para las mismas, dise\u00f1ados o modificados a efectos de la defensa contra cualquiera de los agentes o materiales siguientes, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01A004.a incluye los respiradores purificadores de aire dise\u00f1ados o modificados para la defensa contra agentes o materiales, que est\u00e1n incluidos en el subart\u00edculo\u00a01A004.a.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a01A004.a:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las m\u00e1scaras faciales completas tambi\u00e9n son conocidas como m\u00e1scaras de gas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los recipientes de filtros incluyen los cartuchos de filtros.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Materiales radiactivos’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Agentes para la guerra qu\u00edmica (CW); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAgentes antidisturbios\u00bb, incluidos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u03b1-Bromobencenoacetonitrilo, (cianuro de bromobencilo, CA) (CAS 5798-79-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

[(2-clorofenil)metileno] propanodinitrilo, (o-clorobencilidenemalononitrilo) (CS) (CAS 2698-41-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

2-cloro-1-feniletanona, cloruro de fenilacilo (\u03c9-cloroacetofenona, CN) (CAS 532-27-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dibenzo-(b, f)-1,4-oxazepina (CR) (CAS 257-07-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

10-cloro-5,10-dihidrofenarsacina (cloruro de fenarsacina), adamsita, DM) (CAS 578-94-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N-Nonanoilmorfolina (MPA) (CAS 5299-64-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Trajes, guantes y calzado de protecci\u00f3n, especialmente dise\u00f1ados o modificados para la defensa contra cualquiera de los agentes o materiales siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Materiales radiactivos’; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Agentes para la guerra qu\u00edmica (CW);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de detecci\u00f3n especialmente dise\u00f1ados o modificados para la detecci\u00f3n o identificaci\u00f3n de cualquiera de los agentes o materiales siguientes, y componentes dise\u00f1ados expresamente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Materiales radiactivos’; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Agentes para la guerra qu\u00edmica (CW);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos electr\u00f3nicos, dise\u00f1ados para detectar o identificar autom\u00e1ticamente la presencia de residuos de \u00abexplosivos\u00bb, que utilicen t\u00e9cnicas de ‘detecci\u00f3n de trazas’ (por ejemplo, ondas ac\u00fasticas de superficie, espectrometr\u00eda de movilidad de iones, espectrometr\u00eda de movilidad diferencial o espectrometr\u00eda de masas).<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01A004.d, la ‘detecci\u00f3n de trazas’ es la capacidad para detectar cantidades inferiores a\u00a01\u00a0ppm de vapor o inferiores a\u00a01\u00a0mg de sustancias s\u00f3lidas o l\u00edquidas.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01A004.d no somete a control los equipos dise\u00f1ados especialmente para su empleo en laboratorios.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01A004.d no somete a control los arcos de seguridad que han de atravesarse sin contacto.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A004 no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los dos\u00edmetros personales para el control de la radiaci\u00f3n;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los equipos de seguridad y salud de los trabajadores que, por su dise\u00f1o o funci\u00f3n, est\u00e9n limitados a la protecci\u00f3n contra riesgos relacionados espec\u00edficamente con la seguridad de los edificios residenciales o de las industrias civiles, con inclusi\u00f3n de:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

la explotaci\u00f3n de canteras;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

la industria farmac\u00e9utica;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

los productos sanitarios;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

los productos veterinarios;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

la gesti\u00f3n de residuos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

la industria alimentaria.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A004 incluye equipos y componentes que han sido identificados, han superado los ensayos correspondientes a las normas nacionales o han demostrado de alg\u00fan otro modo su eficacia, a la hora de detectar (o defenderse de) ‘materiales radiactivos’, \u00abagentes biol\u00f3gicos\u00bb, agentes para la guerra qu\u00edmica, ‘simuladores’ o \u00abagentes antidisturbios\u00bb, aun en caso de que dichos equipos o componentes sean utilizados en industrias del sector civil, como la miner\u00eda, la explotaci\u00f3n de canteras, el sector agrario, la industria farmac\u00e9utica, los productos sanitarios, los productos veterinarios, el medio ambiente, la gesti\u00f3n de residuos o la industria alimentaria.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘simulador’ es una sustancia o un material que se utiliza en lugar de un agente t\u00f3xico (qu\u00edmico o biol\u00f3gico) con fines de entrenamiento, investigaci\u00f3n, ensayo o evaluaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a01A004, los ‘materiales radiactivos’ son aquellos seleccionados o modificados a fin de aumentar su eficacia para producir bajas en la poblaci\u00f3n o en los animales, degradar equipos o da\u00f1ar las cosechas o el medio ambiente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A005<\/p>\n<\/td>\n

Trajes blindados y componentes de los mismos seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Trajes blindados blandos no manufacturados para cumplir est\u00e1ndares o especificaciones militares, o sus equivalentes, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Placas r\u00edgidas para trajes blindados que proporcionen protecci\u00f3n antibalas de nivel igual o inferior al nivel IIIA (NIJ 0101.06, julio de 2008) o sus \u00abnormas equivalentes\u00bb.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb utilizados en la fabricaci\u00f3n de trajes blindados, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a01C010.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A005 no somete a control los trajes blindados cuando sus usuarios los llevan para su protecci\u00f3n personal.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A005 no somete a control los trajes blindados dise\u00f1ados para proporcionar una protecci\u00f3n frontal exclusivamente contra la metralla y la onda expansiva procedentes de artefactos explosivos no militares.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A005 no somete a control los trajes blindados dise\u00f1ados para proporcionar una protecci\u00f3n \u00fanicamente contra traumatismos por agresiones con cuchillos, instrumentos punzantes, agujas u objetos contundentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A006<\/p>\n<\/td>\n

Equipos especialmente dise\u00f1ados o modificados para la eliminaci\u00f3n de artefactos explosivos improvisados (IED), seg\u00fan se indica, y componentes y accesorios dise\u00f1ados expresamente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos de control remoto;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Disruptores’<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a01A006.b. los ‘disruptores’ son dispositivos dise\u00f1ados especialmente para impedir el funcionamiento de un dispositivo explosivo mediante el lanzamiento de un l\u00edquido, un s\u00f3lido o un proyectil frangible.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota<\/span><\/span>:<\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01A006 no somete a control el equipo que va acompa\u00f1ado de su operador.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A007<\/p>\n<\/td>\n

Equipos y dispositivos dise\u00f1ados especialmente para activar por medios el\u00e9ctricos cargas y dispositivos que contengan \u00abmateriales energ\u00e9ticos\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA, ART\u00cdCULOS 3A229 Y 3A232.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a01A007, a veces se utiliza el t\u00e9rmino iniciador en vez de detonador.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conjuntos de ignici\u00f3n de detonador explosivo dise\u00f1ados para accionar los detonadores explosivos especificados en el subart\u00edculo\u00a01A007.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detonadores explosivos accionados el\u00e9ctricamente, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

De tipo puente explosivo (EB);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

De tipo puente explosivo con filamento met\u00e1lico (EBW);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Iniciadores de laminilla (EFI).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01A007.b, todos los detonadores en cuesti\u00f3n utilizan un peque\u00f1o conductor el\u00e9ctrico (de puente, de puente con filamento met\u00e1lico o de laminilla) que se vaporiza de forma explosiva cuando lo atraviesa un r\u00e1pido impulso el\u00e9ctrico de corriente elevada. En los tipos que no son de percutor, el conductor inicia, al explotar, una detonaci\u00f3n qu\u00edmica en un material altamente explosivo con el que est\u00e1 en contacto, como el tetranitrato de pentaeritritol (PETN). En los detonadores de percusi\u00f3n, la vaporizaci\u00f3n explosiva del conductor el\u00e9ctrico impulsa un elemento volador o percutor (<\/span>flyer o<\/span> slapper) a trav\u00e9s de un hueco, y el impacto de este elemento en el explosivo inicia una detonaci\u00f3n qu\u00edmica. En algunos modelos, el percutor va accionado por una fuerza magn\u00e9tica. El t\u00e9rmino detonador de laminilla puede referirse a un detonador EB o a un detonador de tipo percutor.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A008<\/p>\n<\/td>\n

Cargas, dispositivos y componentes, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Cargas moldeadas’ que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cantidad explosiva neta (NEQ) superior a\u00a090\u00a0g; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro de la cubierta externa superior o igual a\u00a075\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01A008.a, las ‘cargas moldeadas’ son cargas explosivas conformadas para concentrar los efectos de la carga explosiva.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cargas de corte lineal que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carga explosiva superior a\u00a040\u00a0g\/m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Anchura superior o igual a\u00a010\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cord\u00f3n detonante con un n\u00facleo explosivo de m\u00e1s de 64\u00a0g\/m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cortadores, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a01A008.b, y herramientas de separaci\u00f3n, que tengan una cantidad explosiva neta (NEQ) superior a\u00a03,5\u00a0kg.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A102<\/p>\n<\/td>\n

Componentes de carbono-carbono pirolizados resaturados dise\u00f1ados para las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A202<\/p>\n<\/td>\n

Estructuras de materiales compuestos (composites<\/span>) distintas de las especificadas en el art\u00edculo\u00a01A002, en forma de tubos de paredes delgadas, y que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 9A010 Y 9A110.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un di\u00e1metro interior de entre 75 y\u00a0650\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un espesor igual o inferior a\u00a012\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar elaboradas con alguno de los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb especificados en los subart\u00edculos\u00a01C010.a, 1C010.b o 1C210.a, o con los materiales de carbono preimpregnados especificados en el subart\u00edculo\u00a01C210.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A225<\/p>\n<\/td>\n

Catalizadores platinizados a prueba de humedad especialmente dise\u00f1ados o preparados para fomentar la reacci\u00f3n de intercambio de is\u00f3topos de hidr\u00f3geno entre hidr\u00f3geno y agua, para la recuperaci\u00f3n de tritio a partir de agua o para la producci\u00f3n o el enriquecimiento de agua pesada.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En los reactores moderados de agua pesada, los enriquecedores mantienen la concentraci\u00f3n de agua pesada en el n\u00facleo del reactor. Tambi\u00e9n pueden utilizarse catalizadores platinizados a prueba de humedad para enriquecer el agua pesada.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A226<\/p>\n<\/td>\n

Rellenos especiales que puedan usarse en la separaci\u00f3n de agua pesada del agua ordinaria que re\u00fanan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar fabricados de malla de bronce fosforoso con un tratamiento qu\u00edmico que mejore la humectabilidad; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para emplearse en columnas de destilaci\u00f3n de vac\u00edo.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1A227<\/p>\n<\/td>\n

Ventanas de protecci\u00f3n contra radiaciones de alta densidad (de vidrio de plomo u otro material) que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes, y los marcos dise\u00f1ados especialmente para ellas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘superficie fr\u00eda’ de m\u00e1s de 0,09\u00a0m2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Densidad superior a\u00a03\u00a0g\/cm3<\/span>; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un grosor de 100\u00a0mm o m\u00e1s.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a01A227, la ‘superficie fr\u00eda’ se refiere a la superficie de visi\u00f3n de la ventana expuesta al nivel m\u00e1s bajo de radiaci\u00f3n en la aplicaci\u00f3n de dise\u00f1o.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

1B<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B001<\/p>\n<\/td>\n

Equipos dise\u00f1ados para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de estructuras o laminados \u00abcompuestos\u00bb (composites<\/span>) o de \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb, seg\u00fan se indica, y componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 1B101 Y 1B201.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas para el devanado de filamentos, en las que los movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras est\u00e9n coordinados y programados en tres o m\u00e1s ejes ‘posicionados por un servomecanismo primario’, dise\u00f1adas especialmente para la fabricaci\u00f3n de estructuras de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) a partir de \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘M\u00e1quinas para el tendido de cintas’, en las que los movimientos de posicionado y de tendido de las cintas est\u00e9n coordinados y programados en cinco o m\u00e1s ejes ‘posicionados por un servomecanismo primario’, dise\u00f1adas especialmente para la fabricaci\u00f3n de estructuras de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) para fuselajes de aviones o ‘misiles’;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el subart\u00edculo\u00a01B001.b, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a01B001.b, las ‘m\u00e1quinas para el tendido de cintas’ tienen la capacidad de tender una o m\u00e1s ‘bandas de filamentos’ limitadas a bandas de anchura superior a\u00a025,4\u00a0mm e inferior o igual a\u00a0304,8\u00a0mm, y de cortar y reanudar cursos de ‘bandas de filamentos’ individuales durante el proceso de tendido.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de tejer o m\u00e1quinas de entrelazar multidireccionales y multidimensionales, incluidos los adaptadores y los conjuntos de modificaci\u00f3n, dise\u00f1adas o modificadas especialmente para tejer, entrelazar o trenzar fibras para estructuras de \u00abmateriales compuestos\u00bb(composites);<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01B001.c, la t\u00e9cnica de entrelazado incluye el punto tricotado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo especialmente dise\u00f1ado o modificado para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de los especificados en el art\u00edculo\u00a01C010, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos para la transformaci\u00f3n de fibras pol\u00edmeras (como poliacrilonitrilo, ray\u00f3n, brea o policarbosilano) en fibras de carbono o en fibras de carburo de silicio, incluyendo el dispositivo especial para tensar la fibra durante el calentamiento;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos para la deposici\u00f3n en fase de vapor mediante procedimiento qu\u00edmico de elementos o de compuestos, sobre sustratos filamentosos calentados, para la fabricaci\u00f3n de fibras de carburo de silicio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo para la hilatura en h\u00famedo de cer\u00e1micas refractarias (como el \u00f3xido de aluminio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos para la transformaci\u00f3n, mediante tratamiento t\u00e9rmico, de aluminio que contenga fibras de materiales precursores, en fibras de al\u00famina;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especialmente dise\u00f1ados o modificados para la producci\u00f3n de productos preimpregnados (prepregs<\/span>) por el ‘m\u00e9todo de fusi\u00f3n en caliente’;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01B001.e, el ‘m\u00e9todo de fusi\u00f3n en caliente’ es el proceso de aplicaci\u00f3n de presi\u00f3n y calor para impregnar \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb con resina prelaminada en un soporte portador, como pel\u00edcula o papel.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de inspecci\u00f3n no destructiva dise\u00f1ados especialmente para los \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites), del siguiente tipo:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de tomograf\u00eda de rayos X para inspecci\u00f3n tridimensional de defectos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de ensayo ultras\u00f3nicas controladas num\u00e9ricamente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simult\u00e1neamente y programados en cuatro o m\u00e1s ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘M\u00e1quinas para la colocaci\u00f3n de cabos’, en las que los movimientos de posicionado y de tendido de los cabos est\u00e9n coordinados y programados en dos o m\u00e1s ejes ‘posicionados por un servomecanismo primario’, dise\u00f1adas especialmente para la fabricaci\u00f3n de estructuras de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) para fuselajes de aviones o ‘misiles’.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a01B001.g, las ‘m\u00e1quinas para la colocaci\u00f3n de cabos’ tienen la capacidad de colocar una o m\u00e1s ‘bandas de filamentos’ de anchura inferior o igual a\u00a025,4\u00a0mm y de cortar y reanudar cursos de ‘bandas de filamentos’ individuales durante el proceso de tendido.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a01B001:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El control de los ejes ‘posicionados por un servomecanismo primario’, bajo la direcci\u00f3n de un \u00abprograma\u00bb inform\u00e1tico, es la posici\u00f3n en el espacio del efector terminal (es decir, la cabeza) en relaci\u00f3n con la pieza de trabajo, d\u00e1ndole la orientaci\u00f3n y la direcci\u00f3n correctas para la realizaci\u00f3n del proceso deseado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u2018banda de filamentos\u2019 es una \u00fanica anchura continua de cinta, cabo o fibra total o parcialmente impregnada de resina. Las ‘bandas de filamentos’ total o parcialmente impregnadas de resina incluyen las revestidas de polvo seco que se adhieren despu\u00e9s del calentamiento.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B002<\/p>\n<\/td>\n

Equipos dise\u00f1ados para producir polvo, o materiales en part\u00edculas, de aleaciones met\u00e1licas para materiales y que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para evitar la contaminaci\u00f3n; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para uso en uno de los procesos especificados en el subart\u00edculo\u00a01C002.c.2.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01B102.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B003<\/p>\n<\/td>\n

Herramientas, troqueles, moldes o montajes para la \u00abconformaci\u00f3n superpl\u00e1stica\u00bb o para la \u00abuni\u00f3n por difusi\u00f3n\u00bb del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, dise\u00f1ados especialmente para la fabricaci\u00f3n de cualquiera de los objetos siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores de \u00abaeronaves\u00bb o aeroespaciales; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente para las estructuras especificadas en el subart\u00edculo\u00a01B003.a o los motores precisados en el subart\u00edculo\u00a01B003.b.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B101<\/p>\n<\/td>\n

Equipos, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a01B001, para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de materiales compuestos (composites) estructurales, seg\u00fan se indica; y los componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01B201.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Son ejemplos de los componentes y accesorios para las m\u00e1quinas especificadas en el art\u00edculo\u00a01B101 los moldes, los mandriles, las matrices, los dispositivos y el utillaje para el prensado de preformaci\u00f3n, el curado, la fundici\u00f3n, la sinterizaci\u00f3n o el enlace de estructuras de materiales compuestos (composites), as\u00ed como los laminados y productos de las mismas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas para el devanado de filamentos o m\u00e1quinas para la colocaci\u00f3n de fibras, en las que los movimientos para el posicionado, enrollado y devanado de las fibras est\u00e9n coordinados y programados en tres o m\u00e1s ejes, que est\u00e9n dise\u00f1adas para fabricar estructuras o laminados de materiales compuestos (composites) a partir de \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb, y los controles de coordinaci\u00f3n y programaci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas para el tendido de cintas cuyos movimientos para posicionar y tender las cintas y l\u00e1minas est\u00e9n coordinados y programados en dos o m\u00e1s ejes, que est\u00e9n dise\u00f1adas para la fabricaci\u00f3n de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones y de \u00abmisiles\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo dise\u00f1ado o modificado para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo para la conversi\u00f3n de fibras polim\u00e9ricas (tales como el poliacrilonitrilo, el ray\u00f3n o el policarbosilano), incluido un mecanismo especial para tensar la fibra durante el calentamiento;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de dep\u00f3sito por vapor de elementos o compuestos sobre sustratos filamentosos calentados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo para la hilatura en h\u00famedo de cer\u00e1micas refractarias (como el \u00f3xido de aluminio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo dise\u00f1ado o modificado para el tratamiento especial de la superficie de las fibras o para producir los productos preimpregnados (prepregs) y las preformas especificados en el art\u00edculo\u00a09C110.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01B101.d incluye los rodillos, los tensores, los equipos de revestimiento y de corte y las matrices tipo clicker.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B102<\/p>\n<\/td>\n

\u00abEquipo de producci\u00f3n\u00bb de polvo met\u00e1lico, distinto de los especificados en el art\u00edculo\u00a01B002, y componentes seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL SUBART\u00cdCULO\u00a01B115.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEquipo de producci\u00f3n\u00bb de polvo met\u00e1lico utilizable para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb, en un ambiente controlado, de materiales esf\u00e9ricos, esferoidales o atomizados especificados en los subart\u00edculos\u00a01C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 o en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente para el \u00abequipo de producci\u00f3n\u00bb especificado en el art\u00edculo\u00a01B002 o en el subart\u00edculo\u00a01B102.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01B102 incluye:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Generadores de plasma (chorro de arco de alta frecuencia) utilizable para la obtenci\u00f3n de polvos met\u00e1licos esf\u00e9ricos o por deposici\u00f3n cat\u00f3dica (<\/span>sputtered) con la organizaci\u00f3n del proceso en un ambiente de arg\u00f3n-agua;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de electroexplosi\u00f3n (<\/span>electroburst) utilizable para la obtenci\u00f3n de polvos met\u00e1licos esf\u00e9ricos o por deposici\u00f3n cat\u00f3dica (<\/span>sputtered) con la organizaci\u00f3n del proceso en un ambiente de arg\u00f3n-agua;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo utilizable para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de polvos esf\u00e9ricos de aluminio mediante el espolvoreado de un material fundido en un medio inerte (por ejemplo, nitr\u00f3geno).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B115<\/p>\n<\/td>\n

Equipos, distintos de los especificados en los art\u00edculos\u00a01B002 o 1B102, para la producci\u00f3n de propulsantes o de constituyentes de propulsantes, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEquipo de producci\u00f3n\u00bb para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb, manejo o pruebas de aceptaci\u00f3n de los propulsantes l\u00edquidos o constituyentes de propulsantes l\u00edquidos especificados en los subart\u00edculos\u00a01C011.a, 1C011.b, en el art\u00edculo\u00a01C111 o en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEquipo de producci\u00f3n\u00bb para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb, la manipulaci\u00f3n, la mezcla, el curado, el moldeado, el prensado, el mecanizado, la extrusi\u00f3n y los ensayos de aceptaci\u00f3n de los propulsantes s\u00f3lidos o los constituyentes de propulsantes s\u00f3lidos especificados en los subart\u00edculos\u00a01C011.a, 1C011.b, en el art\u00edculo\u00a01C111 o en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01B115.b no somete a control las mezcladoras por lotes, las mezcladoras continuas o los molinos de energ\u00eda fluida. Para el control de las mezcladoras por lotes, las mezcladoras continuas y los molinos de energ\u00eda fluida, v\u00e9ase los art\u00edculos 1B117, 1B118 y\u00a01B119.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En relaci\u00f3n con los equipos dise\u00f1ados especialmente para la producci\u00f3n de material militar, v\u00e9ase la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01B115 no somete a control el equipo para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb, la manipulaci\u00f3n y los ensayos de aceptaci\u00f3n del carburo de boro.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B116<\/p>\n<\/td>\n

Toberas dise\u00f1adas especialmente para producir materiales derivados pirol\u00edticamente, formados en un molde, mandril u otro sustrato a partir de gases precursores que se descompongan en el intervalo de temperaturas de 1\u00a0573\u00a0K (1\u00a0300o<\/span>C) a 3\u00a0173\u00a0K (2\u00a0900o<\/span>C) a presiones de 130\u00a0Pa a\u00a020\u00a0kPa.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B117<\/p>\n<\/td>\n

Mezcladoras por lotes, que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1adas o modificadas para la mezcla en vac\u00edo en la banda de cero a\u00a013,326\u00a0kPa,<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de controlar la temperatura de la c\u00e1mara de mezclado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con una capacidad volum\u00e9trica total de 110\u00a0litros o m\u00e1s; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Al menos un ‘eje mezclador\/amasador’ descentrado.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el subart\u00edculo\u00a01B117.d, el t\u00e9rmino ‘eje mezclador\/amasador’ no se refiere a desaglomeradores o husillos cortantes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B118<\/p>\n<\/td>\n

Mezcladoras continuas, que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1adas o modificadas para la mezcla en vac\u00edo en la banda de cero a\u00a013,326\u00a0kPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de controlar la temperatura de la c\u00e1mara de mezclado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las operaciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dos o m\u00e1s ejes mezcladores\/amasadores; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Todos los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un eje \u00fanico rotatorio oscilante con p\u00faas o dientes amasadores; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

P\u00faas o dientes amasadores en el interior de la carcasa de la c\u00e1mara de mezcla.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B119<\/p>\n<\/td>\n

Molinos de energ\u00eda fluida utilizables para moler o triturar las sustancias especificadas en los subart\u00edculos\u00a01C011.a, 1C011.b, en el art\u00edculo\u00a01C111 o en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa, as\u00ed como los componentes dise\u00f1ados especialmente para los mismos.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B201<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas para el devanado de filamentos distintas de las especificadas en los art\u00edculos\u00a01B001 o 1B101 y equipo relacionado, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas para el devanado de filamentos que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Efectuar movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras coordinados y programados en dos o m\u00e1s ejes;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1adas especialmente para elaborar estructuras de materiales compuestos (composites) o laminados a partir de \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener capacidad para devanar tubos cil\u00edndricos de di\u00e1metro interno entre 75\u00a0mm y\u00a0650\u00a0mm y de longitud igual o superior a\u00a0300\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Controles de coordinaci\u00f3n y programaci\u00f3n destinados a las m\u00e1quinas para el devanado de filamentos especificadas en el subart\u00edculo\u00a01B201.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mandriles de precisi\u00f3n destinados a las m\u00e1quinas para el devanado de filamentos especificadas en el subart\u00edculo\u00a01B201.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B225<\/p>\n<\/td>\n

C\u00e9lulas electrol\u00edticas para la producci\u00f3n de fl\u00faor con capacidad de producci\u00f3n superior a\u00a0250\u00a0g de fl\u00faor por hora.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B226<\/p>\n<\/td>\n

Separadores electromagn\u00e9ticos de is\u00f3topos, dise\u00f1ados para fuentes de iones \u00fanicos o m\u00faltiples, o equipados con estas, capaces de proporcionar una corriente total de haz de iones de 50\u00a0mA o m\u00e1s.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01B226 incluye separadores:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de enriquecer is\u00f3topos estables;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Con las fuentes y colectores de iones situados en el campo magn\u00e9tico, y tambi\u00e9n aquellos en los que estas configuraciones son externas al campo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B228<\/p>\n<\/td>\n

Columnas de destilaci\u00f3n criog\u00e9nica de hidr\u00f3geno que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1adas para funcionar a temperaturas internas en la gama de 15\u00a0K (\u2013\u00a0258\u202f\u00b0C) a\u00a035\u00a0K (\u2013\u00a0238\u202f\u00b0C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1adas para funcionar a presiones internas en la gama de 0,1 a\u00a01\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar fabricadas con:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acero inoxidable austen\u00edtico; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales equivalentes que sean criog\u00e9nicos y compatibles con el hidr\u00f3geno (H2<\/span>) entre los 15 K (\u2013\u00a0258\u202f\u00b0C) y los 35 K (\u2013\u00a0238\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener di\u00e1metros interiores de 30\u00a0cm o m\u00e1s y ‘longitudes efectivas’ de 4\u00a0m o m\u00e1s.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica 1:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a01B228, la ‘longitud efectiva’ es la altura activa del material de envasado en una columna tipo apilada, o bien la altura activa de las placas de un contactor interno en una columna tipo placa.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica 2:<\/span><\/span><\/p>\n

Los materiales equivalentes pueden comprender, sin car\u00e1cter exhaustivo, los siguientes materiales:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

aleaciones de aluminio,<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

aleaciones de n\u00edquel, y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B230<\/p>\n<\/td>\n

Bombas capaces de hacer circular soluciones de catalizador concentrado o diluido de amida de potasio en amon\u00edaco l\u00edquido (KNH2<\/span>\/NH3<\/span>) que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser estancas al aire (es decir, cerradas herm\u00e9ticamente);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener una capacidad superior a\u00a08,5\u00a0m3<\/span>\/h; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para soluciones concentradas de amida de potasio (1\u00a0% o m\u00e1s), una presi\u00f3n de funcionamiento de 1,5 a\u00a060\u00a0MPa; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para soluciones diluidas de amida de potasio (menos del 1\u00a0%), una presi\u00f3n de funcionamiento de 20 a\u00a060\u00a0MPa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B231<\/p>\n<\/td>\n

Instalaciones o plantas de tritio y equipos para ellas, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instalaciones o plantas para la producci\u00f3n, la recuperaci\u00f3n, la extracci\u00f3n, la concentraci\u00f3n o la manipulaci\u00f3n de tritio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos para instalaciones o plantas de tritio, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de refrigeraci\u00f3n de hidr\u00f3geno o helio capaces de refrigerar hasta 23\u00a0K (\u2013\u00a0250\u202f\u00b0C) o menos, con una capacidad de eliminaci\u00f3n de calor superior a\u00a0150\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de almacenamiento o purificaci\u00f3n de is\u00f3topos de hidr\u00f3geno que utilicen hidruros de metal como medio de almacenamiento o de purificaci\u00f3n.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B232<\/p>\n<\/td>\n

Turboexpansores o conjuntos de turboexpansor y compresor que presenten las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para funcionar con una temperatura a la salida de 35 K (\u2013\u00a0238\u202f\u00b0C) o inferior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para un caudal de hidr\u00f3geno gaseoso de 1\u00a0000\u00a0kg\/h o m\u00e1s.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B233<\/p>\n<\/td>\n

Instalaciones o plantas de separaci\u00f3n de is\u00f3topos de litio y sistemas y equipos para ellas, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instalaciones o plantas para la separaci\u00f3n de is\u00f3topos de litio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo para la separaci\u00f3n de is\u00f3topos de litio basado en el proceso de amalgama de litio-mercurio, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Columnas compactas de intercambio l\u00edquido-l\u00edquido, dise\u00f1adas especialmente para amalgamas de litio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bombas de amalgamas de mercurio o de litio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e9lulas de electr\u00f3lisis para amalgamas de litio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Evaporadores para soluci\u00f3n concentrada de hidr\u00f3xido de litio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de intercambio de iones dise\u00f1ados especialmente para la separaci\u00f3n de is\u00f3topos de litio, y componentes dise\u00f1ados expresamente para ellos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de intercambio qu\u00edmico (que utilicen \u00e9teres de corona, criptandos o \u00e9teres de lazo) dise\u00f1ados especialmente para la separaci\u00f3n de is\u00f3topos de litio, y los componentes dise\u00f1ados expresamente para ellos<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B234<\/p>\n<\/td>\n

Recipientes de contenci\u00f3n de explosivos de gran potencia, c\u00e1maras, contenedores y otros dispositivos de contenci\u00f3n similares, dise\u00f1ados para los ensayos de explosivos o artefactos explosivos de gran potencia, y que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para contener totalmente una explosi\u00f3n equivalente a\u00a02\u00a0kg de trinitrotolueno (TNT) o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Presentar caracter\u00edsticas o elementos de dise\u00f1o que permitan la transferencia de informaci\u00f3n sobre la medici\u00f3n o el diagn\u00f3stico en tiempo real o con retraso.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1B235<\/p>\n<\/td>\n

Conjuntos de dianas y componentes para la producci\u00f3n de tritio, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conjuntos de dianas hechos de litio enriquecido con el is\u00f3topo litio-6 o que lo contengan, dise\u00f1ados para la producci\u00f3n de tritio mediante irradiaci\u00f3n, incluida la inserci\u00f3n en un reactor nuclear;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente para los conjuntos de dianas especificados en el subart\u00edculo\u00a01B235.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Los componentes dise\u00f1ados especialmente para los conjuntos de dianas para la producci\u00f3n de tritio pueden incluir gr\u00e1nulos de litio, absorbentes de tritio y vainas con revestimiento especial.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

1C<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Metales y aleaciones:<\/span><\/p>\n

Salvo indicaci\u00f3n contraria, las palabras ‘metales’ y ‘aleaciones’ en los art\u00edculos 1C001 a\u00a01C012 abarcan las formas brutas y semielaboradas, como sigue:<\/span><\/p>\n

Formas brutas:<\/span><\/p>\n

\u00c1nodos, bolas, varillas (incluidas las probetas entalladas y el alambr\u00f3n), tochos, bloques, lupias, briquetas, tortas, c\u00e1todos, cristales, cubos, dados, granos, gr\u00e1nulos, lingotes, terrones, pastillas, panes, polvo, discos, granalla, zamarras, pepitas, esponja, estacas;<\/span><\/p>\n

Formas semielaboradas (est\u00e9n o no revestidas, chapadas, perforadas o troqueladas):<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales labrados o trabajados, elaborados mediante laminado, trefilado, extrusi\u00f3n, forja, extrusi\u00f3n por percusi\u00f3n, prensado, granulado, pulverizaci\u00f3n y rectificado, es decir: \u00e1ngulos, hierros en U, c\u00edrculos, discos, polvo, limaduras, hoja y l\u00e1minas, forjados, planchas, microgr\u00e1nulos, piezas prensadas y estampadas, cintas, aros, varillas (incluidas las varillas de soldadura sin revestimiento, las varillas de alambre y el alambre laminado), perfiles, perfiles laminados, flejes, ca\u00f1os y tubos (incluidos los redondos, cuadrados y los tubos cortos redondeados de paredes gruesas para la fabricaci\u00f3n de tubos sin costura), alambre trefilado o extrudido;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Material vaciado mediante moldeado con arena, troquel, moldes de metal, de escayola o de otro tipo, incluida la fundici\u00f3n de alta presi\u00f3n, los sinterizados y las formas obtenidas por pulvimetalurgia.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

No debe poder eludirse el objetivo del control mediante la exportaci\u00f3n de formas no citadas en la lista que se presenten como productos acabados, pero que sean en realidad formas brutas o semielaboradas.<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C001<\/p>\n<\/td>\n

Materiales dise\u00f1ados especialmente para absorber la radiaci\u00f3n electromagn\u00e9tica, o pol\u00edmeros intr\u00ednsecamente conductores, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01C101.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales para la absorci\u00f3n de frecuencias superiores a\u00a02 \u00d7 108<\/span>\u00a0Hz e inferiores a\u00a03\u00a0\u00d7\u00a01012<\/span>\u00a0Hz;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C001.a no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los absorbedores de tipo capilar, constituidos por fibras naturales o sint\u00e9ticas, con carga no magn\u00e9tica para permitir la absorci\u00f3n;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los absorbedores sin p\u00e9rdida magn\u00e9tica cuya superficie incidente no sea de forma plana, comprendidas las pir\u00e1mides, los conos, los filos y las superficies convolutas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los absorbedores planos que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar fabricados con cualquiera de los siguientes materiales:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales de espuma pl\u00e1stica (flexibles o no flexibles) con carga de carbono, o materiales org\u00e1nicos, incluidos los aglomerantes, que produzcan un eco superior al 5\u00a0% en comparaci\u00f3n con el metal sobre un ancho de banda superior a \u00b1\u00a015\u00a0% de la frecuencia central de la energ\u00eda incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a\u00a0450\u00a0K (177\u202f\u00b0C); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales cer\u00e1micos que produzcan un eco superior al 20\u00a0% en comparaci\u00f3n con el metal sobre un ancho de banda superior a \u00b1\u00a015\u00a0% de la frecuencia central de la energ\u00eda incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a\u00a0800\u00a0K (527\u202f\u00b0C);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos de la nota del subart\u00edculo\u00a01C001.a: 1.c.1, las muestras para ensayos de absorci\u00f3n deber\u00e1n consistir en un cuadrado cuyo lado mida como m\u00ednimo cinco longitudes de onda de la frecuencia central situado en el campo lejano del elemento radiante.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Resistencia a la tracci\u00f3n inferior a\u00a07\u00a0x\u00a0106<\/span>\u00a0N\/m2<\/span>; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Resistencia a la compresi\u00f3n inferior a\u00a014\u00a0x\u00a0106<\/span>\u00a0N\/m2<\/span>;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Absorbedores planos fabricados con ferrita sinterizada que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Peso espec\u00edfico superior a\u00a04,4; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Temperatura m\u00e1xima de funcionamiento de 548\u00a0K (275\u202f\u00b0C) o menos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Absorbedores planos sin p\u00e9rdida magn\u00e9tica y elaborados a partir de material pl\u00e1stico de ‘espuma de estructura celular abierta\u2019 con densidad de 0,15\u00a0g\/cm3<\/span> o inferior.<\/span><\/p>\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

A efectos de la nota 1.e del subart\u00edculo\u00a01C001.a, las ‘espumas de estructura celular abierta’ son materiales flexibles y porosos, que tienen una estructura interna abierta a la atm\u00f3sfera. Las ‘espumas de estructura celular abierta’ tambi\u00e9n se denominan espumas reticuladas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Ninguna de las disposiciones de la nota 1 del subart\u00edculo\u00a01C001.a autoriza la exportaci\u00f3n de los materiales magn\u00e9ticos que permiten la absorci\u00f3n cuando est\u00e1n contenidos en pintura.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales no transparentes a la luz visible y dise\u00f1ados especialmente para absorber la radiaci\u00f3n infrarroja de onda corta con una longitud de onda superior a\u00a0810\u00a0nm pero inferior a 2\u00a0000\u00a0nm (frecuencias superiores a\u00a0150\u00a0THz pero inferiores a\u00a0370\u00a0THz);<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C001.b no somete a control los materiales especialmente dise\u00f1ados o formulados para cualquiera de las siguientes aplicaciones:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El marcado por \u00abl\u00e1ser\u00bb de pol\u00edmeros; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La soldadura por \u00abl\u00e1ser\u00bb de pol\u00edmeros.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales pol\u00edmeros intr\u00ednsecamente conductores con una ‘conductividad el\u00e9ctrica en volumen’ superior a 10\u00a0000\u00a0S\/m (siemens por metro) o una ‘resistividad laminar (superficial)’ inferior a\u00a0100\u00a0ohmios\/cuadrado, basados en uno de los pol\u00edmeros siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polifenileno-vinileno; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Politienileno-vinileno.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C001.c no somete a control los materiales en forma l\u00edquida.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01C001.c, la ‘conductividad el\u00e9ctrica en volumen’ y la ‘resistividad laminar (superficial)’ se determinar\u00e1n con arreglo a la norma ASTM D-257 o a otras normas nacionales equivalentes.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C002<\/p>\n<\/td>\n

Aleaciones met\u00e1licas, polvo de aleaciones met\u00e1licas o materiales aleados seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01C202.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C002 no somete a control las aleaciones met\u00e1licas, el polvo de aleaciones met\u00e1licas ni los materiales aleados obtenidos mediante una f\u00f3rmula especial para fines de revestimiento.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a01C002, las aleaciones met\u00e1licas son aquellas que contienen un porcentaje en peso m\u00e1s elevado del metal indicado que de cualquier otro elemento.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros de n\u00edquel que contengan un m\u00ednimo del 15\u00a0% en peso de aluminio, un m\u00e1ximo del 38\u00a0% en peso de aluminio y al menos un elemento de aleaci\u00f3n adicional;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros de titanio que contengan al menos el 10\u00a0% en peso de aluminio y al menos un elemento de aleaci\u00f3n adicional;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones met\u00e1licas, seg\u00fan se indica, compuestas del polvo o material en part\u00edculas especificados en el subart\u00edculo\u00a01C002.c:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de n\u00edquel que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resistencia a la rotura por esfuerzos’ de 10\u00a0000 horas o m\u00e1s, a\u00a0923\u00a0K (650\u202f\u00b0C) con un esfuerzo de 676\u00a0MPa; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resistencia a la fatiga en un n\u00famero reducido de ciclos’ de 10\u00a0000 ciclos o m\u00e1s a\u00a0823\u00a0K (550\u202f\u00b0C) con un esfuerzo m\u00e1ximo de 1\u00a0095\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de niobio que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resistencia a la rotura por esfuerzos’ de 10\u00a0000 horas o m\u00e1s, a 1\u00a0073\u00a0K (800\u202f\u00b0C) con un esfuerzo de 400\u00a0MPa; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resistencia a la fatiga en un n\u00famero reducido de ciclos’ de 10\u00a0000 ciclos o m\u00e1s a\u00a0973\u00a0K (700\u202f\u00b0C) con un esfuerzo m\u00e1ximo de 700\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de titanio que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resistencia a la rotura por esfuerzos’ de 10\u00a0000 horas o m\u00e1s, a\u00a0723\u00a0K (450\u202f\u00b0C) con un esfuerzo de 200\u00a0MPa; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resistencia a la fatiga en un n\u00famero reducido de ciclos’ de 10\u00a0000 ciclos o m\u00e1s a\u00a0723\u00a0K (450\u202f\u00b0C) con un esfuerzo m\u00e1ximo de 400\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de aluminio que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una resistencia a la tracci\u00f3n igual o superior a\u00a0240\u00a0MPa a\u00a0473\u00a0K (200\u202f\u00b0C); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una resistencia a la tracci\u00f3n igual o superior a\u00a0415\u00a0MPa a\u00a0298\u00a0K (25\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de magnesio que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una resistencia a la tracci\u00f3n igual o superior a\u00a0345\u00a0MPa; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una velocidad de corrosi\u00f3n inferior a\u00a01\u00a0mm\/a\u00f1o en una soluci\u00f3n acuosa de cloruro de sodio al 3\u00a0%, medida con arreglo a la norma G-31 de la ASTM o a normas nacionales equivalentes;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01C002.b:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘resistencia a la rotura por esfuerzos’ se medir\u00e1 con arreglo a la norma E-139 de la ASTM o a otras normas nacionales equivalentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘resistencia a la fatiga en un n\u00famero reducido de ciclos’ se medir\u00e1 con arreglo a la norma E-606 de la ASTM (‘M\u00e9todo Recomendado para el Ensayo de Resistencia a la Fatiga’ por un peque\u00f1o n\u00famero de ciclos a amplitud constante) o a otras normas nacionales equivalentes. El ensayo ser\u00e1 axial, con una relaci\u00f3n media de esfuerzos igual a\u00a01 y un coeficiente de concentraci\u00f3n de esfuerzos (Kt<\/span>) igual a\u00a01. La relaci\u00f3n media de esfuerzos se define como el esfuerzo m\u00e1ximo menos el esfuerzo m\u00ednimo dividido por el esfuerzo m\u00e1ximo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polvo, o material en part\u00edculas, de aleaciones met\u00e1licas para materiales, que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar constituidos por cualquiera de los sistemas de composici\u00f3n siguientes:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01C002.c.1, X equivale a uno o m\u00e1s elementos de aleaci\u00f3n.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de n\u00edquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al) calificadas para las piezas o componentes de motores de turbina, es decir, con menos de 3 part\u00edculas no met\u00e1licas (introducidas durante el proceso de fabricaci\u00f3n) mayores de 100\u00a0\u03bcm en\u00a0109<\/span> part\u00edculas de aleaci\u00f3n;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C002.c.1.a incluye las aleaciones de n\u00edquel calificadas para motores de turbina de gas aeron\u00e1uticos, derivados de la aeron\u00e1utica, industriales o marinos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de niobio (Nb-Al-X o Nb-X-Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o NbXTi);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de aluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de magnesio (Mg-Al-X o Mg-X-Al);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser obtenidos en un ambiente controlado mediante cualquiera de los procedimientos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n al vac\u00edo’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n por gas’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n rotatoria’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Enfriamiento brusco por colisi\u00f3n y rotaci\u00f3n’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Enfriamiento brusco por impacto’ y ‘trituraci\u00f3n’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Extracci\u00f3n en fusi\u00f3n’ y ‘trituraci\u00f3n’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n por plasma’; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n ultras\u00f3nica’; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser aptos para formar los materiales especificados en los subart\u00edculos 1C002.a o 1C002.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales en aleaci\u00f3n que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar constituidos por cualquiera de los sistemas de composici\u00f3n especificados en el subart\u00edculo\u00a01C002.c.1;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

En forma de escamas, cintas o varillas no trituradas; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes m\u00e9todos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Enfriamiento brusco por colisi\u00f3n y rotaci\u00f3n’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Enfriamiento brusco por impacto’; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Extracci\u00f3n en fusi\u00f3n’.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a01C002:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n al vac\u00edo’: es un procedimiento para reducir un flujo de metal fundido a gotas de 500\u00a0\u03bcm de di\u00e1metro o menos, por la liberaci\u00f3n r\u00e1pida de un gas disuelto, mediante la exposici\u00f3n al vac\u00edo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n por gas’: es un procedimiento para reducir un flujo de aleaci\u00f3n met\u00e1lica fundida a gotas de 500\u00a0\u03bcm de di\u00e1metro o menos mediante una corriente de gas a alta presi\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n rotatoria’: es un procedimiento destinado a reducir un flujo o un dep\u00f3sito de metal fundido a gotas de 500\u00a0\u03bcm de di\u00e1metro o menos mediante la fuerza centr\u00edfuga.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Enfriamiento brusco por colisi\u00f3n y rotaci\u00f3n’: es un proceso destinado a ‘solidificar r\u00e1pidamente’ un chorro de metal fundido mediante la colisi\u00f3n contra un bloque enfriado en rotaci\u00f3n, para obtener un producto en forma de escamas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Enfriamiento brusco por impacto’: es un procedimiento para ‘solidificar r\u00e1pidamente’ un chorro de metal fundido mediante el impacto contra un bloque enfriado, de modo que se obtenga un producto en forma de escamas, cintas o varillas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Trituraci\u00f3n’: es el procedimiento destinado a reducir un material a part\u00edculas mediante machaqueo o amolado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Extracci\u00f3n en fusi\u00f3n’: es un proceso utilizado para ‘solidificar r\u00e1pidamente’ y extraer una aleaci\u00f3n en forma de cinta mediante la inserci\u00f3n de un segmento corto de un bloque fr\u00edo en rotaci\u00f3n, en un ba\u00f1o de una aleaci\u00f3n met\u00e1lica fundida.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaci\u00f3n mec\u00e1nica’: es un proceso de aleaci\u00f3n resultante de la uni\u00f3n, fractura y nueva uni\u00f3n de polvos de aleaci\u00f3n (polvos elementales y polvos madre) mediante choque mec\u00e1nico. Se pueden incorporar a la aleaci\u00f3n part\u00edculas no met\u00e1licas mediante la adici\u00f3n de los polvos apropiados.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n por plasma’: es un procedimiento para reducir un flujo fundido o metal s\u00f3lido a gotas de 500\u00a0\u03bcm de di\u00e1metro o menos, utilizando antorchas de plasma en un ambiente de gas inerte.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Atomizaci\u00f3n ultras\u00f3nica’: es un procedimiento para reducir un flujo de aleaci\u00f3n met\u00e1lica fundida a gotas de 500\u00a0\u03bcm de di\u00e1metro o menos mediante vibraci\u00f3n ultras\u00f3nica.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

A efectos de las notas t\u00e9cnicas del art\u00edculo\u00a01C002, ‘solidificar r\u00e1pidamente’ es un procedimiento que incluye la solidificaci\u00f3n de material fundido a velocidades de enfriamiento superiores a 1\u00a0000\u00a0K\/s.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C003<\/p>\n<\/td>\n

Metales magn\u00e9ticos de todos los tipos y en todas las formas, que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Permeabilidad relativa inicial igual o superior a 120\u00a0000 y espesor igual o inferior a\u00a00,05\u00a0mm;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01C003.a, la permeabilidad relativa inicial debe medirse con materiales completamente recocidos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones magnetoestrictivas que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una magnetoestricci\u00f3n de saturaci\u00f3n superior a\u00a05\u00a0x\u00a010-4<\/span>; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un factor de acoplamiento magnetomec\u00e1nico (k) superior a\u00a00,8; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bandas de aleaci\u00f3n amorfa o ‘nanocristalina’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Composici\u00f3n que tenga un\u00a075\u00a0% en peso como m\u00ednimo de hierro, cobalto o n\u00edquel;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inducci\u00f3n magn\u00e9tica de saturaci\u00f3n (Bs<\/span>) igual o superior a\u00a01,6\u00a0T; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espesor de banda igual o inferior a\u00a00,02\u00a0mm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resistividad el\u00e9ctrica igual o superior a\u00a02\u00a0x\u00a010-4<\/span>\u00a0ohmios cm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01C003.c, los materiales ‘nanocristalinos’ son aquellos materiales con una granulometr\u00eda de cristales de 50\u00a0nm o menos, determinada por difracci\u00f3n con rayos X.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C004<\/p>\n<\/td>\n

Aleaciones de uranio titanio o aleaciones de wolframio con una \u00abmatriz\u00bb a base de hierro, n\u00edquel o cobre que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Densidad superior a\u00a017,5\u00a0g\/cm3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

L\u00edmite de elasticidad superior a\u00a0880\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resistencia a la rotura por tracci\u00f3n superior a 1\u00a0270\u00a0MPa; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Alargamiento superior al 8\u00a0%.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C005<\/p>\n<\/td>\n

Conductores de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) que sean \u00absuperconductores\u00bb en longitudes superiores a\u00a0100\u00a0m o que tengan una masa superior a\u00a0100\u00a0g, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conductores de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) \u00absuperconductores\u00bb que contengan uno o m\u00e1s ‘filamentos’ de niobio-titanio, con todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Incluidos en una \u00abmatriz\u00bb que no sea de cobre ni de una mezcla a base de cobre; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tengan un \u00e1rea de secci\u00f3n transversal inferior a\u00a00,28\u00a0x 10-4<\/span>\u00a0mm2<\/span> (di\u00e1metro de 6\u00a0\u03bcm para los ‘filamentos’ circulares);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conductores de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) que sean \u00absuperconductores\u00bb, constituidos por uno o m\u00e1s ‘filamentos’ \u00absuperconductores\u00bb que no sean de niobio-titanio y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abtemperatura cr\u00edtica\u00bb a una inducci\u00f3n magn\u00e9tica nula superior a\u00a09,85\u00a0K (\u2013\u00a0263,3\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que permanezcan en el estado \u00absuperconductor\u00bb a una temperatura de 4,2\u00a0K (-\u00a0268,95\u00a0\u00b0C) cuando est\u00e9n expuestos a un campo magn\u00e9tico orientado en cualquier direcci\u00f3n perpendicular al eje longitudinal del conductor y correspondiente a una inducci\u00f3n magn\u00e9tica de 12\u00a0T con una densidad de corriente cr\u00edtica superior a 1\u00a0750\u00a0A\/mm2<\/span> en la secci\u00f3n transversal global del conductor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conductores de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) \u00absuperconductores\u00bb consistentes en uno o m\u00e1s ‘filamentos’ \u00absuperconductores\u00bb que permanezcan en el estado \u00absuperconductor\u00bb a una temperatura superior a\u00a0115 K (-\u00a0158,15\u00a0\u00b0C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a01C005, los ‘filamentos’ podr\u00e1n tener forma de hilo, cilindro, pel\u00edcula, banda o cinta.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C006<\/p>\n<\/td>\n

Fluidos y sustancias lubricantes, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustancias lubricantes que contengan, como ingredientes principales, \u00e9teres o tio\u00e9teres de fenilenos o de alquilfenilenos, o bien sus mezclas, que contengan m\u00e1s de dos funciones \u00e9ter o tio\u00e9ter o bien sus mezclas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluidos de amortiguaci\u00f3n o de flotaci\u00f3n que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una pureza superior al 99,8\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contengan menos de 25 part\u00edculas de un tama\u00f1o igual o superior a\u00a0200\u00a0\u03bcm por 100\u00a0ml; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n constituidos en un\u00a085\u00a0% como m\u00ednimo por cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dibromotetrafluoretano (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Policlorotrifluoretileno (solo modificaciones oleosas y c\u00e9reas); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polibromotrifluoretileno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluidos de fluorocarbonos dise\u00f1ados para la refrigeraci\u00f3n electr\u00f3nica y que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contengan, como m\u00ednimo, el 85\u00a0% en peso de cualquiera de las siguientes sustancias, o mezclas de las mismas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Formas monom\u00e9ricas de perfluoropolialquil\u00e9ter-triacinas o \u00e9teres perfluoroalif\u00e1ticos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Perfluorocicloalcanos; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Densidad a\u00a0298\u00a0K (25\u202f\u00b0C) de 1,5\u00a0g\/ml o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

En estado l\u00edquido a\u00a0273\u00a0K (0\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contengan como m\u00ednimo el 60\u00a0% en peso de fl\u00faor.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C006.d no somete a control los materiales especificados y envasados como productos m\u00e9dicos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C007<\/p>\n<\/td>\n

Polvos cer\u00e1micos, \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb cer\u00e1mica y ‘materiales precursores’, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01C107.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polvos cer\u00e1micos de diboruro de titanio (TiB2<\/span>) (CAS 12045-63-5) que contengan un total de impurezas met\u00e1licas, excluidas las adiciones intencionales, inferior a 5\u00a0000\u00a0ppm, un tama\u00f1o medio de part\u00edcula igual o inferior a\u00a05\u00a0\u03bcm y no m\u00e1s de un\u00a010\u00a0% de part\u00edculas mayores de 10\u00a0\u03bcm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb cer\u00e1mica seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) cer\u00e1mica-cer\u00e1mica con \u00abmatriz\u00bb de vidrio o de \u00f3xido, y reforzados con cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fibras de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Al2<\/span>O3<\/span> (CAS 1344-28-1); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C007.c.1.a no somete a control los \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) que contengan fibras con una resistencia a la tracci\u00f3n inferior a\u00a0700\u00a0MPa a 1\u00a0273\u00a0K (1\u00a0000\u00a0\u00b0C) o con una resistencia a la termofluencia por tracci\u00f3n de m\u00e1s de 1\u00a0% de deformaci\u00f3n con una carga de 100\u00a0MPa a 1\u00a0273\u00a0K (1\u00a0000\u00a0\u00b0C) durante 100 horas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fibras que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Constituidas por cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con una \u00abresistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb superior a\u00a012,7 \u00d7 103<\/span>m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb cer\u00e1mica, con una \u00abmatriz\u00bb formada por carburos o nitruros de silicio, circonio o boro;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Materiales precursores’ especialmente dise\u00f1ados para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los materiales especificados en el subart\u00edculo\u00a01C007.c, seg\u00fan se indica:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos del art\u00edculo\u00a01C007, los ‘materiales precursores’ son materiales pol\u00edmeros u organomet\u00e1licos para fines especiales utilizados para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de carburo de silicio, nitruro de silicio o materiales cer\u00e1micos con silicio, carbono y nitr\u00f3geno.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C008<\/p>\n<\/td>\n

Sustancias pol\u00edmeras no fluoradas, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Imidas, como sigue:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Poliamidas-imidas (PAI) arom\u00e1ticas que tengan una ‘temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea (Tg<\/span>)’ superior a\u00a0563\u00a0K (290\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Poliimidas arom\u00e1ticas que tengan una ‘temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea (Tg<\/span>)’ superior a\u00a0505\u00a0K (232\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polieterimidas arom\u00e1ticas que tengan una ‘temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea (Tg<\/span>)’ superior a\u00a0563\u00a0K (290\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C008.a somete a control sustancias en forma \u00abfundible\u00bb l\u00edquida o s\u00f3lida, incluidas la resina, el polvo, el gr\u00e1nulo, la pel\u00edcula, la hoja, la banda o la cinta.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para las poliimidas arom\u00e1ticas no \u00abfundibles\u00bb, en forma de pel\u00edcula, hoja, banda o cinta, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a01A003.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cetonas de poliarileno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sulfuros de poliarileno en los que el grupo arileno est\u00e1 constituido por bifenileno, trifenileno o combinaciones de ellos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polibifenilenetersulfona que tenga una ‘temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea (Tg<\/span>)’ superior a\u00a0563\u00a0K (290\u202f\u00b0C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de los materiales termopl\u00e1sticos del subart\u00edculo\u00a01C008.a.2, los materiales del subart\u00edculo\u00a01C008.a.4 y los materiales del subart\u00edculo\u00a01C008.f, la ‘temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea (Tg<\/span>)’ se determina mediante el m\u00e9todo descrito en la norma ISO 11357-2:1999 o las normas nacionales equivalentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de los materiales termoendurecibles del subart\u00edculo\u00a01C008.a.2 y los materiales del subart\u00edculo\u00a01C008.a.3, la ‘temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea (Tg<\/span>)’ se determina mediante el m\u00e9todo de curvatura de tres puntos descrito en la norma ASTM D 7028-07 o las normas nacionales equivalentes. El ensayo se realizar\u00e1 utilizando una muestra de ensayo seca que haya alcanzado un grado m\u00ednimo de cura del 90\u00a0%, tal como especifica la norma ASTM E 2160-04 o la norma nacional equivalente, y haya sido curada utilizando la combinaci\u00f3n de procesos est\u00e1ndar y posteriores a la cura que genere la mayor temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C009<\/p>\n<\/td>\n

Compuestos fluorados no tratados, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Poliimidas fluoradas que contengan el 10\u00a0% en peso o m\u00e1s de fl\u00faor combinado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elast\u00f3meros de fosfaceno fluorado que contengan el 30\u00a0% en peso o m\u00e1s de fl\u00faor combinado.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C010<\/p>\n<\/td>\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 1C210 Y 9C110.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del c\u00e1lculo de la \u00abresistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb, el \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb o el peso espec\u00edfico de los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de los subart\u00edculos\u00a01C010.a, 1C010.b, 1C010.c o 1C010.e.1.b, la resistencia a la tracci\u00f3n y el m\u00f3dulo deben determinarse utilizando el m\u00e9todo A descrito en la norma ISO\u00a010618:2004 o en normas nacionales equivalentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de la evaluaci\u00f3n de la \u00abresistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb, el \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb o el peso espec\u00edfico de los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb no unidireccionales (por ejemplo, tejidos, esterillas irregulares y trenzados) del art\u00edculo\u00a01C010, esta debe basarse en las propiedades mec\u00e1nicas de los monofilamentos unidireccionales constituyentes (por ejemplo, monofilamentos, hilos, cables o cabos) antes de su transformaci\u00f3n en \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb no unidireccionales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb org\u00e1nicos que cumplan todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abM\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb superior a\u00a012,7\u00a0x\u00a0106<\/span>\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abResistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb superior a\u00a023,5\u00a0x\u00a0104<\/span>\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C010.a no somete a control el polietileno.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de carbono que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abM\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb superior a\u00a014,65\u00a0x\u00a0106<\/span>\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abResistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb superior a\u00a026,82\u00a0x\u00a0104<\/span>\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C010.b no somete a control lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb para la reparaci\u00f3n de estructuras o productos laminados de \u00abaeronaves civiles\u00bb que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Superficie no superior a\u00a01\u00a0m2<\/span>;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud no superior a\u00a02,5\u00a0m; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Anchura superior a\u00a015\u00a0mm,<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de carbono picados, molidos o cortados por medios mec\u00e1nicos, de longitud inferior o igual a\u00a025,0\u00a0mm.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb inorg\u00e1nicos que cumplan todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

que contengan como m\u00ednimo el 50\u00a0% en peso de di\u00f3xido de silicio y que tengan un \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb superior a\u00a02,54\u00a0\u00d7\u00a0106<\/span>\u00a0m; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

que no est\u00e9n especificados en el art\u00edculo\u00a01C010.c.1.a y que tengan un \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb superior a\u00a05,6 \u00d7 106<\/span> m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Punto de fusi\u00f3n, de ablandamiento, de descomposici\u00f3n o de sublimaci\u00f3n superior a 1\u00a0922\u00a0K (1\u00a0649\u00a0\u00b0C) en ambiente inerte;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C010.c no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las fibras de al\u00famina policristalina multif\u00e1sica discontinua en forma de fibras picadas o de esterillas irregulares, que contengan el 3\u00a0% en peso o m\u00e1s de s\u00edlice y tengan un \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb inferior a\u00a010\u00a0x\u00a0106<\/span>\u00a0m;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las fibras de molibdeno y de aleaciones de molibdeno;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las fibras cer\u00e1micas discontinuas que tengan un punto de fusi\u00f3n, de ablandamiento, de descomposici\u00f3n o de sublimaci\u00f3n inferior a 2\u00a0043\u00a0K (1\u00a0770\u00a0\u00b0C) en ambiente inerte.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Constituidos por cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polieterimidas especificadas en el subart\u00edculo\u00a01C008.a; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales especificados en los subart\u00edculos\u00a01C008.d a\u00a01C008.f; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Constituidos por materiales especificados en los subart\u00edculos\u00a01C010.d.1.a o 1C010.d.1.b y ‘entremezclados’ con otras fibras especificadas en los subart\u00edculos\u00a01C010.a, 1C010.b o 1C010.c;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01C010.d.2, el ‘entremezclado’ es la mezcla, filamento a filamento, de fibras termopl\u00e1sticas y de fibras de refuerzo a fin de producir una mezcla \u00abmatriz\u00bb de refuerzo fibroso en forma totalmente fibrosa.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb total o parcialmente impregnados de resina o de brea (productos preimpregnados o prepregs), \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb revestidos de metal o de carbono (preformas) o ‘preformas de fibra de carbono’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb inorg\u00e1nicos especificados en el subart\u00edculo\u00a01C010.c; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb org\u00e1nicos que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abM\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb superior a\u00a010,15\u00a0x\u00a0106<\/span>\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abResistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb superior a\u00a017,7\u00a0x\u00a0104<\/span>\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resina o brea especificadas en el art\u00edculo\u00a01C008 o en el subart\u00edculo\u00a01C009.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea determinada mediante un an\u00e1lisis mec\u00e1nico din\u00e1mico (DMA Tg<\/span>)’ igual o superior a\u00a0453\u00a0K (180\u202f\u00b0C) y que tengan una resina fen\u00f3lica; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea determinada mediante un an\u00e1lisis mec\u00e1nico din\u00e1mico (DMA Tg<\/span>)’ igual o superior a\u00a0505\u00a0K (232\u202f\u00b0C), y que tengan una resina o brea no especificada en el art\u00edculo\u00a01C008 o en el subart\u00edculo\u00a01C009.b que no sea una resina fen\u00f3lica.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb revestidos de metal o de carbono (preformas) o las ‘preformas de fibra de carbono’, no impregnados de resina o brea, quedan especificados por los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb en los subart\u00edculos\u00a01C010.a, 1C010.b o 1C010.c.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C010.e no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de carbono impregnados con \u00abmatriz\u00bb de resina epox\u00eddica (productos preimpregnados o prepregs), para la reparaci\u00f3n de estructuras o productos laminados de \u00abaeronaves civiles\u00bb, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Superficie no superior a\u00a01\u00a0m2<\/span>;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud no superior a\u00a02,5\u00a0m; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Anchura superior a\u00a015\u00a0mm,<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de carbono impregnados total o parcialmente de resina o brea picados, molidos o cortados por medios mec\u00e1nicos, de longitud inferior o igual a\u00a025,0\u00a0mm, cuando se emplee una resina o brea distinta de las especificadas en el art\u00edculo\u00a01C008 o en el subart\u00edculo\u00a01C009.b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01C010.e y de la nota 1, las ‘preformas de fibra de carbono’ son un conjunto ordenado de fibras revestidas o no destinadas a constituir el marco de una parte antes de que se introduzca la \u00abmatriz\u00bb para formar un \u00abmaterial compuesto\u00bb (<\/span>composites).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de los materiales del subart\u00edculo\u00a01C010.e.2, la ‘temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea determinada mediante un an\u00e1lisis mec\u00e1nico din\u00e1mico (DMA Tg<\/span>)’ se determina aplicando el m\u00e9todo descrito en la norma ASTM\u00a0D\u00a07028-07, o en la norma nacional equivalente, a una muestra de ensayo seca. En el caso de los materiales termoendurecibles, el grado de cura de una muestra de ensayo seca deber\u00e1 ser como m\u00ednimo del 90\u00a0% seg\u00fan la definici\u00f3n de la norma ASTM E 2160-04 o de la norma nacional equivalente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C011<\/p>\n<\/td>\n

Metales y compuestos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ART\u00cdCULO\u00a01C111.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Metales en part\u00edculas de dimensiones inferiores a\u00a060\u00a0\u03bcm, ya sean esf\u00e9ricas, atomizadas, esferoidales, en escamas o pulverizadas, fabricadas a partir de un material compuesto al menos en un\u00a099\u00a0% de circonio, magnesio y aleaciones de los mismos;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

t\u00e9cnica<\/span>: a efectos del subart\u00edculo\u00a01C011.a, el contenido natural de hafnio en el circonio (t\u00edpicamente de 2\u00a0% a\u00a07\u00a0%) se cuenta con el circonio.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los metales y aleaciones especificados en el subart\u00edculo\u00a01C011.a. se someten a control, est\u00e9n o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boro o aleaciones de boro con un tama\u00f1o de part\u00edculas de 60\u00a0\u03bcm o menos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boro con un grado de pureza no inferior al 85\u00a0% en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de boro con un contenido de boro no inferior al 85\u00a0% en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los metales o aleaciones especificados en el subart\u00edculo\u00a01C011.b se someten a control, est\u00e9n o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitrato de guanidina (CAS 506-93-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pentafluoruro de yodo (CAS 7783-66-6).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los metales en polvo mezclados con otras sustancias a fin de constituir una mezcla formulada con fines militares, v\u00e9ase asimismo la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C012<\/p>\n<\/td>\n

Materiales seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a01C012, estos materiales se usan t\u00edpicamente para fuentes t\u00e9rmicas nucleares.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plutonio en cualquiera de sus formas, con un ensayo isot\u00f3pico de plutonio de m\u00e1s del 50\u00a0% en peso de plutonio-238;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C012.a no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las expediciones con un contenido de plutonio igual o inferior a\u00a01\u00a0g;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las expediciones con 3 \u00abgramos efectivos\u00bb o menos, cuando est\u00e9n contenidas en un componente sensor de un instrumento.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Neptunio-237 \u00abpreviamente separado\u00bb en cualquiera de sus formas.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C012.b no somete a control las expediciones con un contenido igual o inferior a\u00a01\u00a0g de neptunio-237.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C101<\/p>\n<\/td>\n

Materiales y dispositivos para observaciones reducidas tales como la reflectividad al radar y las firmas ultravioletas\/infrarrojas y ac\u00fasticas, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a01C001, para utilizaci\u00f3n en los ‘misiles’, los subsistemas de \u00abmisiles\u00bb o los veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados especificados en el art\u00edculo\u00a09A012 o en el subart\u00edculo\u00a09A112.a.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C101 incluye:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales estructurales y revestimientos dise\u00f1ados especialmente para reducir la reflectividad al radar;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Revestimientos, incluidas las pinturas, dise\u00f1ados especialmente para reducir o ajustar la reflectividad o emisividad en la regi\u00f3n del espectro electromagn\u00e9tico de microondas, infrarrojos o ultravioleta.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C101 no incluye los revestimientos cuando se utilicen especialmente para el control t\u00e9rmico de sat\u00e9lites.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a01C101, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C102<\/p>\n<\/td>\n

Materiales carbono-carbono pirolizados resaturados dise\u00f1ados para las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C107<\/p>\n<\/td>\n

Grafito y materiales cer\u00e1micos distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a01C007, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grafitos de granulometr\u00eda fina con una densidad aparente de 1,72\u00a0g\/cm3<\/span> o superior, medida a\u00a0288\u00a0K (15\u202f\u00b0C), y que tengan un tama\u00f1o de grano de 100\u00a0\u03bcm o menor, utilizables en toberas de cohetes y puntas de ojivas para veh\u00edculos de reentrada con los que se puedan manufacturar cualquiera de los siguientes productos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cilindros con un di\u00e1metro igual o superior a\u00a0120\u00a0mm y una longitud igual o superior a\u00a050\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos con un di\u00e1metro interior de 65\u00a0mm o superior y un espesor de pared de 25\u00a0mm o superior y una longitud de 50\u00a0mm o superior; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bloques de un tama\u00f1o de 120\u00a0mm \u00d7 120\u00a0mm \u00d7 50\u00a0mm o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a00C004.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grafitos pirol\u00edticos o grafitos fibrosos reforzados, utilizables en toberas de cohetes y puntas de ojivas para veh\u00edculos de reentrada, utilizables en \u00abmisiles\u00bb, lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a00C004.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales compuestos (composites) cer\u00e1micos (con constante diel\u00e9ctrica menor que 6 a cualquier frecuencia desde 100\u00a0MHz a\u00a0100\u00a0GHz), para su uso en radomos utilizables en \u00abmisiles\u00bb, lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cer\u00e1mica bruta reforzada de carburo de silicio, sin cocci\u00f3n, que admite tratamiento mec\u00e1nico y es utilizable en puntas de ojiva de \u00abmisiles\u00bb, lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales compuestos (composites<\/span>) cer\u00e1micos de carburo de silicio reforzados, para su uso en puntas de ojiva, veh\u00edculos de reentrada y toberas utilizables en \u00abmisiles\u00bb, lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales compuestos (composites) cer\u00e1micos brutos mecanizables consistentes en una matriz de ‘cer\u00e1mica de temperatura ultra alta (UHTC)’ con un punto de fusi\u00f3n igual o superior a 3\u00a0000\u00a0\u00b0C y reforzados con fibras o filamentos, que se puedan usar en componentes de misiles (tales como puntas de ojiva, veh\u00edculos de reentrada, bordes de ataque, paletas, superficies de control o insertos de cuello de motores de cohetes) en \u00abmisiles\u00bb, lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004, cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104 o ‘misiles’.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C107.f no somete a control los materiales de ‘cer\u00e1mica de temperatura ultra alta (UHTC)’ en forma no compuesta (non-composite).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica 1:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a01C107.f, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica 2:<\/span><\/span><\/p>\n

La ‘cer\u00e1mica de temperatura ultra alta (UHTC)’ incluye:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Diboruro de titanio (TiB2<\/span>);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Diboruro de circonio (ZrB2<\/span>);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Diboruro de niobio (NbB2<\/span>);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Diboruro de hafnio (HfB2<\/span>);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Diboruro de t\u00e1ntalo (TaB2<\/span>);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Carburo de titanio (TiC);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Carburo de circonio (ZrC);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Carburo de niobio (NbC);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Carburo de hafnio (HfC);<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Carburo de tantalio (TaC).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C111<\/p>\n<\/td>\n

Propulsantes y productos qu\u00edmicos constituyentes de propulsantes, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a01C011, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustancias propulsoras:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polvo esf\u00e9rico o esferoidal de aluminio, distinto del especificado en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa, con part\u00edculas de tama\u00f1o inferior a\u00a0200\u00a0\u03bcm y un contenido en peso de aluminio del 97\u00a0% o m\u00e1s, si al menos el 10\u00a0% del peso total est\u00e1 constituido por part\u00edculas inferiores a\u00a063\u00a0\u03bcm, de acuerdo con la norma ISO 2591-1:1988 o las normas nacionales equivalentes;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Un tama\u00f1o de part\u00edcula de 63\u00a0\u03bcm (ISO R-565) corresponde a una trama 250 (Tyler) o una trama 230 (norma ASTM E-11).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polvo met\u00e1lico, distinto del especificado en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polvo met\u00e1lico de magnesio, circonio o berilio, o bien aleaciones de estos metales, si al menos el 90\u00a0% del total de part\u00edculas por volumen o peso de part\u00edcula se componen de part\u00edculas de menos de 60\u00a0\u03bcm (determinado mediante t\u00e9cnicas de medici\u00f3n como la utilizaci\u00f3n de un tamiz, la difracci\u00f3n de haz l\u00e1ser o la lectura \u00f3ptica), ya sean esf\u00e9ricas, atomizadas, esferoidales, en escamas o molidas, que contengan el 97\u00a0% en peso o m\u00e1s de cualquiera de los siguientes elementos:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

El contenido natural de hafnio en el circonio (t\u00edpicamente de 2\u00a0% a\u00a07\u00a0%) se cuenta con el circonio.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polvo met\u00e1lico de boro o aleaciones de boro con un contenido de boro no inferior al 85\u00a0% en peso, si al menos el 90\u00a0% del total de part\u00edculas por volumen o peso de part\u00edcula se componen de part\u00edculas de menos de 60\u00a0\u03bcm (determinado mediante t\u00e9cnicas de medici\u00f3n como la utilizaci\u00f3n de un tamiz, la difracci\u00f3n de haz l\u00e1ser o la lectura \u00f3ptica), ya sean esf\u00e9ricas, atomizadas, esferoidales, en copos o molidas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos 1C111a.2.a y\u00a01C111a.2.b someten a control las mezclas de polvo con una distribuci\u00f3n de part\u00edculas multimodal (por ejemplo, mezclas de part\u00edculas de diferentes tama\u00f1os de grano) si uno o varios modos est\u00e1n sometidos a control.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustancias oxidantes utilizables en motores para cohete de propulsante l\u00edquido, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tri\u00f3xido de dinitr\u00f3geno (CAS 10544-73-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00f3xido de nitr\u00f3geno (CAS 10102-44-0) \/ tetr\u00f3xido de dinitr\u00f3geno (CAS 10544-72-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pent\u00f3xido de dinitr\u00f3geno (CAS 10102-03-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xidos mixtos de nitr\u00f3geno (MON);<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Los \u00f3xidos mixtos de nitr\u00f3geno (MON) son soluciones de \u00f3xido n\u00edtrico (NO) en tetr\u00f3xido de dinitr\u00f3geno \/ di\u00f3xido de nitr\u00f3geno (N2<\/span>O4<\/span>\/NO2<\/span> ) que puedan utilizarse en sistemas de misiles. Existen diversas composiciones que pueden designarse como MONi o MONij, siendo i y j n\u00fameros enteros que representan el porcentaje de \u00f3xido n\u00edtrico presente en la mezcla (p.ej. el MON3 contiene un\u00a03\u00a0% de \u00f3xido n\u00edtrico, el MON25 contiene un\u00a025\u00a0% de \u00f3xido n\u00edtrico). El l\u00edmite m\u00e1ximo es MON40, el 40\u00a0% en peso.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al \u00e1cido n\u00edtrico fumante inhibido rojo (IRFNA);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ANSE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ART\u00cdCULO\u00a01C238 PARA compuestos constituidos por fl\u00faor y cualquiera de los elementos siguientes: otros hal\u00f3genos, ox\u00edgeno o nitr\u00f3geno.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Derivados de hidrazina, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Trimetilhidrazina (CAS 1741-01-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tetrametilhidrazina (CAS 6415-12-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-Dialilhidrazina (CAS 5164-11-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Alilhidracina (CAS 7422-78-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Etileno de dihidrazina (CAS 6068-98-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dinitrato de monometilhidrazina;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitrato de dimetilhidrazina asim\u00e9trica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Azida de hidrazinio (CAS 14546-44-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Azida de 1,1-dimetilhidrazinio (CAS 227955-52-4) \/ azida de 1,2-dimetilhidrazinio (CAS 299177-50-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dinitrato de hidrazinio (CAS 13464-98-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

k.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dihidrazida del \u00e1cido diimido-ox\u00e1lico (CAS 3457-37-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

l.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitrato de 2-hidroxietilhidrazina (HEHN);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

m.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al perclorato de hidrazinio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

n.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Diperclorato de hidrazinio (CAS 13812-39-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

o.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitrato de metilhidrazina (MHN) (CAS 29674-96-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

p.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitrato de 1,1-dietilhidrazina (DEHN) \/ Nitrato de 1,2-dietilhidrazina (DEHN) (CAS 363453-17-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

q.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitrato de 3,6-dihidrazino-tetrazina (nitrato de 1,4-dihidrazina) (DHTN);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales de alta densidad de energ\u00eda, distintos de los especificados en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa, utilizables en los ‘misiles’ o veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados especificados en el art\u00edculo\u00a09A012 o en el subart\u00edculo\u00a09A112.a;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Combustible mezclado que contenga combustibles tanto s\u00f3lidos como l\u00edquidos, como la lechada de boro, con una densidad de energ\u00eda por masa igual o superior a\u00a040 \u00d7 106<\/span> Julios\/k;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Otros combustibles y aditivos para combustibles de alta densidad energ\u00e9tica (p. ej., cubano, soluciones i\u00f3nicas, JP-10), con una densidad de energ\u00eda por volumen igual o superior a\u00a037,5 \u00d7 109<\/span> Julios\/m3<\/span>, medida a\u00a020\u202f\u00b0C y a la presi\u00f3n de una atm\u00f3sfera (101,325\u00a0kPa);<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C111.a.5.b no somete a control los combustibles f\u00f3siles refinados ni los biocombustibles producidos a partir de plantas, incluidos los combustibles para motores certificados para uso en aviaci\u00f3n civil, a menos que est\u00e9n especialmente formulados para los ‘misiles’ o veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados especificados en el art\u00edculo\u00a09A012 o el subart\u00edculo\u00a09A112.a.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a01C111.a.5, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Combustibles de sustituci\u00f3n de hidrazina, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

2-dimetilaminoetilazida (DMAZ) (CAS 86147-04-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustancias pol\u00edmeras:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polibutadieno con grupos terminales carbox\u00edlicos (incluido el polibutadieno con grupos terminales carboxilos) (CTPB);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polibutadieno con grupos terminales hidrox\u00edlicos (incluido el polibutadieno con grupos terminales hidroxilos) (HTPB) (CAS 69102-90-5), excepto los especificados en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00c1cido polibutadieno-acr\u00edlico (PBAA);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00c1cido polibutadieno-acr\u00edlico acrilonitrilo (PBAN) (CAS 25265-19-4 \/ CAS 68891-50-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polietilenglicol de politetrahidrofurano (TPEG);<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

El polietilenglicol de politetrahidrofurano (TPEG) es un copol\u00edmero en bloque de poli-1,4-butanodiol (CAS 110-63-4) y polietilenglicol (PEG) (CAS 25322-68-3).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al nitrato de poliglicidilo (PGN o poli-GLYN) (CAS 27814-48- 8)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Otros aditivos y agentes para propulsantes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta a los carboranos, decaboranos, pentaboranos y derivados de los mismos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Trietileno glicol dinitrato (TEGDN) (CAS 111-22-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

2-nitrodifenilamina (CAS 119-75-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al difluoruro de etilfosfonilo (CAS 3032-55-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dinitrato de dietilenglicol (DEGDN) (CAS 693-21-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Derivados del ferroceno, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al catoceno (CAS 37206-42-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al etil-ferroceno (CAS 1273-89-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al n-propil-ferroceno (CAS 1273-92-3) y al iso-propil-ferroceno (CAS 12126-81-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al n-butil-ferroceno (CAS 31904-29-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al pentil-ferroceno (CAS 1274-00-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al diciclopentil-ferroceno (CAS 125861-17-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al diciclohexil-ferroceno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al dietil-ferroceno (CAS 1273-97-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al dipropil-ferroceno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al dibutil-ferroceno (CAS 1274-08-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

k.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al dihexil-ferroceno (CAS 93894-59-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

l.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al acetil-ferroceno (CAS 1271-55-2) y al 1,1′-diacetil-ferroceno (CAS 1273-94-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

m.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al \u00e1cido carbox\u00edlico ferroceno (CAS 1271-42-7) y al \u00e1cido carbox\u00edlico 1,1′-ferroceno (CAS 1293-87-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

n.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al butaceno (CAS 125856-62-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

o.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Otros derivados del ferroceno que pueden utilizarse como modificadores de la velocidad de combusti\u00f3n de los propulsantes de cohetes, distintos de los especificados en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C111.c.6.o no somete a control los derivados del ferroceno que contengan un grupo funcional arom\u00e1tico de seis \u00e1tomos de carbono unido a la mol\u00e9cula del ferroceno.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

4,5-diazidometil-2-metil-1,2,3-triazol (iso-DAMTR), distinto del especificado en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Propulsantes de gel’, distintos de los especificados en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa, especialmente formulados para su uso en ‘misiles’.<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el subart\u00edculo\u00a01C111.d, un ‘propulsante de gel’ es una formulaci\u00f3n de combustible u oxidante que utiliza un gelificante, como por ejemplo silicatos, caol\u00edn (arcilla), carbono o cualquier gelificante polim\u00e9rico.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el subart\u00edculo\u00a01C111.d, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En relaci\u00f3n con los propulsantes y constituyentes qu\u00edmicos de propulsantes no especificados en el art\u00edculo\u00a01C111, v\u00e9ase la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C116<\/p>\n<\/td>\n

Aceros martens\u00edticos envejecidos utilizables en los ‘misiles’, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01C216.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tengan una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n, medida a\u00a0293\u00a0K (20\u202f\u00b0C), igual o superior a:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,9\u00a0GPa en la fase de recocido de la soluci\u00f3n; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

1,5\u00a0GPa en la fase de endurecimiento de la precipitaci\u00f3n; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las formas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hojas, l\u00e1minas o tubos de grosor de las paredes o las l\u00e1minas igual o inferior a\u00a05,0\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Formas tubulares con un espesor de paredes igual o inferior a\u00a050\u00a0mm y con un di\u00e1metro interior igual o superior a\u00a0270\u00a0mm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica 1:<\/span><\/span><\/p>\n

Los aceros martens\u00edticos envejecidos son aleaciones de hierro:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

que se caracterizan generalmente por su alto contenido en n\u00edquel, un contenido en carbono inferior o igual al 0,03\u00a0% en peso, y el uso de elementos o precipitados de sustituci\u00f3n para reforzar la aleaci\u00f3n y producir su endurecimiento por envejecimiento; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

que se someten a ciclos de tratamiento t\u00e9rmico para facilitar el proceso de transformaci\u00f3n martens\u00edtica (fase de recocido de la soluci\u00f3n) y, posteriormente, endurecidos por envejecimiento (fase de endurecimiento de la precipitaci\u00f3n).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica 2:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a01C116, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C117<\/p>\n<\/td>\n

Materiales para la fabricaci\u00f3n de componentes de ‘misiles’, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Wolframio y aleaciones en forma de part\u00edculas, con un contenido de wolframio igual o superior al 97\u00a0% en peso y un tama\u00f1o de part\u00edcula de 50 x 10-6<\/span> m (50\u00a0\u03bcm) o menos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Molibdeno y aleaciones en forma de part\u00edculas, con un contenido de molibdeno igual o superior al 97\u00a0% en peso y un tama\u00f1o de part\u00edcula de 50 x 10-6<\/span> m (50\u00a0\u03bcm) o menos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales de wolframio en forma s\u00f3lida que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con cualquiera de las composiciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Wolframio y aleaciones con un contenido de wolframio igual o superior al 97\u00a0% en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Wolframio infiltrado con cobre con un contenido de wolframio igual o superior al 80\u00a0% en peso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Wolframio infiltrado con plata con un contenido de wolframio igual o superior al 80\u00a0% en peso; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con los que se puedan manufacturar cualquiera de los productos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cilindros con un di\u00e1metro igual o superior a\u00a0120\u00a0mm y una longitud igual o superior a\u00a050\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos con un di\u00e1metro interior igual o superior a\u00a065\u00a0mm, un espesor de pared igual o superior a\u00a025\u00a0mm y una longitud igual o superior a\u00a050\u00a0mm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bloques de un tama\u00f1o igual o superior a\u00a0120\u00a0mm \u00d7 120\u00a0mm \u00d7 50\u00a0mm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a01C117, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C118<\/p>\n<\/td>\n

Acero inoxidable d\u00faplex estabilizado al titanio (Ti-DSS) que cumpla todo lo siguiente:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que re\u00fana todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tenga un contenido de cromo de entre el 17,0\u00a0% y el 23,0\u00a0% en peso y un contenido de n\u00edquel de entre el 4,5\u00a0% y el 7,0\u00a0% en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tenga un contenido de titanio superior al 0,10\u00a0% en peso; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tenga una microestructura ferr\u00edtica-austen\u00edtica (tambi\u00e9n denominada microestructura en dos fases) de la cual al menos un\u00a010\u00a0% en volumen (de acuerdo con la norma ASTM E-1181-87 o normas nacionales equivalentes) sea austen\u00edtica; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tenga cualquiera de las siguientes formas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Lingotes o barras con un tama\u00f1o de 100\u00a0mm o m\u00e1s en cada dimensi\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hojas con una anchura de 600\u00a0mm o m\u00e1s y un espesor de 3\u00a0mm o menos; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos con un di\u00e1metro exterior de 600\u00a0mm o m\u00e1s y un espesor de la pared de 3\u00a0mm o menos.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C202<\/p>\n<\/td>\n

Aleaciones, distintas de las especificadas en los subart\u00edculos\u00a01C002.b.3 o b.4, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de aluminio que presenten las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser ‘capaces de’ oponer una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n de 460\u00a0MPa o m\u00e1s a\u00a0293\u00a0K (20\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener forma de tubos o piezas cil\u00edndricas s\u00f3lidas (incluidas las piezas forjadas) con un di\u00e1metro exterior superior a\u00a075\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de titanio que posean las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser ‘capaces de’ oponer una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n de 900\u00a0MPa o m\u00e1s a\u00a0293\u00a0K (20\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener forma de tubos o piezas cil\u00edndricas s\u00f3lidas (incluidas las piezas forjadas) con un di\u00e1metro exterior superior a\u00a075\u00a0mm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

La frase aleaciones ‘capaces de’ incluye las aleaciones antes o despu\u00e9s del tratamiento t\u00e9rmico.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C210<\/p>\n<\/td>\n

‘Materiales fibrosos o filamentosos’ o productos preimpregnados (prepregs<\/span>), distintos de los especificados en los subart\u00edculos\u00a01C010.a, 1C010.b o 1C010.e, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Materiales fibrosos o filamentosos’ de carbono o aramida que tengan una de las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb de 12,7 \u00d7 106<\/span>\u00a0m o superior; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abresistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb de 23,5 \u00d7 104<\/span>\u00a0m o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C210.a no somete a control los ‘materiales fibrosos o filamentosos’ de aramida que tengan un\u00a00,25 por ciento en peso o m\u00e1s de un modificador de la superficie de la fibra basado en el \u00e9ster;<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Materiales fibrosos o filamentosos’ de vidrio con las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb de 3,18 \u00d7 106<\/span>\u00a0m o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abresistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb de 7,62 \u00d7 104<\/span> m o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abHilos\u00bb, \u00abcables\u00bb, \u00abcabos\u00bb o \u00abcintas\u00bb continuos impregnados con resinas termoendurecibles, de 15\u00a0mm o menos de espesor (productos preimpregnados o prepregs<\/span>), hechos de los ‘materiales fibrosos o filamentosos’ de carbono o vidrio que se especifican en los subart\u00edculos 1C210.a o 1C210.b.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

La resina forma la matriz del \u00abmaterial compuesto\u00bb (<\/span>composites).<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a01C210, el t\u00e9rmino ‘materiales fibrosos o filamentosos’ se limita a los \u00abmonofilamentos\u00bb, \u00abhilos\u00bb, \u00abcables\u00bb, \u00abcabos\u00bb o \u00abcintas\u00bb continuos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C216<\/p>\n<\/td>\n

Acero martens\u00edtico envejecido distinto del especificado en el art\u00edculo\u00a01C116, ‘capaz de’ oponer una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n de 1\u00a0950\u00a0MPa o m\u00e1s a\u00a0293\u00a0K (20\u202fo<\/span>C).<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C216 no somete a control las piezas en las que todas las dimensiones lineales son de 75\u00a0mm o menos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

La frase acero martens\u00edtico envejecido ‘capaz de’ incluye el acero martens\u00edtico envejecido antes y despu\u00e9s del tratamiento t\u00e9rmico.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1C225<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boro enriquecido en el is\u00f3topo boro-10 (10<\/span>B) hasta m\u00e1s de su abundancia isot\u00f3pica natural, como se indica: boro elemental y compuestos de boro, mezclas que contengan boro, y productos fabricados con estos, desechos y desbastes de los elementos mencionados.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a01C225 las mezclas que contengan boro incluyen los materiales con a\u00f1adido de boro.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

La abundancia natural isot\u00f3pica del boro-10 es de aproximadamente 18,5\u00a0por ciento del peso (20\u00a0\u00e1tomos por ciento).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1C226<\/p>\n<\/td>\n

\n

Wolframio, carburo de wolframio y aleaciones con m\u00e1s del 90\u00a0% de wolframio en peso, diferentes de las especificadas en el art\u00edculo\u00a01C117, que posean las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser piezas que tengan una simetr\u00eda cil\u00edndrica hueca (incluidos los segmentos de cilindro) con un di\u00e1metro interior entre 100\u00a0mm y\u00a0300\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener una masa superior a\u00a020\u00a0kg.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C226 no somete a control los productos fabricados dise\u00f1ados especialmente para emplearse como pesas o colimadores de rayos gamma.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C227<\/p>\n<\/td>\n

Calcio que re\u00fana las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contenga menos de 1\u00a0000\u00a0ppm, en peso, de impurezas met\u00e1licas distintas del magnesio; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contenga menos de 10\u00a0ppm, en peso, de boro.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C228<\/p>\n<\/td>\n

Magnesio que presente las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contenga menos de 200\u00a0ppm, en peso, de impurezas met\u00e1licas distintas del calcio; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contenga menos de 10\u00a0ppm, en peso, de boro.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C229<\/p>\n<\/td>\n

Bismuto que posea las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una pureza de 99,99\u00a0% en peso, o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contenga menos de 10\u00a0ppm, en peso, de plata.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C230<\/p>\n<\/td>\n

Berilio metal, aleaciones que contengan m\u00e1s del 50\u00a0% de berilio en peso, compuestos que contengan berilio, productos fabricados con estos y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores, distintos de los especificados en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C230 no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las ventanas met\u00e1licas para m\u00e1quinas de rayos X, o para dispositivos de diagraf\u00eda de sondeos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las piezas de \u00f3xido en forma fabricada o semifabricada, dise\u00f1adas especialmente como piezas de componentes electr\u00f3nicos o como sustrato para circuitos electr\u00f3nicos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El berilio (silicato de berilio y aluminio) en forma de esmeraldas y aguamarinas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C231<\/p>\n<\/td>\n

Hafnio metal, aleaciones de hafnio que contengan m\u00e1s del 60\u00a0% de hafnio en peso, compuestos de hafnio que contengan m\u00e1s del 60\u00a0% de hafnio en peso, productos obtenidos de este y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C232<\/p>\n<\/td>\n

Helio-3 (3<\/span>He), mezclas que contengan helio 3, y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C232 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 1\u00a0g de helio-3.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C233<\/p>\n<\/td>\n

Litio enriquecido con el is\u00f3topo litio-6 (6<\/span>Li) hasta m\u00e1s de su abundancia isot\u00f3pica natural y productos o aparatos que contengan litio enriquecido, seg\u00fan se indica: litio elemental, aleaciones, compuestos, mezclas que contengan litio, productos fabricados con estos, desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C233 no somete a control los dos\u00edmetros termoluminiscentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

La proporci\u00f3n natural del is\u00f3topo litio-6 es de aproximadamente 6,5 por ciento del peso (7,5 por ciento de \u00e1tomos).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C234<\/p>\n<\/td>\n

Circonio con un contenido de hafnio inferior a\u00a01 parte de hafnio por 500 partes de circonio en peso, como se indica: metal, aleaciones que contengan m\u00e1s del 50\u00a0% de circonio en peso, compuestos, productos fabricados con estos y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a00A001.f.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C234 no somete a control el circonio en forma de l\u00e1minas de grosor no superior a\u00a00,10\u00a0mm.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C235<\/p>\n<\/td>\n

Tritio, compuestos de tritio y mezclas que contengan tritio y en las cuales la raz\u00f3n entre el n\u00famero de \u00e1tomos de tritio y de hidr\u00f3geno sea superior a\u00a01 parte entre 1\u00a0000, y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C235 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 1,48\u00a0x\u00a0103<\/span>\u00a0GBq (40 Ci) de tritio.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C236<\/p>\n<\/td>\n

‘Radionucleidos’ adecuados para fabricar fuentes de neutrones basadas en una reacci\u00f3n alfa-n, distintas de las especificadas en el art\u00edculo\u00a00C001 y el subart\u00edculo\u00a01C012.a, en las formas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Compuestos con una actividad total igual o superior a\u00a037 GBq\/kg (1 Ci\/kg);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mezclas con una actividad total igual o superior a\u00a037 GBq\/kg (1 Ci\/kg);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C236 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 3,7\u00a0GBq (100 milicurios) de actividad.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a01C236, los ‘radionucleidos’ son cualquiera de los elementos siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Californio-253 (253<\/span>Cf)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C237<\/p>\n<\/td>\n

Radio-226 (226<\/span>Ra), aleaciones de radio-226, compuestos de radio-226, mezclas que contengan radio-226, productos fabricados con estos y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C237 no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las c\u00e1psulas m\u00e9dicas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los productos o dispositivos que contengan menos de 0,37\u00a0GBq (10 milicurios) de radio-226.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C238<\/p>\n<\/td>\n

Trifluoruro de cloro (ClF3<\/span>).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C239<\/p>\n<\/td>\n

Explosivos de gran potencia, distintos de los especificados en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa, o sustancias o mezclas que contengan m\u00e1s del 2\u00a0% en peso de los mismos, con densidad cristalina superior a\u00a01,8\u00a0g\/cm3<\/span> y una velocidad de detonaci\u00f3n superior a 8\u00a0000\u00a0m\/s.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C240<\/p>\n<\/td>\n

N\u00edquel en polvo y n\u00edquel metal poroso, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a00C005, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel en polvo que posea las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una pureza en n\u00edquel igual o superior al 99,0\u00a0% en peso; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un tama\u00f1o medio de part\u00edcula inferior a\u00a010\u00a0\u03bcm de acuerdo con la norma ASTM B330;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel metal poroso obtenido a partir de materiales especificados en el subart\u00edculo\u00a01C240.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C240 no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los polvos de n\u00edquel filamentosos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las chapas sueltas de n\u00edquel poroso de superficie no superior a 1\u00a0000\u00a0cm2<\/span> por chapa.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

El subart\u00edculo\u00a01C240.b se refiere al metal poroso obtenido mediante la compresi\u00f3n y sinterizaci\u00f3n de los materiales del subart\u00edculo\u00a01C240.a para formar un material met\u00e1lico con poros finos interconectados en toda la estructura.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C241<\/p>\n<\/td>\n

Renio y aleaciones con un contenido de renio igual o superior al 90\u00a0% en peso; y aleaciones de renio y wolframio con un contenido igual o superior al 90\u00a0% en peso de cualquier combinaci\u00f3n de renio y wolframio, distintas de las especificadas en el art\u00edculo\u00a01C226, que posean las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

En formas que tengan una simetr\u00eda cil\u00edndrica hueca (incluidos los segmentos de cilindro) con un di\u00e1metro interior entre 100\u00a0mm y\u00a0300\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener una masa superior a\u00a020\u00a0kg.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C350<\/p>\n<\/td>\n

Sustancias qu\u00edmicas que puedan emplearse como precursoras de agentes qu\u00edmicos t\u00f3xicos, seg\u00fan se indica, y \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de ellas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ART\u00cdCULO\u00a01C450.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiodiglicol (CAS 111-48-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Oxicloruro de f\u00f3sforo (CAS 10025-87-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Metilfosfonato de dimetilo (CAS 756-79-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al difluoruro de metilfosfonilo (CAS 676-99-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dicloruro de metilfosfonilo (CAS 676-97-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosfito de dimetilo (DMP) (CAS\u00a0868-85-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tricloruro de f\u00f3sforo (CAS 7719-12-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosfito de trimetilo (TMP) (CAS\u00a0121-45-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cloruro de tionilo (CAS 7719-09-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

3-Hidroxi-1-metilpiperidina (CAS 3554-74-3)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo (CAS\u00a096-79-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

12.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanotiol (CAS 5842-07-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

13.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Quinuclidinol3 (CAS 1619-34-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

14.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoruro de potasio (CAS 7789-23-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

15.<\/p>\n<\/td>\n

\n

2-Cloroetanol (CAS 107-07-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

16.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dimetilamina (CAS 124-40-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

17.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Etilfosfonato de dietilo (CAS 78-38-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

18.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dimetilfosforamidato de dietilo (CAS 2404-03-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

19.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosfito de dietilo (CAS 762-04-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

20.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hidrocloruro de dimetilamina (CAS 506-59-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

21.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dicloruro de etilfosfinilo (CAS\u00a01498-40-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

22.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dicloruro de etilfosfonilo (CAS\u00a01066-50-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

23.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al difluoruro de etilfosfonilo (CAS 753-98-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

24.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoruro de hidr\u00f3geno (CAS 7664-39-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

25.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bencilato de metilo (CAS 76-89-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

26.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dicloruro de metilfosfinilo (CAS\u00a0676-83-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

27.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanol (CAS 96-80-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

28.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Alcohol pinac\u00f3lico (CAS 464-07-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

29.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al metilfosfonito de Oetil-2-diisopropilaminoetilo (QL) (CAS 57856-11-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

30.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosfito de trietilo (CAS 122-52-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

31.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tricloruro de ars\u00e9nico (CAS 7784-34-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

32.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00c1cido benc\u00edlico (CAS 76-93-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

33.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Metilfosfonito de dietilo (CAS 15715-41-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

34.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Etilfosfonato de dimetilo (CAS 6163-75-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

35.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Difluoruro de etilfosfinilo (CAS\u00a0430-78-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

36.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Difluoruro de metilfosfinilo (CAS 753-59-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

37.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Quinuclidin3-ona (CAS 3731-38-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

38.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pentacloruro de f\u00f3sforo (CAS 10026-13-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

39.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pinacolona (CAS 75-97-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

40.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cianuro de potasio (CAS 151-50-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

41.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bifluoruro de potasio (CAS 7789-29-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

42.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bifluoruro de amonio o fluoruro \u00e1cido de amonio (CAS\u00a01341-49-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

43.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoruro de sodio (CAS 7681-49-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

44.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bifluoruro de sodio (CAS 1333-83-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

45.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cianuro de sodio (CAS 143-33-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

46.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Trietanolamina (CAS 102-71-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

47.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pentasulfuro de f\u00f3sforo (CAS 1314-80-3);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

48.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Diisopropilamina (CAS 108-18-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

49.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dietilaminoetanol (CAS 100-37-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

50.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sulfuro de sodio (CAS 1313-82-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

51.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Monocloruro de azufre (CAS 10025-67-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

52.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dicloruro de azufre (CAS 10545-99-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

53.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hidrocloruro de trietanolamina (CAS 637-39-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

54.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hidrocloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo cloruro (CAS 4261-68-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

55.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00c1cido metilfosf\u00f3nico (CAS 993-13-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

56.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Metilfosfonato de dietilo (CAS 683-08-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

57.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dicloruro N,N-dimetilaminofosforilo (CAS 677-43-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

58.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosfito de triisopropilo (CAS 116-17-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

59.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Etildietanolamina (CAS 139-87-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

60.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosforotioato de O,O-dietilo (CAS\u00a02465-65-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

61.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosforoditioato de O,O-dietilo (CAS\u00a0298-06-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

62.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hexafluorosilicato de sodio (CAS 16893-85-9);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

63.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dicloruro metilfosfonotioico (CAS 676-98-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

64.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dietilamina (CAS 109-89-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

65.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hidrocloruro de N,N-diisopropilaminoetanetiol (CAS 41480-75-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

66.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Diclorofosfato de metilo (CAS 677-24-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

67.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Diclorofosfato de etilo (CAS 1498-51-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

68.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Difluorofosfato de metilo (CAS 22382-13-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

69.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Difluorofosfato de etilo (CAS 460-52-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

70.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clorofosfito de dietilo (CAS 589-57-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

71.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clorofluorofosfato de metilo (CAS 754-01-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

72.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clorofluorofosfato de etilo (CAS 762-77-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

73.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dimetilformamidina (CAS 44205-42-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

74.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dietilformamidina (CAS 90324-67-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

75.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dipropilformamidina (CAS 48044-20-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

76.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-diisopropilformamidina (CAS 857522-08-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

77.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dimetilacetamidina (CAS 2909-14-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

78.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dietilacetamidina (CAS 14277-06-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

79.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dipropilacetamidina (CAS 1339586-99-0);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

80.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dimetilpropanamidina (CAS 56776-14-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

81.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dietilpropanamidina (CAS 84764-73-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

82.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dipropilpropanamidina (CAS 1341496-89-6);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

83.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dimetilbutanamidina (CAS 1340437-35-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

84.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dietilbutanamidina (CAS 53510-30-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

85.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dipropilbutanamidina (CAS 1342422-35-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

86.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-diisopropilbutanamidina (CAS 1315467-17-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

87.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dimetilisobutanamidina (CAS 321881-25-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

88.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dietilisobutanamidina (CAS 1342789-47-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

89.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dipropilisobutanamidina (CAS 1342700-45-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

90.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dipropilamina (CAS 142-84-7).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En cuanto a las exportaciones a los \u00abEstados que no son Parte de la Convenci\u00f3n sobre Armas Qu\u00edmicas\u00bb, el art\u00edculo\u00a01C350 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en los subart\u00edculos 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57, .63 y .65 cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 10\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En cuanto a las exportaciones a los \u00abEstados que son Parte de la Convenci\u00f3n sobre Armas Qu\u00edmicas\u00bb, el art\u00edculo\u00a01C350 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en los subart\u00edculos 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57, .63 y .65 cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 30\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C350 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en los subart\u00edculos 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61, .62, .64, .66, .67, .68, .69, .70, .71, .72, .73, .74, .75, .76, .77, .78, .79, .80, .81, .82, .83, .84, .85, .86, .87, .88, 89 y\u00a090 cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 30\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C350 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C351<\/p>\n<\/td>\n

Pat\u00f3genos para los humanos y los animales, y \u00abtoxinas\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de \u00abcultivos vivos aislados\u00bb o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la peste equina;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la peste porcina africana;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la gripe aviar que:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

No est\u00e9n caracterizados; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Se definan en el anexo I.2. de la Directiva\u00a02005\/94\/CE (DO\u00a0L\u00a010 de 14.1.2006, p.\u00a016<\/a>) como de alta patogenicidad, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus del tipo A con un IPIV (\u00edndice de patogenicidad intravenosa) superior a\u00a01,2 en pollos de seis semanas de edad; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus del tipo A de los subtipos H5 o H7 con una secuencia gen\u00f3mica, codificadora de m\u00faltiples amino\u00e1cidos b\u00e1sicos en el sitio de divisi\u00f3n de la mol\u00e9cula de la hemaglutinina, similar a la observable en otros virus de la IAAP, lo que indica que la mol\u00e9cula de hemaglutinina puede ser escindida por una proteasa presente de forma ubicua en el hospedador;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la lengua azul (fiebre catarral ovina);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la fiebre hemorr\u00e1gica de Crimea-Congo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus Dobrava-Belgrado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

12.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la encefalitis equina del este;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

13.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus del \u00c9bola: todos los miembros del g\u00e9nero del virus del \u00c9bola;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

14.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la fiebre aftosa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

15.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la viruela caprina;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

18.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus Hendra (Morbillivirus equino);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

19.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Herpesvirus porcino\u00a01 [virus de la pseudorrabia (enfermedad de Aujeszky)];<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

20.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la peste porcina cl\u00e1sica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

21.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la encefalitis japonesa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

23.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la enfermedad de la selva de Kyasanur;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

24.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la Laguna Negra;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

25.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la fiebre de Lassa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

26.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus del Mal de Louping;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

28.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la dermatosis nodular contagiosa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

29.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la coriomeningitis linfoc\u00edtica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

31.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus Marburgo: todos los miembros del g\u00e9nero del virus Marburgo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

32.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la viruela del mono;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

33.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la encefalitis del Valle Murray;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

34.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la enfermedad de Newcastle;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

36.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la fiebre hemorr\u00e1gica de Omsk;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

38.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la peste de los peque\u00f1os rumiantes;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

39.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la enfermedad vesicular porcina;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

41.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la rabia y todos los dem\u00e1s miembros del g\u00e9nero Lyssavirus;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

42.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la fiebre del valle de Rift;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

43.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la peste bovina;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

47.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la viruela ovina;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

49.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la encefalitis de San Luis;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

51.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la encefalitis transmitida por garrapatas (subtipo del Lejano Oriente);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

53.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la encefalitis equina venezolana;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

54.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la estomatitis vesicular;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

55.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la encefalitis equina occidental;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

56.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la fiebre amarilla;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

57.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Coronavirus relacionado con el s\u00edndrome respiratorio agudo grave (coronavirus relacionado con el SRAG);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

58.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus de la gripe de 1918 reconstruido;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

59.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Coronavirus relacionado con el s\u00edndrome respiratorio de Oriente Pr\u00f3ximo (MERS-CoV);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bacterias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de \u00abcultivos vivos aislados\u00bb o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Chlamydia psittaci (Chlamydophila psittaci);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clostridium argentinense<\/span> (anteriormente conocida como la Clostridium botulinum<\/span> de tipo G), cepas productoras de la neurotoxina botul\u00ednica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clostridium baratii<\/span>, cepas productoras de la neurotoxina botul\u00ednica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clostridium botulinum;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clostridium butyricum<\/span>, cepas productoras de la neurotoxina botul\u00ednica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

12<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tipos de Clostridium perfringens<\/span> productores de la toxina \u00e9psilon;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

14.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Francisella tularensis;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

15.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mycoplasma capricolum<\/span>, subespecie capripneumoniae<\/span> (cepa F38);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

16.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mycoplasma mycoides subespecie mycoides SC (colonias peque\u00f1as);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

17.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rickettsia prowazekii;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

18.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salmonella enterica<\/span> subespecie enterica serovar Typhi (Salmonella typhi)<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

19.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Escherichia coli<\/span> productora de toxina Shiga de los serogrupos O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145 y O157, y otros serogrupos productores de toxina Shiga;<\/p>\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n

La<\/span> Escherichia coli productora de toxina Shiga (STEC) incluye, entre otras,<\/span> E.\u00a0coli enterohemorr\u00e1gica (EHEC),<\/span> E. coli productora de verotoxina (VTEC) o<\/span> E.\u00a0coli productora de verocitotoxina (VTEC).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abToxinas\u00bb, seg\u00fan se indica, y las \u00absubunidades de toxina\u00bb de las mismas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Neurotoxinas botul\u00ednicas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clostridium perfringens<\/span>, toxinas alfa, beta 1, beta 2, \u00e9psilon e iota;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Toxinas Shiga (toxinas tipo Shiga, verotoxinas y verocitotoxinas);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Enterotoxinas de Staphylococcus aureus<\/span>, toxina hemolisina alfa y toxina del s\u00edndrome del shock t\u00f3xico (anteriormente conocida como enterotoxina estafiloc\u00f3cica F);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Microcistinas (Cianginosinas);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

19.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Viscumina (Viscum Album Lectin 1<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C351.d no somete a control las neurotoxinas botul\u00ednicas o las conotoxinas en forma de productos que cumplan con todos los criterios siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser formulaciones farmac\u00e9uticas dise\u00f1adas para su administraci\u00f3n a seres humanos en tratamientos m\u00e9dicos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar preenvasados para ser distribuidos como productos sanitarios;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar autorizada su comercializaci\u00f3n como productos sanitarios por una autoridad p\u00fablica.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hongos, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de \u00abcultivos vivos aislados\u00bb o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, del tipo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Coccidioides posadasii.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C351 no somete a control las \u00abvacunas\u00bb ni las \u00abinmunotoxinas\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C353<\/p>\n<\/td>\n

‘Elementos gen\u00e9ticos’ y ‘organismos modificados gen\u00e9ticamente’, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Todo ‘organismo modificado gen\u00e9ticamente’ que contenga cualquiera de los elementos siguientes o todo ‘elemento gen\u00e9tico’ que los codifique:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualesquiera gen, genes, producto traducido o productos traducidos, espec\u00edficos de cualquiera de los virus especificados en los subart\u00edculos\u00a01C351.a o 1C354.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualesquiera gen o genes espec\u00edficos de cualquier bacteria especificada en los subart\u00edculos\u00a01C351.c o 1C354.b, o de los hongos especificados en los subart\u00edculos\u00a01C351.e o 1C354.c, y que presenten cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

que por s\u00ed solos o a trav\u00e9s de sus productos transcritos o traducidos represente un peligro considerable para la salud humana, animal o vegetal; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

que puedan ‘conferir o aumentar la patogenicidad’; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las \u00abtoxinas\u00bb especificadas en el subart\u00edculo\u00a01C351.d o \u00absubunidades de toxina\u00bb de las mismas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘organismos modificados gen\u00e9ticamente’ incluyen organismos en los que secuencias de \u00e1cido nucleico han sido creadas o alteradas mediante una manipulaci\u00f3n molecular intencional.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘elementos gen\u00e9ticos’ incluyen, entre otros, los cromosomas, genomas, pl\u00e1smidos, transposones, vectores y organismos inactivos que contengan fragmentos recuperables de \u00e1cido nucleico, est\u00e9n o no gen\u00e9ticamente modificados, o de s\u00edntesis qu\u00edmica, en su totalidad o en parte. A efectos del control de los elementos gen\u00e9ticos, se considera que los \u00e1cidos nucleicos de un organismo inactivo, virus o muestra son recuperables si se pretende que la desactivaci\u00f3n y preparaci\u00f3n del material faciliten el aislamiento, la purificaci\u00f3n, la amplificaci\u00f3n, la detecci\u00f3n o la identificaci\u00f3n de los \u00e1cidos nucleicos o se sabe que lo hacen.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La definici\u00f3n de ‘conferir o aumentar la patogenicidad’ describe aquellas situaciones en que es probable que la inserci\u00f3n o integraci\u00f3n de la secuencia o secuencias de \u00e1cido nucleico permitan o aumenten la capacidad del organismo receptor para ser usado con la intenci\u00f3n de provocar una enfermedad o la muerte. Esto puede incluir alteraciones de los siguientes factores, entre otros: virulencia, transmisibilidad, estabilidad, v\u00eda de infecci\u00f3n, espectro de hu\u00e9spedes, reproducibilidad, capacidad de evadir o suprimir la inmunidad del hu\u00e9sped, resistencia a las contramedidas m\u00e9dicas o detectabilidad.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C353 no somete a control las secuencias de \u00e1cido nucleico de<\/span> Escherichia coli productora de toxina Shiga de los serogrupos O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145 y O157, as\u00ed como otros serogrupos productores de toxina Shiga, distintos de los elementos gen\u00e9ticos que codifican la toxina Shiga o sus subunidades.<\/span> <\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C353 no somete a control las \u00abvacunas\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C354<\/p>\n<\/td>\n

Pat\u00f3genos para los vegetales, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Virus, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de \u00abcultivos vivos aislados\u00bb o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Timovirus latente andino de la patata;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Viroide del tub\u00e9rculo fusiforme de la patata;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bacterias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de \u00abcultivos vivos aislados\u00bb o como material que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Xanthomonas albilineans;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Xanthomonas citri pv. citri<\/span> (Xanthomonas axonopodis pv. citri, Xanthomonas campestris pv. citri<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Clavibacter michiganensis<\/span> subsp. sepedonicus<\/span> (Clavibacter sepedonicus<\/span>, Clavibacter michiganense<\/span> subsp. sepedonicus<\/span>, Corynebacterium michiganensis<\/span> subsp. sepedonicum<\/span> o Corynebacterium sepedonicum<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ralstonia solanacearum<\/span>, raza 3, biovar 2;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hongos, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de \u00abcultivos vivos aislados\u00bb o como material al que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminado con ellos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Colletotrichum kahawae<\/span> (Colletotrichum coffeanum<\/span> var. Virulans<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bipolaris oryzae<\/span> (Cochliobolus miyabeanus<\/span>, Helminthosporium oryzae<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pseudocercospora ulei<\/span> (Microcyclus ulei<\/span>, Dothidella ulei<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Puccinia graminis<\/span> ssp. graminis<\/span> var. graminis<\/span> \/ Puccinia graminis<\/span> ssp. graminis<\/span> var. stakmanii<\/span> (Puccinia graminis<\/span> [sin. Puccinia graminis<\/span> f. sp. tritici<\/span>]):<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Puccinia striiformis<\/span> (sin. Puccinia glumarum<\/span>):<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sclerophthora rayssiae<\/span> var. zeae<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Synchytrium endobioticium:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C450<\/p>\n<\/td>\n

Sustancias qu\u00edmicas t\u00f3xicas y precursores de sustancias qu\u00edmicas t\u00f3xicas, seg\u00fan se indica, y \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan uno o varios de ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01C350, EL SUBART\u00cdCULO\u00a01C351.d. Y LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustancias qu\u00edmicas t\u00f3xicas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Amit\u00f3n: fosforotiolato de O,Odietilo y S-[2-(dietilamino)etilo] (CAS 78-53-5) y las sales alquiladas o protonadas correspondientes;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro2-(trifluorometil)1-propeno (CAS 382-21-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al BZ: Bencilato de 3-quinuclidinilo (CAS 6581-06-2):<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosgeno: Dicloruro de carbonilo (CAS 75-44-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cloruro de cian\u00f3geno (CAS 506-77-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cianuro de hidr\u00f3geno (CAS 74-90-8);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cloropicrina: Tricloronitrometano (CAS 76-06-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En cuanto a las exportaciones a los \u00abEstados que no son Parte de la Convenci\u00f3n sobre Armas Qu\u00edmicas\u00bb, el art\u00edculo\u00a01C450 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en los subart\u00edculos 1C450.a.1 y.a.2 cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 1\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En cuanto a las exportaciones a los \u00abEstados que son Parte de la Convenci\u00f3n sobre Armas Qu\u00edmicas\u00bb, el art\u00edculo\u00a01C450 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en los subart\u00edculos 1C450.a.1 y .a.2 cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 30\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C450 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en los subart\u00edculos 1C450.a.4, .a.5, .a.6 y .a.7. cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 30\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C450 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Precursores de sustancias qu\u00edmicas t\u00f3xicas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustancias qu\u00edmicas distintas de las especificadas en la Relaci\u00f3n de Material de Defensa o en el art\u00edculo\u00a01C350, que contengan un \u00e1tomo de f\u00f3sforo en enlace con un grupo metilo, etilo, n-propilo o isopropilo, pero no con otros \u00e1tomos de carbono;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C450.b.1. no somete a control el fonof\u00f3s: etilfosfonotiolotionato de Oetilo y Sfenilo (CAS 944-22-9).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) dihaluros fosforam\u00eddicos, distintos del dicloruro N,N-dimetilaminofosforilo;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a01C350.57 para el dicloruro de N,N-dimetilaminofosforilo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) N,N-dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo])-fosforamidatos, distintos del N,N-dimetilfosforamidato de dietilo incluido en el art\u00edculo\u00a01C350;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cloruros de N,N-dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) cloruro de aminoetilo-2 y las sales protonadas correspondientes, distintos del cloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo o del hidrocloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo cloruro incluidos en el art\u00edculo\u00a01C350.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,Ndialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) aminoetano2-oles y las sales protonadas correspondientes, distintas del N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanol (CAS 96-80-0) y el N,N-dietilaminoetanol (CAS 100-37-8) especificados en el art\u00edculo\u00a01C350;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01C450.b.5 no somete a control las sustancias siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

N,N-dimetilaminoetanol (CAS 108-01-0) y las sales protonadas correspondientes;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las sales protonadas de N,N-dietilaminoetanol (CAS 100-37-8);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N,Ndialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) aminoetano2-tioles y las sales protonadas correspondientes, distintas del N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanotiol (CAS 5842-07-9) y el hidrocloruro de N,N-diisopropilaminoetanetiol (CAS 41480-75-5) especificados en el art\u00edculo\u00a01C350;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e9ase el art\u00edculo\u00a01C350 para la etildietanolamina (CAS 139-87-7);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Metildietanolamina (CAS 105-59-9).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En cuanto a las exportaciones a los \u00abEstados que no son Parte\u00bb de la Convenci\u00f3n sobre Armas Qu\u00edmicas, el art\u00edculo\u00a01C450 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en los subart\u00edculos 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 y .b.6 cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 10\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En cuanto a las exportaciones a los \u00abEstados que son Parte de la Convenci\u00f3n sobre Armas Qu\u00edmicas\u00bb, el art\u00edculo\u00a01C450 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en los subart\u00edculos 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 y .b.6 cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 30\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C450 no somete a control las \u00abmezclas qu\u00edmicas\u00bb que contengan una o varias de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en el subart\u00edculo\u00a01C450.b.8 cuando ninguna sustancia qu\u00edmica espec\u00edfica constituya, por s\u00ed sola, m\u00e1s del 30\u00a0%, en peso, de la mezcla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01C450 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1C513<\/p>\n<\/td>\n

Polvos de ‘aleaciones de alta entrop\u00eda’ o de \u2018metales y aleaciones refractarios\u2019, no especificados en el art\u00edculo\u00a01C002, que tengan una superficie modificada con ‘inoculantes’.<\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a01C513:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las ‘aleaciones de alta entrop\u00eda’ son aleaciones que tienen al menos 5 elementos met\u00e1licos principales, cada uno con una concentraci\u00f3n dentro del rango de 5 a\u00a035 por ciento at\u00f3mico, de la siguiente lista: Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta o W.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los ‘inoculantes’ son aditivos que promueven la nucleaci\u00f3n de granos y aumentan el \u00e1rea total de los l\u00edmites de grano para inhibir los defectos de solidificaci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los ‘metales y aleaciones refractarios’ son los metales siguientes y sus aleaciones: niobio, molibdeno, wolframio y t\u00e1ntalo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

1D<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos\u00a01B001 a\u00a01B003.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1D002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) o laminados que contengan una \u00abmatriz\u00bb org\u00e1nica, una \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica o una \u00abmatriz\u00bb de carbono.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1D003<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para permitir que un equipo cumpla las funciones del equipo especificado en los subart\u00edculos\u00a01A004.c o 1A004.d.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1D101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la utilizaci\u00f3n o el mantenimiento de los productos especificados en los art\u00edculos\u00a01B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 o 1B119.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1D103<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el an\u00e1lisis de observables reducidas tales como la reflectividad al radar, las firmas ultravioletas\/infrarrojas y las firmas ac\u00fasticas.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1D201<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los productos especificados en el art\u00edculo\u00a01B201.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

1E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos o materiales especificados en los art\u00edculos\u00a01A002 a\u00a01A005, el subart\u00edculo\u00a01A006.b, el art\u00edculo\u00a01A007 o las categor\u00edas\u00a01B o 1C.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E002<\/p>\n<\/td>\n

Otras \u00abtecnolog\u00edas\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de polibenzotiazoles o de polibenzoxazoles;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de compuestos de fluoroelast\u00f3meros que contengan al menos un mon\u00f3mero de vinil\u00e9ter;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el dise\u00f1o o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los polvos cer\u00e1micos o materiales que no sean \u00abmateriales compuestos\u00bb (composite) que se indican a continuaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Polvos cer\u00e1micos que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las composiciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xidos de circonio simples o complejos y \u00f3xidos complejos de silicio o de aluminio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitruros de boro simples (formas cristalinas c\u00fabicas);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburos de silicio o de boro, simples o complejos; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nitruros de silicio, simples o complejos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de los totales de impurezas met\u00e1licas siguientes (excluidas las adiciones intencionales):<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Menos de 1\u00a0000\u00a0ppm para los carburos u \u00f3xidos simples; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Menos de 5\u00a0000\u00a0ppm para compuestos complejos o nitruros simples; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que sean cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonios (CAS 1314-23-4) con un tama\u00f1o medio de part\u00edculas inferior o igual a\u00a01\u00a0\u03bcm y con no m\u00e1s del 10\u00a0% de las part\u00edculas mayores de 5\u00a0\u03bcm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Otros materiales de base con un tama\u00f1o medio de part\u00edculas inferior o igual a\u00a05\u00a0\u03bcm y con no m\u00e1s del 10\u00a0% de las part\u00edculas mayores de 10\u00a0\u03bcm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales cer\u00e1micos que no sean \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) constituidos por los materiales especificados en el subart\u00edculo\u00a01E002.c.1;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01E002.c.2 no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para abrasivos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la instalaci\u00f3n, el mantenimiento o la reparaci\u00f3n de los materiales especificados en el art\u00edculo\u00a01C001;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la reparaci\u00f3n de las estructuras de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites), laminados o materiales especificados en el art\u00edculo\u00a01A002 o en el subart\u00edculo\u00a01C007.c;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a01E002.f no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de reparaci\u00f3n de estructuras de \u00abaeronaves civiles\u00bb con \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de carbono y resinas epox\u00eddicas, descrita en los manuales de los fabricantes de \u00abaeronaves\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abBibliotecas (bases de datos t\u00e9cnicos param\u00e9tricos)\u00bb dise\u00f1adas especialmente o modificadas para permitir que un equipo cumpla las funciones del equipo especificado en los subart\u00edculos 1A004.c o 1A004.d.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda sobre la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los productos especificados en los art\u00edculos\u00a01A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 a\u00a01B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 a\u00a01C118, 1D101 o 1D103.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E102<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para el \u00abdesarrollo\u00bb de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los art\u00edculos\u00a01D001, 1D101 o 1D103.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E103<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la regulaci\u00f3n de la temperatura, la presi\u00f3n o la atm\u00f3sfera en autoclaves o en hidroclaves, cuando se utilicen para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) o \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) parcialmente procesados.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E104<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de materiales derivados pirol\u00edticamente formados en un molde, mandril u otro sustrato a partir de gases precursores que se descompongan en el intervalo de temperaturas de 1\u00a0573\u00a0K (1\u00a0300\u00a0\u00b0C) a 3\u00a0173\u00a0K (2\u00a0900\u00a0\u00b0C) a presiones de 130\u00a0Pa a\u00a020\u00a0kPa.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a01E104 incluye la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para la composici\u00f3n de gases precursores, caudales y los programas y par\u00e1metros de control de procesos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E201<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los productos especificados en los art\u00edculos\u00a01A002, 1A007, 1A202, 1A225 a\u00a01A227, 1B201, 1B225 a\u00a01B235, los subart\u00edculos\u00a01C002.b.3 o b.4 y\u00a01C010.b, as\u00ed como los art\u00edculos\u00a01C202, 1C210, 1C216, 1C225 a\u00a01C241 o 1D201.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E202<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los productos especificados en los art\u00edculos\u00a01A007, 1A202 o 1A225 a\u00a01A227.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1E203<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para el \u00abdesarrollo\u00bb de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a01D201.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE IV<\/p>\n

Categor\u00eda 2<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 2. TRATAMIENTO DE LOS MATERIALES<\/span><\/p>\n

2A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En relaci\u00f3n con los rodamientos de funcionamiento silencioso, v\u00e9ase la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2A001<\/p>\n<\/td>\n

Rodamientos y sistemas de rodamiento antifricci\u00f3n, y componentes, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02A101.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con la clase de tolerancia\u00a04 o con la clase de tolerancia\u00a02 de la norma ISO\u00a0492 (o las normas nacionales equivalentes) o mayor, y que tengan tanto ‘anillos’ como ‘elementos de rodadura’, de monel o de berilio;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02A001.a no somete a control los rodamientos de rodillos c\u00f3nicos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02A001.a:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El \u2018anillo\u2019 es una parte anular de un rodamiento radial que incorpora una o m\u00e1s pistas de rodadura (ISO\u00a05593:1997).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El \u2018elemento de rodadura\u2019 es una bola o rodillo que rueda entre las pistas de rodadura (ISO\u00a05593:1997).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de rodamientos magn\u00e9ticos activos que utilicen cualquiera de los siguientes elementos, y componentes de los mismos dise\u00f1ados especialmente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales con densidades de flujo de 2,0\u00a0T o mayores y l\u00edmites el\u00e1sticos superiores a\u00a0414\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1os de polarizaci\u00f3n homopolar 3D totalmente electromagn\u00e9ticos para actuadores; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sensores de posici\u00f3n de alta temperatura (450\u00a0K [177\u202f\u00b0C] y superiores).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2A101<\/p>\n<\/td>\n

Rodamientos radiales distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a02A001, con todas las tolerancias especificadas de acuerdo con la clase de tolerancia\u00a02 de la norma ISO\u00a0492 (o\u00a0ANSI\/ABMA Sdt 20, clase de tolerancia ABEC-9 u otras normas nacionales equivalentes) o mayor, y que se ajusten a todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro interior del anillo interior de 12\u00a0mm a\u00a050\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro exterior del anillo exterior de 25\u00a0mm a\u00a0100\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Anchura de 10\u00a0mm a\u00a020\u00a0mm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2A225<\/p>\n<\/td>\n

Crisoles hechos de materiales resistentes a los metales act\u00ednidos l\u00edquidos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Crisoles que re\u00fanan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener un volumen comprendido entre 150\u00a0cm3<\/span> y 8\u00a0000\u00a0cm3<\/span>; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar hechos o revestidos de cualquiera de los siguientes materiales, o una combinaci\u00f3n de esos materiales, con un nivel de impurezas global inferior o igual al 2\u00a0% en peso:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoruro de calcio (CaF2<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonato de calcio (metacirconato) (CaZrO3<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sulfuro de cerio (Ce2<\/span>S3<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xido de erbio (erbia) (Er2<\/span>O3<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xido de hafnio (hafnia) (HfO2<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xido de Magnesio (MgO);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaci\u00f3n nitrurada de niobiotitaniowolframio (aproximadamente el 50\u00a0% de Nb, el 30\u00a0% de Ti y el 20\u00a0% de W);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xido de itrio (itria) (Y2<\/span>O3<\/span>); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xido de circonio (circonia) (ZrO2<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Crisoles que re\u00fanan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener un volumen comprendido entre 50\u00a0cm3<\/span> y 2\u00a0000\u00a0cm3<\/span>; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar hechos o revestidos de t\u00e1ntalo, de pureza igual o superior al 99,9\u00a0% en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Crisoles que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener un volumen comprendido entre 50\u00a0cm3<\/span> y 2\u00a0000\u00a0cm3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar hechos o revestidos de t\u00e1ntalo, de pureza igual o superior al 98\u00a0% en peso; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar revestidos con carburo, nitruro o boruro de t\u00e1ntalo, o cualquier combinaci\u00f3n de estos.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2A226<\/p>\n<\/td>\n

V\u00e1lvulas que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘tama\u00f1o nominal’ igual o superior a\u00a05\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Disponer de un cierre de fuelle; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar fabricadas \u00edntegramente o revestidas de aluminio, aleaciones de aluminio, n\u00edquel o aleaciones de n\u00edquel que contengan m\u00e1s de un\u00a060\u00a0% de n\u00edquel en peso.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Para las v\u00e1lvulas con diferentes di\u00e1metros de entrada y de salida, el ‘tama\u00f1o nominal’ en el art\u00edculo\u00a02A226 se refiere al di\u00e1metro m\u00e1s peque\u00f1o.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

2B<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02B, los ejes de contorneado secundarios paralelos (por ejemplo, el eje w de las mandrinadoras horizontales o un eje de rotaci\u00f3n secundario cuya l\u00ednea central sea paralela al eje de rotaci\u00f3n principal) no se incluyen en el n\u00famero total de ejes de contorneado. Los ejes de rotaci\u00f3n no necesitan girar 360\u00b0. Un eje de rotaci\u00f3n podr\u00e1 ser accionado por un dispositivo lineal (por ejemplo, un tornillo o un sistema de pi\u00f1\u00f3n y cremallera).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de la categor\u00eda\u00a02B, el n\u00famero de ejes que pueden coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb es el n\u00famero de ejes a lo largo o alrededor de los cuales se producen, durante el trabajo con la pieza, movimientos simult\u00e1neos e interrelacionados entre la pieza de trabajo y una herramienta. Esto no incluye otros ejes adicionales a lo largo o alrededor de los cuales tengan lugar otros movimientos relativos dentro de la m\u00e1quina. Tales ejes incluyen:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

sistemas de reafilado de muelas de m\u00e1quinas de rectificado;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

ejes de rotaci\u00f3n paralelos dise\u00f1ados para montar piezas de trabajo separadas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

ejes rotatorios colineales dise\u00f1ados para manipular la misma pieza de trabajo sujet\u00e1ndola sobre un mandril desde distintos lados.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02B, la nomenclatura de los ejes se ajustar\u00e1 a la norma ISO\u00a0841:2001, titulada Sistemas de automatizaci\u00f3n industrial e integraci\u00f3n. Control num\u00e9rico de m\u00e1quinas. Sistema de coordenada y nomenclatura de movimiento.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de los art\u00edculos 2B001 a\u00a02B009, un \u00abhusillo basculante\u00bb se considera eje de rotaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02B, puede utilizarse para cada modelo de m\u00e1quina herramienta la ‘\u00bbrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb declarada’ como alternativa a los ensayos individuales de las m\u00e1quinas, que se determina seg\u00fan se indica:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Seleccionar cinco m\u00e1quinas del modelo que se quiere evaluar;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Medir la repetibilidad de los ejes lineales (R\u2191,R\u2193) con arreglo a la norma ISO 230-2:2014 y evaluar la \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb para cada eje de cada una de las cinco m\u00e1quinas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Determinar la media aritm\u00e9tica de los valores de la \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb para cada eje de las cinco m\u00e1quinas juntas. Estas medias aritm\u00e9ticas de la \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u201d (<\/span>\"Imagen:<\/span>) se convierten en el valor declarado de cada eje para el modelo (<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

\"Imagen:<\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

x<\/span>,<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

\"Imagen:<\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

y<\/span>, \u2026);<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Como la lista de la categor\u00eda 2 se refiere a cada eje lineal, habr\u00e1 tantos valores de ‘\u00bbrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb declarada’ como ejes lineales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En caso de que el eje de alg\u00fan modelo de m\u00e1quina no especificado en los subart\u00edculos 2B001.a a\u00a02B001.c tenga una ‘\u00bbrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb declarada’ igual o inferior a la \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb especificada de cada modelo de m\u00e1quina herramienta m\u00e1s 0,7\u00a0\u03bcm, se podr\u00e1 pedir al fabricante que compruebe el nivel de la exactitud cada 18 meses.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de los subart\u00edculos 2B001.a a\u00a02B001.c, no se tomar\u00e1 en consideraci\u00f3n la incertidumbre de medida para la \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb de las m\u00e1quinas herramienta, tal y como se define en la norma ISO 230-2:2014 o las normas nacionales equivalentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de los subart\u00edculos 2B001.a a\u00a02B001.c, la medici\u00f3n de los ejes se realizar\u00e1 de conformidad con los m\u00e9todos de ensayo del punto 5.3.2 de la norma ISO 230-2:2014. Los ensayos de los ejes de m\u00e1s de 2\u00a0metros de longitud deber\u00e1n realizarse en segmentos de m\u00e1s de 2\u00a0m. Deber\u00e1n realizarse varios ensayos a los ejes de m\u00e1s de 4\u00a0m de longitud (p. ej., dos ensayos para ejes de m\u00e1s de 4\u00a0metros y hasta 8\u00a0metros de longitud, tres ensayos para los ejes de m\u00e1s de 8\u00a0metros y hasta 12\u00a0metros de longitud), cada uno en segmentos de m\u00e1s de 2\u00a0m y distribuidos en intervalos iguales a lo largo de la longitud del eje. Los segmentos de ensayo deber\u00e1n estar equidistantes a lo largo de toda la longitud del eje, y cualquier exceso de longitud se dividir\u00e1 a partes iguales al principio, en el medio y al final de los segmentos de ensayo. Deber\u00e1 notificarse el valor m\u00e1s reducido de la \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb de todos los segmentos de ensayo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B001<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas herramienta y cualquier combinaci\u00f3n de ellas, para el arranque (o corte) de metales, materiales cer\u00e1micos o \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites<\/span>) que, seg\u00fan las especificaciones t\u00e9cnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electr\u00f3nicos para el \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02B201.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02B001 no somete a control las m\u00e1quinas herramienta para fines espec\u00edficos limitadas a la fabricaci\u00f3n de engranajes. Para esas m\u00e1quinas, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a02B003.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02B001 no somete a control las m\u00e1quinas herramienta para fines espec\u00edficos limitadas a la fabricaci\u00f3n de alguna de las siguientes piezas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

cig\u00fce\u00f1ales o \u00e1rboles de levas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

herramientas o cuchillas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

piezas de joyer\u00eda grabadas o talladas en facetas; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La m\u00e1quina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una m\u00e1quina de torneado que tambi\u00e9n sea fresadora) tendr\u00e1 que ser evaluada respecto de cada uno de los subart\u00edculos 2B001.a, 2B001.b o 2B001.c que le sean aplicables.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La m\u00e1quina herramienta que, adem\u00e1s de las funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una m\u00e1quina de torneado que tambi\u00e9n sea fresadora), tenga otra funci\u00f3n de fabricaci\u00f3n tendr\u00e1 que ser evaluada respecto de cada uno de los subart\u00edculos 2B001.a, 2B001.b o 2B001.c que le sean aplicables.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En relaci\u00f3n con las m\u00e1quinas herramienta de acabado \u00f3ptico, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a02B002.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas herramienta para torneado con dos o m\u00e1s ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 0,9\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera inferior a\u00a01,0\u00a0m; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 1,1\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a\u00a01,0\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B001.a no somete a control las m\u00e1quinas de torneado dise\u00f1adas especialmente para producir lentes de contacto que cumplan todo lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Disponer de un controlador de m\u00e1quina limitado al uso de programas inform\u00e1ticos de oftalmolog\u00eda en los que se introduzcan datos para la programaci\u00f3n de piezas; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

No contar con un dispositivo de vacuosujeci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B001.a no somete a control las m\u00e1quinas de barra (Swissturn) que se limitan a trabajar las barras, si el di\u00e1metro m\u00e1ximo de las barras es igual o inferior a\u00a042\u00a0mm y no es posible montar mandriles. Las m\u00e1quinas pueden ser capaces de perforar o fresar piezas de un di\u00e1metro inferior a\u00a042\u00a0mm.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas herramienta para fresado que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tres ejes lineales m\u00e1s un eje de rotaci\u00f3n que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 0,9\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera inferior a\u00a01,0\u00a0m; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 1,1\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a\u00a01,0\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cinco o m\u00e1s ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 0,9\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera inferior a\u00a01,0\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 1,4\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a\u00a01\u00a0m y menor de 4\u00a0m; o<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 6,0\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a\u00a04\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb para las mandrinadoras de coordenadas igual o inferior a (mejor que) 1,1\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fresadoras simples que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Desplazamiento axial peri\u00f3dico radial’ y ‘desplazamiento axial peri\u00f3dico longitudinal’ del husillo inferiores a (mejor que) 0,0004\u00a0mm TIR; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Desviaci\u00f3n angular del movimiento del carro (gui\u00f1ada, cabeceo y balanceo) inferior a (mejor que) 2 segundos de arco, TIR de m\u00e1s de 300\u00a0mm de avance;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B001.b.4.a:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Desplazamiento axial peri\u00f3dico radial’ (descentrado) (<\/span>run out): es el desplazamiento radial del husillo principal durante una rotaci\u00f3n de este, medido en un plano perpendicular al eje del husillo en un punto de la superficie rotativa externa o interna que va a someterse a ensayo (ISO 230-1:2012).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Desplazamiento axial peri\u00f3dico longitudinal’: es el desplazamiento longitudinal del husillo principal durante una rotaci\u00f3n de este, medido en un plano perpendicular a la cara del husillo en un punto pr\u00f3ximo a la circunferencia de la cara del husillo (ISO 230-1:2012).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas herramienta para rectificado que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 1,1\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tres o cuatro ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cinco o m\u00e1s ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 1,1\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera inferior a\u00a01\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 1,4\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a\u00a01\u00a0m y menor de 4\u00a0m; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb igual o inferior a (mejor que) 6,0\u00a0\u03bcm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a\u00a04\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B001.c no somete a control las m\u00e1quinas para rectificado que se indican a continuaci\u00f3n:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas para rectificado cil\u00edndrico externo, interno o externo-interno que se ajusten a todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Limitarse al rectificado cil\u00edndrico; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Limitarse a una capacidad m\u00e1xima para piezas de trabajo de 150\u00a0mm de di\u00e1metro exterior o longitud;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas dise\u00f1adas espec\u00edficamente como rectificadoras de coordenadas que no tengan un eje z o un eje w, con una \u00abrepetibilidad de posicionamiento unidireccional\u00bb inferior a (mejor que) 1,1\u00a0\u03bcm;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Rectificadoras de superficies;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de electroerosi\u00f3n (EDM) de tipo distinto al de hilo que tengan dos o m\u00e1s ejes de rotaci\u00f3n que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas herramienta para el arranque de metales, materiales cer\u00e1micos o \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites<\/span>) que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que eliminen material por alguno de los siguientes medios:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Chorros de agua o de otros l\u00edquidos, incluidos los que utilizan aditivos abrasivos:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean al menos dos ejes rotativos y todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La posibilidad de coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abexactitud\u00bb de posicionamiento inferior a (mejor que) 0,003\u00b0;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de perforaci\u00f3n profunda y m\u00e1quinas de tornear modificadas para perforaci\u00f3n profunda que tengan una capacidad m\u00e1xima de profundidad de perforaci\u00f3n superior a\u00a05\u00a0m.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B002<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas herramienta de acabado \u00f3ptico controladas num\u00e9ricamente, equipadas para la eliminaci\u00f3n de material de modo selectivo a fin de producir superficies \u00f3pticas no esf\u00e9ricas, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acabado de la forma inferior a (mejor que) 1,0\u00a0\u03bcm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acabado con una rugosidad inferior a (mejor que) 100\u00a0nm rms;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cuatro o m\u00e1s ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen cualquiera de los siguientes procesos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Acabado magnetorreol\u00f3gico’ (‘MRF’);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Acabado electrorreol\u00f3gico’ (‘ERF’);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Acabado por haz de part\u00edculas energ\u00e9ticas’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Acabado mediante herramienta con membrana hinchable’; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Acabado por chorro de fluido’.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02B002:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘MRF’ es un proceso de eliminaci\u00f3n de material mediante un fluido abrasivo magn\u00e9tico cuya viscosidad se controla por medio de un campo magn\u00e9tico.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘ERF’ es un proceso de eliminaci\u00f3n de material mediante un fluido abrasivo cuya viscosidad se controla por medio de un campo el\u00e9ctrico.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘acabado por haz de part\u00edculas energ\u00e9ticas’ utiliza plasmas de \u00e1tomos reactivos (RAP) o haces de iones para eliminar material de modo selectivo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘acabado mediante herramienta con membrana hinchable’ es un procedimiento en el que se emplea una membrana presurizada que se deforma para entrar en contacto con una peque\u00f1a superficie de la pieza de trabajo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘acabado por chorro de fluido’ utiliza un chorro de l\u00edquido para la eliminaci\u00f3n de material.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B003<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas herramienta \u00abcontroladas num\u00e9ricamente\u00bb dise\u00f1adas especialmente para el rasurado, acabado, rectificado o bru\u00f1ido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y de doble dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00edrculo primitivo de di\u00e1metro superior a 1\u00a0250\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Anchura de diente del 15\u00a0% o superior del di\u00e1metro del c\u00edrculo primitivo; y<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acabados con calidad igual o superior a\u00a014 seg\u00fan la norma AGMA (American Gear Manufacturers Association) (equivalente a la clase\u00a03 de la norma ISO\u00a01328).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B004<\/p>\n<\/td>\n

\u00abPrensas isost\u00e1ticas\u00bb en caliente que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes, y los componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 2B104 y\u00a02B204.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ambiente t\u00e9rmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una c\u00e1mara con un di\u00e1metro interior igual o superior a\u00a0406\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para desarrollar una presi\u00f3n de trabajo m\u00e1xima superior a\u00a0207\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ambiente t\u00e9rmico controlado superior a 1\u00a0773\u00a0K (1\u00a0500\u00a0\u00b0C); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para impregnar con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposici\u00f3n resultantes.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02B004, la dimensi\u00f3n de la c\u00e1mara interior es la de la c\u00e1mara en la que se alcanzan tanto la temperatura de funcionamiento como la presi\u00f3n de funcionamiento, excluidos los accesorios. Dicha dimensi\u00f3n ser\u00e1 bien la del di\u00e1metro interior de la c\u00e1mara de presi\u00f3n o bien la del di\u00e1metro interior de la c\u00e1mara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, en funci\u00f3n de cu\u00e1l de las c\u00e1maras est\u00e9 situada en el interior de la otra.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para matrices, moldes y herramientas dise\u00f1ados especialmente, v\u00e9anse los art\u00edculos 1B003 y\u00a09B009, y la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B005<\/p>\n<\/td>\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para el dep\u00f3sito, el procesado y el control durante el proceso, de revestimientos, recubrimientos y modificaciones de superficies inorg\u00e1nicas, seg\u00fan se indica, para los sustratos especificados en la columna\u00a02, por los procedimientos que se muestran en la columna\u00a01 de la tabla que figura a continuaci\u00f3n del subart\u00edculo\u00a02E003.f, y los componentes automatizados de manejo, posicionamiento, manipulaci\u00f3n y control dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de producci\u00f3n para el dep\u00f3sito qu\u00edmico en fase de vapor (CVD) que cumplan todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBIEN EL ART\u00cdCULO\u00a02B105.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un proceso modificado para uno de los tipos de dep\u00f3sito siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n nuclearia t\u00e9rmica controlada (CNTD); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

CVD intensificado por plasma o asistido por plasma; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Juntas rotatorias de alto vac\u00edo (igual o inferior a\u00a00,01\u00a0Pa); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Control del espesor del revestimiento in situ<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de producci\u00f3n para la implantaci\u00f3n i\u00f3nica que tengan corrientes de haz iguales o superiores a\u00a05\u00a0mA;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de producci\u00f3n para el dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico de haz de electrones (EB-PVD), que incorporen sistemas de alimentaci\u00f3n tasados a m\u00e1s de 80\u00a0kW y que posean alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistema de control \u00abl\u00e1ser\u00bb del nivel del ba\u00f1o l\u00edquido que regule con precisi\u00f3n la velocidad de avance de los lingotes; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivo de vigilancia de la velocidad controlado por ordenador, que funcione de acuerdo con el principio de la fotoluminiscencia de los \u00e1tomos ionizados en la corriente en evaporaci\u00f3n, para controlar la velocidad de dep\u00f3sito de un revestimiento que contenga dos o m\u00e1s elementos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de producci\u00f3n para la pulverizaci\u00f3n de plasma que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Funcionamiento en atm\u00f3sfera controlada a baja presi\u00f3n (igual o inferior a\u00a010\u00a0kPa, medida por encima de la salida de la boquilla de la pistola y a una distancia m\u00e1xima de 300\u00a0mm de esta) en una c\u00e1mara de vac\u00edo capaz de evacuar hasta 0,01\u00a0Pa antes del proceso de pulverizaci\u00f3n; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Control del espesor del revestimiento in situ<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de producci\u00f3n para el dep\u00f3sito por pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica capaces de producir densidades de corriente iguales o superiores a\u00a00,1\u00a0mA\/mm2<\/span> a una velocidad de dep\u00f3sito igual o superior a\u00a015\u00a0\u03bcm\/h;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de producci\u00f3n para el dep\u00f3sito por arco cat\u00f3dico, dotados de una ret\u00edcula de electroimanes para el control de la direcci\u00f3n del punto de arco en el c\u00e1todo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de producci\u00f3n para la implantaci\u00f3n i\u00f3nica capaces de medir in situ<\/span> alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espesor del revestimiento sobre el sustrato y control de la velocidad; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Caracter\u00edsticas \u00f3pticas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02B005 no somete a control los equipos para dep\u00f3sito qu\u00edmico en fase de vapor, de arco cat\u00f3dico, dep\u00f3sito por pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica, sedimentaci\u00f3n i\u00f3nica o implantaci\u00f3n i\u00f3nica, dise\u00f1ados especialmente para herramientas de corte o de mecanizado.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B006<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas, equipos, unidades de realimentaci\u00f3n de posici\u00f3n y \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb de control dimensional o de medida, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de medida de coordenadas (CMM) controladas por ordenador, o bien por \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb, que tengan un error m\u00e1ximo tolerado tridimensional (volum\u00e9trico) de medida de la longitud (E0,EMT<\/span>) en cualquier punto dentro del r\u00e9gimen de funcionamiento de la m\u00e1quina (es decir, dentro de la longitud de los ejes) igual o inferior a (mejor que) (1,7\u00a0+\u00a0L\/1\u00a0000) \u03bcm (donde L es la longitud medida expresada en mm), seg\u00fan la norma ISO 10360-2:2009;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B006.a, se comparar\u00e1, con el umbral de 1,7\u00a0+\u00a0L\/1\u00a0000\u00a0\u03bcm, el E0,EMT<\/span> de la configuraci\u00f3n m\u00e1s precisa de la m\u00e1quina de medida de coordenadas seg\u00fan la especificaci\u00f3n del fabricante (p. ej., el mejor de los elementos siguientes: sonda, longitud de la aguja, par\u00e1metros de movimiento o entorno), y con \u00abtodas las compensaciones disponibles\u00bb.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02B206.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas o instrumentos de medida del desplazamiento lineal, unidades de realimentaci\u00f3n de posici\u00f3n lineal y \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb de control dimensional o de medida, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los interfer\u00f3metros y los sistemas que midan los codificadores \u00f3pticos y contengan un \u00abl\u00e1ser\u00bb solo est\u00e1n especificados en los subart\u00edculos\u00a02B006.b.3 y\u00a02B206.c.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Sistemas de medida del tipo sin contacto’ que tengan una ‘resoluci\u00f3n’ igual o inferior a (mejor que) 0,2\u00a0\u03bcm dentro del intervalo de 0 a\u00a00,2\u00a0mm de la ‘gama de medida’;<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B006.b.1:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘sistemas de medida del tipo sin contacto’ est\u00e1n dise\u00f1ados para medir la distancia entre la sonda y el objeto medido a lo largo de un \u00fanico vector cuando la sonda o el objeto medido est\u00e1n en movimiento.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Gama de medida’ es la separaci\u00f3n entre la distancia m\u00ednima de trabajo y la distancia m\u00e1xima de trabajo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de realimentaci\u00f3n de posici\u00f3n lineal, dise\u00f1adas especialmente para m\u00e1quinas herramienta y que tengan una \u00abexactitud\u00bb global inferior a (mejor que) (800\u00a0+\u00a0[600\u00a0\u00d7\u00a0L\/1\u00a0000]) nm (siendo L la longitud efectiva en mm);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de medida que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contengan un \u00abl\u00e1ser\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resoluci\u00f3n’ en toda la escala igual o inferior a (mejor que) 0,200\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de alcanzar una \u00abincertidumbre de medida\u00bb igual o inferior a (mejor que) (1,6 + L\/2\u00a0000) nm (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro de un intervalo de medida, una vez compensado el \u00edndice de refracci\u00f3n del aire y medida a lo largo de un per\u00edodo de 30\u00a0segundos a una temperatura de 20\u00a0\u00b1\u00a00,01\u202f\u00b0C;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para proporcionar capacidad de realimentaci\u00f3n en los sistemas especificados en el subart\u00edculo\u00a02B006.b.3;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B006.b, la ‘resoluci\u00f3n’ es el incremento m\u00e1s peque\u00f1o de un dispositivo de medida; en instrumentos digitales, es el bit menos significativo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de realimentaci\u00f3n de posici\u00f3n rotatoria, dise\u00f1adas especialmente para m\u00e1quinas herramienta o instrumentos de medida del desplazamiento angular y que tengan una \u00abexactitud\u00bb de posici\u00f3n angular igual o inferior a (mejor que) 0,9\u00a0segundos de arco;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B006.c no somete a control los instrumentos \u00f3pticos, como los autocolimadores, que utilicen luz colimada (por ejemplo, luz \u00abl\u00e1ser\u00bb) para detectar el desplazamiento angular de un espejo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos destinados a medir irregularidades de superficie (incluidos los defectos de superficie) midiendo la dispersi\u00f3n \u00f3ptica, con una sensibilidad de 0,5\u00a0nm o inferior (mejor).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02B006 incluye las m\u00e1quinas herramienta distintas de las especificadas en el art\u00edculo\u00a02B001 que puedan utilizarse como m\u00e1quinas de medida, si cumplen o sobrepasan los criterios establecidos para la funci\u00f3n de m\u00e1quinas de medida.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B007<\/p>\n<\/td>\n

\u00abRobots\u00bb que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes y controladores y \u00abefectores terminales\u00bb dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02B207.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B007.b no somete a control los \u00abrobots\u00bb dise\u00f1ados especialmente para cabinas de pintura.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados especialmente o tener las caracter\u00edsticas necesarias para resistir una dosis de radiaci\u00f3n absorbida total superior a\u00a05\u00a0x\u00a0103<\/span>\u00a0Gy\u00a0(silicio) sin degradaci\u00f3n operativa; o<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

El t\u00e9rmino Gy (silicio) se refiere a la energ\u00eda en julios por kilo absorbida por una muestra de silicio sin protecci\u00f3n expuesta a radiaciones ionizantes.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30\u00a0000\u00a0m.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B008<\/p>\n<\/td>\n

‘Mesas rotativas compuestas’ y \u00abhusillos basculantes\u00bb dise\u00f1ados especialmente para m\u00e1quinas herramienta, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Mesas rotativas compuestas’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1adas para m\u00e1quinas herramienta para torneado, fresado o rectificado; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dos ejes de rotaci\u00f3n dise\u00f1ados para coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B008.c, una ‘mesa rotativa compuesta’ es una mesa que permite a la pieza de trabajo girar e inclinarse alrededor de dos ejes no paralelos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abHusillos basculantes\u00bb que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para m\u00e1quinas herramienta para torneado, fresado o rectificado; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B009<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas de conformaci\u00f3n por rotaci\u00f3n y m\u00e1quinas de conformaci\u00f3n por estirado que, de acuerdo con las especificaciones t\u00e9cnicas del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb o controladas por ordenador y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 2B109 Y 2B209.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tres o m\u00e1s ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una fuerza en rodillo superior a\u00a060\u00a0kN.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02B009, las m\u00e1quinas que combinen las funciones de conformaci\u00f3n por rotaci\u00f3n y por estirado se consideran como m\u00e1quinas de conformaci\u00f3n por estirado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B104<\/p>\n<\/td>\n

\u00abPrensas isost\u00e1ticas\u00bb, distintas de las especificadas en el art\u00edculo\u00a02B004, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02B204.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Presi\u00f3n de trabajo m\u00e1xima de 69\u00a0MPa o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1adas para conseguir y mantener un ambiente termal controlado de 873\u00a0K (600\u202f\u00b0C) o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Poseer una cavidad de la c\u00e1mara con un di\u00e1metro interior de 254\u00a0mm o superior.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B105<\/p>\n<\/td>\n

Hornos de dep\u00f3sito qu\u00edmico en fase de vapor (CVD), distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a02B005.a, dise\u00f1ados o modificados para la densificaci\u00f3n de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) carbono-carbono.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B109<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas de conformaci\u00f3n por estirado distintas de las especificadas en el art\u00edculo\u00a02B009, utilizables en la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de componentes y equipos de propulsi\u00f3n (por ejemplo, carcasas de motores e interetapas) para \u00abmisiles\u00bb, y componentes dise\u00f1ados especialmente, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02B209.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de conformaci\u00f3n por estirado que re\u00fanan todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n equipadas o, de acuerdo con la especificaci\u00f3n t\u00e9cnica del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb o control por ordenador; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s de dos ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente para m\u00e1quinas de conformaci\u00f3n por estirado (flow forming<\/span>) especificadas en el art\u00edculo\u00a02B009 o el subart\u00edculo\u00a02B109.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Las m\u00e1quinas que combinen las funciones de conformaci\u00f3n por rotaci\u00f3n y por estirado se consideran, a efectos del art\u00edculo\u00a02B109, como de conformaci\u00f3n por estirado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B116<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas para ensayo de vibraciones, equipos y componentes para ellos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Sistemas para ensayo de vibraciones que incorporen un controlador digital’ y empleen t\u00e9cnicas de realimentaci\u00f3n o de bucle, capaces de someter un sistema a vibraciones con una aceleraci\u00f3n igual o superior a\u00a010\u00a0g\u00a0rms entre los 20\u00a0Hz y los 2\u00a0kHz al tiempo que ejercen fuerzas iguales o superiores a\u00a050\u00a0kN, medidas a ‘mesa vac\u00eda’ (bare table<\/span>);<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a02B116.a, los ‘sistemas para ensayo de vibraci\u00f3n que incorporen un controlador digital’ son los sistemas cuyas funciones est\u00e1n parcial o totalmente controladas autom\u00e1ticamente por se\u00f1ales el\u00e9ctricas almacenadas y codificadas digitalmente.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Controladores digitales, combinados con programas inform\u00e1ticos concebidos especialmente para ensayos de vibraciones, con un ‘ancho de banda de control en tiempo real’ superior a\u00a05\u00a0kHz, dise\u00f1ados para su uso en los sistemas para ensayo de vibraciones especificados en el subart\u00edculo\u00a02B116.a;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a02B116.b, el ‘ancho de banda de control en tiempo real’ se refiere a la velocidad m\u00e1xima a la que un controlador puede ejecutar ciclos completos de muestreo, procesamiento de datos y transmisi\u00f3n de se\u00f1ales de control.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Impulsores para vibraci\u00f3n (unidades agitadoras), con o sin los amplificadores asociados, capaces de impartir una fuerza igual o superior a\u00a050\u00a0kN, medida a ‘mesa vac\u00eda’ (bare table<\/span>), y utilizables en los sistemas especificados en el subart\u00edculo\u00a02B116.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estructuras de soporte de la pieza que va a someterse a ensayo y unidades electr\u00f3nicas dise\u00f1adas para combinar unidades agitadoras m\u00faltiples en un sistema capaz de impartir una fuerza efectiva combinada igual o superior a\u00a050\u00a0kN, medida a ‘mesa vac\u00eda’ (bare table<\/span>), y utilizables en los sistemas especificados en el subart\u00edculo\u00a02B116.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a02B116, ‘mesa vac\u00eda’ (bare table) significa una mesa o una superficie plana, sin guarniciones ni accesorios.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B117<\/p>\n<\/td>\n

Equipo y controles de proceso, distintos de los especificados en los art\u00edculos\u00a02B004, 2B104 o 2B105, o en el subart\u00edculo\u00a02B005.a, dise\u00f1ados o modificados para la densificaci\u00f3n y pir\u00f3lisis de las estructuras de toberas de cohetes y ojivas de veh\u00edculos de reentrada, fabricadas con \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites<\/span>).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B119<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas de equilibrado (balancing machines<\/span>) y equipo relacionado, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBIEN EL ART\u00cdCULO\u00a02B219.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de equilibrado que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que no puedan equilibrar rotores\/conjuntos con una masa superior a\u00a03\u00a0kg;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que sean capaces de equilibrar rotores\/conjuntos a velocidades superiores a 12\u00a0500\u00a0rpm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que sean capaces de corregir el equilibrado en dos planos o m\u00e1s; y<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que sean capaces de equilibrar hasta un desequilibrio residual espec\u00edfico de 0,2\u00a0g\u00a0mm por kg de la masa del rotor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B119.a no somete a control las m\u00e1quinas de equilibrado dise\u00f1adas o modificadas para equipos dentales u otros fines m\u00e9dicos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cabezas indicadoras (indicator heads<\/span>) dise\u00f1adas o modificadas para uso con las m\u00e1quinas especificadas en el subart\u00edculo\u00a02B119.a.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Las cabezas indicadoras son a veces conocidas como instrumentaci\u00f3n de equilibrado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B120<\/p>\n<\/td>\n

Simuladores de movimientos o mesas de velocidad (rate tables<\/span>) que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que hayan sido dise\u00f1ados o modificados para incorporar anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto capaces de transferir corriente el\u00e9ctrica, se\u00f1al de informaci\u00f3n o ambas cosas; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para cualquier eje \u00fanico, que se ajusten a todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaz de alcanzar velocidades de 400\u00a0grados\/s o m\u00e1s, o 30 grados\/s o menos; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una resoluci\u00f3n de velocidad igual o menor que 6 grados\/s y una exactitud igual o menor a\u00a00,6 grados\/s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tengan en las peores condiciones una estabilidad de velocidad igual o mejor que (inferior a) m\u00e1s o menos 0,05\u00a0% como valor medio sobre 10\u00a0grados o m\u00e1s; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abexactitud\u00bb de posicionamiento igual o inferior a (mejor que) 5\u2033.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02B120 no somete a control las mesas rotativas dise\u00f1adas o modificadas como m\u00e1quina herramienta o para equipo m\u00e9dico. Para el control de las mesas rotativas de m\u00e1quinas herramienta, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a02B008.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los simuladores de movimientos o mesas de velocidad (<\/span>rate tables) especificados en el art\u00edculo\u00a02B120 est\u00e1n sometidos a control con independencia de que, en el momento de la exportaci\u00f3n, lleven incorporados o no anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B121<\/p>\n<\/td>\n

Mesas de posicionado (positioning tables<\/span>) \u2014equipo capaz de un posicionado rotatorio preciso en cualquier eje\u2014, distinto del especificado en el art\u00edculo\u00a02B120, que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abexactitud\u00bb de posicionamiento igual o inferior a (mejor que) 5\u2033.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02B121 no somete a control las mesas rotativas dise\u00f1adas o modificadas como m\u00e1quina herramienta o para equipo m\u00e9dico. Para el control de las mesas rotativas de m\u00e1quinas herramienta, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a02B008.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B122<\/p>\n<\/td>\n

Centr\u00edfugas capaces de impartir aceleraciones superiores a\u00a0100\u00a0g y que hayan sido dise\u00f1adas o modificadas para incorporar anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto capaces de transferir corriente el\u00e9ctrica, se\u00f1al de informaci\u00f3n o ambas cosas.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las centr\u00edfugas especificadas en el art\u00edculo\u00a02B122 est\u00e1n sometidas a control con independencia de que, en el momento de la exportaci\u00f3n, lleven incorporados anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B201<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas herramienta, y cualquier combinaci\u00f3n de ellas distintas de las especificadas en el art\u00edculo\u00a02B001, seg\u00fan se indica, para el arranque o corte de metales, materiales cer\u00e1micos o \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites<\/span>), que, seg\u00fan las especificaciones t\u00e9cnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electr\u00f3nicos para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb simult\u00e1neo en dos o m\u00e1s ejes:<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Pueden utilizarse para cada modelo de m\u00e1quina herramienta los niveles de exactitud de posicionamiento declarados que se obtengan, mediante los m\u00e9todos siguientes, a partir de mediciones efectuadas de acuerdo con la norma ISO 230-2:1988<\/span> \u00a0(7<\/span>)<\/a>o las normas nacionales equivalentes, si as\u00ed lo prev\u00e9n y aceptan las autoridades nacionales, en lugar de someter las m\u00e1quinas a ensayos individuales. Determinaci\u00f3n de la exactitud de posicionamiento declarada:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Seleccionar cinco m\u00e1quinas del modelo que se quiere evaluar;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Medir las precisiones de los ejes lineales seg\u00fan la norma ISO 230-2:19886<\/span>;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Establecer los valores de la exactitud (A) de cada eje de cada m\u00e1quina. El m\u00e9todo de c\u00e1lculo del valor de la exactitud se describe en la norma ISO 230-2:19886<\/span>;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Determinar la media de la exactitud de cada eje. Este valor medio ser\u00e1 la exactitud de posicionamiento declarada de cada eje para el modelo (\u00c2x \u00c2y…);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Como el art\u00edculo\u00a02B201 se refiere a cada eje lineal, habr\u00e1 tantos valores de exactitud de posicionamiento declarada como ejes lineales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En caso de que el eje de alguna m\u00e1quina herramienta no especificada en los subart\u00edculos 2B201.a, 2B201.b o 2B201.c tenga una exactitud de posicionamiento declarada de 6\u00a0\u03bcm o mejor (inferior) para las m\u00e1quinas de rectificado, y\u00a08\u00a0\u03bcm o mejor (inferior) para m\u00e1quinas para fresado y torneado, en ambos casos con arreglo a la norma ISO 230-2:19886<\/span>, debe pedirse al fabricante que compruebe el nivel de la exactitud cada dieciocho meses.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas herramienta para fresado que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Exactitud de posicionamiento con \u00abtodas las compensaciones disponibles\u00bb, iguales o inferiores a (mejores que) 6\u00a0\u03bcm, de conformidad con la norma ISO 230-2:19886<\/span> o las normas nacionales equivalentes en cualquiera de los ejes lineales;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dos o m\u00e1s ejes de rotaci\u00f3n de contorneado; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cinco o m\u00e1s ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B201.a no somete a control las m\u00e1quinas para fresado que re\u00fanan las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Desplazamiento en el eje x superior a\u00a02\u00a0m; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Exactitud de posicionamiento global en el eje x superior a (peor que) 30\u00a0\u03bcm.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas herramienta para rectificado que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Exactitud de posicionamiento con \u00abtodas las compensaciones disponibles\u00bb, iguales o inferiores a (mejores que) 4\u00a0\u03bcm, de conformidad con la norma ISO 230-2:19886<\/span> o las normas nacionales equivalentes en cualquiera de los ejes lineales;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dos o m\u00e1s ejes de rotaci\u00f3n de contorneado; o<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cinco o m\u00e1s ejes que puedan coordinarse simult\u00e1neamente para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B201.b no somete a control las m\u00e1quinas para rectificado que se indican a continuaci\u00f3n:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de rectificado cil\u00edndrico externo, interno o externo-interno que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Limitarse a una capacidad m\u00e1xima para piezas de trabajo de 150\u00a0mm de di\u00e1metro exterior o longitud; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Ejes limitados a x, z y c;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Rectificadores de coordenadas que no dispongan del eje z o del eje w, con una exactitud de posicionamiento global inferior a (mejor que) 4\u00a0\u03bcm, de conformidad con la norma ISO 230-2:19886<\/span> o las normas nacionales equivalentes.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas herramienta para torneado que tengan unas exactitudes de posicionamiento con \u00abtodas las compensaciones disponibles\u00bb mejores que (inferiores a) 6 \u03bcm, de conformidad con la ISO 230-2:19886<\/span> en cualquiera de los ejes lineales (posicionamiento global) para m\u00e1quinas capaces de mecanizar di\u00e1metros superiores a\u00a035\u00a0mm;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B201.c no somete a control las m\u00e1quinas de barra (Swissturn) que se limitan a trabajar las barras, si el di\u00e1metro m\u00e1ximo de las barras es igual o inferior a\u00a042\u00a0mm y no es posible montar mandriles. Las m\u00e1quinas pueden ser capaces de perforar y\/o fresar piezas de un di\u00e1metro inferior a\u00a042\u00a0mm.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02B201 no somete a control las m\u00e1quinas herramienta para fines espec\u00edficos limitadas a la fabricaci\u00f3n de cualquiera de las siguientes piezas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

cig\u00fce\u00f1ales o \u00e1rboles de levas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

herramientas o cuchillas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La m\u00e1quina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una m\u00e1quina de torneado que tambi\u00e9n sea fresadora) tendr\u00e1 que ser evaluada respecto de cada uno de los subart\u00edculos 2B201.a., .b. o .c. que le sean aplicables.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos\u00a02B201.a.3 y\u00a02B201.b.3 incluyen las m\u00e1quinas basadas en un dise\u00f1o lineal paralelo cinem\u00e1tico (por ejemplo, los hex\u00e1podos) que tienen cinco o m\u00e1s ejes, ninguno de los cuales es un eje de rotaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B204<\/p>\n<\/td>\n

\u00abPrensas isost\u00e1ticas\u00bb distintas de las especificadas en los art\u00edculos\u00a02B004 o 2B104 y equipos correspondientes, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPrensas isost\u00e1ticas\u00bb que re\u00fanan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser capaces de desarrollar una presi\u00f3n de funcionamiento m\u00e1xima de 69\u00a0MPa o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener una c\u00e1mara de di\u00e1metro interior superior a\u00a0152\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Matrices, moldes o controles, dise\u00f1ados especialmente para \u00abprensas isost\u00e1ticas\u00bb especificadas en el subart\u00edculo\u00a02B204.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a02B204, la dimensi\u00f3n de la c\u00e1mara interior es la de la c\u00e1mara en la que se alcanzan tanto la temperatura de funcionamiento como la presi\u00f3n de funcionamiento, excluidos los accesorios. Dicha dimensi\u00f3n ser\u00e1 bien la del di\u00e1metro interior de la c\u00e1mara de presi\u00f3n o bien la del di\u00e1metro interior de la c\u00e1mara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, en funci\u00f3n de cu\u00e1l de las c\u00e1maras est\u00e9 situada en el interior de la otra.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B206<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas, instrumentos o sistemas de control dimensional, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a02B006, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de medida de coordenadas (CMM) controladas por ordenador o num\u00e9ricamente que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tengan solo dos ejes y un error m\u00e1ximo tolerado de medida de la longitud a lo largo de cualquier eje (unidimensional), identificado como cualquier combinaci\u00f3n E0x,MPE<\/span>, E0y,MPE<\/span>, o E0z,MPE<\/span>, igual o inferior a (mejor que) (1,25 + L\/1\u00a0000) \u03bcm (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro del r\u00e9gimen de funcionamiento de la m\u00e1quina (es decir, dentro de la longitud de los ejes), seg\u00fan la norma ISO 10360-2:2009; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tengan tres o m\u00e1s ejes y un error m\u00e1ximo tolerado tridimensional (volum\u00e9trico) de medida de la longitud (E0,EMT<\/span>), igual o inferior a (mejor que) (1,7 + L\/800) \u03bcm (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro del r\u00e9gimen de funcionamiento de la m\u00e1quina (es decir, dentro de la longitud de los ejes), seg\u00fan la norma ISO 10360-2:2009;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Se comparar\u00e1, con el umbral de (1,7 + L\/800)\u00a0\u03bcm, el E0,EMT<\/span> de la configuraci\u00f3n m\u00e1s precisa de la m\u00e1quina de medida de coordenadas seg\u00fan la especificaci\u00f3n del fabricante con arreglo a la norma ISO 10360-2:2009 (p. ej., el mejor de los elementos siguientes: sonda, longitud de la aguja, par\u00e1metros de movimiento o entorno) y con todas las compensaciones disponibles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de control simult\u00e1neo lineal y angular de semicascos que posean las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abIncertidumbre de medida\u00bb en cualquier eje lineal igual o inferior a (mejor que) 3,5\u00a0\u03bcm en\u00a05\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDesviaci\u00f3n de posici\u00f3n angular\u00bb igual o inferior a\u00a00,02\u00b0;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de medida de ‘desplazamiento lineal’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B206.c, un ‘desplazamiento lineal’ es el cambio de distancia entre la sonda de medici\u00f3n y el objeto medido.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contengan un \u00abl\u00e1ser\u00bb; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de mantener durante 12 horas como m\u00ednimo, en un intervalo de temperaturas de \u00b1\u00a01\u00a0K (\u00b1\u00a01\u202fo<\/span>C) en torno a una temperatura normalizada y a una presi\u00f3n normalizada, todas las caracter\u00edsticas siguientes;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resoluci\u00f3n’, en toda la escala, igual a\u00a00,1\u00a0\u03bcm o mejor; y<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B206.c.2.a, la ‘resoluci\u00f3n’ es el incremento m\u00e1s peque\u00f1o de un dispositivo de medida; en instrumentos digitales, es el bit menos significativo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con una \u00abincertidumbre de medida\u00bb igual o mejor que (inferior a) (0,2 + L\/2\u00a0000)\u00a0\u03bcm (donde L es la longitud medida expresada en mm).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B206.c no somete a control los sistemas de medida con interfer\u00f3metros, sin bucle de realimentaci\u00f3n abierto o cerrado, que contengan un l\u00e1ser para medir los errores de movimiento del carro de las m\u00e1quinas herramienta, de las m\u00e1quinas de control dimensional o de equipos similares.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de transformador diferencial de variaci\u00f3n lineal (LVDT) que tengan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B206.d, un ‘desplazamiento lineal’ es el cambio de distancia entre la sonda de medici\u00f3n y el objeto medido.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00ablinealidad\u00bb igual o inferior a (mejor que) un\u00a00,1\u00a0% medida desde 0 hasta el r\u00e9gimen de funcionamiento completo, para los LVDT con un r\u00e9gimen de funcionamiento de hasta 5\u00a0mm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00ablinealidad\u00bb igual o inferior a (mejor que) un\u00a00,1\u00a0% medida desde 0 hasta 5\u00a0mm, para los LVDT con un r\u00e9gimen de funcionamiento superior a\u00a05\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una variaci\u00f3n igual o inferior a (mejor que) un\u00a00,1\u00a0% por d\u00eda a la temperatura ambiente est\u00e1ndar de las salas de ensayo \u00b1\u00a01\u00a0K (\u00b1 1\u202fo<\/span>C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las m\u00e1quinas herramienta que puedan utilizarse como m\u00e1quinas de medida quedan sometidas a control si cumplen o sobrepasan los criterios especificados para la funci\u00f3n de m\u00e1quinas herramienta o para la funci\u00f3n de m\u00e1quinas de medida.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Toda m\u00e1quina especificada en el art\u00edculo\u00a02B206 queda sometida a control si sobrepasa el l\u00edmite de control en cualquier punto de su r\u00e9gimen de funcionamiento.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

Todos los par\u00e1metros de valores de medida en el art\u00edculo\u00a02B206 representan m\u00e1s\/menos, es decir, no toda la banda.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B207<\/p>\n<\/td>\n

\u00abRobots\u00bb, \u00abefectores terminales\u00bb y unidades de control, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a02B007, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRobots\u00bb o \u00abefectores terminales\u00bb dise\u00f1ados especialmente para cumplir las normas nacionales de seguridad aplicables a la manipulaci\u00f3n de explosivos de gran potencia (por ejemplo, satisfacer las especificaciones del c\u00f3digo el\u00e9ctrico para explosivos de gran potencia);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de control dise\u00f1adas especialmente para cualquiera de los \u00abrobots\u00bb o \u00abefectores terminales\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a02B207.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B209<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas de conformaci\u00f3n por estirado, m\u00e1quinas de conformaci\u00f3n por rotaci\u00f3n, capaces de desempe\u00f1ar funciones de conformaci\u00f3n por estirado, distintas de las especificadas en los art\u00edculos 2B009 o 2B109, y mandriles, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tres o m\u00e1s rodillos (activos o de gu\u00eda); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que, de acuerdo con la especificaci\u00f3n t\u00e9cnica del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb o con control por ordenador;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mandriles para la conformaci\u00f3n de rotores dise\u00f1ados para formar rotores cil\u00edndricos de di\u00e1metro interior entre 75\u00a0mm y\u00a0650\u00a0mm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B209.a incluye las m\u00e1quinas que tengan solo un rodillo \u00fanico dise\u00f1ado para deformar el metal m\u00e1s dos rodillos auxiliares que sirvan de apoyo al mandril, pero que no participen directamente en el proceso de deformaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B219<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1quinas de equilibrado multiplano de centr\u00edfugas, fijas o m\u00f3viles, horizontales o verticales, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de equilibrado de centr\u00edfugas dise\u00f1adas para equilibrar rotores flexibles, que tengan una longitud igual o superior a\u00a0600\u00a0mm y todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un di\u00e1metro nominal, o un di\u00e1metro m\u00e1ximo con oscilaci\u00f3n, de m\u00e1s de 75\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para masas de entre 0,9 y\u00a023\u00a0kg; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de equilibrar velocidades de revoluci\u00f3n superiores a 5\u00a0000\u00a0r.p.m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de equilibrado de centr\u00edfugas dise\u00f1adas para equilibrar componentes de rotor cil\u00edndricos huecos y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro nominal igual o superior a\u00a075\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para masas de entre 0,9 y\u00a023\u00a0kg;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Desequilibrio residual espec\u00edfico m\u00ednimo realizable igual o inferior a\u00a010\u00a0g \u00d7 mm\/kg por plano; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Del tipo accionado por correa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B225<\/p>\n<\/td>\n

Manipuladores a distancia que puedan usarse para efectuar acciones a distancia en las operaciones de separaci\u00f3n radioqu\u00edmica o en celdas calientes que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para atravesar una pared de celda caliente de 0,6\u00a0m o m\u00e1s (operaci\u00f3n a trav\u00e9s de la pared); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para pasar por encima de una pared de celda caliente de 0,6\u00a0m o m\u00e1s de grosor (operaci\u00f3n por encima de la pared).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Los manipuladores a distancia traducen las acciones de un operador humano a un brazo operativo y una sujeci\u00f3n terminal a distancia. Los manipuladores pueden ser del tipo ‘maestro\/esclavo’ o estar accionados por palanca universal o teclado num\u00e9rico.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B226<\/p>\n<\/td>\n

Hornos de inducci\u00f3n en atm\u00f3sfera controlada (al vac\u00edo o gas inerte), excepto los especificados en los art\u00edculos\u00a09B001 y\u00a03B001, y las fuentes de alimentaci\u00f3n correspondientes, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 3B001 y\u00a09B001.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hornos que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser capaces de funcionar a m\u00e1s de 1\u00a0123\u00a0K (850\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar equipados con bobinas de inducci\u00f3n de 600\u00a0mm o menos de di\u00e1metro; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para potencias de entrada de 5\u00a0kW o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B226.a no somete a control los hornos dise\u00f1ados para la transformaci\u00f3n de obleas de semiconductores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes de alimentaci\u00f3n dise\u00f1adas especialmente para los hornos especificados en el subart\u00edculo\u00a02B226.a, con una potencia de salida de 5\u00a0kW o m\u00e1s.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B227<\/p>\n<\/td>\n

Hornos metal\u00fargicos de fusi\u00f3n y de fundici\u00f3n, de vac\u00edo u otras formas de atm\u00f3sfera controlada, y los equipos correspondientes, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hornos de refusi\u00f3n de arco, hornos de fusi\u00f3n de arco y hornos de fundici\u00f3n y fusi\u00f3n de arco que presenten las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Electrodos consumibles de capacidad comprendida entre 1\u00a0000\u00a0cm3<\/span> y 20\u00a0000\u00a0cm3<\/span>; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de funcionar a temperaturas de fusi\u00f3n superiores a 1\u00a0973\u00a0K (1\u00a0700\u00a0o<\/span>C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hornos de fusi\u00f3n de haz de electrones, hornos de atomizaci\u00f3n por plasma y hornos de fusi\u00f3n por plasma, que posean las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia igual o superior a\u00a050\u00a0kW; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de funcionar a temperaturas de fusi\u00f3n superiores a 1\u00a0473\u00a0K (1\u00a0200\u00a0o<\/span>C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Control por ordenador y sistemas de supervisi\u00f3n configurados especialmente para cualquiera de los hornos especificados en los subart\u00edculos\u00a02B227.a o 2B227.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Antorchas de plasma dise\u00f1adas especialmente para hornos especificados en el subart\u00edculo\u00a02B227.b y que tengan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Poder funcionar a una potencia superior a\u00a050\u00a0kW; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de funcionar a temperaturas superiores a 1\u00a0473\u00a0K (1\u00a0200\u00a0o<\/span>C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ca\u00f1ones de haz de electrones especialmente dise\u00f1ados para los hornos especificados en el subart\u00edculo\u00a02B227.b que funcionen a una potencia superior a\u00a050\u00a0kW.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B228<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de fabricaci\u00f3n o ensamblado de rotores, equipos de enderezamiento de rotores y mandriles y matrices para la conformaci\u00f3n de fuelles, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de ensamblado de rotores para ensamblar secciones de tubos de rotor, pantallas y cofias de centr\u00edfugas gaseosas;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B228.a incluye los mandriles de precisi\u00f3n, las abrazaderas y las m\u00e1quinas de ajuste por contracci\u00f3n asociados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de enderezamiento de rotores para alinear las secciones de los tubos de los rotores de las centr\u00edfugas gaseosas a un eje com\u00fan;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a02B228.b, estos equipos consisten normalmente en probetas de medida de precisi\u00f3n conectadas con un ordenador que, subsiguientemente, controla la acci\u00f3n de, por ejemplo, arietes neum\u00e1ticos utilizados para alinear las secciones del tubo del rotor.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mandriles para la conformaci\u00f3n de fuelles y matrices para la producci\u00f3n de fuelles de forma convolutiva simple.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a02B228.c, los fuelles presentan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro interior comprendido entre 75\u00a0mm y\u00a0650\u00a0mm;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud igual o superior a\u00a012,7\u00a0mm;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Paso superior a\u00a02\u00a0mm; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar hechos con aleaciones de aluminio de gran tenacidad, acero martens\u00edtico envejecido o \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb de gran tenacidad.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B230<\/p>\n<\/td>\n

Todos los tipos de ‘transductores de presi\u00f3n’ capaces de medir la presi\u00f3n absoluta y que se ajusten a todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elementos sensores de la presi\u00f3n fabricados o protegidos con aluminio, aleaciones de aluminio, \u00f3xido de aluminio (al\u00famina o zafiro), n\u00edquel, aleaciones de n\u00edquel con m\u00e1s del 60\u00a0% de n\u00edquel en peso o pol\u00edmeros de hidrocarburos totalmente fluorados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Juntas, en caso de existir, esenciales para sellar el elemento sensor de la presi\u00f3n, y en contacto directo con el medio que est\u00e1 siendo procesado, fabricadas o protegidas con aluminio, aleaciones de aluminio, \u00f3xido de aluminio (al\u00famina o zafiro), n\u00edquel, aleaciones de n\u00edquel con m\u00e1s del 60\u00a0% de n\u00edquel en peso o pol\u00edmeros de hidrocarburos totalmente fluorados; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una escala total de menos de 13\u00a0kPa y una ‘exactitud’ superior al 1\u00a0% de la escala total; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una escala total de 13\u00a0kPa o m\u00e1s y una ‘exactitud’ superior a\u00a0130\u00a0Pa cuando se mide a\u00a013\u00a0kPa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a02B230, el ‘transductor de presi\u00f3n’ es un dispositivo que convierte una medida de presi\u00f3n en una se\u00f1al.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02B230, la ‘exactitud’ incluye la falta de linealidad, la hist\u00e9resis y la repetibilidad a temperatura ambiente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B231<\/p>\n<\/td>\n

Bombas de vac\u00edo que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tama\u00f1o del orificio de entrada igual o superior a\u00a0380\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Velocidad de bombeo igual o superior a\u00a015\u00a0m3<\/span>\/s; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de producir un vac\u00edo final mejor que 13\u00a0mPa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La velocidad de bombeo se determina en el punto de medici\u00f3n con nitr\u00f3geno gaseoso o aire.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El vac\u00edo final se determina en la entrada de la bomba, con la entrada de la bomba bloqueada.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B232<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de ca\u00f1\u00f3n de alta velocidad (propulsantes, de gas, de bobina, electromagn\u00e9ticos, de tipo electrot\u00e9rmico y otros sistemas avanzados), capaces de acelerar proyectiles a una velocidad de 1,5\u00a0km\/s o m\u00e1s.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B233<\/p>\n<\/td>\n

Compresores de desplazamiento (scroll<\/span>) herm\u00e9ticos de fuelle y bombas de vac\u00edo de desplazamiento (scroll<\/span>) herm\u00e9ticas de fuelle que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL SUBART\u00cdCULO\u00a02B350.i.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de una velocidad de flujo de volumen de admisi\u00f3n de 50\u00a0m3<\/span>\/h o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de funcionar a relaciones de presi\u00f3n de\u00a02:1 o superiores; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tengan todas las superficies que entran en contacto con el gas del proceso hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminio o aleaci\u00f3n de aluminio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o aleaciones de n\u00edquel;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B350<\/p>\n<\/td>\n

Instalaciones, equipos y componentes qu\u00edmicos de fabricaci\u00f3n, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cubas de reacci\u00f3n o reactores, con o sin agitadores, con un volumen interno total (geom\u00e9trico) superior a\u00a00,1\u00a0m3<\/span> (100\u00a0litros) e inferior a\u00a020\u00a0m3<\/span> (20\u00a0000\u00a0litros), en las que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos contenidos, o que est\u00e1n siendo transformados, est\u00e9n hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En relaci\u00f3n con los conjuntos de reparaci\u00f3n prefabricados, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a02B350.k.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoropol\u00edmeros (pol\u00edmeros o elast\u00f3meros con m\u00e1s del 35\u00a0% de fl\u00faor en peso);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e1ntalo o ‘aleaciones’ de t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanio o ‘aleaciones’ de titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonio o ‘aleaciones’ de circonio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Agitadores concebidos para su uso en las cubas de reacci\u00f3n o los reactores especificados en el subart\u00edculo\u00a02B350.a; e impulsadores, paletas o ejes dise\u00f1ados para esos agitadores, donde todas las superficies del agitador que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos contenidos, o que est\u00e9n siendo procesados, est\u00e9n hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoropol\u00edmeros (pol\u00edmeros o elast\u00f3meros con m\u00e1s del 35\u00a0% de fl\u00faor en peso);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e1ntalo o ‘aleaciones’ de t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanio o ‘aleaciones’ de titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonio o ‘aleaciones’ de circonio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tanques de almacenaje, contenedores o receptores con un volumen interno total (geom\u00e9trico) superior a\u00a00,1\u00a0m3<\/span> (100\u00a0litros), en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos contenidos, o que est\u00e9n siendo transformados, est\u00e9n hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En relaci\u00f3n con los conjuntos de reparaci\u00f3n prefabricados, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a02B350.k.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoropol\u00edmeros (pol\u00edmeros o elast\u00f3meros con m\u00e1s del 35\u00a0% de fl\u00faor en peso);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e1ntalo o ‘aleaciones’ de t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanio o ‘aleaciones’ de titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonio o ‘aleaciones’ de circonio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Intercambiadores de calor o condensadores con una superficie de transferencia de calor de m\u00e1s de 0,15\u00a0m2<\/span> y menos de 20\u00a0m2<\/span>; y tubos, placas, bobinas o bloques (n\u00facleos) dise\u00f1ados para esos intercambiadores de calor o condensadores, en los que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos que est\u00e9n siendo transformados, est\u00e9n hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoropol\u00edmeros (pol\u00edmeros o elast\u00f3meros con m\u00e1s del 35\u00a0% de fl\u00faor en peso);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grafito o ‘grafito de carbono’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e1ntalo o ‘aleaciones’ de t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanio o ‘aleaciones’ de titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonio o ‘aleaciones’ de circonio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Columnas de destilaci\u00f3n o de absorci\u00f3n con un di\u00e1metro interior superior a\u00a00,1\u00a0m; y distribuidores de l\u00edquido, distribuidores de vapor o colectores de l\u00edquido dise\u00f1ados para esas columnas de destilaci\u00f3n o de absorci\u00f3n, en las que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos que est\u00e9n siendo transformados, est\u00e9n hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoropol\u00edmeros (pol\u00edmeros o elast\u00f3meros con m\u00e1s del 35\u00a0% de fl\u00faor en peso);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grafito o ‘grafito de carbono’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e1ntalo o ‘aleaciones’ de t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanio o ‘aleaciones’ de titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonio o ‘aleaciones’ de circonio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de llenado, manejados por control remoto, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos que est\u00e9n siendo transformados est\u00e9n hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso: o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas y componentes seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas que posean las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Tama\u00f1o nominal’ de m\u00e1s de DN 10\u00a0o NPS\u00a03\/8; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos que est\u00e9n siendo elaborados, transformados o contenidos est\u00e9n hechas con ‘materiales resistentes a la corrosi\u00f3n’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas, distintas de las especificadas en el subart\u00edculo\u00a02B350.g.1, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘tama\u00f1o nominal’ igual o superior a DN 25 o NPS 1 e igual o inferior a DN 100 o NPS 4;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Camisas (cuerpos de v\u00e1lvula) o forros de camisas preformados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un elemento de cierre concebido para ser intercambiable; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que todas las superficies de la camisa (cuerpo de la v\u00e1lvula) o forro de camisas preformado que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos que est\u00e9n siendo elaborados, transformados o contenidos est\u00e9n hechas con ‘materiales resistentes a la corrosi\u00f3n’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes concebidos para las v\u00e1lvulas especificadas en los subart\u00edculos 2B350.g.1 o 2B350.g.2, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos que est\u00e9n siendo elaborados, transformados o contenidos est\u00e9n hechas con ‘materiales resistentes a la corrosi\u00f3n’, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Camisas (cuerpos de v\u00e1lvula);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Forros de camisas preformados:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B350.g, los ‘materiales resistentes a la corrosi\u00f3n’ son cualquiera de los siguientes materiales:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o aleaciones con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoropol\u00edmeros (pol\u00edmeros o elast\u00f3meros con m\u00e1s del 35\u00a0% de fl\u00faor en peso);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio o revestimiento de vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e1ntalo o aleaciones de t\u00e1ntalo;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanio o aleaciones de titanio;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonio o aleaciones de circonio;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobio (columbio) o aleaciones de niobio; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales cer\u00e1micos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburo de silicio de pureza superior o igual al 80\u00a0% en peso;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xido de aluminio (al\u00famina) de pureza superior o igual al 99,9\u00a0% en peso;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xido de circonio (circonia).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘tama\u00f1o nominal’ se define como el menor de entre los di\u00e1metros de entrada y de salida.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los tama\u00f1os nominales (DN) de las v\u00e1lvulas se ajustan a la norma internacional ISO\u00a06708:1995. Los tama\u00f1os nominales de tuber\u00edas (NPS) se ajustan a las normas ASME B36.10 o B36.19 o a las normas nacionales equivalentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de tuber\u00edas multipared que incorporen un puerto de detecci\u00f3n de fugas, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos contenidos, o que est\u00e9n siendo transformados, est\u00e9n hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoropol\u00edmeros (pol\u00edmeros o elast\u00f3meros con m\u00e1s del 35\u00a0% de fl\u00faor en peso);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grafito o ‘grafito de carbono’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e1ntalo o ‘aleaciones’ de t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanio o ‘aleaciones’ de titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonio o ‘aleaciones’ de circonio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bombas de sellado m\u00faltiple y bombas sin precinto, con una tasa de flujo m\u00e1xima especificada por el fabricante superior a\u00a00,6\u00a0m3<\/span>\/hora, o bombas de vac\u00edo con una tasa de flujo m\u00e1xima especificada por el fabricante superior a\u00a05\u00a0m3<\/span>\/hora, bajo condiciones normales de temperatura (273\u00a0K [0o<\/span>C]) y presi\u00f3n (101,3\u00a0kPa) distintas de las especificadas en el art\u00edculo\u00a02B233; y camisas (cuerpos de bomba), forros de camisas preformados, impulsadores, rotores o toberas de bombas de chorro dise\u00f1ados para esas bombas, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos que est\u00e9n siendo transformados, est\u00e9n hechas de cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ferrosilicio (aleaciones de hierro con una proporci\u00f3n importante de silicio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoropol\u00edmeros (pol\u00edmeros o elast\u00f3meros con m\u00e1s del 35\u00a0% de fl\u00faor en peso);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grafito o ‘grafito de carbono’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e1ntalo o ‘aleaciones’ de t\u00e1ntalo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanio o ‘aleaciones’ de titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circonio o ‘aleaciones’ de circonio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a02B350.i, el t\u00e9rmino precinto se refiere exclusivamente a los precintos que entren en contacto directo con el componente o componentes qu\u00edmicos que est\u00e9n siendo transformados (o para los que hayan sido concebidos), y ofrezcan una funci\u00f3n de sellado en la que un eje motor rotatorio o alternativo pase a trav\u00e9s de un cuerpo de bomba.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Incineradoras proyectadas para la destrucci\u00f3n de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en el art\u00edculo\u00a01C350, que tengan un sistema de aprovisionamiento de residuos dise\u00f1ado especialmente, con un sistema de manipulaci\u00f3n particular y con una temperatura media de la c\u00e1mara de combusti\u00f3n superior a 1\u00a0273\u00a0K (1\u00a0000o<\/span>C), en las cuales, todas las superficies del sistema de aprovisionamiento de residuos que entren en contacto directo con los residuos est\u00e9n hechas o revestidas con cualquiera de los siguientes materiales:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Aleaciones’ con m\u00e1s del 25\u00a0% de n\u00edquel y del 20\u00a0% de cromo, en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

N\u00edquel o ‘aleaciones’ con m\u00e1s del 40\u00a0% de n\u00edquel en peso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

k.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conjuntos de reparaci\u00f3n prefabricados con superficies met\u00e1licas que entren en contacto directo con la o las sustancias qu\u00edmicas procesadas, fabricados con t\u00e1ntalo o aleaciones de t\u00e1ntalo, seg\u00fan se indica, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para ser fijados mec\u00e1nicamente a las cubas de reacci\u00f3n o reactores con revestimiento de vidrio especificados en el subart\u00edculo\u00a02B350.a; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para ser fijados mec\u00e1nicamente a los tanques de almacenaje, contenedores o receptores con revestimiento de vidrio especificados en el subart\u00edculo\u00a02B350.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02B350, los materiales utilizados para juntas, embalajes, precintos, tornillos, arandelas u otros componentes que desempe\u00f1en una funci\u00f3n de estanqueidad no determinan el estatus de control, siempre que dichos componentes est\u00e9n concebidos para ser intercambiables.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘grafito de carbono’ es un compuesto de carbono amorfo y grafito, que contiene m\u00e1s del\u00a08\u00a0% de grafito en peso.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los materiales enumerados en las entradas anteriores, el t\u00e9rmino ‘aleaci\u00f3n’, cuando no va acompa\u00f1ado de una indicaci\u00f3n de concentraciones espec\u00edficas de ning\u00fan elemento, designa aquellas aleaciones en las que el metal identificado est\u00e1 presente en mayor porcentaje en peso que ning\u00fan otro elemento.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B351<\/p>\n<\/td>\n

Monitores y sistemas de supervisi\u00f3n de gases t\u00f3xicos y sus sistemas de detecci\u00f3n espec\u00edficos, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a01A004, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n; y detectores; dispositivos sensores; y cartuchos desechables de sensores para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar continuamente y ser utilizables en la detecci\u00f3n de agentes para la guerra qu\u00edmica o de las sustancias qu\u00edmicas especificadas en el art\u00edculo\u00a01C350, con un ‘l\u00edmite m\u00ednimo de detecci\u00f3n’ inferior a\u00a00,3\u00a0mg\/m3<\/span>; o<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

El ‘l\u00edmite m\u00ednimo de detecci\u00f3n’ de monitores o sistemas de supervisi\u00f3n de gases t\u00f3xicos es la concentraci\u00f3n m\u00ednima detectable del analito necesaria para producir una se\u00f1al superior al triple de la desviaci\u00f3n est\u00e1ndar de la se\u00f1al del monitor o del sistema de supervisi\u00f3n de gases t\u00f3xicos al medir una muestra en blanco.<\/span><\/p>\n

En el caso de los monitores o sistemas de supervisi\u00f3n de gases t\u00f3xicos que tengan una banda muerta o una supresi\u00f3n cero programada, el ‘l\u00edmite m\u00ednimo de detecci\u00f3n’ es la concentraci\u00f3n detectable m\u00e1s baja necesaria para producir una lectura.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para la detecci\u00f3n de la actividad inhibidora de la colinesterasa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B352<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de fabricaci\u00f3n y manipulaci\u00f3n de materiales biol\u00f3gicos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instalaciones de confinamiento y equipos relacionados con ellas tal como se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instalaciones completas de confinamiento que re\u00fanan los criterios para los niveles de confinamiento P3 o P4 (BL3, BL4, L3 o L4) especificados en el Manual de Bioseguridad en el Laboratorio de la OMS (3.a<\/span> edici\u00f3n, Ginebra, 2004);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para elementos fijos en las instalaciones de confinamiento especificadas en el subart\u00edculo\u00a02B352.a, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Autoclaves de descontaminaci\u00f3n intercomunicados de puerta doble;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Duchas de descontaminaci\u00f3n para personas que lleven un traje con equipo de respiraci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Puertas de tr\u00e1nsito con juntas de estanqueidad mec\u00e1nicas o hinchables;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fermentadores y componentes seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fermentadores capaces de cultivar \u00abmicroorganismos\u00bb o c\u00e9lulas vivas para la producci\u00f3n de virus o toxinas, sin propagaci\u00f3n de aerosoles, que tengan un volumen interior total m\u00ednimo de 20\u00a0litros;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados para los fermentadores especificados en el subart\u00edculo\u00a02B352.b.1, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de cultivo concebidas para ser esterilizadas o desinfectadas in situ;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de sujeci\u00f3n de las c\u00e1maras de cultivo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de control de procesos capaces de llevar un seguimiento y control simult\u00e1neo de dos o m\u00e1s par\u00e1metros del sistema de fermentaci\u00f3n (por ejemplo, temperatura, pH, nutrientes, agitaci\u00f3n, ox\u00edgeno disuelto, caudal de aire o control de espuma);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B352.b, los fermentadores incluyen los biorreactores, los biorreactores de un solo uso (desechables), los quimiostatos y los sistemas de flujo continuo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B352.b, los dispositivos de sujeci\u00f3n de las c\u00e1maras de cultivo incluyen las c\u00e1maras de cultivo de un solo uso con paredes r\u00edgidas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Separadores centr\u00edfugos, aptos para una separaci\u00f3n continua sin propagaci\u00f3n de aerosoles, con un caudal superior a\u00a0100 litros por hora, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Separadores centr\u00edfugos que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una o varias juntas de estanqueidad dentro de la zona de confinamiento del vapor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes de acero inoxidable pulido o titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de esterilizaci\u00f3n por vapor in situ<\/span> estando cerrados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Separadores centr\u00edfugos de un solo uso, en los que todos los componentes que entran en contacto directo con las sustancias que est\u00e1n siendo procesadas son desechables o de un solo uso.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Los separadores centr\u00edfugos y los separadores centr\u00edfugos de un solo uso incluyen los decantadores.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de filtraci\u00f3n de flujo cruzado (tangencial) y sus componentes, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de filtraci\u00f3n de flujo cruzado (tangencial) capaces de separar \u00abmicroorganismos\u00bb, virus, toxinas o cultivos de c\u00e9lulas, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una superficie de filtraci\u00f3n total igual o superior a\u00a01\u00a0m2<\/span>; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que ofrezcan la posibilidad de proceder a su ‘esterilizaci\u00f3n’ o ‘desinfecci\u00f3n’ in situ<\/span>; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen componentes de filtraci\u00f3n desechables o de un solo uso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a02B352.d.1.b, la ‘esterilizaci\u00f3n’ se refiere a la eliminaci\u00f3n de todos los microbios viables presentes en el equipo mediante el uso de agentes f\u00edsicos (por ejemplo, vapor) o qu\u00edmicos; la ‘desinfecci\u00f3n’ se refiere a un proceso destinado a reducir el n\u00famero de microorganismos, pero generalmente no el de esporas bacterianas, mediante el uso de agentes qu\u00edmicos, sin necesariamente matar o eliminar todos los organismos.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B352.d no somete a control los equipos de \u00f3smosis inversa y de hemodi\u00e1lisis, seg\u00fan las especificaciones del fabricante.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes de equipos de filtraci\u00f3n de flujo cruzado (tangencial) (por ejemplo, m\u00f3dulos, elementos, carcasas, cartuchos, unidades o placas) con una superficie de filtraci\u00f3n igual o superior a\u00a00,2\u00a0m2<\/span> por componente, que est\u00e9n dise\u00f1ados para ser empleados en los equipos de filtraci\u00f3n de flujo cruzado (tangencial) especificados en el subart\u00edculo\u00a02B352.d;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de liofilizaci\u00f3n esterilizables por vapor o por gas, con una capacidad del condensador igual o superior a\u00a010\u00a0kg de hielo en\u00a024 horas e inferior a 1\u00a0000\u00a0kg de hielo en\u00a024 horas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo protector y de confinamiento, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Trajes de protecci\u00f3n, totales o parciales, o con capuchas dependientes de un suministro de aire externo unido al traje y que funcionen bajo una presi\u00f3n positiva;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B352.f.1 no somete a control los trajes dise\u00f1ados para usarse con un aparato de respiraci\u00f3n contenido en el propio traje.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de contenci\u00f3n biol\u00f3gica, aislantes o c\u00e1maras de seguridad biol\u00f3gica que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes en funcionamiento normal:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espacio de trabajo completamente cerrado en el que el operador est\u00e9 separado del trabajo por una barrera f\u00edsica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de funcionar con presi\u00f3n negativa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Posibilidad de manipular productos con seguridad en el espacio de trabajo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aire de entrada y salida del espacio de trabajo filtrado mediante un filtro HEPA;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B352.f.2 incluye las c\u00e1maras de seguridad biol\u00f3gica de Clase\u00a0III, tal como se describen en la \u00faltima edici\u00f3n del Manual de Bioseguridad en el Laboratorio de la OMS o construidas con arreglo a normas, regulaciones u orientaciones nacionales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a02B352.f.2 incluye cualquier aislante que re\u00fana todas las caracter\u00edsticas mencionadas anteriormente, con independencia de su uso previsto y su denominaci\u00f3n, excepto los aislantes m\u00e9dicos dise\u00f1ados espec\u00edficamente para t\u00e9cnicas de barrera en enfermer\u00eda o para transportar pacientes con enfermedades contagiosas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de inhalaci\u00f3n de aerosoles dise\u00f1ados para ensayos de ataque de aerosoles con \u00abmicroorganismos\u00bb, virus o \u00abtoxinas\u00bb, que re\u00fanan las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de exposici\u00f3n de cuerpo entero con una capacidad igual o superior a\u00a01\u00a0m3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivo de exposici\u00f3n solo por la nariz mediante flujo de aerosol dirigido y con capacidad de exposici\u00f3n suficiente para cualquiera de los casos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

doce o m\u00e1s roedores; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

dos o m\u00e1s animales que no sean roedores;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos cerrados de sujeci\u00f3n de animales dise\u00f1ados para ser usados con dispositivos de exposici\u00f3n solo por la nariz mediante flujo de aerosol dirigido;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de secado por pulverizaci\u00f3n capaces de secar toxinas o \u00abmicroorganismos\u00bb pat\u00f3genos, que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una capacidad de evaporaci\u00f3n del agua \u2265 0,4\u00a0kg\/h y \u2264 400\u00a0kg\/h;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La capacidad de generar part\u00edculas de producto de un tama\u00f1o medio \u2264 10\u00a0\u03bcm con los equipos existentes o con una modificaci\u00f3n m\u00ednima del secador por pulverizaci\u00f3n mediante unas toberas de atomizaci\u00f3n que permitan la generaci\u00f3n del tama\u00f1o de part\u00edculas requerido; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con posibilidad de esterilizaci\u00f3n o desinfecci\u00f3n in situ;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ensambladores y sintetizadores de \u00e1cidos nucleicos, parcial o enteramente automatizados y dise\u00f1ados para generar \u00e1cidos nucleicos continuos de longitud superior a\u00a01,5\u00a0kilobases con tasas de error inferiores al\u00a05\u00a0% en un \u00fanico desplazamiento.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sintetizadores de p\u00e9ptidos total o parcialmente automatizados y capaces de generar p\u00e9ptidos a una ‘escala de s\u00edntesis del sistema’ igual o superior a\u00a01\u00a0mmol.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

‘Escala de s\u00edntesis del sistema’: es la cantidad m\u00e1xima de p\u00e9ptido (mmol) que puede producir el instrumento utilizando las cubas de reacci\u00f3n m\u00e1s grandes compatibles (L). En el caso de m\u00faltiples p\u00e9ptidos producidos en paralelo, se trata de la suma de las cubas de reacci\u00f3n m\u00e1s grandes compatibles (L).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para las cubas de reacci\u00f3n qu\u00edmica o los reactores, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a02B350.a.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2B510<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de fabricaci\u00f3n aditiva, dise\u00f1ados para producir componentes de metal o aleaciones de metal, que tengan todo lo siguiente, y componentes especialmente dise\u00f1ados para ello:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener al menos una de las siguientes fuentes de consolidaci\u00f3n:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener una atm\u00f3sfera de proceso controlada de cualquiera de las siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vac\u00edo (igual o inferior a\u00a0100\u00a0Pa);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener cualquiera de los siguientes equipos de ‘monitoreo en proceso’ en una ‘configuraci\u00f3n coaxial’ o ‘configuraci\u00f3n paraxial’:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1mara de im\u00e1genes con una respuesta de pico en el rango de longitud de onda superior a\u00a0380\u00a0nm, pero no superior a 14\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pir\u00f3metro dise\u00f1ado para medir temperaturas superiores a 1\u00a0273,15 K (1\u00a0000\u00a0\u00b0C); o<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radi\u00f3metro o espectr\u00f3metro con respuesta de pico en el rango de longitud de onda superior a\u00a0380\u00a0nm, pero no superior a 3\u00a0000\u00a0nm; y<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un sistema de control de circuito cerrado dise\u00f1ado para modificar los par\u00e1metros de la fuente de consolidaci\u00f3n, la ruta de construcci\u00f3n o la configuraci\u00f3n del equipo durante el ciclo de construcci\u00f3n en respuesta a la retroalimentaci\u00f3n del equipo de \u2018monitoreo en proceso\u2019 especificado en el subart\u00edculo\u00a02B510.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02B510:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘supervisi\u00f3n en proceso’, tambi\u00e9n conocida como supervisi\u00f3n del proceso<\/span> in situ, se refiere a la observaci\u00f3n y medici\u00f3n del proceso de fabricaci\u00f3n aditiva, incluidas las emisiones electromagn\u00e9ticas o t\u00e9rmicas del ba\u00f1o de fusi\u00f3n.<\/span> <\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘configuraci\u00f3n coaxial’, tambi\u00e9n conocida como configuraci\u00f3n en l\u00ednea o sobre el eje, se refiere a uno o m\u00e1s sensores que est\u00e1n montados en una trayectoria \u00f3ptica compartida por la fuente de consolidaci\u00f3n \u00abl\u00e1ser\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘configuraci\u00f3n paraxial’ se refiere a uno o m\u00e1s sensores que est\u00e1n montados f\u00edsicamente sobre el componente de la fuente de consolidaci\u00f3n \u00abl\u00e1ser\u00bb, haz de electrones o arco el\u00e9ctrico o que est\u00e1n integrados en \u00e9l.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Tanto para la ‘configuraci\u00f3n coaxial’ como para la ‘configuraci\u00f3n paraxial’, el campo de visi\u00f3n del sensor o de los sensores est\u00e1 fijado al marco de referencia m\u00f3vil de la fuente de consolidaci\u00f3n y se mueve en las mismas trayectorias de escaneo de la fuente de consolidaci\u00f3n durante todo el proceso de construcci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

2C<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n

Ninguno.<\/p>\n

2D<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a02D002, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos 2A001, 2B001 a\u00a02B009, o 2B510.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos incluidos en el subart\u00edculo\u00a02A001.c o los art\u00edculos 2B001 o 2B003 a\u00a02B009.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02D001 no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb de programaci\u00f3n de piezas que generen c\u00f3digos de \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb para mecanizar distintas piezas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2D002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb destinados a dispositivos electr\u00f3nicos, incluido el contenido en un dispositivo o en un sistema electr\u00f3nico, que permitan a estos dispositivos o sistemas funcionar como una unidad de \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb capaz de coordinar simult\u00e1neamente m\u00e1s de cuatro ejes para el \u00abcontrol de contorneado\u00bb.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02D002 no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el funcionamiento de productos no especificados en la categor\u00eda 2.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02D002 no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb destinados a los productos especificados en el art\u00edculo\u00a02B002. Para los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb destinados a los productos especificados en el art\u00edculo\u00a02B002, v\u00e9anse los art\u00edculos\u00a02D001 y\u00a02D003.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02D002 no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb que se exportan con (as\u00ed como el m\u00ednimo necesario para el funcionamiento de) productos no especificados en la categor\u00eda\u00a02.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2D003<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados o modificados para el funcionamiento de los equipos especificados en el art\u00edculo\u00a02B002, que convierten las funciones de eliminaci\u00f3n de material, medici\u00f3n de las piezas de trabajo y dise\u00f1o \u00f3ptico en comandos de \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb para conseguir la forma deseada para las piezas de trabajo.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2D101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 o 2B119 a\u00a02B122.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09D004.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2D201<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb del equipo especificado en los art\u00edculos\u00a02B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 o 2B227.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2D202<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en el art\u00edculo\u00a02B201.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02D202 no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb de programaci\u00f3n capaces de generar c\u00f3digos de mando de \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb, pero que no permiten el uso directo de equipos para mecanizar distintas piezas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2D351<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a01D003, que han sido dise\u00f1ados especialmente para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en el art\u00edculo\u00a02B351.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2D352<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para ensambladores y sintetizadores de \u00e1cidos nucleicos especificados en el subart\u00edculo\u00a02B352.i, que sean capaces de dise\u00f1ar y construir elementos gen\u00e9ticos funcionales a partir de datos de secuencias digitales.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

2E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb del equipo o los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en las categor\u00edas\u00a02A, 2B o 2D.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a02E001 incluye la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para la integraci\u00f3n de sistemas de sonda en m\u00e1quinas de medida de coordenadas (CMM) que se especifican en el subart\u00edculo\u00a02B006.a.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2E002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en las categor\u00edas\u00a02\u00a0A o 2\u00a0B.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2E003<\/p>\n<\/td>\n

Otras \u00abtecnolog\u00edas\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de los procesos manufactureros relativos al trabajo de los metales, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de dise\u00f1o de herramientas, moldes o montajes dise\u00f1ados especialmente para los procedimientos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConformaci\u00f3n superpl\u00e1stica\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abUni\u00f3n por difusi\u00f3n\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Prensado hidr\u00e1ulico por acci\u00f3n directa’;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a02E003.b.1.c, el ‘prensado hidr\u00e1ulico por acci\u00f3n directa’ es un procedimiento de deformaci\u00f3n mediante una vejiga flexible llena de l\u00edquido que se pone en contacto directo con la pieza de trabajo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Respecto a la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de los procesos manufactureros relativos al trabajo de los metales para los motores y componentes de turbinas de gas, v\u00e9anse el art\u00edculo\u00a09E003 y la relaci\u00f3n de material de defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb encaminada al \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de m\u00e1quinas de conformaci\u00f3n hidr\u00e1ulica por estirado y de moldes para ellas, a fin de fabricar estructuras de fuselajes de aeronaves;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb de integraci\u00f3n con vistas a la incorporaci\u00f3n, en unidades de \u00abcontrol num\u00e9rico\u00bb, de sistemas expertos destinados a servir de soporte de decisiones de alto nivel en relaci\u00f3n con operaciones a nivel de la producci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la aplicaci\u00f3n de los revestimientos inorg\u00e1nicos por recubrimiento o los revestimientos inorg\u00e1nicos por modificaci\u00f3n de superficie (especificados en la columna 3 de la tabla siguiente) sobre sustratos no electr\u00f3nicos (especificados en la columna 2 de dicha tabla) mediante los procedimientos que se especifican en la columna 1 de la tabla y se definen en la nota t\u00e9cnica.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La tabla y la nota t\u00e9cnica figuran tras el art\u00edculo\u00a02E301.<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Esta tabla debe entenderse en el sentido de que especifica la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para un proceso de revestimiento espec\u00edfico \u00fanicamente cuando el revestimiento resultante (que figura en la columna\u00a03) aparece en el apartado, colocado a la misma altura, del sustrato correspondiente (que figura en la columna\u00a02). Por ejemplo, los datos t\u00e9cnicos del proceso de revestimiento mediante el dep\u00f3sito qu\u00edmico en fase de vapor (CVD) est\u00e1n incluidos para la aplicaci\u00f3n de siliciuros a sustratos de los \u00abmateriales compuestos\u00bb (<\/span>composites) carbono-carbono, cer\u00e1micos y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica, pero no est\u00e1n incluidos para la aplicaci\u00f3n de siliciuros a sustratos de ‘carburo de wolframio cementado’ (16) o de ‘carburo de silicio’ (18). En el segundo caso, el revestimiento resultante no aparece en la columna 3 en el apartado colocado a la altura del apartado de la columna 2 que se refiere al ‘carburo de wolframio cementado’ (16) y al ‘carburo de silicio’ (18).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2E101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los art\u00edculos 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 a\u00a02B122 o 2D101.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2E201<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los art\u00edculos 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, los subart\u00edculos 2B007.b y\u00a02B007.c, y los art\u00edculos 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 a\u00a02B233, 2D201 o 2D202.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2E301<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los productos especificados en los art\u00edculos\u00a02B350 a\u00a02B352.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2E503<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, no especificada en otra parte, para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de ‘sistemas de revestimiento’ que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para proteger los materiales \u00abcompuestos\u00bb de \u00abmatriz\u00bb cer\u00e1mica especificados en el art\u00edculo\u00a01A901 contra la corrosi\u00f3n; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a temperaturas superiores a 1\u00a0373,15 K (1\u00a0100\u00a0\u00b0C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a02E503g, los ‘sistemas de revestimiento’ consisten en una o m\u00e1s capas (por ejemplo, capa de uni\u00f3n, capa intermedia, capa superior) de material depositadas sobre el sustrato.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Tabla<\/span><\/p>\n

M\u00e9todos de dep\u00f3sito<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proceso de revestimiento\u00a0(8<\/span>)<\/a><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Revestimiento resultante<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

A.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito qu\u00edmico en fase de vapor (CVD)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

\u00abSuperaleaciones\u00bb<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros para superficies internas<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cer\u00e1micas (19) y vidrios de baja dilataci\u00f3n (14)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Carburos<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Diamante<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) carbono-carbono, cer\u00e1micos y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Carburos<\/p>\n

Metales refractarios y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Aluminuros<\/p>\n

Aluminuros aleados (2)<\/p>\n

Nitruro de boro<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburo cementado (16), Carburo de silicio (18)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburos<\/p>\n

Wolframio<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Molibdeno y aleaciones de molibdeno<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Berilio y aleaciones de berilio<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Diamante<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales para ventanas de sensores (9)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Diamante<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n
\n

B.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico de evaporaci\u00f3n t\u00e9rmica (TE-PVD)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

B.1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico (PVD) de haz de electrones (EB-PVD)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

\u00abSuperaleaciones\u00bb<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros aleados<\/p>\n

Aluminuros aleados (2)<\/p>\n

MCrAlX (5)<\/p>\n

Circonia modificada (12)<\/p>\n

Siliciuros<\/p>\n

Aluminuros<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cer\u00e1micas (19) y vidrios de baja dilataci\u00f3n (14)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acero resistente a la corrosi\u00f3n (7)<\/p>\n<\/td>\n

\n

MCrAlX (5)<\/p>\n

Circonia modificada (12)<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) carbono-carbono, cer\u00e1micos y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Carburos<\/p>\n

Metales refractarios y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Nitruro de boro<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburo cementado (16), Carburo de silicio (18)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburos<\/p>\n

Wolframio<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Molibdeno y aleaciones de molibdeno<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Berilio y aleaciones de berilio<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Boruros<\/p>\n

Berilio<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales para ventanas de sensores (9)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de titanio (13)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boruros<\/p>\n

Nitruros<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

B.2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico (PVD) de calentamiento por resistencia asistido por haz de iones (metalizado i\u00f3nico)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

Cer\u00e1micas (19) y vidrios de baja dilataci\u00f3n<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) carbono-carbono, cer\u00e1micos y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Molibdeno y aleaciones de molibdeno<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Berilio y aleaciones de berilio<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales para ventanas de sensores (9)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

B.3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico (PVD) de evaporaci\u00f3n por \u00abl\u00e1ser\u00bb<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

Cer\u00e1micas (19) y vidrios de baja dilataci\u00f3n (14)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) carbono-carbono, cer\u00e1micos y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Molibdeno y aleaciones de molibdeno<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Berilio y aleaciones de berilio<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales para ventanas de sensores (9)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n
\n

B.4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico (PVD) de arco cat\u00f3dico<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

\u00abSuperaleaciones\u00bb<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros aleados<\/p>\n

Aluminuros aleados (2)<\/p>\n

MCrAlX (5)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pol\u00edmeros (11) y \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb org\u00e1nica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boruros<\/p>\n

Carburos<\/p>\n

Nitruros<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

C.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cementaci\u00f3n en paquete (v\u00e9ase tambi\u00e9n el p\u00e1rrafo A anterior para cementaci\u00f3n fuera de paquete) (10)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) carbono-carbono, cer\u00e1micos y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Carburos<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de titanio (13)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Aluminuros<\/p>\n

Aluminuros aleados (2)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2018Metales y aleaciones refractarios\u2019 (8)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

\u00d3xidos<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00abSuperaleaciones\u00bb<\/p>\n<\/td>\n

\n

MCrAlX (5)<\/p>\n

Circonia modificada (12)<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n

N\u00edquel-grafito sujeto a abrasi\u00f3n<\/p>\n

Materiales que contienen Ni-Cr-Al sujetos a abrasi\u00f3n<\/p>\n

Al-Si-poli\u00e9ster sujeto a abrasi\u00f3n<\/p>\n

Aluminuros aleados (2)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de aluminio (6)<\/p>\n<\/td>\n

\n

MCrAlX (5)<\/p>\n

Circonia modificada (12)<\/p>\n

Siliciuros<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2018Metales y aleaciones refractarios\u2019 (8)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros<\/p>\n

Siliciuros<\/p>\n

Carburos<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acero resistente a la corrosi\u00f3n (7)<\/p>\n<\/td>\n

\n

MCrAlX (5)<\/p>\n

Circonia modificada (12)<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de titanio (13)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburos<\/p>\n

Aluminuros<\/p>\n

Siliciuros<\/p>\n

Aluminuros aleados (2)<\/p>\n

N\u00edquel-grafito sujeto a abrasi\u00f3n<\/p>\n

Materiales que contienen Ni-Cr-Al sujetos a abrasi\u00f3n<\/p>\n

Al-Si-poli\u00e9ster sujeto a abrasi\u00f3n<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u2018Metales y aleaciones refractarios\u2019 (8)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros fundidos<\/p>\n

Aluminuros fundidos excepto elementos de caldeo por resistencia<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) carbono-carbono, cer\u00e1micos y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Carburos<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00abSuperaleaciones\u00bb<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros aleados<\/p>\n

Aluminuros aleados (2)<\/p>\n

Aluminuros modificados con metal noble (3)<\/p>\n

MCrAlX (5)<\/p>\n

Circonia modificada (12)<\/p>\n

Platino<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cer\u00e1micas y vidrios de baja dilataci\u00f3n (14)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Platino<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de titanio (13)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boruros<\/p>\n

Nitruros<\/p>\n

\u00d3xidos<\/p>\n

Siliciuros<\/p>\n

Aluminuros<\/p>\n

Aluminuros aleados (2)<\/p>\n

Carburos<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) carbono-carbono, cer\u00e1micos y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n<\/td>\n

\n

Siliciuros<\/p>\n

Carburos<\/p>\n

Metales refractarios y de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Nitruro de boro<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburo cementado (16), Carburo de silicio (18)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburos<\/p>\n

Wolframio<\/p>\n

Mezclas de ellos (4)<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Nitruro de boro<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Molibdeno y aleaciones de molibdeno<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Berilio y aleaciones de berilio<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boruros<\/p>\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Berilio<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales para ventanas de sensores (9)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capas diel\u00e9ctricas (15)<\/p>\n

Carbono diamante (17)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2018Metales y aleaciones refractarios\u2019 (8)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros<\/p>\n

Siliciuros<\/p>\n

\u00d3xidos<\/p>\n

Carburos<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Aceros para rodamientos de alta temperatura<\/p>\n<\/td>\n

\n

Adiciones de Cromo, T\u00e1ntalo o Niobio (columbio)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aleaciones de titanio (13)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boruros<\/p>\n

Nitruros<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Berilio y aleaciones de berilio<\/p>\n<\/td>\n

\n

Boruros<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

\u00a0<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburo de wolframio cementado (16)<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburos<\/p>\n

Nitruros<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

TABLA. M\u00c9TODOS DE DEP\u00d3SITO. NOTAS<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

El ‘proceso de revestimiento’ se refiere tanto a la reparaci\u00f3n y restauraci\u00f3n del revestimiento como al revestimiento original.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

La expresi\u00f3n ‘revestimiento de aluminuro aleado’ designa los revestimientos realizados en una o varias fases en los que uno o varios elementos se depositan antes o durante la aplicaci\u00f3n del revestimiento de aluminuro, aun cuando estos elementos se depositen mediante otro proceso de revestimiento. No obstante, no comprende el uso m\u00faltiple de procesos de cementaci\u00f3n en paquete en una sola fase para conseguir aluminuros aleados.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

El concepto de ‘revestimiento de aluminuro modificado con metal noble’ hace referencia a todo revestimiento en varias fases en el que se depositen el metal o los metales nobles mediante alg\u00fan otro proceso de revestimiento antes de la aplicaci\u00f3n del revestimiento de aluminuro.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

Las ‘mezclas de ellos’ designan los materiales infiltrados, las composiciones graduadas, los dep\u00f3sitos simult\u00e1neos y los dep\u00f3sitos de varias capas que se obtengan mediante uno o varios de los procesos de revestimiento especificados en esta tabla.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

‘McrAlX’ hace referencia a una aleaci\u00f3n de revestimiento en la que M representa cobalto, hierro, n\u00edquel (o combinaciones de los mismos) y X representa hafnio, itrio, silicio o t\u00e1ntalo en cualquier cantidad u otras adiciones menores deliberadas de m\u00e1s de 0,01\u00a0% en peso, en proporciones y combinaciones diversas, excepto:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los revestimientos de CoCrAlY que contengan menos del 22\u00a0% en peso de cromo, menos del 7\u00a0% en peso de aluminio y menos del 2\u00a0% en peso de itrio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los revestimientos de CoCrAlY que contengan del 22 al 24\u00a0% en peso de cromo, del 10 al 12\u00a0% en peso de aluminio y del 0,5 al 0,7\u00a0% en peso de itrio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los revestimientos de NiCrAlY que contengan del 21 al 23\u00a0% en peso de cromo, del 10 al 12\u00a0% en peso de aluminio y del 0,9 al 1,1\u00a0% en peso de itrio.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

Las ‘aleaciones de aluminio’ designan las aleaciones que tengan una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n igual o superior a\u00a0190\u00a0MPa medida a\u00a0293\u00a0K (20\u202f\u00b0C).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

El ‘acero resistente a la corrosi\u00f3n’ se refiere al acero de la serie AISI 300 (American Iron and Steel Institute) o que sea acorde con normas nacionales equivalentes.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

Los ‘metales y aleaciones refractarios’ son los metales siguientes y sus aleaciones: niobio (columbio), molibdeno, wolframio y t\u00e1ntalo.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

Los ‘materiales para ventanas de sensores’ son los siguientes: al\u00famina, silicio, germanio, sulfuro de zinc, seleniuro de zinc, arseniuro de galio, diamante, fosfuro de galio, zafiro y los haluros met\u00e1licos siguientes: materiales para ventanas de sensores de m\u00e1s de 40\u00a0mm de di\u00e1metro para el fluoruro de circonio y el fluoruro de hafnio.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

La categor\u00eda\u00a02 no incluye la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para la cementaci\u00f3n en paquete en una sola fase de perfiles aerodin\u00e1micos s\u00f3lidos.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

‘Pol\u00edmeros’ seg\u00fan se indica: poliimida, poli\u00e9ster, polisulfuro, policarbonatos y poliuretanos.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

12.<\/p>\n<\/td>\n

La ‘circonia modificada’ designa la que haya recibido adiciones de otros \u00f3xidos met\u00e1licos, como por ejemplo \u00f3xidos de calcio, de magnesio, de itrio, de hafnio, de tierras raras, etc., con el fin de estabilizar ciertas fases cristalogr\u00e1ficas y composiciones de las mismas. No se someten a control los revestimientos destinados a servir de barrera t\u00e9rmica constituidos por circonia modificada con \u00f3xido de calcio o de magnesio mediante mezcla o fusi\u00f3n.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

13.<\/p>\n<\/td>\n

Las ‘aleaciones de titanio’ hacen referencia \u00fanicamente a las aleaciones de uso aeroespacial que tengan una resistencia a la rotura por tracci\u00f3n igual o superior a\u00a0900\u00a0MPa medida a\u00a0293\u00a0K (20\u202f\u00b0C).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

14.<\/p>\n<\/td>\n

Los ‘vidrios de baja dilataci\u00f3n’ designan los que tengan un coeficiente de dilataci\u00f3n t\u00e9rmica igual o inferior a\u00a01 \u00d7 10-7<\/span>\u00a0K-1<\/span> medido a\u00a0293\u00a0K (20\u202f\u00b0C).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

15.<\/p>\n<\/td>\n

Las ‘capas diel\u00e9ctricas’ son revestimientos formados por varias capas de materiales aislantes en las que se utilizan las propiedades de interferencia de un conjunto de materiales con \u00edndices de refracci\u00f3n diferentes para reflejar, transmitir o absorber diferentes bandas de longitudes de onda. Las capas diel\u00e9ctricas hacen referencia a m\u00e1s de cuatro capas diel\u00e9ctricas o a capas de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) diel\u00e9ctrico-metal.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

16.<\/p>\n<\/td>\n

El ‘carburo de wolframio cementado’ no incluye los materiales para herramientas de corte y de conformaci\u00f3n consistentes en carburo de wolframio \/ (cobalto, n\u00edquel), carburo de titanio \/ (cobalto, n\u00edquel), carburo de cromo \/ cromo-n\u00edquel y carburo de cromo \/ n\u00edquel.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

17.<\/p>\n<\/td>\n

No estar\u00e1 sometida a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para depositar carbono diamante en ninguno de los productos siguientes:<\/span><\/p>\n

controladores y cabezales de discos magn\u00e9ticos, equipos para fabricaci\u00f3n de productos desechables, v\u00e1lvulas para grifos, membranas ac\u00fasticas para altavoces, repuestos de motores de autom\u00f3vil, herramientas para corte, troqueles para perforar y embutir, equipos de ofim\u00e1tica, micr\u00f3fonos o instrumental sanitario, o bien moldes para el vaciado o moldeado de pl\u00e1sticos, fabricados a partir de aleaciones que contienen menos de 5\u00a0% de berilio.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

18.<\/p>\n<\/td>\n

El ‘carburo de silicio’ no incluye los materiales para herramientas de corte y de conformaci\u00f3n.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

19.<\/p>\n<\/td>\n

Los sustratos cer\u00e1micos a los que se refiere este punto no incluyen los materiales cer\u00e1micos con un contenido igual o superior al 5\u00a0% en peso de arcilla o cemento como constituyentes separados o combinados.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

TABLA. M\u00c9TODOS DE DEP\u00d3SITO. NOTA T\u00c9CNICA<\/span><\/p>\n

Las definiciones de los procesos especificados en la columna\u00a01 de la tabla son las siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

El dep\u00f3sito qu\u00edmico en fase de vapor (CVD) es un proceso de revestimiento por recubrimiento o de revestimiento por modificaci\u00f3n de superficie en el que un metal, aleaci\u00f3n, \u00abmaterial compuesto\u00bb (composite), material diel\u00e9ctrico o material cer\u00e1mico se deposita sobre un sustrato calentado. Los gases reactivos se reducen o combinan en las proximidades del sustrato, lo que origina el dep\u00f3sito del material elemental, de la aleaci\u00f3n o del material compuesto sobre el sustrato. La energ\u00eda necesaria para este proceso de descomposici\u00f3n o reacci\u00f3n qu\u00edmica se obtiene del calor del sustrato, de un plasma de descarga luminiscente o de una irradiaci\u00f3n \u00abl\u00e1ser\u00bb.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El CVD incluye los procesos siguientes: procesos de CVD de dep\u00f3sito fuera de paquete con flujo de gas dirigido, de CVD pulsante, de deposici\u00f3n nuclearia t\u00e9rmica controlada (CNTD) o procesos intensificados por plasma o asistidos por plasma.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Se entiende por paquete un sustrato sumergido en una mezcla de polvos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.3.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El material gaseoso utilizado en el proceso fuera de paquete se produce empleando las mismas reacciones y par\u00e1metros b\u00e1sicos del proceso de cementaci\u00f3n en paquetes, con la diferencia de que el sustrato que va a revestirse no est\u00e1 en contacto con la mezcla de polvos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

El dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico de evaporaci\u00f3n t\u00e9rmica (TE-PVD) es un proceso de revestimiento por recubrimiento que se lleva a cabo en una c\u00e1mara de vac\u00edo a una presi\u00f3n inferior a\u00a00,1\u00a0Pa, en el que se utiliza una fuente de energ\u00eda t\u00e9rmica para vaporizar el material de revestimiento. Este proceso origina la condensaci\u00f3n o el dep\u00f3sito de los vapores producidos sobre sustratos situados convenientemente.<\/p>\n

La adici\u00f3n de gases a la c\u00e1mara de vac\u00edo durante el proceso de revestimiento para sintetizar los revestimientos compuestos es una modificaci\u00f3n normal del proceso.<\/p>\n

La utilizaci\u00f3n de haces de iones o de electrones, o bien de plasma, para activar o asistir el dep\u00f3sito del revestimiento es tambi\u00e9n una modificaci\u00f3n normal de este m\u00e9todo. Se pueden utilizar monitores para medir durante el proceso las caracter\u00edsticas \u00f3pticas y el espesor de los revestimientos.<\/p>\n

Los procesos TE-PVD espec\u00edficos son los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

En el dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico (PVD) mediante haz de electrones se utiliza un haz de electrones para calentar y vaporizar el material que constituye el revestimiento;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

En el dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico (PVD) mediante calentamiento por resistencia asistido por haz de iones se utilizan fuentes de calentamiento por resistencia el\u00e9ctrica combinadas con haces de iones incidentes para producir un flujo controlado y uniforme de material de revestimiento vaporizado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

En la vaporizaci\u00f3n por \u00abl\u00e1ser\u00bb se utilizan haces \u00abl\u00e1ser\u00bb pulsados o en ondas continuas para vaporizar el material que constituye el revestimiento;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

En el dep\u00f3sito por arco cat\u00f3dico, se utiliza un c\u00e1todo consumible del material que constituye el revestimiento y que emite una descarga de arco en la superficie por el contacto moment\u00e1neo de un disparador puesto a masa. El movimiento controlado del arco erosiona la superficie del c\u00e1todo creando un plasma fuertemente ionizado. El \u00e1nodo puede ser un cono fijado a la periferia del c\u00e1todo por medio de un aislante o a la c\u00e1mara. La polarizaci\u00f3n del sustrato permite el dep\u00f3sito fuera del alcance visual;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Esta definici\u00f3n no incluye el dep\u00f3sito por arco cat\u00f3dico aleatorio con sustratos no polarizados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

El metalizado i\u00f3nico es una modificaci\u00f3n especial de un proceso general TE-PVD en el que se utiliza un plasma o una fuente de iones para ionizar el material que debe depositarse y se aplica una polarizaci\u00f3n negativa al sustrato para facilitar la operaci\u00f3n consistente en extraer del plasma el material. La introducci\u00f3n de materiales reactivos, la evaporaci\u00f3n de s\u00f3lidos en el interior de la c\u00e1mara de proceso y la utilizaci\u00f3n de monitores para medir durante el proceso las caracter\u00edsticas \u00f3pticas y el espesor de los revestimientos son modificaciones normales del proceso.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La cementaci\u00f3n en paquete es un proceso de revestimiento por modificaci\u00f3n de superficie o de revestimiento por recubrimiento en el que un sustrato se sumerge en una mezcla de polvos denominada paquete, formada por:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los polvos met\u00e1licos que han de depositarse (por lo general aluminio, cromo, silicio o combinaciones de ellos);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un activador (normalmente una sal haloidea); y<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un polvo inerte, casi siempre al\u00famina.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

El sustrato y la mezcla de polvo se introducen en una retorta que se calienta a una temperatura comprendida entre 1\u00a0030\u00a0K (757\u202f\u00b0C) y 1\u00a0375\u00a0K (1\u00a0102\u00a0\u00b0C) durante un tiempo suficiente para que se deposite el revestimiento.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La pulverizaci\u00f3n de plasma es un proceso de revestimiento por recubrimiento en el que una pistola soplete de pulverizaci\u00f3n que produce y controla un plasma recibe los materiales de revestimiento en forma de polvo o de alambre, los funde y los proyecta hacia un sustrato en el que se forma as\u00ed un revestimiento aglutinado integralmente. La pulverizaci\u00f3n de plasma puede ser una pulverizaci\u00f3n a baja presi\u00f3n o una pulverizaci\u00f3n a gran velocidad.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Se entiende por baja presi\u00f3n la inferior a la presi\u00f3n atmosf\u00e9rica ambiente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Se entiende por gran velocidad una velocidad del gas a la salida de la tobera de m\u00e1s de 750\u00a0m\/s calculada a\u00a0293\u00a0K (20\u202f\u00b0C) a\u00a00,1\u00a0MPa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

El dep\u00f3sito de barbotina es un proceso de revestimiento por modificaci\u00f3n de superficie o de revestimiento por recubrimiento en el que un polvo met\u00e1lico o cer\u00e1mico con un aglutinante org\u00e1nico se suspende en un l\u00edquido y se aplica a un sustrato por pulverizaci\u00f3n, inmersi\u00f3n o pintura; a continuaci\u00f3n, se seca al aire o en horno, y se trata t\u00e9rmicamente para obtener el revestimiento deseado.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La deposici\u00f3n cat\u00f3dica es un proceso de revestimiento por recubrimiento basado en un fen\u00f3meno de transferencia de energ\u00eda cin\u00e9tica, en el que un campo el\u00e9ctrico acelera iones positivos hacia la superficie de un blanco (material de revestimiento). La energ\u00eda cin\u00e9tica desprendida por el choque de los iones es suficiente para que se liberen \u00e1tomos de la superficie del blanco y se depositen sobre un sustrato situado convenientemente.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La tabla hace referencia \u00fanicamente a la deposici\u00f3n por triodo, magnetr\u00f3n o reactiva, que se utiliza para aumentar la adhesi\u00f3n del revestimiento y la velocidad del dep\u00f3sito, y a la deposici\u00f3n cat\u00f3dica aumentada por radiofrecuencia (RF), que se emplea para permitir la vaporizaci\u00f3n de materiales de revestimiento no met\u00e1licos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Se pueden utilizar haces de iones de baja energ\u00eda (inferior a\u00a05\u00a0keV) para activar la deposici\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La implantaci\u00f3n i\u00f3nica es un proceso de revestimiento por modificaci\u00f3n de superficie en el que el elemento que se pretende alear es ionizado, acelerado mediante un gradiente de potencial e implantado en la zona superficial del sustrato. La definici\u00f3n incluye procesos en los que la implantaci\u00f3n i\u00f3nica se realiza simult\u00e1neamente con el dep\u00f3sito en fase de vapor por m\u00e9todo f\u00edsico de haz de electrones o la deposici\u00f3n cat\u00f3dica.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE V<\/p>\n

Categor\u00eda 3<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 3. ELECTR\u00d3NICA<\/span><\/p>\n

3A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de los equipos y componentes descritos en los art\u00edculos 3A001, 3A002 o 3A501, excepto los descritos en los subart\u00edculos 3A001.a.3 a\u00a03A001.a.10, 3A001.a.12 a\u00a03A001.a.14, 3A001.b.12, o\u00a03A501.a.15, que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente o tengan las mismas caracter\u00edsticas funcionales que otros equipos, vendr\u00e1 determinado por el r\u00e9gimen de control de los otros equipos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de los circuitos integrados descritos en los subart\u00edculos\u00a03A001.a.3 a\u00a03A001.a.9 o 3A001.a.12 a\u00a03A001.a.14, que est\u00e9n programados o dise\u00f1ados de manera inalterable para una funci\u00f3n espec\u00edfica destinada a otros equipos, vendr\u00e1 determinado por el r\u00e9gimen de control de los otros equipos.<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Cuando el fabricante o el solicitante no puedan determinar el r\u00e9gimen de control de los otros equipos, el r\u00e9gimen de control de los circuitos integrados ser\u00e1 el que determinen los subart\u00edculos\u00a03A001.a.3 a\u00a03A001.a.9 y\u00a03A001.a.12 a\u00a03A001.a.14.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de las obleas (terminadas o no) cuya funci\u00f3n est\u00e9 determinada se evaluar\u00e1 en funci\u00f3n de los par\u00e1metros establecidos en los subart\u00edculos 3A001.a., 3A001.b., 3A001.d., 3A001.e.4., 3A001.g., 3A001.h. o 3A001.i.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A001<\/p>\n<\/td>\n

Productos electr\u00f3nicos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados de uso general, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los circuitos integrados incluyen los tipos siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCircuitos integrados monol\u00edticos\u00bb;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCircuitos integrados h\u00edbridos\u00bb;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCircuitos integrados multipastilla\u00bb:<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Circuitos integrados peliculares’, incluidos los circuitos integrados silicio sobre zafiro;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCircuitos integrados \u00f3pticos\u00bb;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Circuitos integrados tridimensionales’;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCircuitos integrados monol\u00edticos de microondas\u00bb (\u00abMMIC\u00bb).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Circuito integrado pelicular’: es un conjunto de \u00abelementos de circuito'\u00bb y de interconexiones met\u00e1licas formado por dep\u00f3sito de una capa delgada o gruesa sobre un \u00absustrato\u00bb aislante.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Circuito integrado tridimensional’: es una recopilaci\u00f3n de cubos de semiconductor o capas de dispositivo activas, integrados conjuntamente, y dotados de conexiones, a trav\u00e9s del semiconductor, que pasan completamente a trav\u00e9s de un interponedor, un sustrato, un cubo o una capa, para establecer interconexiones entre las capas del dispositivo. Un interponedor es una interfaz que permite conexiones el\u00e9ctricas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados dise\u00f1ados o tasados como resistentes a la radiaci\u00f3n para resistir cualquiera de las siguientes dosis:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una dosis total igual o superior a\u00a05 x 103 Gy (silicio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una tasa de dosis igual o superior a\u00a05 x 106 Gy (silicio)\/s; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una fluencia (flujo integrado) de neutrones (equivalente 1\u00a0MeV) de 5 x 1013<\/span>\u00a0n\/cm2<\/span> o superior sobre silicio, o su equivalente para otros materiales;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.a.1.c no somete a control los semiconductores de aislador met\u00e1lico (MIS).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMicrocircuitos de microprocesador\u00bb, \u00abmicrocircuitos de microordenador\u00bb, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores anal\u00f3gico-digitales (ADC), circuitos integrados que contienen ADC y almacenan o procesan los datos digitalizados, convertidores digital-anal\u00f3gicos (DAC), \u00abcircuitos integrados \u00f3pticos\u00bb o electro\u00f3pticos dise\u00f1ados para el \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb, dispositivos l\u00f3gicos programables in situ<\/span>, circuitos integrados para el usuario en los que la funci\u00f3n es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de transformada r\u00e1pida de Fourier (FFT), memorias est\u00e1ticas de acceso aleatorio (SRAM) o ‘memorias no vol\u00e1tiles’, que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Preparados para operar a una temperatura ambiente superior a\u00a0398\u00a0K (125\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Preparados para operar a una temperatura ambiente inferior a\u00a0218 K (\u2013\u00a055\u202f\u00b0C); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Preparados para operar en todo el intervalo de temperatura ambiente entre 218\u00a0K (\u2013\u00a055\u202f\u00b0C) y\u00a0398 K (125\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.a.2 no somete a control los circuitos integrados dise\u00f1ados para aplicaciones civiles destinadas a autom\u00f3viles o ferrocarriles.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a.2, las ‘memorias no vol\u00e1tiles’ son memorias que retienen los datos durante un per\u00edodo de tiempo despu\u00e9s de producirse un corte de energ\u00eda.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los circuitos integrados CMOS criog\u00e9nicos no especificados en el subart\u00edculo\u00a03A001.a.2, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A501.a.15.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMicrocircuitos de microprocesador\u00bb, \u00abmicrocircuitos de microordenador\u00bb y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a\u00a040\u00a0MHz;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.a.3 incluye los procesadores de se\u00f1ales digitales, los conjuntos de procesadores digitales y los coprocesadores digitales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados convertidores anal\u00f3gico-digitales (ADC) y digital-anal\u00f3gicos (DAC), seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Convertidores anal\u00f3gico-digitales (ADC) que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a03A101.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a08\u00a0bits, pero inferior a\u00a010\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a01,3\u00a0gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second<\/span>, GSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a010\u00a0bits, pero inferior a\u00a012\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a0600\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second<\/span>, MSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a012\u00a0bits, pero inferior a\u00a014\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a0400\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second<\/span>, MSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a014\u00a0bits, pero inferior a\u00a016\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a0250\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second<\/span>, MSPS); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a016\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a065\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second<\/span>, MSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los circuitos integrados que contienen ADC y almacenan o procesan los datos digitalizados, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A001.a.14.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a.5.a:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una resoluci\u00f3n de n bits corresponde a una cuantificaci\u00f3n de 2n niveles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La resoluci\u00f3n del ADC es el n\u00famero de bits de la salida digital que representa la entrada anal\u00f3gica medida. Para determinar la resoluci\u00f3n del ADC no se usa el n\u00famero efectivo de bits (ENOB).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En el caso de los \u00abADC multicanal\u00bb, las \u00abvelocidades de muestras\u00bb no se acumulan y la \u00abvelocidad de muestras\u00bb es la velocidad m\u00e1xima de cualquier canal considerado individualmente.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En el caso de los \u00abADC entrelazados\u00bb o de los \u00abADC multicanal\u00bb de los que se especifica que tienen un modo de operaci\u00f3n entrelazado, se acumulan las \u00abvelocidades de muestras\u00bb y la \u00abvelocidad de muestras\u00bb es la velocidad total combinada m\u00e1xima de todos los canales entrelazados.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

DAC que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a010\u00a0bits, pero inferior a\u00a012\u00a0bits, con una ‘tasa de actualizaci\u00f3n ajustada’ superior a 3\u00a0500\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second<\/span>, MSPS); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a012\u00a0bits y que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Tasa de actualizaci\u00f3n ajustada’ superior a 1\u00a0250\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), pero no superior a 3\u00a0500\u00a0MSPS, y que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiempo de estabilizaci\u00f3n inferior a\u00a09\u00a0ns hasta llegar a un\u00a00,024\u00a0%, o dentro de este porcentaje, de la escala completa a partir de un intervalo de escala completa; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Rango din\u00e1mico libre de espurios’ (SFDR) superior a\u00a068\u00a0dBc (portador) cuando se sintetiza una se\u00f1al anal\u00f3gica de escala completa de 100\u00a0MHz, o la m\u00e1xima frecuencia de se\u00f1al anal\u00f3gica de escala completa especificada inferior a\u00a0100\u00a0MHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Tasa de actualizaci\u00f3n ajustada’ superior a 3\u00a0500\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second<\/span>, MSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a.5.b:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Por ‘rango din\u00e1mico libre de espurios’ (SFDR) se entiende el coeficiente entre el valor medio cuadr\u00e1tico de la frecuencia portadora (m\u00e1ximo componente de se\u00f1al) en la entrada del DAC y el valor medio cuadr\u00e1tico del siguiente componente de ruido o distorsi\u00f3n arm\u00f3nica m\u00e1s potente en su salida.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El SFDR se determina directamente a partir del cuadro de especificaciones o de los gr\u00e1ficos de caracterizaci\u00f3n de la relaci\u00f3n entre SFDR y frecuencia.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Se define que una se\u00f1al es de escala completa cuando su amplitud es superior a -3\u00a0dBfs (escala completa).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Tasa de actualizaci\u00f3n ajustada’ de los DAC:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los DAC convencionales (sin interpolaci\u00f3n), la ‘tasa de actualizaci\u00f3n ajustada’ es la velocidad con que la se\u00f1al digital se convierte en se\u00f1al anal\u00f3gica y el DAC cambia los valores anal\u00f3gicos de salida. Para los DAC en los que es posible soslayar el modo de interpolaci\u00f3n (factor de interpolaci\u00f3n igual a uno), debe considerarse que el DAC es un DAC convencional (sin interpolaci\u00f3n).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los DAC con interpolaci\u00f3n (DAC de muestreo sobredimensionado), se define la ‘tasa de actualizaci\u00f3n ajustada’ como la tasa de actualizaci\u00f3n del DAC dividida por el factor de interpolaci\u00f3n menor. Para los DAC con interpolaci\u00f3n, puede hacerse referencia a la ‘tasa de actualizaci\u00f3n ajustada’ con distintas expresiones, entre las que se cuentan:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

velocidad de datos de entrada<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

velocidad de palabras de entrada<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

velocidad de muestras de entrada<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

velocidad m\u00e1xima de bus de entrada total<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

velocidad m\u00e1xima de reloj de DAC para entrada de reloj de DAC.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados electro\u00f3pticos o \u00abcircuitos integrados \u00f3pticos\u00bb, dise\u00f1ados para el \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb y que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Uno o m\u00e1s diodos \u00abl\u00e1ser\u00bb internos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Uno o m\u00e1s elementos fotodetectores internos; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos l\u00f3gicos programables in sit<\/span>u que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un n\u00famero m\u00e1ximo de entradas\/salidas digitales de terminaci\u00f3n \u00fanica superior a\u00a0700; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘velocidad pico unidireccional agregada de transcepci\u00f3n de datos de serie’ de 500 Gb\/s o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.a.7 incluye:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos L\u00f3gicos Programables Complejos (<\/span>Complex Programmables Logic Devices, CPLD)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Matrices de Puertas Programables<\/span> in situ (Field Programmable Gate Arrays, FPGA)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Matrices L\u00f3gicas Programables<\/span> in situ (Field Programmable Logic Arrays, FPLA)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Interconexiones Programables<\/span> in situ (Field Programmable Interconnects, FPIC).<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los circuitos integrados que tienen dispositivos l\u00f3gicos programables<\/span> in situ que est\u00e1n combinados con un ADC, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A001.a.14.<\/span> <\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb, m\u00f3dulos o equipos que contengan uno o m\u00e1s dispositivos l\u00f3gicos programables<\/span> in situ (FPLD) ‘configurables por el usuario’, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A502.i.<\/span> <\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a.7:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El n\u00famero m\u00e1ximo de entradas\/salidas digitales del subart\u00edculo\u00a03A001.a.7.a se denomina tambi\u00e9n n\u00famero m\u00e1ximo de entradas\/salidas de usuario o n\u00famero m\u00e1ximo de entradas\/salidas disponible, con independencia de que el circuito integrado est\u00e9 encapsulado o sin encapsular.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Velocidad pico unidireccional agregada de transcepci\u00f3n de datos de serie’ es el producto de la m\u00e1xima velocidad pico unidireccional de transcepci\u00f3n de datos de serie multiplicada por el n\u00famero de transceptores de la FPGA.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados para redes neuronales;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los circuitos integrados que tienen una o m\u00e1s unidades de procesamiento digital con un ‘rendimiento de procesamiento total’ (\u00abTPP\u00bb) de 6\u00a0000 o m\u00e1s, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A501.a.16.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados para el usuario de los que la funci\u00f3n es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s de 1\u00a0500 terminales;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘retardo por propagaci\u00f3n en la puerta b\u00e1sica’ t\u00edpico inferior a\u00a00,02 ns; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una frecuencia de funcionamiento superior a\u00a03\u00a0GHz;<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a.10.b:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Retardo por propagaci\u00f3n en la puerta b\u00e1sica’: es el valor del retardo por propagaci\u00f3n correspondiente a la puerta b\u00e1sica utilizada en un \u00abcircuito integrado monol\u00edtico\u00bb. Este valor puede especificarse, para una ‘familia’ de \u00abcircuitos integrados monol\u00edticos\u00bb, como retardo por propagaci\u00f3n por puerta t\u00edpica dentro de la ‘familia’ considerada, o como retardo de propagaci\u00f3n t\u00edpico por puerta dentro de la misma ‘familia’.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

No se debe confundir el ‘retardo por propagaci\u00f3n en la puerta b\u00e1sica’ con el retardo por entrada\/salida de un \u00abcircuito integrado monol\u00edtico\u00bb complejo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Familia’ consiste en todos los circuitos integrados que tienen en com\u00fan todos los elementos siguientes en el m\u00e9todo de fabricaci\u00f3n y en las especificaciones, con excepci\u00f3n de sus funciones respectivas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

la arquitectura com\u00fan del equipo inform\u00e1tico y de los programas inform\u00e1ticos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

la tecnolog\u00eda com\u00fan del dise\u00f1o y los procesos; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

las caracter\u00edsticas b\u00e1sicas comunes.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subart\u00edculos 3A001.a.3 a\u00a03A001.a.10 o 3A001.a.12, fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera y que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un n\u00famero de puertas equivalente superior a 3\u00a0000 (puertas de 2 entradas); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una frecuencia de conmutaci\u00f3n superior a\u00a01,2\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

12.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Procesadores de transformada r\u00e1pida de Fourier (FFT) que tengan un tiempo de ejecuci\u00f3n tasado para una FFT compleja de N puntos de menos de (N\u00a0log2<\/span>\u00a0N)\/20\u00a0480\u00a0ms, siendo N el n\u00famero de puntos;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a.12, si N es igual a 1\u00a0024 puntos, la f\u00f3rmula arroja un tiempo de ejecuci\u00f3n de 500\u00a0\u03bcs.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

13.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados de sintetizador digital directo (DDS) que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un convertidor digital-anal\u00f3gico (DAC) con una frecuencia de reloj de 3,5\u00a0GHz o superior y una resoluci\u00f3n DAC igual o superior a\u00a010 bits, pero inferior a\u00a012\u00a0bits; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una frecuencia de reloj de 1,25\u00a0GHz o superior y una resoluci\u00f3n DAC igual o superior a\u00a012\u00a0bits;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a.13, la frecuencia de reloj del DAC podr\u00e1 especificarse como la frecuencia de reloj maestro o la frecuencia de entrada del reloj.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

14.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados que realizan todas las operaciones siguientes o se pueden programar para realizarlas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conversiones anal\u00f3gico-digital que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a08\u00a0bits, pero inferior a\u00a010\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a01,3\u00a0gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a010\u00a0bits, pero inferior a\u00a012\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a01,0\u00a0gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a012\u00a0bits, pero inferior a\u00a014\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a01,0\u00a0gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a014\u00a0bits, pero inferior a\u00a016\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a0400\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a016\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a0180\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las operaciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Almacenamiento de datos digitalizados; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proceso de datos digitalizados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a01.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los circuitos integrados ADC, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A001.a.5.a.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los dispositivos l\u00f3gicos programables<\/span> in situ, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A001.a.7.<\/span> <\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.a.14:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una resoluci\u00f3n de n bits corresponde a una cuantificaci\u00f3n de 2n niveles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La resoluci\u00f3n del ADC es el n\u00famero de bits de la salida digital del ADC que representa la entrada anal\u00f3gica medida. Para determinar la resoluci\u00f3n del ADC no se usa el n\u00famero efectivo de bits (ENOB).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En el caso de los circuitos integrados con \u00abADC multicanal\u00bb no entrelazados, las \u00abvelocidades de muestras\u00bb no se acumulan y la \u00abvelocidad de muestras\u00bb es la velocidad m\u00e1xima de cualquier canal considerado individualmente.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En el caso de los circuitos integrados con \u00abADC entrelazados\u00bb o con \u00abADC multicanal\u00bb de los que se especifica que tienen un modo de operaci\u00f3n entrelazado, se acumulan las \u00abvelocidades de muestras\u00bb y la \u00abvelocidad de muestras\u00bb es la velocidad total combinada m\u00e1xima de todos los canales entrelazados.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos de microondas o de ondas milim\u00e9tricas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.b, en las hojas de datos del producto podr\u00e1 tambi\u00e9n hacerse referencia al par\u00e1metro de la potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n como potencia de salida, potencia de salida en estado de saturaci\u00f3n, potencia de salida m\u00e1xima, potencia de pico de salida o potencia pico de la envolvente a la salida.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb y c\u00e1todos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.b.1 no somete a control los \u00abdispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb dise\u00f1ados o tasados para funcionar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

No superar los 31,8\u00a0GHz; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar \u00abasignados por la UIT\u00bb para servicios de radiocomunicaci\u00f3n, pero no para la radiodeterminaci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.b.1 no somete a control los \u00abdispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb que se ajusten a todo lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de salida media igual o menor a\u00a050\u00a0W; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados o tasados para operar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Superar los 31,8\u00a0GHz, pero sin estar por encima de los 43,5\u00a0GHz; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar \u00abasignados por la UIT\u00bb para servicios de radiocomunicaci\u00f3n, pero no para radiodeterminaci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb de ondas progresivas, de impulsos o continuas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos que funcionen en frecuencias superiores a\u00a031,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos dotados de un calefactor de c\u00e1todo con un tiempo de subida hasta la potencia de radiofrecuencia nominal inferior a\u00a03 segundos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de cavidades acopladas, o los derivados de ellos, con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 7\u00a0% o una potencia de pico que exceda los 2,5\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos basados en circuitos en h\u00e9lice, de guiaondas plegados o de guiaondas de serpentina, o los derivados de ellos, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abancho de banda instant\u00e1neo\u00bb superior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a\u00a00,5;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abancho de banda instant\u00e1neo\u00bb igual o inferior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a\u00a01;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ser \u00abcalificados para uso espacial\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener un ca\u00f1\u00f3n de electrones con reja;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb igual o superior al 10\u00a0%, y que re\u00fanan cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un haz anular de electrones;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un haz de electrones no axisim\u00e9trico; o<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Haces m\u00faltiples de electrones;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb amplificadores de campos cruzados con ganancia superior a\u00a017\u00a0dB;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1todos termi\u00f3nicos dise\u00f1ados para \u00abdispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb que produzcan una densidad de corriente de emisiones en las condiciones de funcionamiento nominales superior a\u00a05\u00a0A\/cm2<\/span> o una densidad de corriente (no continua) de impulsos en las condiciones de funcionamiento nominales superior a\u00a010\u00a0A\/cm2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb con capacidad para funcionar en un ‘modo dual’;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

a efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.b.1.d, ‘modo dual’ significa que la corriente de haz del \u00abdispositivo electr\u00f3nico de vac\u00edo\u00bb puede cambiarse de manera intencional entre la onda continua y el funcionamiento pulsado utilizando una reja y se produce una potencia de pico de salida de impulsos superior a la potencia de salida de la onda continua.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Amplificadores de \u00abcircuitos integrados monol\u00edticos de microondas\u00bb (\u00abMMIC\u00bb) que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los amplificadores de \u00abMMIC\u00bb que tienen un convertidor de fase integrado, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A001.b.12.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a02,7\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a06,8\u00a0GHz, con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 15\u00a0%, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a075\u00a0W (48,75\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a02,7\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a02,9\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a055\u00a0W (47,4\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a02,9\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a03,2\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a040\u00a0W (46\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a03,2\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a03,7\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a020\u00a0W (43\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a03,7\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a06,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a06,8\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a016\u00a0GHz, con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a010\u00a0W (40\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a06,8\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a08,5\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a05\u00a0W (37\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a08,5\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a016\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a03\u00a0W (34,77\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a016\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a031,8\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,1\u00a0nW (\u2013\u00a070\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a031,8\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a037\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a01\u00a0W (30\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a037\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a043,5\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a031,62\u00a0mW (15\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a043,5\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a075\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a010\u00a0mW (10\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a075\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a090\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 5\u00a0%; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,1\u00a0nW (\u2013\u00a070\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a090\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de los \u00abMMIC\u00bb cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en m\u00e1s de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subart\u00edculos\u00a03A001.b.2.a a\u00a03A001.b.2.h, vendr\u00e1 determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las notas 1 y\u00a02 en la categor\u00eda 3A implican que el subart\u00edculo\u00a03A001.b.2 no somete a control los \u00abMMIC\u00bb que hayan sido dise\u00f1ados especialmente para otras aplicaciones, por ejemplo, las telecomunicaciones, el radar o el autom\u00f3vil.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores discretos de microondas que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a02,7\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a06,8\u00a0GHz, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a0400\u00a0W (56\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a02,7\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a02,9\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a0205\u00a0W (53,12\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a02,9\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a03,2\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a0115\u00a0W (50,61\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a03,2\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a03,7\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a060\u00a0W (47,78\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a03,7\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a06,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a06,8\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a031,8\u00a0GHz, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a050\u00a0W (47\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a06,8\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a08,5\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a015\u00a0W (41,76\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a08,5\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a012\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a040\u00a0W (46\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a012\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a016\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a07\u00a0W (38,45\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a016\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a031,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,5\u00a0W (27\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a031,8\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a037\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a01\u00a0W (30\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a037\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a043,5\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,1\u00a0nW (\u2013\u00a070\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a043,5\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Distintos de los especificados en los subart\u00edculos 3A001.b.3.a. a\u00a03A001.b.3.e y tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a05\u00a0W (37,0\u00a0dBm) en todas las frecuencias superiores a\u00a08,5\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a031,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de un transistor de los especificados en los subart\u00edculos 3A001.b.3.a. a\u00a03A001.b.3.e cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en m\u00e1s de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subart\u00edculos 3A001.b.3.a a\u00a03A001.b.3.e, vendr\u00e1 determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.b.3 incluye los dados sueltos, los dados montados en portadores o los dados montados en envases. Algunos transistores discretos pueden denominarse tambi\u00e9n amplificadores de potencia, pero el estatus de los transistores discretos est\u00e1 determinado por el subart\u00edculo\u00a03A001.b.3.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Amplificadores de microondas de estado s\u00f3lido y conjuntos\/m\u00f3dulos que contengan amplificadores de microondas de estado s\u00f3lido, que sean cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a02,7\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a06,8\u00a0GHz, con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 15\u00a0%, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a0500\u00a0W (57\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a02,7\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a02,9\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a0270\u00a0W (54,3\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a02,9\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a03,2\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a0200\u00a0W (53\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a03,2\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a03,7\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a090\u00a0W (49,54\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a03,7\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a06,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a06,8\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a031,8\u00a0GHz, con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a070\u00a0W (48,45\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a06,8\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a08,5\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a050\u00a0W (47\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a08,5\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a012\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a030\u00a0W (44,77\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a012\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a016\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a020\u00a0W (43\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a016\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a031,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,5\u00a0W (27\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a031,8\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a037\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a02\u00a0W (33\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a037\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a043,5\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a043,5\u00a0GHz y que posean alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,2\u00a0W (23\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a043,5\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a075\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a020\u00a0mW (13\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a075\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a090\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 5\u00a0%; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,1\u00a0nW (\u2013\u00a070\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a090\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para amplificadores de \u00abMMIC\u00bb, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A001.b.2.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para ‘m\u00f3dulos de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n’ y ‘m\u00f3dulos de transmisi\u00f3n’, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A001.b.12.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los convertidores y mezcladores arm\u00f3nicos dise\u00f1ados para ampliar el r\u00e9gimen de funcionamiento o la gama de frecuencias de los analizadores de se\u00f1ales, generadores de se\u00f1ales, analizadores de redes o receptores de prueba de microondas, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03A001.b.7.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de un producto cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en m\u00e1s de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subart\u00edculos 3A001.b.4.a a\u00a03A001.b.4.e, vendr\u00e1 determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Filtros pasabanda o filtros supresores de banda sintonizables electr\u00f3nica o magn\u00e9ticamente, dotados de m\u00e1s de 5 resonadores sintonizables capaces de sintonizar en una banda de frecuencias de\u00a01,5:1 (fm\u00e1x.<\/span>\/fm\u00edn.<\/span>) en menos de 10\u00a0\u03bcs que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Banda de paso de m\u00e1s de 0,5\u00a0% de la frecuencia central; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Banda de atenuaci\u00f3n infinita de menos de 0,5\u00a0% de la frecuencia central;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Convertidores y mezcladores arm\u00f3nicos que sean cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para extender la gama de frecuencia de los \u00abanalizadores de se\u00f1ales\u00bb m\u00e1s all\u00e1 de 110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para extender el r\u00e9gimen de funcionamiento de los generadores de se\u00f1ales seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s all\u00e1 de 110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hasta una potencia de salida superior a\u00a0100\u00a0mW (20 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia que exceda los 43,5\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 110\u00a0GHz<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para extender el r\u00e9gimen de funcionamiento de los analizadores de redes seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s all\u00e1 de 110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hasta una potencia de salida superior a\u00a0100\u00a0mW (20 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia que exceda los 43,5\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 110\u00a0GHz<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para extender la gama de frecuencia de los receptores de prueba de microondas m\u00e1s all\u00e1 de 110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Amplificadores de potencia de microondas que contengan los \u00abdispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a03A001.b.1 y que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencias de funcionamiento superiores a\u00a03\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un coeficiente de potencia de salida media por masa superior a\u00a080\u00a0W\/kg; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un volumen menor que 400\u00a0cm3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.b.8 no somete a control los equipos dise\u00f1ados o tasados para funcionar en bandas de frecuencia que est\u00e9n \u00abasignados por la UIT\u00bb para servicios de radiocomunicaci\u00f3n, pero no para radiodeterminaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00f3dulos de alimentaci\u00f3n de microondas (MPM) consistentes en, al menos, un \u00abdispositivo electr\u00f3nico de vac\u00edo\u00bb de ondas progresivas, un \u00abcircuito integrado monol\u00edtico de microondas\u00bb (\u00abMMIC\u00bb) y un acondicionador electr\u00f3nico integrado de potencia, y que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘tiempo de activaci\u00f3n’ que vaya de apagado a plenamente operativo en menos de 10 segundos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un volumen inferior a la potencia nominal m\u00e1xima en vatios multiplicado por 10\u00a0cm3<\/span>\/W; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abancho de banda instant\u00e1neo\u00bb mayor que 1 octava (fm\u00e1x.<\/span> > 2fm\u00edn.<\/span>) y cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para frecuencias iguales o inferiores a\u00a018\u00a0GHz, una potencia de salida de radiofrecuencia superior a\u00a0100\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una frecuencia superior a\u00a018\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.b.9.a, el ‘tiempo de activaci\u00f3n’ se refiere al tiempo que tarda en pasar de totalmente apagado a plenamente operativo, es decir, incluye el tiempo de calentamiento del MPM.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.b.9.b, se proporciona el siguiente ejemplo para calcular el volumen: para una potencia nominal m\u00e1xima de 20\u00a0W, el volumen ser\u00eda: 20\u00a0W x 10\u00a0cm3<\/span>\/W = 200\u00a0cm3<\/span>.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Osciladores, o conjuntos de osciladores, especificados para funcionar con un ruido de fase en banda lateral \u00fanica (SSB), expresado en\u00a0dBc\/Hz, inferior a (mejor que) \u2013\u00a0(126 +\u00a020log10<\/span>F \u2013 20log10<\/span>f) en cualquier punto de la gama de 10\u00a0Hz \u2264 F \u2264 10\u00a0kHz;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.b.10, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb de ‘sintetizadores de frecuencias’ cuyo \u00abtiempo de conmutaci\u00f3n de frecuencia\u00bb est\u00e9 especificado por cualquiera de los par\u00e1metros siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a0100 \u03bcs para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2\u00a0GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a\u00a04,8\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 31,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a0500 \u03bcs para todo cambio de frecuencia que exceda de 550\u00a0MHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a\u00a031,8\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 37\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a0100 \u03bcs para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2\u00a0GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a\u00a037\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 75\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a0100 \u03bcs para todo cambio de frecuencia que exceda de 5,0\u00a0GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a\u00a075\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 90\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a01\u00a0ms dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a\u00a090\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.b.11, un ‘sintetizador de frecuencia’ es cualquier tipo de generador de frecuencias, con independencia de la t\u00e9cnica utilizada, que proporcione m\u00faltiples frecuencias de salida, simult\u00e1nea o alternativamente, en una o m\u00e1s salidas, controladas por, derivadas de o gobernadas por un n\u00famero inferior de frecuencias patr\u00f3n (o maestras).<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los \u00abanalizadores de se\u00f1ales\u00bb, los generadores de se\u00f1ales, los analizadores de redes y los receptores de prueba de microondas de uso general, v\u00e9anse los subart\u00edculos 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e y\u00a03A002.f, respectivamente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

12.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘M\u00f3dulos de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n’, ‘MMIC de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n’, ‘m\u00f3dulos de transmisi\u00f3n’ y ‘MMIC de transmisi\u00f3n’, tasados para funcionar a frecuencias superiores a\u00a02,7\u00a0GHz y que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n (en vatios), Psat<\/span>, mayor que 505,62 dividido por el cuadrado de la frecuencia m\u00e1xima de funcionamiento (en GHz) [Psat<\/span>>505,62\u00a0W x GHz2<\/span>\/fGHz<\/span>2<\/span>] para cualquier canal;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abancho de banda fraccional\u00bb mayor o igual que el 5\u00a0% para cualquier canal;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquier lado planar con longitud d (en cm) igual o inferior a\u00a015 dividido por la frecuencia m\u00ednima de funcionamiento en GHz [d\u00a0\u2264\u00a015\u00a0cm x Ghz x N\/fGHz<\/span>], siendo N el n\u00famero de canales de transmisi\u00f3n o de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un convertidor de fase variable electr\u00f3nicamente por canal.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.b.12:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u2018m\u00f3dulo de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n\u2019 es un \u00abconjunto electr\u00f3nico\u00bb multifuncional que proporciona amplitud bidireccional y control de fase para la transmisi\u00f3n y la recepci\u00f3n de se\u00f1ales.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u2018m\u00f3dulo de transmisi\u00f3n\u2019 es un \u00abconjunto electr\u00f3nico\u00bb que proporciona amplitud y control de fase para la transmisi\u00f3n de se\u00f1ales.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘MMIC de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n’: es un \u00abMMIC\u00bb multifuncional que proporciona amplitud bidireccional y control de fase para la transmisi\u00f3n y la recepci\u00f3n de se\u00f1ales.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u2018MMIC de transmisi\u00f3n\u2019 es un \u00abMMIC\u00bb que proporciona amplitud y control de fase para la transmisi\u00f3n de se\u00f1ales.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El valor 2,7\u00a0GHz debe utilizarse como frecuencia m\u00ednima de funcionamiento (fGHz<\/span>) en la f\u00f3rmula del subart\u00edculo\u00a03A001.b.12.c para m\u00f3dulos de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n o de transmisi\u00f3n con un r\u00e9gimen tasado de funcionamiento que descienda hasta 2,7\u00a0GHz y por debajo [d\u00a0\u2264\u00a015cm x GHz x\u00a0N\/2,7\u00a0GHz].<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.b.12 se aplica a los ‘m\u00f3dulos de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n’ o a los ‘m\u00f3dulos de transmisi\u00f3n’ con o sin disipador de calor. El valor de d en el subart\u00edculo\u00a03A001.b.12. no incluye ninguna porci\u00f3n del ‘m\u00f3dulo de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n’ o del ‘m\u00f3dulo de transmisi\u00f3n’ que funcione como un disipador de calor.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los ‘m\u00f3dulos de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n’ o los ‘m\u00f3dulos de transmisi\u00f3n’, o los ‘MMIC de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n’ o los ‘MMIC de transmisi\u00f3n’ pueden o no tener N elementos de antena radiantes integrados, siendo N el n\u00famero de canales de transmisi\u00f3n o de transmisi\u00f3n\/recepci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de ondas ac\u00fasticas seg\u00fan se indica y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de ondas ac\u00fasticas de superficie y de ondas ac\u00fasticas rasantes (poco profundas) y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia portadora superior a\u00a06\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia portadora superior a\u00a01\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 6\u00a0GHz, y que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Rechazo de l\u00f3bulos laterales’ superior a\u00a065\u00a0dB;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Producto del retardo m\u00e1ximo (expresado en \u03bcs) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a\u00a0100;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de banda superior a\u00a0250\u00a0MHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Retardo de dispersi\u00f3n superior a\u00a010\u00a0\u03bcs; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia portadora igual o inferior a\u00a01\u00a0GHz y que posea cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Producto del retardo m\u00e1ximo (expresado en \u03bcs) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a\u00a0100;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Retardo de dispersi\u00f3n superior a\u00a010\u00a0\u03bcs; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Rechazo de l\u00f3bulos laterales’ superior a\u00a065\u00a0dB y ancho de banda superior a\u00a0100\u00a0MHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.c.1, el ‘rechazo de l\u00f3bulos laterales’ es el valor m\u00e1ximo de rechazo especificado en la ficha t\u00e9cnica.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de ondas ac\u00fasticas de volumen que permitan el procesado directo de se\u00f1ales a frecuencias superiores a\u00a06\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos optoac\u00fasticos de \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb en los que se utilice una interacci\u00f3n entre ondas ac\u00fasticas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de se\u00f1ales o de im\u00e1genes, incluidos el an\u00e1lisis espectral, la correlaci\u00f3n o la convoluci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.c no somete a control los dispositivos de ondas ac\u00fasticas que est\u00e1n limitados a una sola funci\u00f3n de filtrado paso banda, paso bajo, paso alto o supresor de banda, o a una funci\u00f3n de resonancia.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos y circuitos electr\u00f3nicos que contengan componentes fabricados a partir de materiales \u00absuperconductores\u00bb, dise\u00f1ados especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la \u00abtemperatura cr\u00edtica\u00bb de al menos uno de los constituyentes \u00absuperconductores\u00bb, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conmutaci\u00f3n de corriente para circuitos digitales utilizando puertas \u00absuperconductoras\u00bb con un producto del tiempo de retardo por puerta (expresado en segundos) por la disipaci\u00f3n de energ\u00eda por puerta (expresada en vatios) inferior a\u00a010-14\u00a0J; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Selecci\u00f3n de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos resonantes con valores de Q superiores a 10\u00a0000;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de alta energ\u00eda seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘C\u00e9lulas’, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘C\u00e9lulas primarias’ con alguna de las siguientes caracter\u00edsticas a\u00a020\u202f\u00b0C:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Densidad de energ\u00eda’ superior a\u00a0550\u00a0Wh\/kg y ‘densidad de potencia continua’ superior a\u00a050\u00a0W\/kg; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Densidad de energ\u00eda’ superior a\u00a050\u00a0Wh\/kg y ‘densidad de potencia continua’ superior a\u00a0350\u00a0W\/kg; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘C\u00e9lulas secundarias’ que tengan una ‘densidad de energ\u00eda’ superior a\u00a0350\u00a0Wh\/kg a\u00a020\u202f\u00b0C;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.e.1, la ‘densidad de energ\u00eda’ (Wh\/kg) se calcula a partir de la tensi\u00f3n nominal multiplicada por la capacidad nominal en amperios-horas (Ah) dividida por la masa expresada en kilogramos. Si no figura la capacidad nominal, la densidad de energ\u00eda se calcula a partir de la tensi\u00f3n nominal al cuadrado y luego multiplicada por la duraci\u00f3n de la descarga, expresada en horas, dividida por la intensidad de la descarga expresada en ohmios y la masa en kilogramos.<\/span> <\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.e.1, una ‘c\u00e9lula’ se define como un dispositivo electromec\u00e1nico con electrodos positivos y negativos, un electrolito, y constituye una fuente de energ\u00eda el\u00e9ctrica. Es el elemento b\u00e1sico que compone una bater\u00eda.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.e.1.a, una ‘c\u00e9lula primaria’ es una ‘c\u00e9lula’ que no se ha dise\u00f1ado para ser cargada por otra fuente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.e.1.b, una ‘c\u00e9lula secundaria’ es una ‘c\u00e9lula’ dise\u00f1ada para ser cargada por una fuente el\u00e9ctrica externa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.e.1.a, la ‘densidad de potencia continua’ (Wh\/kg) se calcula a partir de la tensi\u00f3n nominal multiplicada por la corriente de descarga continua m\u00e1xima especificada expresada en amperios (A) dividida por la masa expresada en kilogramos. La ‘densidad de potencia continua’ tambi\u00e9n se conoce como potencia espec\u00edfica.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.e.1 no somete a control las bater\u00edas, incluidas las de c\u00e9lula \u00fanica.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energ\u00eda seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N EL SUBART\u00cdCULO\u00a03A201.a y la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Condensadores con una frecuencia de repetici\u00f3n inferior a\u00a010\u00a0Hz (condensadores monopulsos) y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n nominal igual o superior a\u00a05\u00a0kV;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Densidad de energ\u00eda igual o superior a\u00a0250\u00a0J\/kg; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda total igual o superior a\u00a025\u00a0kJ;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Condensadores con una frecuencia de repetici\u00f3n igual o superior a\u00a010\u00a0Hz (condensadores de descargas sucesivas) y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n nominal igual o superior a\u00a05\u00a0kV;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Densidad de energ\u00eda igual o superior a\u00a050\u00a0J\/kg;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda total igual o superior a\u00a0100\u00a0J; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vida \u00fatil igual o superior a 10\u00a0000 ciclos de carga\/descarga;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Electroimanes o solenoides \u00absuperconductores\u00bb, dise\u00f1ados especialmente para un tiempo de carga o descarga completa inferior a un segundo y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL SUBART\u00cdCULO\u00a03A201.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.e.3 no somete a control los electroimanes o solenoides \u00absuperconductores\u00bb dise\u00f1ados especialmente para los equipos m\u00e9dicos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes por resonancia magn\u00e9tica (MRI).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda suministrada durante la descarga superior a\u00a010\u00a0kJ en el primer segundo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro interior de las bobinas portadoras de corriente superior a\u00a0250\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar previstos para una inducci\u00f3n magn\u00e9tica superior a\u00a08\u00a0T o una ‘densidad de corriente global’ en las bobinas superior a\u00a0300\u00a0A\/mm2<\/span>;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.e.3.c, ‘densidad de corriente global’ es el n\u00famero total de amperios-vuelta de la bobina (es decir, el sumatorio de las corrientes m\u00e1ximas transportadas por cada espira) dividido por la secci\u00f3n transversal total de la bobina (incluidos los filamentos superconductores, la matriz met\u00e1lica en la que van incorporados los filamentos superconductores, el material de encapsulado, canales de refrigeraci\u00f3n, etc.).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e9lulas fotovoltaicas, conjuntos de recubrimientos de vidrio para interconexiones de c\u00e9lulas (CIC), paneles solares y generadores fotoel\u00e9ctricos que sean \u00abcalificados para uso espacial\u00bb y que tengan una eficiencia media m\u00ednima superior al 20\u00a0% a una temperatura de funcionamiento de 301\u00a0K (28\u202f\u00b0C) bajo una iluminaci\u00f3n simulada ‘AM0’ con una irradiaci\u00f3n de 1\u00a0367 vatios por metro cuadrado (W\/m2<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.e.4, ‘AM0’ o ‘masa de aire cero’ se refiere a la irradiaci\u00f3n espectral de luz solar en la atm\u00f3sfera m\u00e1s exterior de la Tierra, cuando la distancia entre esta y el sol es de una unidad astron\u00f3mica (AU).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Codificadores de posici\u00f3n absoluta del tipo de entrada rotativa que tengan una \u00abexactitud\u00bb inferior o igual a (mejor que) 1,0 segundos de arco, y anillos, discos o escalas de codificador dise\u00f1ados especialmente para ello;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos tiristor y ‘m\u00f3dulos tiristor’ de conmutaci\u00f3n de potencia pulsada de estado s\u00f3lido que utilicen m\u00e9todos de conmutaci\u00f3n controlados el\u00e9ctricamente, \u00f3pticamente o por radiaci\u00f3n de electrones y que presenten alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una velocidad m\u00e1xima de crecimiento de la corriente de activaci\u00f3n (di\/dt) superior a 30\u00a0000\u00a0A\/\u03bcs, y una tensi\u00f3n en estado bloqueado superior a 1\u00a0100\u00a0V; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una velocidad m\u00e1xima de crecimiento de la corriente de activaci\u00f3n (di\/dt) superior a 2\u00a0000\u00a0A\/microsegundo y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una tensi\u00f3n nominal m\u00e1xima en estado bloqueado igual o superior a 3\u00a0000\u00a0V; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una corriente m\u00e1xima (sobreintensidad) igual o superior a 3\u00a0000\u00a0A.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.g incluye los productos siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rectificadores de silicio controlados (SCR);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristores de activaci\u00f3n el\u00e9ctrica (ETT);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristores de activaci\u00f3n lum\u00ednica (LTT);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristores conmutados por puerta integrada (IGCT);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristores desactivables por puerta (GTO);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristores controlados por transistor MOS (MCT);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.g no somete a control los mecanismos tiristor y ‘m\u00f3dulos tiristor’ que se hayan incorporado a equipos dise\u00f1ados para aplicaciones en l\u00edneas f\u00e9rreas civiles o \u00abaeronaves civiles\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.g, un ‘m\u00f3dulo tiristor’ contiene uno o m\u00e1s mecanismos tiristor.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conmutadores, diodos o ‘m\u00f3dulos’ de semiconductores de potencia de estado s\u00f3lido, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para una temperatura m\u00e1xima de funcionamiento en el empalme superior a\u00a0488\u00a0K (215\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n de pico repetitiva con el elemento desactivador (tensi\u00f3n de bloqueo) superior a\u00a0300\u00a0V; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Corriente continua superior a\u00a01\u00a0A.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el subart\u00edculo\u00a03A001.h, la tensi\u00f3n de pico repetitiva con el elemento desactivador incluye la tensi\u00f3n del drenaje a la fuente, la tensi\u00f3n del colector al emisor, la tensi\u00f3n inversa de pico repetitiva y la tensi\u00f3n de pico repetitiva de bloqueo con el elemento desactivador.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.h incluye lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores de efecto campo de uni\u00f3n (JFET);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores verticales de efecto campo de uni\u00f3n (VJFET);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores de efecto de campo metal-\u00f3xido-semiconductor (MOSFET);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores de doble difusi\u00f3n de efecto de campo metal-\u00f3xido-semiconductor (DMOSFET);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores de alta movilidad de electrones (HEMT);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transistores de uni\u00f3n bipolar (BJT);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristores y rectificadores de silicio controlados (SCR);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristores desactivables por puerta (GTO);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiristores desactivables por emisor (ETO);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.h no somete a control los conmutadores, diodos o ‘m\u00f3dulos’ incorporados a equipos que se hayan dise\u00f1ado para aplicaciones de autom\u00f3viles civiles, ferrocarriles civiles o \u00abaeronaves civiles\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.h, un ‘m\u00f3dulo’ contiene uno o m\u00e1s conmutadores o diodos de semiconductores de potencia de estado s\u00f3lido.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Moduladores electro\u00f3pticos de intensidad, amplitud o fase, dise\u00f1ados para se\u00f1ales an\u00e1logas y con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia m\u00e1xima de funcionamiento superior a\u00a010\u00a0GHz pero inferior a\u00a020\u00a0GHz, p\u00e9rdida \u00f3ptica por inserci\u00f3n igual o inferior a\u00a03\u00a0dB y con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Tensi\u00f3n de media onda’ (‘V\u03c0’) inferior a\u00a02,7\u00a0V medida a una frecuencia igual o inferior a\u00a01\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘V\u03c0’ inferior a\u00a04\u00a0V medida a una frecuencia superior a\u00a01\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia m\u00e1xima de funcionamiento igual o superior a\u00a020\u00a0GHz, p\u00e9rdida \u00f3ptica por inserci\u00f3n igual o inferior a\u00a03\u00a0dB y con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘V\u03c0’ inferior a\u00a03,3\u00a0V medida a una frecuencia igual o inferior a\u00a01\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘V\u03c0’ inferior a\u00a05\u00a0V medida a una frecuencia superior a\u00a01\u00a0GHz.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A001.i incluye los moduladores electro\u00f3pticos que tienen conectores \u00f3pticos de entrada y salida (por ejemplo, latiguillos de fibra \u00f3ptica).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a03A001.i, la ‘tensi\u00f3n de media onda’ (‘V\u03c0’) es la tensi\u00f3n aplicada necesaria para hacer un cambio de fase de 180\u00a0grados en la longitud de onda de la luz que se propaga a trav\u00e9s del modulador \u00f3ptico.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb, m\u00f3dulos y equipos de uso general, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de grabaci\u00f3n y osciloscopios, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grabadores de datos digitales que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘tr\u00e1nsito continuo’ sostenido superior a\u00a06,4\u00a0Gbits\/s en disco o unidad de memoria de estado s\u00f3lido; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProceso de se\u00f1ales\u00bb de los datos de se\u00f1ales de radiofrecuencia mientras se est\u00e1 grabando;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.a.6:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los grabadores con arquitectura de bus paralelo, la tasa de ‘tr\u00e1nsito continuo’ es la tasa m\u00e1s alta de palabras multiplicada por el n\u00famero de bits por palabra.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Tr\u00e1nsito continuo’ es la tasa de datos m\u00e1s r\u00e1pida que puede grabar el instrumento en disco o unidad de memoria de estado s\u00f3lido sin p\u00e9rdida de ninguna informaci\u00f3n, manteniendo la velocidad de entrada de datos digitales o la tasa de conversi\u00f3n del digitalizador.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Osciloscopios en tiempo real que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una media cuadr\u00e1tica (rms) vertical de tensi\u00f3n de ruido inferior al 2\u00a0% de la escala total en la escala vertical que proporciona el valor m\u00e1s bajo de ruido; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Frecuencia m\u00e1xima a\u00a03\u00a0dB’ superior a\u00a090\u00a0GHz en cualquier canal.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A002.a.7 no somete a control los osciloscopios de muestreo de tiempo equivalente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.a.7.b:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La \u2018frecuencia m\u00e1xima a\u00a03\u00a0dB\u2019 es el mayor de los valores siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El ancho de banda de 3\u00a0dB especificado del osciloscopio; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El l\u00edmite superior m\u00e1ximo de la gama de frecuencias de cualquier \u00abventana de ancho de banda m\u00f3vil\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abVentana de ancho de banda m\u00f3vil\u00bb: filtro de paso de banda con una frecuencia central o rango determinables por el usuario.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAnalizadores de se\u00f1ales\u00bb de radiofrecuencia, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAnalizadores de se\u00f1ales\u00bb con un ancho de banda (RBW) a\u00a03\u00a0dB superior a\u00a040\u00a0MHz en cualquier punto dentro de la gama de frecuencias superiores a\u00a031,8\u00a0GHz pero sin sobrepasar los 37\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAnalizadores de se\u00f1ales\u00bb con un nivel de ruido medio visualizado (DANL) inferior a (mejor que) \u2013\u00a0160 dBm\/Hz en cualquier punto dentro de la gama de frecuencias superiores a\u00a043,5\u00a0GHz pero sin sobrepasar los 110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAnalizadores de se\u00f1ales\u00bb con una frecuencia superior a\u00a0110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAnalizadores de se\u00f1ales\u00bb que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Ancho de banda en tiempo real’ superior a\u00a0520\u00a0MHz; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un 100\u00a0% de probabilidad de detecci\u00f3n con una reducci\u00f3n de la amplitud completa inferior a\u00a03\u00a0dB, debido a las lagunas o efectos ventana de las se\u00f1ales y con una duraci\u00f3n de 8\u00a0\u03bcs o menos; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una funci\u00f3n de ‘activador de la m\u00e1scara de frecuencia’ con un\u00a0100\u00a0% de probabilidad de activaci\u00f3n (captura) de se\u00f1ales y una duraci\u00f3n de 8\u00a0\u03bcs o menos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.c.4.a, ‘ancho de banda en tiempo real’ es la gama de frecuencia m\u00e1s ancha para la que el analizador puede transformar totalmente y de forma continua datos del dominio temporal en resultados de frecuencia, utilizando una transformada de Fourier u otra transformada temporal discreta que procese cada punto temporal entrante, sin una reducci\u00f3n de la amplitud medida de m\u00e1s de 3\u00a0dB por debajo de la amplitud real de la se\u00f1al provocada por lagunas o efectos ventana y que, al mismo tiempo, env\u00ede o muestre los datos transformados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.c.4.b.1, la probabilidad de detecci\u00f3n se conoce asimismo como probabilidad de interceptaci\u00f3n o probabilidad de captura.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.c.4.b.1, la duraci\u00f3n de un\u00a0100\u00a0% de probabilidad de detecci\u00f3n es equivalente a la duraci\u00f3n de se\u00f1al m\u00ednima necesaria para el nivel especificado de incertidumbre de medida.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.c.4.b.2, el ‘activador de la m\u00e1scara de frecuencia’ es un mecanismo mediante el cual la funci\u00f3n de activaci\u00f3n puede seleccionar una gama de frecuencias que se activar\u00e1 como un subconjunto del ancho de banda adquirido a la vez que se ignoran otras se\u00f1ales que tambi\u00e9n puedan estar presentes en el mismo ancho de banda de adquisici\u00f3n. Un ‘activador de la m\u00e1scara de frecuencia’ puede contener m\u00e1s de una serie de l\u00edmites independientes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A002.c.4 no somete a control los \u00abanalizadores de se\u00f1ales\u00bb que utilicen \u00fanicamente filtros de ancho de banda de porcentaje constante (tambi\u00e9n llamados filtros de octavas o filtros de octavas parciales).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Generadores de se\u00f1ales que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar especificados para generar se\u00f1ales moduladas por impulsos que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes, en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a031,8\u00a0GHz pero sin sobrepasar los 37\u00a0GHz:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Duraci\u00f3n del impulso’ inferior a\u00a025\u00a0ns; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Relaci\u00f3n de encendido\/apagado igual o superior a\u00a065\u00a0dB;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.d.1.a, la ‘duraci\u00f3n del impulso’ se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el punto situado en el borde principal, que corresponde al 50\u00a0% de la amplitud del impulso, hasta el punto del flanco posterior, que corresponde al 50\u00a0% de la amplitud del impulso.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a0100\u00a0mW (20 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a043,5\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTiempo de conmutaci\u00f3n de frecuencia\u00bb especificado por alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a0100\u00a0\u03bcs para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2\u00a0GHz dentro de la gama de frecuencias superior a\u00a04,8\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 31,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a0500\u00a0\u03bcs para todo cambio de frecuencia que exceda de 550\u00a0MHz dentro de la gama de frecuencias superior a\u00a031,8\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 37\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a0100\u00a0\u03bcs para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2\u00a0GHz dentro de la gama de frecuencias superior a\u00a037\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 75\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a\u00a0100\u00a0\u03bcs para todo cambio de frecuencia que exceda de 5,0\u00a0GHz dentro de la gama de frecuencias superior a\u00a075\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ruido de fase en banda lateral \u00fanica (SSB), medido en\u00a0dBc\/Hz, y que se haya especificado con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a (mejor que) \u2013\u00a0(126\u00a0+\u00a020log10<\/span>F\u00a0\u2013 20log10<\/span>f) en cualquier punto de la gama de 10\u00a0Hz\u00a0\u2264\u00a0F\u00a0\u2264\u00a010\u00a0kHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a03,2\u00a0GHz, pero no superior a\u00a0110\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inferior a (mejor que) \u2013\u00a0(206\u00a0\u2013 20log10<\/span>f) en cualquier punto de la gama de 10\u00a0kHz\u00a0<\u00a0F\u00a0\u2264\u00a0100\u00a0kHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a03,2\u00a0GHz, pero no superior a\u00a0110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.d.4, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘ancho de banda de modulaci\u00f3n de RF’ de se\u00f1ales digitales de banda de base, especificado por cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superior a\u00a02,2\u00a0GHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a04,8\u00a0GHz, pero no superior a\u00a031,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superior a\u00a0550\u00a0MHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a031,8\u00a0GHz, pero no superior a\u00a037\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superior a\u00a02,2\u00a0GHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a037\u00a0GHz, pero no superior a\u00a075\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superior a\u00a05,0\u00a0GHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a075\u00a0GHz, pero no superior a\u00a0110\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.d.5, el ‘ancho de banda de modulaci\u00f3n de RF’ es el ancho de banda de radiofrecuencia (RF) ocupado por una se\u00f1al de banda de base codificada digitalmente modulada en una se\u00f1al de RF. Tambi\u00e9n se denomina ancho de banda de informaci\u00f3n o ancho de banda de modulaci\u00f3n vectorial. La modulaci\u00f3n digital\u00a0I\/Q es el m\u00e9todo t\u00e9cnico para producir una se\u00f1al de salida de RF de modulaci\u00f3n vectorial, y dicha se\u00f1al de salida se especifica normalmente con un ‘ancho de banda de modulaci\u00f3n de RF’.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia sintetizada m\u00e1xima superior a\u00a0110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A002.d.incluye los generadores de funci\u00f3n y de forma de onda arbitraria.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A002.d no somete a control los equipos en los que la frecuencia de salida se produce mediante la adici\u00f3n o la sustracci\u00f3n de dos o m\u00e1s frecuencias obtenidas mediante osciladores de cristal, o por una adici\u00f3n o sustracci\u00f3n seguida por una multiplicaci\u00f3n del resultado.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.d, la frecuencia de salida m\u00e1xima sintetizada de un generador de funci\u00f3n o de forma de onda arbitraria se calcula dividiendo la velocidad de muestreo, en muestras\/segundo, por un factor de 2,5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Analizadores de redes con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a0100\u00a0mW (20 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a\u00a043,5\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Funcionalidad de medici\u00f3n del vector no lineal’ con una frecuencia superior a\u00a050\u00a0GHz, pero sin sobrepasar los 110\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.e.3, la ‘funcionalidad de medici\u00f3n del vector no lineal’ es la capacidad de un instrumento de analizar los resultados del ensayo en relaci\u00f3n con los dispositivos accionados en el dominio de la se\u00f1al amplia o la gama de distorsi\u00f3n no lineal.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia m\u00e1xima de funcionamiento superior a\u00a0110\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Receptores de prueba de microondas que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia m\u00e1xima de funcionamiento superior a\u00a0110\u00a0GHz; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para medir simult\u00e1neamente la amplitud y la fase;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Patrones de frecuencia at\u00f3micos que sean cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCalificados para uso espacial\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que no sean patrones de rubidio y tengan una estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1\u00a0x\u00a010-11<\/span>\/mes; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

No \u00abcalificados para uso espacial\u00bb y que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que sea un patr\u00f3n de rubidio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1\u00a0x\u00a010-11<\/span>\/mes; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Consumo de potencia total inferior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb, m\u00f3dulos o equipos, especificados para realizar todas las operaciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conversiones anal\u00f3gico-digital que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a08\u00a0bits, pero inferior a\u00a010\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a01,3\u00a0gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second<\/span>, GSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a010\u00a0bits, pero inferior a\u00a012\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a01,0\u00a0gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a012\u00a0bits, pero inferior a\u00a014\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a01,0\u00a0gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a014\u00a0bits, pero inferior a\u00a016\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a0400\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second<\/span>, MSPS); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n igual o superior a\u00a016\u00a0bits, con una \u00abvelocidad de muestras\u00bb superior a\u00a0180\u00a0megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida de datos digitalizados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Almacenamiento de datos digitalizados; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Procesamiento de datos digitalizados.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los grabadores de datos digitales, los osciloscopios, los \u00abanalizadores de se\u00f1ales\u00bb, los generadores de se\u00f1ales, los analizadores de redes y los receptores de prueba de microondas est\u00e1n especificados en los subart\u00edculos\u00a03A002.a.6, 3A002.a.7, 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e y\u00a03A002.f, respectivamente.<\/span><\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A002.h:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una resoluci\u00f3n de n bits corresponde a una cuantificaci\u00f3n de 2n niveles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La resoluci\u00f3n del ADC es el n\u00famero de bits de la salida digital del ADC que representa la entrada anal\u00f3gica medida. Para determinar la resoluci\u00f3n del ADC no se usa el n\u00famero efectivo de bits (ENOB).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En el caso de los \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb, m\u00f3dulos o equipos multicanal no entrelazados, las \u00abvelocidades de muestras\u00bb no se acumulan y la \u00abvelocidad de muestras\u00bb es la velocidad m\u00e1xima de cualquier canal considerado individualmente.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En el caso de los canales entrelazados de \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb, m\u00f3dulos o equipos multicanal, se acumulan las \u00abvelocidades de muestras\u00bb y la \u00abvelocidad de muestras\u00bb es la velocidad total combinada m\u00e1xima de todos los canales entrelazados.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A002.h incluye tarjetas ADC, digitalizadores de formas de onda, tarjetas de adquisici\u00f3n de datos, tableros de adquisici\u00f3n de se\u00f1ales y grabadores de transitorios.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A003<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de control t\u00e9rmico mediante enfriamiento por pulverizaci\u00f3n (spray cooling<\/span>) que utilicen equipos de tratamiento y reacondicionamiento del fluido en circuito cerrado, en el interior de una c\u00e1mara estanca en la que se pulveriza un fluido diel\u00e9ctrico sobre los componentes electr\u00f3nicos mediante boquillas aspersoras dise\u00f1adas especialmente con el fin de mantener dichos componentes electr\u00f3nicos dentro de su intervalo de temperaturas de funcionamiento, as\u00ed como los componentes que han sido proyectados espec\u00edficamente para ellos.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A101<\/p>\n<\/td>\n

Equipos, dispositivos y componentes electr\u00f3nicos, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a03A001, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Convertidores anal\u00f3gico-digitales (ADC) que puedan utilizarse en \u00abmisiles\u00bb, dise\u00f1ados para las especificaciones militares destinadas a equipos robustos (ruggedized<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aceleradores capaces de suministrar radiaciones electromagn\u00e9ticas producidas por radiaci\u00f3n de frenado (Bremsstrahlung) a partir de electrones acelerados de 2\u00a0MeV o m\u00e1s, y sistemas que contengan dichos aceleradores.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A101.b no incluye los equipos dise\u00f1ados especialmente para uso m\u00e9dico.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A102<\/p>\n<\/td>\n

‘Bater\u00edas t\u00e9rmicas’ dise\u00f1adas o modificadas para ‘misiles’.<\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a03A102, las ‘bater\u00edas t\u00e9rmicas’ son bater\u00edas desechables que contienen una sal inorg\u00e1nica s\u00f3lida no conductora como electrolito. Dichas bater\u00edas incorporan un material pirol\u00edtico que, al encenderse, funde el electrolito y activa la bater\u00eda.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a03A102, los ‘misiles’ hacen referencia a los sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A201<\/p>\n<\/td>\n

Componentes electr\u00f3nicos, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a03A001, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Condensadores que posean cualquiera de los siguientes conjuntos de caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n nominal superior a\u00a01,4\u00a0kV;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Almacenamiento de energ\u00eda superior a\u00a010\u00a0J;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacitancia superior a\u00a00,5\u00a0\u03bcF; e<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inductancia en serie inferior a\u00a050 nH; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n nominal superior a\u00a0750\u00a0V;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacitancia superior a\u00a00,25 \u03bcF; e<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inductancia en serie inferior a\u00a010 nH;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Electroimanes solenoidales superconductores que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de crear campos magn\u00e9ticos de m\u00e1s de 2 T;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Relaci\u00f3n de longitud a di\u00e1metro interior superior a\u00a02;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro interior superior a\u00a0300\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Campo magn\u00e9tico con un grado de uniformidad superior al 1\u00a0% en el 50\u00a0%, centrado, del volumen interior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A201.b no somete a control los imanes dise\u00f1ados especialmente para \u2014y exportados como\u2014 ‘piezas de’ sistemas m\u00e9dicos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes por resonancia magn\u00e9tica nuclear (NMR). La expresi\u00f3n ‘como piezas de’ no significa necesariamente que se trate de una pieza f\u00edsica incluida en la misma expedici\u00f3n; Se permiten expediciones por separado, de or\u00edgenes distintos, siempre que los documentos de exportaci\u00f3n correspondientes especifiquen claramente que los env\u00edos se despachan como ‘piezas de’ los sistemas de formaci\u00f3n de im\u00e1genes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Generadores de rayos X de descarga por destello o aceleradores por impulso de electrones que tengan alguno de los siguientes conjuntos de caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pico de energ\u00eda de electrones, del acelerador, igual o superior a\u00a0500\u00a0keV pero inferior a\u00a025\u00a0MeV; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Factor de m\u00e9rito’ (K) igual o superior a\u00a00,25; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pico de energ\u00eda de electrones, del acelerador, igual o superior a\u00a025\u00a0MeV; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Pico de potencia’ superior a\u00a050\u00a0MW.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A201.c no somete a control los aceleradores que sean componentes de dispositivos dise\u00f1ados para fines distintos de la radiaci\u00f3n por haz electr\u00f3nico o rayos X (microscopia electr\u00f3nica, por ejemplo) ni aquellos dise\u00f1ados para fines m\u00e9dicos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘factor de m\u00e9rito’ (K) se define como:<\/span><\/span><\/p>\n

K = 1,7 x 103V2,65Q<\/span><\/p>\n

(donde V es el pico de energ\u00eda de electrones en millones de electronvoltios).<\/span><\/p>\n

Si la duraci\u00f3n del impulso del haz del acelerador es igual o inferior a\u00a01 \u03bcs, Q es la carga acelerada total en culombios. Si la duraci\u00f3n del impulso del haz del acelerador es superior a\u00a01\u00a0\u03bcs, Q es la carga acelerada m\u00e1xima en\u00a01\u00a0\u03bcs.<\/span><\/p>\n

Q es igual a la integral de i respecto a t, durante un\u00a01\u00a0\u03bcs o a lo largo de la duraci\u00f3n del impulso del haz si esta es menor (Q\u00a0=\u00a0\u222b\u00a0idt), siendo i la corriente del haz en amperios y t el tiempo en segundos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Pico de potencia’ = (pico de potencial en voltios) \u00d7 (pico de corriente del haz en amperios).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En las m\u00e1quinas basadas en cavidades aceleradoras para microondas, la duraci\u00f3n del impulso del haz es el valor inferior de los dos siguientes: 1 microsegundo o la duraci\u00f3n del paquete agrupado del haz resultante de un impulso del modulador de microondas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En las m\u00e1quinas basadas en cavidades aceleradoras para microondas, el pico de corriente del haz es la corriente media en la duraci\u00f3n de un paquete agrupado del haz.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A225<\/p>\n<\/td>\n

Convertidores de frecuencia o generadores, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a00B001.b.13 que puedan utilizarse como mando del motor de frecuencia variable o fija y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las caracter\u00edsticas del art\u00edculo\u00a03A225 est\u00e1n especificados en el art\u00edculo\u00a03D225.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb en forma de c\u00f3digos o claves para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las caracter\u00edsticas del art\u00edculo\u00a03A225 est\u00e1 especificada en el art\u00edculo\u00a03E225.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida multifase que suministra una potencia igual o superior a\u00a040\u00a0VA;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Funcionamiento a una frecuencia de 600\u00a0Hz o m\u00e1s; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Control de frecuencia mejor que (inferior a) 0,2\u00a0%.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03A225 no somete a control los convertidores de frecuencia o generadores que tengan restricciones de equipos inform\u00e1ticos, de \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb o de \u00abtecnolog\u00eda\u00bb que limiten el rendimiento a menos de lo especificado anteriormente, siempre que cumplan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Deben devolverse a su fabricante original para que haga las mejoras o las libere de las restricciones;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Requieren los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a03D225 para mejorar el rendimiento, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las caracter\u00edsticas del art\u00edculo\u00a03A225; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Requieren la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb en forma de c\u00f3digos o claves especificada en el art\u00edculo\u00a03E225 para mejorar el rendimiento, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las caracter\u00edsticas del art\u00edculo\u00a03A225.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los convertidores de frecuencia especificados en el art\u00edculo\u00a03A225 tambi\u00e9n son conocidos como cambiadores o inversores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los convertidores de frecuencia especificados en el art\u00edculo\u00a03A225 podr\u00e1n comercializarse como generadores, equipo electr\u00f3nico de ensayo, fuentes de alimentaci\u00f3n de corriente alterna, mandos de motor de velocidad variable, mandos de velocidad variable, mandos de frecuencia variable, mandos de frecuencia regulable o mandos de velocidad regulable.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A226<\/p>\n<\/td>\n

Fuentes de corriente continua de gran potencia, distintas de las especificadas en el subart\u00edculo\u00a00B001.j.6 que posean las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de producir de modo continuo, a lo largo de 8 horas, 100\u00a0V o m\u00e1s con una corriente de salida de 500\u00a0A o m\u00e1s; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estabilidad de la corriente o de la tensi\u00f3n mejor que el 0,1\u00a0% a lo largo de 8 horas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A227<\/p>\n<\/td>\n

Fuentes de corriente continua de alta tensi\u00f3n, distintas de las especificadas en el subart\u00edculo\u00a00B001.j.5, que re\u00fanan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de producir de modo continuo, a lo largo de 8 horas, 20\u00a0kV o m\u00e1s con una corriente de salida de 1 amperio o m\u00e1s; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estabilidad de la corriente o de la tensi\u00f3n mejor que el 0,1\u00a0% a lo largo de 8 horas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A228<\/p>\n<\/td>\n

Dispositivos de conmutaci\u00f3n, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos de c\u00e1todo fr\u00edo, llenos de gas o no, de funcionamiento similar a los descargadores de chispas, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener tres o m\u00e1s electrodos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n nominal de pico en el \u00e1nodo igual o superior a\u00a02,5\u00a0kV;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Intensidad nominal de corriente de pico en el \u00e1nodo igual o superior a\u00a0100\u00a0A; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiempo de retardo de \u00e1nodo igual o inferior a\u00a010 \u03bcs;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A228.a incluye los tubos de gas krytron y los tubos sprytron de vac\u00edo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Descargadores de chispas con disparo que re\u00fanan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiempo de retardo de \u00e1nodo igual o inferior a\u00a015 \u03bcs; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para una intensidad de corriente nominal de pico igual o superior a\u00a0500\u00a0A;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00f3dulos o conjuntos con una funci\u00f3n de conmutaci\u00f3n r\u00e1pida, distintos de los especificados en los subart\u00edculos 3A001.g o 3A001.h, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n nominal de pico en el \u00e1nodo superior a\u00a02\u00a0kV;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Intensidad nominal de corriente de pico en el \u00e1nodo igual o superior a\u00a0500\u00a0A; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiempo de conexi\u00f3n igual o inferior a\u00a01\u00a0\u03bcs.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A229<\/p>\n<\/td>\n

Generadores de impulsos de corriente elevada seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conjuntos de ignici\u00f3n de detonador (sistemas iniciadores, firesets), incluidos los conjuntos de ignici\u00f3n activados \u00f3pticamente y activados por explosivos de carga electr\u00f3nica, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a01A007.a, que hayan sido dise\u00f1ados para accionar los detonadores controlados de forma m\u00faltiple que se incluyen en el subart\u00edculo\u00a01A007.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Generadores modulares de impulsos el\u00e9ctricos (impulsadores) que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para uso port\u00e1til, m\u00f3vil o en condiciones severas (ruggedized);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para suministrar su energ\u00eda en menos de 15\u00a0\u03bcs en cargas inferiores a\u00a040\u00a0ohmios;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida superior a\u00a0100\u00a0A;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ninguna dimensi\u00f3n superior a\u00a030\u00a0cm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Peso inferior a\u00a030\u00a0kg; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especificados para utilizarse en un amplio intervalo de temperaturas de 223\u00a0K (\u2013\u00a050\u202f\u00b0C) a\u00a0373\u00a0K (100\u202f\u00b0C) o especificados como adecuados para aplicaciones aeroespaciales.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03A229.b incluye los excitadores de l\u00e1mparas de destello de xen\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de microignici\u00f3n que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ninguna dimensi\u00f3n superior a\u00a035\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n nominal igual o superior a\u00a01\u00a0kV; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacitancia igual o superior a\u00a0100\u00a0nF.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A230<\/p>\n<\/td>\n

Generadores de impulsos de gran velocidad, y ‘cabezas de impulso’ para los mismos, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n de salida superior a\u00a06\u00a0V sobre una carga resistiva de menos de\u00a055 ohmios; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Tiempo de transici\u00f3n de impulsos’ inferior a\u00a0500\u00a0ps.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a03A230, el ‘tiempo de transici\u00f3n de impulso’ se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el 10\u00a0% y el 90\u00a0% de la amplitud de la tensi\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las ‘cabezas de impulso’ son redes generadoras de impulsos concebidas para admitir una funci\u00f3n de salto de tensi\u00f3n y darle una gran variedad de formas de impulsos, que pueden incluir tipos rectangulares, triangulares, a intervalos, a impulsos, exponenciales o monociclo. Las ‘cabezas de impulso’ pueden ser parte integrante del generador de impulsos, pueden ser un m\u00f3dulo enchufable al dispositivo o pueden ser un dispositivo de conexi\u00f3n externa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A231<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas generadores de neutrones, incluidos los tubos, que posean las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para funcionar sin sistema de vac\u00edo externo; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aceleraci\u00f3n electrost\u00e1tica para inducir una reacci\u00f3n nuclear tritio-deuterio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aceleraci\u00f3n electrost\u00e1tica para inducir una reacci\u00f3n nuclear deuterio-deuterio y capacidad de ofrecer una potencia de 3\u00a0x\u00a0109 neutrones\/s o m\u00e1s.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A232<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de iniciaci\u00f3n multipunto, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a01A007, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a01A007.b para los detonadores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Montajes que empleen detonadores \u00fanicos o m\u00faltiples dise\u00f1ados para iniciar casi simult\u00e1neamente una superficie explosiva de \u00e1rea superior a 5\u00a0000\u00a0mm2<\/span> a partir de una sola se\u00f1al de detonaci\u00f3n, con un tiempo de iniciaci\u00f3n distribuido por la superficie de menos de 2,5\u00a0\u03bcs.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03A232 no somete a control los detonadores que empleen solamente explosivos primarios, como azida de plomo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A233<\/p>\n<\/td>\n

Espectr\u00f3metros de masas, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a00B002.g, capaces de medir iones de 230\u00a0u o mayores, y que tengan una resoluci\u00f3n mejor que 2 partes por 230, seg\u00fan se indica, as\u00ed como las fuentes de iones para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espectr\u00f3metros de masas de plasma acoplados inductivamente\u00a0(ICP\/MS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espectr\u00f3metros de masas de descarga luminosa (GDMS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espectr\u00f3metros de masas de ionizaci\u00f3n t\u00e9rmica (TIMS);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espectr\u00f3metros de masas de bombardeo electr\u00f3nico que presenten las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un sistema de admisi\u00f3n de haz molecular que inyecte un haz colimado de mol\u00e9culas de analito en una regi\u00f3n de la fuente de iones donde las mol\u00e9culas son ionizadas por un haz de electrones; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una o m\u00e1s ‘trampas fr\u00edas’ que puedan enfriarse a una temperatura de 193\u00a0K (\u2013\u00a080\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espectr\u00f3metros de masas equipados con una fuente de iones de microfluoraci\u00f3n dise\u00f1ada para act\u00ednidos o fluoruros de act\u00ednidos.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los espectr\u00f3metros de masas de bombardeo electr\u00f3nico del subart\u00edculo\u00a03A233.d tambi\u00e9n se conocen como espectr\u00f3metros de masas de impacto de electrones o espectr\u00f3metros de masas de ionizaci\u00f3n de electrones.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el subart\u00edculo\u00a03A233.d.2, una ‘trampa fr\u00eda’ es un dispositivo que atrapa mol\u00e9culas de gas condens\u00e1ndolas o congel\u00e1ndolas en superficies fr\u00edas. A efectos del subart\u00edculo\u00a03A233.d.2, una bomba de vac\u00edo criog\u00e9nica gaseosa de helio de circuito cerrado no es una ‘trampa fr\u00eda’.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A234<\/p>\n<\/td>\n

Microbandas para proporcionar una trayectoria de baja inductancia a los detonadores, con las siguientes caracter\u00edsticas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tensi\u00f3n nominal superior a\u00a02\u00a0kV; e<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inductancia inferior a\u00a020 nH.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A501<\/p>\n<\/td>\n

Productos electr\u00f3nicos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados de uso general, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

15.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados de semiconductores de \u00f3xido met\u00e1lico complementario (CMOS), no especificados en el subart\u00edculo\u00a03A001.a.2, dise\u00f1ados para funcionar a una temperatura ambiente igual o inferior a (mejor que) 4,5\u00a0K (-\u00a0268,65\u00a0\u00b0C).<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A501.a.15, los circuitos integrados CMOS tambi\u00e9n se denominan circuitos integrados CMOS criog\u00e9nicos o crioCMOS.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

16.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Circuitos integrados que tienen una o m\u00e1s unidades de procesamiento digital con un ‘rendimiento de procesamiento total’ (‘TPP’) de 6\u00a0000 o m\u00e1s.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para \u201cordenadores digitales\u201d y \u201cconjuntos electr\u00f3nicos\u201d que contengan circuitos integrados especificados en el subart\u00edculo\u00a03A501.a.16, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a04A507.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A501.a.16:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El ‘rendimiento de procesamiento total’ (‘TPP’) es de 2 x \u2018MacTOPS\u2019 x \u2018longitud en bits de la operaci\u00f3n\u2019, sumados a todas las unidades de procesamiento del circuito integrado.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘MacTOPS’ es el n\u00famero m\u00e1ximo te\u00f3rico de Tera (12<\/span>) operaciones por segundo para el c\u00e1lculo de multiplicaci\u00f3n-acumulaci\u00f3n (D = AxB + C).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El 2 en la f\u00f3rmula ‘TPP’ se basa en la convenci\u00f3n de la industria de contar un c\u00e1lculo de multiplicaci\u00f3n-acumulaci\u00f3n, D = AxB + C, como 2 operaciones a los efectos de las hojas de datos. Por lo tanto, 2 x MacTOPS puede corresponder a los TOPS o FLOPS informados en una hoja de datos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La \u2018longitud en bits de la operaci\u00f3n\u2019 para un c\u00e1lculo de multiplicaci\u00f3n-acumulaci\u00f3n es la longitud en bits m\u00e1s grande de las entradas a la operaci\u00f3n de multiplicaci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sume los ‘TPP’ para cada unidad de procesamiento del circuito integrado para obtener un total ‘TPP’ = TPP1 + TPP2 + …. + TPPn (donde n es el n\u00famero o las unidades de procesamiento en el circuito integrado).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La tasa de ‘MacTOPS’ se debe calcular en su valor m\u00e1ximo te\u00f3ricamente posible. Se supone que la tasa de ‘MacTOPS’ es el valor m\u00e1s alto que el fabricante afirma en un manual o folleto para el circuito integrado. Por ejemplo, el umbral de ‘TPP’ de 6\u00a0000 se puede cumplir con 750 Tera operaciones enteras (o 2 x 375 \u2018MacTOPS\u2019) a\u00a08 bits o 300 Tera FLOPS (o 2 x 150 \u2019MacTOPS\u2019) a\u00a016 bits. Si el CI est\u00e1 dise\u00f1ado para el c\u00e1lculo MAC con m\u00faltiples longitudes de bits que alcanzan diferentes valores de \u2018TPP\u2019, el valor de ‘TPP’ m\u00e1s alto se debe evaluar en relaci\u00f3n con los par\u00e1metros en el subart\u00edculo\u00a03A501.a.16.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los circuitos integrados, especificados por el subart\u00edculo\u00a03A501.a.16, que proporcionan procesamiento de matrices tanto dispersas como densas, los valores ‘TPP’ son los valores para el procesamiento de matrices densas (por ejemplo, sin escasez).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos de microondas o de ondas milim\u00e9tricas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

13.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Amplificadores de se\u00f1al param\u00e9tricos que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a\u00a01 K (-\u00a0272,15\u00a0\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a cualquier frecuencia desde 2\u00a0GHz hasta 15\u00a0GHz inclusive; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un factor de ruido inferior a (mejor que) 0,015 dB a cualquier frecuencia desde 2\u00a0GHz hasta 15\u00a0GHz inclusive a\u00a01 K (-\u00a0272,15\u00a0\u00b0C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los amplificadores de se\u00f1al param\u00e9tricos incluyen los amplificadores param\u00e9tricos de ondas viajeras (TWPA).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A501.b.13, los amplificadores de se\u00f1al param\u00e9tricos tambi\u00e9n pueden denominarse amplificadores limitados cu\u00e1nticamente (QLA).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A502<\/p>\n<\/td>\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb, m\u00f3dulos y equipos de uso general, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb, m\u00f3dulos o equipos que contengan uno o m\u00e1s dispositivos l\u00f3gicos programables in situ<\/span> (FPLD) y que tengan un ‘recuento de entrada de tabla de b\u00fasqueda agregada’ superior o igual a 1\u00a0800\u00a0000.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para art\u00edculos que tengan FPLD combinados con un convertidor anal\u00f3gico-digital (ADC), clasificados para temperaturas de funcionamiento extendidas o reforzados contra la radiaci\u00f3n, o que tengan funcionalidad criptogr\u00e1fica, v\u00e9anse tambi\u00e9n los subart\u00edculos 3A002.h., 4A001.a y\u00a05A002.a respectivamente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03A502.i:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Configurable por el usuario’ significa que un usuario puede configurar o modificar las celdas l\u00f3gicas o las interconexiones entre celdas l\u00f3gicas dentro de la estructura l\u00f3gica del FPLD para prescribir la funci\u00f3n espec\u00edfica que realiza el elemento 3A502.i.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El ‘recuento de entrada de tabla de b\u00fasqueda agregada’ es la suma del n\u00famero de entradas independientes disponibles para cada tabla de b\u00fasqueda programable (LUT), acumulada en todas las LUT f\u00edsicas contenidas dentro de un FPLD u otro elemento programable. Un ejemplo es: una placa de circuito que contiene 2 FPGA, cada uno con 150\u00a0000 LUT programables con 6 entradas, tendr\u00eda un ‘recuento de entrada de tabla de b\u00fasqueda agregada’ de 2 x 150\u00a0000 x 6 = 1\u00a0800\u00a0000.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3A504<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas y componentes de refrigeraci\u00f3n criog\u00e9nica, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas dise\u00f1ados para proporcionar una potencia de refrigeraci\u00f3n mayor o igual a\u00a0600\u03bcW a una temperatura de 0,1 K (-\u00a0273,05\u00a0\u00b0C) o inferior durante un per\u00edodo de m\u00e1s de 48 horas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Criorrefrigeradores de tubo de impulsos de dos etapas dise\u00f1ados para mantener una temperatura inferior a\u00a04 K (-\u00a0269,15 \u00b0C) y proporcionar una potencia de refrigeraci\u00f3n mayor o igual a\u00a01,5\u00a0W a una temperatura de 4,2 K (-\u00a0268,95 \u00b0C) o inferior.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

3B<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3B001<\/p>\n<\/td>\n

Equipos para la fabricaci\u00f3n de dispositivos o de materiales semiconductores, seg\u00fan se indica, y componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02B226.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para el crecimiento epitaxial seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados o modificados para producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme, de una variaci\u00f3n inferior a \u00b1 2,5\u00a0% sobre una distancia igual o superior a\u00a075\u00a0mm;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03B001.a.1 incluye los equipos de epitaxia a capas at\u00f3micas (ALE).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Reactores de deposici\u00f3n de vapores qu\u00edmicos organomet\u00e1licos (MOCVD) concebidos para el crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos de material que tengan dos o m\u00e1s de los elementos siguientes: aluminio, galio, indio, ars\u00e9nico, f\u00f3sforo, antimonio, ox\u00edgeno o nitr\u00f3geno;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes s\u00f3lidas o gaseosas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los equipos dise\u00f1ados para el crecimiento epitaxial de silicio (Si) o silicio germanio (SiGe), v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a03B501.a.4.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para la implantaci\u00f3n i\u00f3nica y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados y optimizados para funcionar a una energ\u00eda de haz igual o superior a\u00a020\u00a0keV y una corriente de haz igual o superior a\u00a010\u00a0mA para la implantaci\u00f3n de deuterio hidr\u00f3geno o helio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de escritura directa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una energ\u00eda del haz igual o superior a\u00a065\u00a0keV y una corriente del haz igual o superior a\u00a045\u00a0mA para la implantaci\u00f3n, a alta energ\u00eda, de ox\u00edgeno en un \u00absustrato\u00bb de material semiconductor calentado; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados y optimizados para funcionar a una energ\u00eda de haz igual o superior a\u00a020\u00a0keV y una corriente de haz igual o superior a\u00a010\u00a0mA para la implantaci\u00f3n de silicio en un \u00absustrato\u00bb de material semiconductor calentado a\u00a0600\u202f\u00b0C o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas centrales de manipulaci\u00f3n de obleas para la carga autom\u00e1tica de c\u00e1maras m\u00faltiples que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse m\u00e1s de dos ‘herramientas de proceso de semiconductores’ funcionalmente diferentes especificadas en los subart\u00edculos\u00a03B001.a.1, 3B001.a.2, 3B001.a.3 o 3B001.b; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vac\u00edo para el ‘tratamiento secuencial m\u00faltiple de las obleas’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03B001.e no somete a control los sistemas robotizados autom\u00e1ticos de manipulaci\u00f3n de obleas dise\u00f1adas especialmente para el tratamiento paralelo de obleas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B001.e.1, las ‘herramientas de proceso de semiconductores’ designan herramientas modulares que efect\u00faan procesos f\u00edsicos funcionalmente diferentes como el dep\u00f3sito, la implantaci\u00f3n o el tratamiento t\u00e9rmico para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de semiconductores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B001.e.2, el ‘tratamiento secuencial m\u00faltiple de las obleas’ designa la capacidad para procesar cada oblea en diversas ‘herramientas de proceso de semiconductores’, por ejemplo transfiriendo cada oblea de una primera herramienta a una segunda y a una tercera con los sistemas centrales de manipulaci\u00f3n de obleas destinados a la carga autom\u00e1tica de c\u00e1maras m\u00faltiples.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de litograf\u00eda seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de alineaci\u00f3n y exposici\u00f3n, por paso y repetici\u00f3n (paso directo en la oblea) o por paso y exploraci\u00f3n (explorador), para el proceso de obleas utilizando m\u00e9todos foto\u00f3pticos o de rayos X y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a\u00a0193\u00a0nm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de producir un patr\u00f3n cuyo \u2018tama\u00f1o de la caracter\u00edstica resoluble m\u00ednima\u2019 (MRF) sea igual o inferior a\u00a045\u00a0nm;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B001.f.1.b, el \u2018tama\u00f1o de la caracter\u00edstica resoluble m\u00ednima\u2019 (MRF) se calcula mediante la siguiente f\u00f3rmula:<\/span><\/p>\n

MRF =<\/span><\/p>\n

\"Imagen:<\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

siendo el factor K\u00a0=\u00a00,35.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBIEN EL SUBART\u00cdCULO\u00a03B501.f.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de impresi\u00f3n litogr\u00e1fica que puedan producir caracter\u00edsticas de 45\u00a0nm de base o menos;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03B001.f.2 incluye:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instrumentos de impresi\u00f3n por microcontacto;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instrumentos de troquelado en caliente;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instrumentos de nanoimpresi\u00f3n litogr\u00e1fica;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Instrumentos de impresi\u00f3n litogr\u00e1fica S-FIL (<\/span>step and flash).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para la fabricaci\u00f3n de m\u00e1scaras, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un haz de electrones, un haz de iones o un haz \u00abl\u00e1ser\u00bb, enfocado y desviable; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un tama\u00f1o de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a\u00a065\u00a0nm y una colocaci\u00f3n de imagen inferior a\u00a017\u00a0nm (media +\u00a03 sigma); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a\u00a023\u00a0nm (media +\u00a03 sigma) de la m\u00e1scara;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para el proceso de dispositivos, utilizando m\u00e9todos de escritura directa, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un haz de electrones enfocado y desviable; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un tama\u00f1o m\u00ednimo del haz inferior o igual a\u00a015\u00a0nm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un error de recubrimiento inferior a\u00a027\u00a0nm (media +\u00a03 sigma);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1scaras y ret\u00edculas, dise\u00f1adas para circuitos integrados especificados en el art\u00edculo\u00a03A001;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1scaras multicapas con una capa de cambio de fase no especificadas en el subart\u00edculo\u00a03B001.g y concebidas para ser utilizadas por equipos de litograf\u00eda con una longitud de onda de la fuente luminosa inferior a\u00a0245\u00a0nm;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03B001.h no somete a control las m\u00e1scaras multicapas con una capa de cambio de fase dise\u00f1adas para la fabricaci\u00f3n de dispositivos de memoria no especificados en el art\u00edculo\u00a03A001.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para las m\u00e1scaras y ret\u00edculas, dise\u00f1adas especialmente para sensores \u00f3pticos, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a06B002.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Plantillas para impresi\u00f3n litogr\u00e1fica dise\u00f1adas para los circuitos integrados que se especifican en el art\u00edculo\u00a03A001;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSustratos en bruto\u00bb de m\u00e1scaras con estructura de reflector multicapas que consten de molibdeno y silicio y re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para litograf\u00eda \u2018ultravioleta extrema\u2019 (\u2018EUV\u2019); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que cumplan la norma SEMI\u00a0P37.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B001.j, la radiaci\u00f3n ‘ultravioleta extrema’ (‘EUV’) hace referencia a longitudes de onda del espectro electromagn\u00e9tico superiores a\u00a05\u00a0nm e inferiores a\u00a0124\u00a0nm.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3B002<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de ensayo dise\u00f1ados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, seg\u00fan se indica, y componentes y accesorios de los mismos dise\u00f1ados especialmente:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para el ensayo de los par\u00e1metros S de los productos especificados en el subart\u00edculo\u00a03A001.b.3;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para el ensayo de los productos especificados en el subart\u00edculo\u00a03A001.b.2.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3B501<\/p>\n<\/td>\n

Equipos para la fabricaci\u00f3n de dispositivos o de materiales semiconductores, seg\u00fan se indica, y componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para el crecimiento epitaxial seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo dise\u00f1ado para el crecimiento epitaxial de silicio (Si) o silicio germanio (SiGe), y que tenga todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Al menos una c\u00e1mara de prelimpieza dise\u00f1ada para proporcionar un medio de preparaci\u00f3n de la superficie para limpiar la superficie de la oblea; y y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una c\u00e1mara de deposici\u00f3n epitaxial dise\u00f1ada para funcionar a una temperatura inferior a\u00a0958 K (685\u00a0C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03B501.a.4 incluye los equipos de epitaxia a capas at\u00f3micas (ALE).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de litograf\u00eda seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de alineaci\u00f3n y exposici\u00f3n, por paso y repetici\u00f3n (paso directo en la oblea) o por paso y exploraci\u00f3n (explorador), para el proceso de obleas utilizando m\u00e9todos foto\u00f3pticos o de rayos X y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a\u00a0193\u00a0nm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de la fuente luminosa igual o superior a\u00a0193\u00a0nm:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de producir un patr\u00f3n cuyo ‘tama\u00f1o de la caracter\u00edstica resoluble m\u00ednima’ (MRF) sea igual o inferior a\u00a045\u00a0nm, y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Valor m\u00e1ximo del ‘revestimiento espec\u00edfico para abrazadera’ inferior o igual a\u00a01,50\u00a0nm<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.f.1.b:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El ‘tama\u00f1o de la caracter\u00edstica resoluble m\u00ednima’ (MRF) se calcula mediante la siguiente f\u00f3rmula:<\/span><\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

\"Imagen:<\/p>\n

\u00a0<\/p>\n

siendo el factor K\u00a0=\u00a00,25.<\/span><\/p>\n

‘MRF’ se conoce tambi\u00e9n como resoluci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Revestimiento espec\u00edfico para abrazadera’ se refiere a la precisi\u00f3n de la alineaci\u00f3n de un nuevo patr\u00f3n con respecto a un patr\u00f3n ya existente impreso en una oblea por el mismo sistema litogr\u00e1fico. El ‘revestimiento espec\u00edfico para abrazadera’ tambi\u00e9n se conoce como revestimiento de una sola m\u00e1quina.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBIEN EL SUBART\u00cdCULO\u00a03B001.f.1.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

k.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo dise\u00f1ado para el grabado seco que re\u00fana alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

equipo dise\u00f1ado o modificado para el grabado seco isotr\u00f3pico con una gran ‘selectividad en el grabado de silicio-germanio respecto al silicio\u00a0(SiGe:Si)’ que debe ser mayor o igual que\u00a0100:1; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

equipo dise\u00f1ado o modificado para el grabado anisotr\u00f3pico seco, que tenga todas las siguientes caracter\u00edsticas;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

fuentes de energ\u00eda de radiofrecuencia (RF) con al menos una salida de RF pulsada;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

una o m\u00e1s v\u00e1lvulas de conmutaci\u00f3n r\u00e1pida de gas con un tiempo de conmutaci\u00f3n inferior a\u00a0300\u00a0milisegundos, y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

abrazadera electrost\u00e1tica con veinte o m\u00e1s elementos de temperatura variable controlables individualmente.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03B501.k incluye el grabado por \u2018radicales\u2019, iones, reacciones secuenciales o reacciones no secuenciales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03B501.k.2 incluye el grabado con plasma excitado por pulsos de radiofrecuencia, plasma excitado con ciclo de trabajo pulsado, plasma modificado con voltaje pulsado en electrodos, inyecci\u00f3n c\u00edclica y purga de gases combinados con plasma, grabado de capa at\u00f3mica de plasma o grabado de capa cuasi at\u00f3mica de plasma.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.k:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘selectividad en el grabado de silicio-germanio respecto al silicio\u00a0(SiGe:Si)’ se mide para una concentraci\u00f3n de germanio superior o igual al 30\u00a0% (Si0,70<\/span> Ge0,30<\/span>).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Radical’ se define como un \u00e1tomo, mol\u00e9cula o ion que tiene un electr\u00f3n desapareado en una configuraci\u00f3n de capa de electrones abierta.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

l.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1scaras de \u2018radiaci\u00f3n ultravioleta extrema\u2019 (\u2018EUV\u2019) y ret\u00edculas \u2018EUV\u2019, dise\u00f1adas para circuitos integrados, no especificadas en el subart\u00edculo\u00a03B001.g, y que tengan una m\u00e1scara de \u00absustrato en bruto\u00bb especificada en el subart\u00edculo\u00a03B001.j;<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.l., las m\u00e1scaras o ret\u00edculas con una pel\u00edcula montada se consideran m\u00e1scaras y ret\u00edculas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.l, la radiaci\u00f3n ‘ultravioleta extrema’ (‘EUV’) hace referencia a longitudes de onda del espectro electromagn\u00e9tico superiores a\u00a05\u00a0nm e inferiores a\u00a0124\u00a0nm.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

m.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Pel\u00edculas’ dise\u00f1adas especialmente para litograf\u00eda \u2018EUV\u2019.<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.m., una ‘pel\u00edcula’ es una membrana integrada con un marco, dise\u00f1ada para proteger una m\u00e1scara o una ret\u00edcula de la contaminaci\u00f3n por part\u00edculas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.m, la radiaci\u00f3n ‘ultravioleta extrema’ (‘EUV’) hace referencia a longitudes de onda del espectro electromagn\u00e9tico superiores a\u00a05\u00a0nm e inferiores a\u00a0124\u00a0nm.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

n.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de deposici\u00f3n para la fabricaci\u00f3n de semiconductores, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de deposici\u00f3n de capas at\u00f3micas (ALD), seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para el dep\u00f3sito de wolframio para llenar una interconexi\u00f3n completa o en un canal de menos de 40\u00a0nm de ancho;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para la ‘deposici\u00f3n selectiva de \u00e1rea’ de una barrera de pared lateral de metal o nitruro met\u00e1lico utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.n.1.b, la \u2018deposici\u00f3n selectiva de \u00e1rea\u2019 se refiere al dep\u00f3sito de material en la pared lateral pero no en la parte inferior de un elemento.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para el dep\u00f3sito de un ‘metal con funci\u00f3n de trabajo’ compuesto de carburo de titanio y aluminio (TiAlC), con una funci\u00f3n de trabajo superior a\u00a04,0\u00a0eV, y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s de una fuente de metal, una de las cuales funciona como una fuente de precursor de aluminio; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un recipiente de precursor dise\u00f1ado para funcionar a una temperatura superior o igual a\u00a0303,15 K (30\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.n.1.c, un \u2018metal con funci\u00f3n de trabajo\u2019 es un material que controla la voltaje umbral de un transistor.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para procesos de galvanoplastia o galvanizaci\u00f3n no electrol\u00edtica de cobalto;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase de vapor (CVD) de metal de relleno de cobalto;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n qu\u00edmica en fase de vapor (CVD) ‘selectiva de abajo hacia arriba’ de metal de relleno de wolframio;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.n.4, la ‘deposici\u00f3n selectiva de abajo hacia arriba’ se refiere a la deposici\u00f3n preferencial de material en la parte inferior en relaci\u00f3n con la pared lateral.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n mejorada por plasma sin huecos de una capa con una constante diel\u00e9ctrica inferior a\u00a03,3, en ‘espacios’ que tienen una ‘relaci\u00f3n de aspecto’ igual o superior a\u00a01:1 y un ancho inferior a\u00a025\u00a0nm;<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03B501.n.5:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘espacio’ es el espacio entre l\u00edneas de metal.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘relaci\u00f3n de aspecto’ (profundidad:ancho) se define como la relaci\u00f3n entre la profundidad y el ancho del espacio entre las l\u00edneas de metal.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para la deposici\u00f3n de una capa de rutenio utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a\u00a0293,15 K (20\u202f\u00b0C) e inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para el procesamiento en m\u00faltiples etapas en m\u00faltiples c\u00e1maras y que mantienen un alto vac\u00edo o un entorno inerte durante la transferencia entre etapas del proceso, seg\u00fan se indica a continuaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para fabricar un contacto met\u00e1lico mediante la realizaci\u00f3n de todos los procesos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza hidr\u00f3geno, hidr\u00f3geno y nitr\u00f3geno, o amon\u00edaco (NH3<\/span>), manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a\u00a0373,15 K (100\u202f\u00b0C) e inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza ox\u00edgeno u ozono, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a\u00a0313,15 K (40\u202f\u00b0C) e inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de una capa de wolframio, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a\u00a0373,15 K (100\u202f\u00b0C) e inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para fabricar un contacto met\u00e1lico mediante la realizaci\u00f3n de todos los procesos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proceso de plasma de tratamiento de superficie utilizando un generador de plasma remoto y un filtro de iones; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de una capa de cobalto selectivamente sobre cobre utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para fabricar un contacto met\u00e1lico mediante la realizaci\u00f3n de todos los procesos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de una capa de nitruro de titanio (TiN) o carburo de wolframio (WC), utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a\u00a0293,15 K (20\u202f\u00b0C) e inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de una capa de cobalto utilizando una t\u00e9cnica de deposici\u00f3n f\u00edsica por pulverizaci\u00f3n cat\u00f3dica y que tiene una presi\u00f3n de proceso superior a\u00a01,33 x 10-1<\/span> Pa (1 mTorr) e inferior a\u00a01,33 x 101<\/span> Pa (100 mTorr), manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de una capa de cobalto utilizando un compuesto organomet\u00e1lico y que tiene una presi\u00f3n de proceso superior a\u00a01,33 x 102<\/span> Pa (1 Torr) e inferior a\u00a01,33 x 104<\/span> Pa (100 Torr), manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a\u00a0293,15 K (20\u202f\u00b0C) e inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para fabricar interconexiones de cobre mediante la realizaci\u00f3n de todos los procesos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de una capa de cobalto o rutenio utilizando un compuesto organomet\u00e1lico y que tiene una presi\u00f3n de proceso superior a\u00a01,33 x 102<\/span> Pa (1 Torr) e inferior a\u00a01,33 x 104<\/span> Pa (100 Torr), manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a\u00a0293,15 K (20\u202f\u00b0C) e inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de una capa de cobre utilizando una t\u00e9cnica de deposici\u00f3n f\u00edsica de vapor (PVD) que tenga una presi\u00f3n de proceso superior a\u00a01,33 x 10-1<\/span> Pa (1 mTorr) y menor que 1,33 x 101<\/span> Pa (100 mTorr), manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para fabricar un contacto met\u00e1lico mediante un procesamiento de m\u00faltiples pasos dentro de una \u00fanica c\u00e1mara, realizando todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deposici\u00f3n de una capa de wolframio, utilizando un precursor de compuesto organomet\u00e1lico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura superior a\u00a0373,15 K (100\u202f\u00b0C) e inferior a\u00a0773,15 K (500\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proceso de plasma para el tratamiento de superficies utilizando hidr\u00f3geno, hidr\u00f3geno y nitr\u00f3geno, o amon\u00edaco (NH3<\/span>).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3B503<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de microscopios electr\u00f3nicos de barrido (SEM) dise\u00f1ados para dispositivos semiconductores o circuitos integrados de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

precisi\u00f3n de colocaci\u00f3n en el escenario inferior a (mejor que) 30\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

medici\u00f3n de posicionamiento del escenario realizada con interferometr\u00eda l\u00e1ser;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

calibraci\u00f3n de posici\u00f3n dentro de un campo de visi\u00f3n (FOV) basada en la medici\u00f3n de la longitud de escala por interferometr\u00eda l\u00e1ser;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

capacidad de recopilar y almacenar im\u00e1genes que tengan m\u00e1s de 2\u00a0x\u00a0108<\/span> p\u00edxeles;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

superposici\u00f3n del campo de visi\u00f3n (FOV) de menos del 5 por ciento en las direcciones vertical y horizontal;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

uni\u00f3n del FOV por superposici\u00f3n inferior a\u00a050\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

voltaje de aceleraci\u00f3n superior a\u00a021\u00a0kV.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03B503 incluye los equipos SEM dise\u00f1ados para recuperar el dise\u00f1o de chips.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03B503 no se aplica a los equipos SEM dise\u00f1ados para aceptar un portador de obleas conforme con la norma Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI), como un recept\u00e1culo unificado de apertura frontal (FOUP) de 200\u00a0mm o m\u00e1s.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3B504<\/p>\n<\/td>\n

Equipo de sondeo criog\u00e9nico de obleas que tenga todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ado para probar dispositivos a temperaturas inferiores o iguales a\u00a04,5 K (268,65\u202f\u00b0C); y y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ado para adaptarse a di\u00e1metros de obleas superiores o iguales a\u00a0100\u00a0mm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

3C<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C001<\/p>\n<\/td>\n

Materiales hetero-epitaxiales, no especificados en el art\u00edculo\u00a03C507, consistentes en un \u00absustrato\u00bb con capas m\u00faltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de cualquiera de los siguientes productos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carburo de silicio (SiC);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCompuestos\u00a0III\/V\u00bb de galio o indio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00d3xido de galio (Ga2<\/span>O3<\/span>); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03C001.d no somete a control los \u00absustratos\u00bb con una o m\u00e1s capas epitaxiales de tipo P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP o InGaAlP, independiente de la secuencia de los elementos, salvo si la capa epitaxial de tipo P est\u00e1 entre capas de tipo N.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C002<\/p>\n<\/td>\n

Materiales de protecci\u00f3n, seg\u00fan se indica, y \u00absustratos\u00bb revestidos con los materiales de protecci\u00f3n siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales de protecci\u00f3n concebidos para litograf\u00eda en semiconductores, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales de protecci\u00f3n positivos ajustados (optimizados) para su utilizaci\u00f3n a longitudes de onda inferiores a\u00a0193\u00a0nm pero iguales o superiores a\u00a015\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales de protecci\u00f3n ajustados (optimizados) para su utilizaci\u00f3n a longitudes de onda inferiores a\u00a015\u00a0nm pero superiores a\u00a01\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Todos los materiales de protecci\u00f3n destinados a su utilizaci\u00f3n con haces de electrones o haces i\u00f3nicos, y que tengan una sensibilidad de 0,01 microculombios\/mm2<\/span> o mejor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Todos los materiales de protecci\u00f3n optimizados para tecnolog\u00edas de formaci\u00f3n de im\u00e1genes de superficie;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Todos los materiales de protecci\u00f3n dise\u00f1ados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresi\u00f3n litogr\u00e1fica especificados en el subart\u00edculo\u00a03B001.f.2 que utilicen un procedimiento t\u00e9rmico o fotocurable.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C003<\/p>\n<\/td>\n

Compuestos organo-inorg\u00e1nicos seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Compuestos organomet\u00e1licos de aluminio, de galio o de indio, con una pureza (del metal) superior al (mejor que el) 99,999\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Compuestos organoars\u00e9nicos, organoantim\u00f3nicos y organofosf\u00f3ricos, con una pureza (del elemento inorg\u00e1nico) superior al (mejor que el) 99,999\u00a0%.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03C003 solo somete a control los compuestos cuyo componente met\u00e1lico, parcialmente met\u00e1lico o no met\u00e1lico est\u00e9 directamente enlazado al carbono en la parte org\u00e1nica de la mol\u00e9cula.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C004<\/p>\n<\/td>\n

Hidruros de f\u00f3sforo, de ars\u00e9nico o de antimonio con una pureza superior al (mejor que el) 99,999\u00a0%, incluso diluidos en gases inertes o en hidr\u00f3geno.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03C004 no somete a control los hidruros que contienen el 20\u00a0% molar o m\u00e1s de gases inertes o de hidr\u00f3geno.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C005<\/p>\n<\/td>\n

Materiales de alta resistividad, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSustratos\u00bb semiconductores de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AIN), nitruro de galio-aluminio (AlGaN), \u00f3xido de galio (Ga2<\/span>O3<\/span>) o diamante, o lingotes, cilindros u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10\u00a0000\u00a0ohm-cm a\u00a020\u202f\u00b0C;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSustratos\u00bb policristalinos o \u00absustratos\u00bb de cer\u00e1mica policristalina, con resistividades superiores a 10\u00a0000\u00a0ohm-cm a\u00a020\u202f\u00b0C y que tengan al menos una capa monocristalina no epitaxial de silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN), nitruro de galio-aluminio (AlGaN), \u00f3xido de galio (Ga2<\/span>O3<\/span>) o diamante en la superficie del \u00absustrato\u00bb.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los materiales consistentes en un \u00absustrato\u00bb especificado en el art\u00edculo\u00a03C005 con al menos una capa epitaxial, v\u00e9anse los art\u00edculos\u00a03C001 o 3C006.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C006<\/p>\n<\/td>\n

Materiales no especificados en el art\u00edculo\u00a03C001 y que consten de un \u00absustrato\u00bb especificado en el art\u00edculo\u00a03C005 con al menos una capa epitaxial de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN), nitruro de galio-aluminio (AlGaN), \u00f3xido de galio (Ga2<\/span>O3<\/span>) o diamante.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C507<\/p>\n<\/td>\n

Materiales epitaxiales consistentes en un \u00absustrato\u00bb que tiene al menos una capa epitaxialmente desarrollada de cualquiera de los siguientes::<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Silicio que tenga una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Germanio que tenga una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio72 o germanio-76.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C508<\/p>\n<\/td>\n

Fluoruros, hidruros o cloruros, de silicio o germanio, que contengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Silicio que tenga una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Germanio que tenga una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio72 o germanio-76.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3C509<\/p>\n<\/td>\n

Silicio, \u00f3xidos de silicio, germanio u \u00f3xidos de germanio que contengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Silicio que tenga una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Germanio que tenga una impureza isot\u00f3pica menor al 0,08\u202f% de is\u00f3topos de germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio72 o germanio-76.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03C509 incluye los \u00absustratos\u00bb, trozos, lingotes, bolas y preformas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

3D<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos 3A001.b a\u00a03A002.h, 3A501.b.13 o 3B.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb del equipo especificado en los art\u00edculos\u00a03B001.a a\u00a03B001.f, 3B002, 3A225, 3B501.a.4., 3B501.f.1., 3B501.k. o 3B501.n.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D003<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb de ‘litograf\u00eda computacional’ dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb de patrones en m\u00e1scaras o ret\u00edculas de litograf\u00eda EUV.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a03D003, la \u2018litograf\u00eda computacional\u2019 consiste en utilizar la modelizaci\u00f3n inform\u00e1tica para predecir, corregir, optimizar y verificar el rendimiento de imagen del proceso litogr\u00e1fico en una serie de patrones, procesos y condiciones del sistema.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D004<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb de los equipos especificados en el art\u00edculo\u00a03A003.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D005<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para restablecer el funcionamiento normal de un microordenador, \u00abmicrocircuito de microprocesador\u00bb o \u00abmicrocircuito de microordenador\u00bb dentro de 1\u00a0ms tras una perturbaci\u00f3n por impulso electromagn\u00e9tico (EMP) o descarga electrost\u00e1tica (ESD), sin p\u00e9rdida de continuidad del funcionamiento.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D006<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb de \u2018dise\u00f1o electr\u00f3nico asistido por ordenador\u2019 (\u2018ECAD\u2019) dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb de circuitos integrados que tengan cualquier estructura de \u00abtransistor de efecto de campo de puerta completa\u00bb (\u00abGAAFET\u00bb):<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para la aplicaci\u00f3n del \u2018nivel de transferencia de registro\u2019 (\u2018RTL\u2019) al \u2018est\u00e1ndar de base de datos geom\u00e9trica II\u2019 (\u2018GDSII\u2019) o est\u00e1ndar equivalente; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para la optimizaci\u00f3n de las normas de potencia o temporizaci\u00f3n.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a03D006:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El \u2018dise\u00f1o electr\u00f3nico asistido por ordenador\u2019 (\u2018ECAD\u2019) es una categor\u00eda de herramientas \u00bb <\/span>software \u00bb utilizadas para dise\u00f1ar, analizar, optimizar y validar el rendimiento de las placas de circuitos integrados o de circuitos impresos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El ‘nivel de transferencia de registro’ (‘RTL’) es una abstracci\u00f3n de dise\u00f1o que reproduce un circuito digital s\u00edncrono en cuanto al flujo de se\u00f1ales digitales entre los registros del soporte f\u00edsico y las operaciones l\u00f3gicas realizadas con dichas se\u00f1ales.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El \u2018est\u00e1ndar de base de datos geom\u00e9trica II\u2019 (\u2018GDSII\u2019) es un formato de fichero de base de datos para el intercambio de datos del circuito integrado o de la represantaci\u00f3n gr\u00e1fica de la estructura del circuito integrado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en el subart\u00edculo\u00a03A101.b.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D225<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las caracter\u00edsticas del art\u00edculo\u00a03A225.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3D507<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados para extraer ‘GDSII’ o datos de dise\u00f1o est\u00e1ndar equivalentes y realizar una alineaci\u00f3n de capa a capa a partir de im\u00e1genes de microscopios electr\u00f3nicos de barrido (SEM), y generar una lista de conexi\u00f3n de circuito o datos GDSII de varias capas.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos del art\u00edculo\u00a03D507, \u2018GDSII\u2019 (‘Graphic Design System II’) es un formato de archivo de base de datos para el intercambio de datos de ilustraciones de circuitos integrados o ilustraciones de dise\u00f1os de circuitos integrados.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

3E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos o materiales incluidos en las categor\u00edas 3\u00a0A, 3\u00a0B o 3C.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03E001 no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para equipos o componentes especificados en el art\u00edculo\u00a03A003.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03E001 no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para los circuitos integrados especificados en los subart\u00edculos 3A001.a.3 a\u00a03A001.a.12 que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

que empleen \u00abtecnolog\u00eda\u00bb igual o superior a\u00a00,130\u00a0\u03bcm; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

que incorporen estructuras multicapa de no m\u00e1s de tres capas met\u00e1licas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03E001 no somete a control los ‘kits de dise\u00f1o de procesos’ (‘PDK’) salvo si incluyen bibliotecas que implementen funciones o tecnolog\u00edas para los productos especificados en el art\u00edculo\u00a03A001.<\/span><\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos de la nota 3 del art\u00edculo\u00a03E001, un ‘kit de dise\u00f1o de procesos’ (‘PDK’) es una herramienta de programas inform\u00e1ticos proporcionada por un fabricante de semiconductores para garantizar que se tengan en cuenta las pr\u00e1cticas y normas de dise\u00f1o necesarias para producir con \u00e9xito un dise\u00f1o espec\u00edfico de circuito integrado en un proceso espec\u00edfico de semiconductores, respetando las limitaciones tecnol\u00f3gicas y de fabricaci\u00f3n (cada proceso de fabricaci\u00f3n de semiconductores tiene su propio ‘PDK’).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, distinta de la especificada en el art\u00edculo\u00a03E001, para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de un n\u00facleo de \u00abmicrocircuito de microprocesador\u00bb, \u00abmicrocircuito de microordenador\u00bb o microcircuito de microcontrolador que tenga una unidad aritm\u00e9tica l\u00f3gica con una capacidad de acceso paralelo de 32 bits o superior y que presente cualquiera de los rasgos o caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘unidad de procesador vectorial’ dise\u00f1ada para realizar m\u00e1s de dos c\u00e1lculos sobre vectores en coma flotante (matrices unidimensionales de 32 bits o m\u00e1s) simult\u00e1neamente;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03E002.a, una ‘unidad de procesador vectorial’ es un procesador con instrucciones incorporadas que realiza simult\u00e1neamente c\u00e1lculos m\u00faltiples sobre vectores en coma flotante (matrices unidimensionales de 32 bits o m\u00e1s), con al menos una unidad vectorial aritm\u00e9tica l\u00f3gica y registros vectoriales de al menos 32 elementos cada uno.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ada para realizar m\u00e1s de cuatro operaciones en coma flotante de 64 bits o m\u00e1s, por ciclo; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Concebida para obtener m\u00e1s de ocho resultados de adiciones y multiplicaciones en coma fija de 16 bits por ciclo (p. ej., manipulaci\u00f3n digital de informaci\u00f3n anal\u00f3gica previamente convertida en formato digital, tambi\u00e9n conocido como \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb).<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de los subart\u00edculos 3E002.a y\u00a03E002.b, la ‘coma flotante’ se define con arreglo a la norma IEEE-754.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a03E002.c, la ‘coma fija’ se refiere a un n\u00famero real compuesto de un componente entero y de un n\u00famero fijo de decimales, y que no incluye formatos compuestos \u00fanicamente por enteros.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03E002 no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de extensiones multimedia.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03E002 no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para n\u00facleos de microprocesadores que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

que empleen \u00abtecnolog\u00eda\u00bb igual o superior a\u00a00,130\u00a0\u03bcm; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

que incorporen estructuras multicapa con cinco o menos capas met\u00e1licas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03E002 incluye la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de procesadores de se\u00f1ales digitales y procesadores de matrices digitales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E003<\/p>\n<\/td>\n

Otras \u00abtecnolog\u00edas\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de lo siguiente:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos microelectr\u00f3nicos de vac\u00edo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos electr\u00f3nicos semiconductores de estructura heterog\u00e9nea tales como los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT), los transistores bipolares de heterouni\u00f3n (HBT) y los dispositivos de pozo cu\u00e1ntico o de superredes;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a03E003.b no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para las HEMT que funcionen a frecuencias inferiores a\u00a031,8\u00a0GHz y las HBT que funcionen a frecuencias inferiores a\u00a031,8\u00a0GHz.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos electr\u00f3nicos \u00absuperconductores\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustratos de diamante para componentes electr\u00f3nicos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustratos de silicio sobre aislante (SOI) para circuitos integrados en los cuales el aislante es di\u00f3xido de silicio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustratos de carburo de silicio para componentes electr\u00f3nicos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDispositivos electr\u00f3nicos de vac\u00edo\u00bb que funcionen a frecuencias de 31,8\u00a0GHz o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustratos de \u00f3xido de galio para componentes electr\u00f3nicos.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E004<\/p>\n<\/td>\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb\u00bbrequerida\u00bb para cortar en l\u00e1minas, esmerilar y pulir obleas de silicio de 300\u00a0mm de di\u00e1metro con el fin de conseguir una planitud ‘SFQR’ (‘Site Front least sQuares Range’<\/span>) inferior o igual a\u00a020\u00a0nm en cualquier zona de 26\u00a0mm x 8\u00a0mm de la superficie de la oblea y excluyendo un borde de 2\u00a0mm o menos.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a03E004, ‘SFQR’ es el rango entre la m\u00e1xima y m\u00ednima desviaci\u00f3n del plano de referencia frontal, calculado mediante el m\u00e9todo de m\u00ednimos cuadrados partiendo de todos los datos de la superficie frontal dentro de unos l\u00edmites.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos o los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los subart\u00edculos\u00a03A001.a.1 o 2 y los art\u00edculos\u00a03A101, 3A102 o 3D101.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E102<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para el \u00abdesarrollo\u00bb de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a03D101.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E201<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los subart\u00edculos 3A001.e.2, 3A001.e.3 o 3A001.g, o en los art\u00edculos\u00a03A201 y\u00a03A225 a\u00a03A234.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E225<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb en forma de c\u00f3digos o claves para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las caracter\u00edsticas del art\u00edculo\u00a03A225.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

3E505<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de circuitos o dispositivos integrados que utilicen estructuras de \u00abtransistor de efecto de campo de puerta completa\u00bb (\u00abGAAFET\u00bb).<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03E505 incluye las ‘recetas de proceso’.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a03E505 no se aplica a la cualificaci\u00f3n o el mantenimiento de herramientas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota 3:<\/span> El art\u00edculo\u00a03E505 no se aplica a los ‘kits de dise\u00f1o de procesos’ (‘PDK’) salvo si incluyen bibliotecas que implementen funciones o tecnolog\u00edas para los productos especificados en el art\u00edculo\u00a03A001 o 3A501.<\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a03E505, una ‘receta de proceso’ es un conjunto de condiciones y par\u00e1metros que se aplican a una fase concreta de un proceso.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a03E505, un ‘kit de dise\u00f1o de procesos’ (‘PDK’) es una herramienta de programas inform\u00e1ticos proporcionada por un fabricante de semiconductores para garantizar que se tengan en cuenta las pr\u00e1cticas y normas de dise\u00f1o necesarias para producir con \u00e9xito un dise\u00f1o espec\u00edfico de circuito integrado en un proceso espec\u00edfico de semiconductores, respetando las limitaciones tecnol\u00f3gicas y de fabricaci\u00f3n (cada proceso de fabricaci\u00f3n de semiconductores tiene su propio ‘PDK’).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE VI<\/p>\n

Categor\u00eda 4<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 4. ORDENADORES<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ordenadores, el equipo conexo y los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb que realicen funciones de telecomunicaciones o de \u00abredes de \u00e1rea local\u00bb deber\u00e1n evaluarse tambi\u00e9n con arreglo a las caracter\u00edsticas de rendimiento definidas en la categor\u00eda 5, primera parte (Telecomunicaciones).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las unidades de control que interconectan directamente los buses o canales de las unidades centrales de proceso, de la ‘memoria principal’ o de controladores de discos no se consideran equipos de telecomunicaciones conforme a la categor\u00eda\u00a05, primera parte (Telecomunicaciones).<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para lo relacionado con el r\u00e9gimen de control de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la conmutaci\u00f3n de paquetes, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a05D001.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos de la nota 2, la ‘memoria principal’ es la memoria primaria de datos o instrucciones para acceso r\u00e1pido desde la unidad central de procesamiento. Consta de la memoria interna de un \u00abordenador digital\u00bb y de cualquier ampliaci\u00f3n jer\u00e1rquica de la misma, como la memoria cach\u00e9 o unas ampliaciones de memoria de acceso no secuencial.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

4A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4A001<\/p>\n<\/td>\n

Ordenadores electr\u00f3nicos y equipo conexo, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes, y los \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a04A101.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para tener cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a\u00a0228\u00a0K (\u2013\u00a045\u202f\u00b0C) o superior a\u00a0358\u00a0K (85\u202f\u00b0C); o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a04A001.a.1 no somete a control los ordenadores dise\u00f1ados especialmente para aplicaciones civiles en autom\u00f3viles, ferrocarriles o \u00abaeronaves civiles\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n
\n

5\u00a0x\u00a0103<\/span> Gy (silicio);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Modificaci\u00f3n de la tasa de dosis<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

5\u00a0x\u00a0106<\/span> Gy (silicio)\/s; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Modificaci\u00f3n por fen\u00f3meno \u00fanico<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n

\n

1\u00a0x\u00a010-8<\/span> errores\/bit\/d\u00eda;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a04A001.a.2 no somete a control los ordenadores dise\u00f1ados especialmente para aplicaciones en \u00abaeronaves civiles\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4A003<\/p>\n<\/td>\n

\u00abOrdenadores digitales\u00bb, \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb y equipo conexo para ellos, seg\u00fan se indica, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a04A003 incluye lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los ‘procesadores vectoriales’;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los conjuntos de procesadores;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los procesadores de se\u00f1ales digitales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los procesadores l\u00f3gicos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los equipos dise\u00f1ados para el \u00abresaltado de imagen\u00bb <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de los \u00abordenadores digitales\u00bb y el equipo conexo descritos en el art\u00edculo\u00a04A003 viene determinado por el r\u00e9gimen de control de los otros equipos o sistemas, siempre que:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los \u00abordenadores digitales\u00bb o equipo conexo sean esenciales para el funcionamiento de los otros equipos o sistemas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los \u00abordenadores digitales\u00bb o el equipo conexo no sean un \u00abelemento principal\u00bb de los otros equipos o sistemas; y<\/span> <\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El r\u00e9gimen de control de los equipos de \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb o de \u00abresaltado de imagen\u00bb dise\u00f1ados especialmente para otros equipos que posean funciones limitadas a las necesarias para los otros equipos viene determinada por la inclusi\u00f3n en el control de los otros equipos aunque se sobrepase el criterio de \u00abelemento principal\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En lo que se refiere al r\u00e9gimen de control de los \u00abordenadores digitales\u00bb o equipo conexo para equipos de telecomunicaciones, v\u00e9ase la categor\u00eda 5, primera parte (Telecomunicaciones).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb relativa a los \u00abordenadores digitales\u00bb y el equipo conexo se rija por la categor\u00eda 4E.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abOrdenadores digitales\u00bb que tengan un \u00abrendimiento m\u00e1ximo ajustado\u00bb (\u00abAPP\u00bb) superior a\u00a070 TeraFLOPS ponderados (WT);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para mejorar las prestaciones mediante agrupaci\u00f3n de procesadores, de forma que el \u00abrendimiento m\u00e1ximo ajustado\u00bb del conjunto exceda el l\u00edmite especificado en el subart\u00edculo\u00a04A003.b;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a04A003.c solo somete a control los \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb y las interconexiones programables que no sobrepasen el l\u00edmite especificado en el subart\u00edculo\u00a04A003.b, cuando se expidan como \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb no integrados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a04A003.c no somete a control los \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para un producto o una familia de productos cuya configuraci\u00f3n m\u00e1xima no sobrepase el l\u00edmite especificado en el subart\u00edculo\u00a04A003.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para agregar el rendimiento de varios \u00abordenadores digitales\u00bb proporcionando interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas unidireccionales de datos superiores a\u00a02,0 gigaoctetos\/s por enlace.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a04A003.g no somete a control los equipos de interconexi\u00f3n interna (por ejemplo backplanes, buses), los equipos pasivos de interconexi\u00f3n, los ‘controladores de acceso a la red’ o los ‘controladores de canal de comunicaciones’.<\/span><\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a04A003.g: Nota:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘controlador de acceso a la red’ es una interfaz f\u00edsica con una red de conmutaci\u00f3n distribuida. Utiliza un soporte com\u00fan que funciona a la misma \u00abtasa de transferencia digital\u00bb empleando el arbitraje [por ejemplo, detecci\u00f3n de se\u00f1al (token) o de portadora] para la transmisi\u00f3n. Con independencia de cualquier otro dispositivo, selecciona los paquetes de datos o los grupos de datos (por ejemplo, IEEE 802) a \u00e9l dirigidos. Es un conjunto que puede integrarse en equipos inform\u00e1ticos o de telecomunicaciones para proporcionar el acceso a las comunicaciones.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u2018controlador del canal de comunicaciones\u2019 es la interfaz f\u00edsica que controla el flujo de informaci\u00f3n digital s\u00edncrona o\u00a0as\u00edncrona. Es un conjunto que puede integrarse en equipos inform\u00e1ticos o de telecomunicaciones para proporcionar acceso a las comunicaciones.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4A004<\/p>\n<\/td>\n

Ordenadores seg\u00fan se indica y equipo conexo, \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb y componentes, dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Ordenadores de conjunto sist\u00f3lico’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Ordenadores neuronales’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Ordenadores \u00f3pticos’.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a04A004.a, los ‘ordenadores de conjunto sist\u00f3lico’ son ordenadores en los que el usuario puede controlar el flujo y la modificaci\u00f3n de los datos din\u00e1micamente a nivel de puerta l\u00f3gica.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a04A004.b, los ‘ordenadores neuronales’ son dispositivos de c\u00f3mputo dise\u00f1ados o modificados para imitar el comportamiento de una neurona o de un grupo de neuronas, es decir, que se distinguen por su capacidad a nivel de equipo inform\u00e1tico de modular los pesos y los n\u00fameros de las interconexiones de m\u00faltiples componentes de c\u00f3mputo bas\u00e1ndose en datos anteriores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a04A004.c, los ‘ordenadores \u00f3pticos’ son ordenadores dise\u00f1ados o modificados con objeto de utilizar la luz para representar los datos y cuyos elementos l\u00f3gicos de c\u00f3mputo se basan en dispositivos \u00f3pticos acoplados directamente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4A005<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas, equipos, y componentes para ellos, especialmente dise\u00f1ados o modificados para la generaci\u00f3n, el manejo mediante comandos y el control o la emisi\u00f3n de \u00abprogramas inform\u00e1ticos de intrusi\u00f3n\u00bb.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4A101<\/p>\n<\/td>\n

Ordenadores anal\u00f3gicos, \u00abordenadores digitales\u00bb o analizadores diferenciales digitales, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a04A001.a.1, para uso en condiciones severas (ruggedized) y dise\u00f1ados o modificados para emplearlos en las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4A102<\/p>\n<\/td>\n

Ordenadores h\u00edbridos dise\u00f1ados especialmente para la modelizaci\u00f3n, la simulaci\u00f3n o la integraci\u00f3n de dise\u00f1o de las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o de los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Este control solo se aplica si el equipo se suministra con los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los art\u00edculos 7D103 o 9D103.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4A506<\/p>\n<\/td>\n

Computadoras cu\u00e1nticas y \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb relacionados y sus componentes, como sigue:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas, de acuerdo a los siguientes requisitos;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas que admiten 34 o m\u00e1s ‘c\u00fabits f\u00edsicos’, pero menos de 100, ‘totalmente controlados’, ‘conectados’ y ‘funcionando’, y tienen un ‘error C-NOT’ menor o igual a\u00a010-4<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas que admiten 100 o m\u00e1s ‘c\u00fabits f\u00edsicos’, pero menos de 200, ‘totalmente controlados’, ‘conectados’ y ‘funcionando’, y tienen un ‘error C-NOT’ menor o igual a\u00a010-3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas que admiten 200 o m\u00e1s ‘c\u00fabits f\u00edsicos’, pero menos de 350, ‘totalmente controlados’, ‘conectados’ y ‘funcionando’, y tienen un ‘error C-NOT’ menor o igual a\u00a02 x 10-3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas que admiten 350 o m\u00e1s ‘c\u00fabits f\u00edsicos’, pero menos de 500, ‘totalmente controlados’, ‘conectados’ y ‘funcionando’, y tienen un ‘error C-NOT’ menor o igual a\u00a03 x 10-3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas que admiten 500 o m\u00e1s ‘c\u00fabits f\u00edsicos’, pero menos de 700, ‘totalmente controlados’, ‘conectados’ y ‘funcionando’, y tienen un ‘error C-NOT’ menor o igual a\u00a04 x 10-3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas que admiten 700 o m\u00e1s ‘c\u00fabits f\u00edsicos’, pero menos de 1\u00a0100, ‘totalmente controlados’, ‘conectados’ y ‘funcionando’, y tienen un ‘error C-NOT’ menor o igual a\u00a05 x 10-3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas que admiten 1\u00a0100 o m\u00e1s ‘c\u00fabits f\u00edsicos’, pero menos de 2\u00a0000, ‘totalmente controlados’, ‘conectados’ y ‘funcionando’, y tienen un ‘error C-NOT’ menor o igual a\u00a06 x 10-3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Computadoras cu\u00e1nticas que admiten 2\u00a0000 ‘c\u00fabits f\u00edsicos’ o m\u00e1s ‘totalmente controlados’, ‘conectados’ y ‘en funcionamiento’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos c\u00fabits y circuitos c\u00fabits, que contengan o admitan grupos de ‘c\u00fabits f\u00edsicos’, y est\u00e9n especialmente dise\u00f1ados para los productos especificados en el subart\u00edculo\u00a04A506.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes de control cu\u00e1ntico y dispositivos de medici\u00f3n cu\u00e1ntica, dise\u00f1ados especialmente para los elementos especificados en el subart\u00edculo\u00a04A506.a;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a04A506 se aplica al modelo de circuito (o gate-based) y las computadoras cu\u00e1nticas unidireccionales (o measurement-based). Esta entrada no se aplica a las computadoras cu\u00e1nticas adiab\u00e1ticas (o con un algoritmo de temple cu\u00e1ntico).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los art\u00edculos especificados por el art\u00edculo\u00a04A506 no necesariamente deben de contener f\u00edsicamente cualquier c\u00fabit. Por ejemplo, las computadoras cu\u00e1nticas basadas en esquemas de fot\u00f3nica no contienen permanentemente un elemento f\u00edsico que pueda ser identificado como un c\u00fabit. Los c\u00fabits fot\u00f3nicos se generan mientras la computadora est\u00e1 funcionando y luego se descartan.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los art\u00edculos especificados por el subart\u00edculo\u00a04A506.b incluyen semiconductores, superconductores, y chips de c\u00fabits fot\u00f3nicos y conjuntos de chips; conjuntos de dispositivos para capturar iones de superficie; otras tecnolog\u00edas de confinamiento de c\u00fabits, e interconexiones coherentes entre dichos elementos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a04A506.c se aplica a elementos dise\u00f1ados para calibrar, inicializar, manipular o medir los c\u00fabits residentes de una computadora cu\u00e1ntica.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a04A506:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘c\u00fabit f\u00edsico’ es un sistema cu\u00e1ntico de dos niveles que se utiliza para representar la unidad elemental de la l\u00f3gica cu\u00e1ntica por medio de manipulaciones y mediciones que no tienen errores corregidos. Los ‘c\u00fabits f\u00edsicos’ se distinguen de los c\u00fabits l\u00f3gicos, en que los c\u00fabits l\u00f3gicos son c\u00fabits con errores corregidos compuestos por muchos ‘c\u00fabits f\u00edsicos’.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Totalmente controlado’ significa que el ‘c\u00fabit f\u00edsico’ se puede calibrar, inicializar, activar y leer, seg\u00fan sea necesario.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Conectado’ significa que las operaciones de puerta de dos c\u00fabits pueden ser realizadas entre cualquier par arbitrario de los ‘c\u00fabits f\u00edsicos’ ‘en funcionamiento’ disponibles. Esto no implica necesariamente que se tenga que producir conectividad de todos a todos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\u2018En funcionamiento\u2019 significa que el \u2018c\u00fabit f\u00edsico\u2019 realiza funciones universales de trabajo computacional cu\u00e1ntico conforme a las especificaciones del sistema para la fidelidad operativa del c\u00fabit.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Que admiten 34 \u2018c\u00fabits f\u00edsicos\u2019 o m\u00e1s \u2018totalmente controlados\u2019, \u2018conectados\u2019 y \u2018en funcionamiento\u2019 se refiere a la capacidad de una computadora cu\u00e1ntica para confinar, controlar, medir y procesar la informaci\u00f3n cu\u00e1ntica incorporada en\u00a034 o m\u00e1s \u2018c\u00fabits f\u00edsicos\u2019.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un \u2018error C-NOT\u2019 es el error de puerta f\u00edsica promedio para las Controlled-NOT (C-NOT) puertas vecinas m\u00e1s cercanas de dos \u2018c\u00fabits f\u00edsicos\u2018.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4A507<\/p>\n<\/td>\n

Ordenadores, \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb y componentes que contienen uno o m\u00e1s circuitos integrados, especificados en el subart\u00edculo\u00a03A501.a.16.<\/span><\/p>\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n

El art\u00edculo\u00a04A507 incluye los \u00abordenadores digitales\u00bb y los ordenadores h\u00edbridos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

4B<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n

Ninguno.<\/p>\n

4C<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n

Ninguno.<\/p>\n

4D<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos (software)<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb para los equipos descritos en otras categor\u00edas se contempla en la categor\u00eda respectiva.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos o los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los art\u00edculos\u00a04A001 a\u00a04A004, 4A507 o en la categor\u00eda\u00a04D;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a04D001.a, especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abOrdenadores digitales\u00bb que tengan un \u00abrendimiento m\u00e1ximo ajustado\u00bb (\u00abAPP\u00bb) superior a\u00a024 TeraFLOPS ponderados (WT);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para mejorar el rendimiento mediante la agregaci\u00f3n de procesadores de tal modo que el \u00abAPP\u00bb del agregado supera el l\u00edmite del subart\u00edculo\u00a04D001.b.1;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elementos especificados en los subart\u00edculos 4A506.b o 4A506.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4D004<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la generaci\u00f3n, el manejo mediante comandos y el control o la emisi\u00f3n de \u00abprogramas inform\u00e1ticos de intrusi\u00f3n\u00bb.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a04D004 no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados para proporcionar actualizaciones o mejoras de \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb, y limitados a ello, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La actualizaci\u00f3n o la mejora \u00fanicamente funciona con la autorizaci\u00f3n del propietario o el administrador del sistema que la recibe; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Despu\u00e9s de la actualizaci\u00f3n o la mejora, los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb actualizados o mejorados no son ninguno de los siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a04D004; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abprogramas inform\u00e1ticos de intrusi\u00f3n\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

4E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

4E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos o los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en las categor\u00edas\u00a04A o 4D;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, distinta de la especificada en el subart\u00edculo\u00a04E001.a, para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abOrdenadores digitales\u00bb que tengan un \u00abrendimiento m\u00e1ximo ajustado\u00bb (\u00abAPP\u00bb) superior a\u00a024 TeraFLOPS ponderados (WT);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos electr\u00f3nicos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para mejorar el rendimiento mediante la agregaci\u00f3n de procesadores de tal modo que el \u00abAPP\u00bb del agregado supera el l\u00edmite del subart\u00edculo\u00a04E001.b.1;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elementos especificados en los subart\u00edculos 4A506.b o 4A506.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de \u00abprogramas inform\u00e1ticos de intrusi\u00f3n\u00bb.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos 4E001.a y\u00a04E001.c no someten a control la \u00abdivulgaci\u00f3n de vulnerabilidades\u00bb o la \u00abrespuesta a incidentes cibern\u00e9ticos\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La nota\u00a01 no recorta el derecho de la autoridad competente del Estado miembro de la UE en el que est\u00e9 establecido el exportador a verificar el cumplimiento de los subart\u00edculos 4E001.a y\u00a04E001.c.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

NOTA T\u00c9CNICA SOBRE EL \u00abRENDIMIENTO M\u00c1XIMO AJUSTADO\u00bb (\u00abAPP\u00bb)<\/span><\/p>\n

El valor \u00abAPP\u00bb es un valor m\u00e1ximo ajustado en el que los \u00abordenadores digitales\u00bb realizan sumas y multiplicaciones en coma flotante de 64 bits o m\u00e1s.<\/p>\n

El valor \u00abAPP\u00bb se expresa en TeraFLOPS ponderados (WT), en unidades de 1012<\/span> operaciones ajustadas en coma flotante por segundo.<\/p>\n

Abreviaturas utilizadas en la presente nota t\u00e9cnica<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n\n\n\n\n\n
\n

n<\/p>\n<\/td>\n

\n

n\u00famero de procesadores del \u00abordenador digital\u00bb<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

i<\/p>\n<\/td>\n

\n

n\u00famero de procesador (i, \u2026 n)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

ti<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

duraci\u00f3n del ciclo del procesador (ti<\/span> = 1\/Fi<\/span>)<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Fi<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

frecuencia del procesador<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Ri<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

valor m\u00e1ximo de c\u00e1lculo en coma flotante<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n

\n

Wi<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

coeficiente de adaptaci\u00f3n de arquitectura<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Esquema del m\u00e9todo de c\u00e1lculo \u00abAPP\u00bb <\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para cada procesador i, determinar el n\u00famero m\u00e1ximo de operaciones en coma flotante (FPO) de 64 bits o m\u00e1s (FPOi<\/span>), realizado por ciclo de cada procesador en el \u00abordenador digital\u00bb.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para determinar el FPO, solamente se incluyen las operaciones (sumas o multiplicaciones) con coma flotante de 64 bits o m\u00e1s. Todas las operaciones con coma flotante deben expresarse en operaciones por ciclo de procesador; las operaciones que requieran ciclos m\u00faltiples pueden expresarse en resultados fraccionarios por ciclo. Para los procesadores que no puedan realizar c\u00e1lculos con operandos en coma flotante de 64 bits o m\u00e1s, la tasa de c\u00e1lculo efectiva R es cero.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Calcular el \u00edndice R en coma flotante para cada procesador Ri<\/span> = FPOi<\/span>\/ti<\/span>.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Calcular \u00abAPP\u00bb como \u00abAPP\u00bb = W1<\/span> x R1<\/span> + W2<\/span> x R2<\/span> + \u2026 + Wn<\/span> x Rn<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los ‘procesadores vectoriales’, Wi<\/span> = 0,9. Para los ‘procesadores no vectoriales’, Wi<\/span> = 0,3.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los procesadores que realizan operaciones compuestas en un ciclo, como sumas y multiplicaciones, se cuenta cada operaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para un procesador segmentado (en pipeline), la tasa de c\u00e1lculo efectiva R es la etapa m\u00e1s r\u00e1pida del proceso, una vez que se haya llenado la pipeline, o del proceso sin segmentar.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La tasa de c\u00e1lculo R de cada procesador debe calcularse en el valor m\u00e1ximo te\u00f3ricamente posible antes de que se derive el \u00abAPP\u00bb de la combinaci\u00f3n. Se considera que existen operaciones simult\u00e1neas cuando el fabricante del ordenador asegura en un manual o en un folleto del ordenador la existencia de un funcionamiento o de una ejecuci\u00f3n en modo concurrente, paralelo o simult\u00e1neo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Al calcular el \u00abAPP\u00bb no se incluyen los procesadores limitados a funciones de entrada-salida y perif\u00e9ricas (por ejemplo, unidad de discos, comunicaci\u00f3n y presentaci\u00f3n visual).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 5:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

No se calcular\u00e1n los valores \u00abAPP\u00bb para combinaciones de procesadores (inter)conectados por \u00abredes de \u00e1rea local\u00bb, redes de \u00e1rea amplia, dispositivos de entrada\/salida con conexiones compartidas, controladores de entrada\/salida y cualquier interconexi\u00f3n de comunicaciones implementada mediante \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 6:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los valores \u00abAPP\u00bb deber\u00e1n calcularse para las combinaciones de procesadores que contengan procesadores dise\u00f1ados especialmente para aumentar el rendimiento mediante agregaci\u00f3n, funcionamiento simult\u00e1neo y memoria compartida.<\/span><\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Agregar todos los procesadores y los aceleradores que funcionen simult\u00e1neamente y situados en el mismo dado.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las combinaciones de procesadores comparten memoria cuando cualquier procesador puede acceder a cualquier posici\u00f3n de memoria en el sistema mediante la transmisi\u00f3n por equipos inform\u00e1ticos de l\u00edneas cach\u00e9 o palabras de memoria, sin la intervenci\u00f3n de ning\u00fan mecanismo de programa inform\u00e1tico, lo que puede lograrse utilizando los \u00abconjuntos electr\u00f3nicos\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a04A003.c.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 7:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Se entiende por ‘procesador vectorial’ un procesador con instrucciones incorporadas que realice simult\u00e1neamente c\u00e1lculos m\u00faltiples sobre vectores en coma flotante (\u00f3rdenes unidimensionales de 64 bits o m\u00e1s), y disponga al menos de 2 unidades funcionales vectoriales y al menos de 8 registros vectoriales de al menos 64 elementos cada uno.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE VII<\/p>\n

Categor\u00eda 5<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 5 – TELECOMUNICACIONES Y \u00abSEGURIDAD DE LA INFORMACI\u00d3N\u00bb <\/span><\/p>\n

Primera parte –\u00a0\u00a0\u00a0TELECOMUNICACIONES<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La categor\u00eda 5, primera parte, define el r\u00e9gimen de control de los componentes, equipos de \u00abproducci\u00f3n\u00bb y de prueba y los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb para los mismos, dise\u00f1ados especialmente para equipos o sistemas de telecomunicaciones.<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los \u00abl\u00e1seres\u00bb dise\u00f1ados especialmente para equipos o sistemas de telecomunicaciones, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a06A005.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abordenadores digitales\u00bb, el equipo conexo o los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb, cuando sean esenciales para el funcionamiento y el soporte de los equipos de telecomunicaciones descritos en esta categor\u00eda, se considerar\u00e1n componentes dise\u00f1ados especialmente siempre que sean los modelos est\u00e1ndar suministrados normalmente por el fabricante. Esto incluye los sistemas inform\u00e1ticos de explotaci\u00f3n, administraci\u00f3n, mantenimiento, ingenier\u00eda o facturaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

5A1<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5A001<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas, equipos, componentes y accesorios de telecomunicaciones seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquier tipo de equipo de telecomunicaciones que posea cualquiera de las caracter\u00edsticas, funciones o elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ado especialmente para resistir los efectos electr\u00f3nicos transitorios o los efectos de impulso electromagn\u00e9tico, ambos consecutivos a una explosi\u00f3n nuclear;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Endurecido especialmente para resistir la radiaci\u00f3n gamma, neutr\u00f3nica o i\u00f3nica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ado especialmente para funcionar por debajo de; 218\u00a0K (\u2013\u00a055\u202f\u00b0C); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ado especialmente para funcionar por encima de 397\u00a0K (124\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos 5A001.a.3 y\u00a05A001.a.4 \u00fanicamente someten a control los equipos electr\u00f3nicos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos 5A001.a.2, 5A001.a.3 y\u00a05A001.a.4 no someten a control los equipos dise\u00f1ados o modificados para su uso a bordo de \u00abnaves espaciales\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas y equipos de telecomunicaciones y los componentes y accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas, funciones o elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de comunicaciones subacu\u00e1ticos libres que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia portadora ac\u00fastica fuera de la gama de 20\u00a0kHz a\u00a060\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen una frecuencia portadora electromagn\u00e9tica inferior a\u00a030\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen t\u00e9cnicas electr\u00f3nicas de orientaci\u00f3n del haz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen \u00abl\u00e1seres\u00bb o diodos emisores de luz (LED) con una longitud de onda de salida superior a\u00a0400\u00a0nm e inferior a\u00a0700\u00a0nm, en una \u00abred de \u00e1rea local\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de radio que funcionen en la banda de 1,5 a\u00a087,5\u00a0MHz y re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Predicci\u00f3n y selecci\u00f3n autom\u00e1ticas de frecuencias y de \u00abtasas de transferencia digital totales\u00bb por canal para optimizar la transmisi\u00f3n; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que contengan una configuraci\u00f3n de amplificador de potencia lineal con capacidad para soportar simult\u00e1neamente se\u00f1ales m\u00faltiples a una potencia de salida igual o superior a\u00a01\u00a0kW en la gama de frecuencia igual o superior a\u00a01,5\u00a0MHz pero inferior a\u00a030\u00a0MHz, o igual o superior a\u00a0250\u00a0W en la gama de frecuencia igual o superior a\u00a030\u00a0MHz pero inferior a\u00a087,5\u00a0MHz, sobre un \u00abancho de banda instant\u00e1neo\u00bb de una octava o m\u00e1s con un contenido de arm\u00f3nicos de salida y de distorsi\u00f3n inferior a (mejor que) \u2013\u00a080 dB;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de radio que utilicen t\u00e9cnicas de \u00abespectro ensanchado\u00bb, incluyendo el \u00absalto de frecuencia\u00bb, no especificados en el subart\u00edculo\u00a05A001.b.4, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00f3digos de ensanchamiento programables por el usuario; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ancho de banda de transmisi\u00f3n total igual o superior a\u00a0100 veces el ancho de banda de cualquiera de los canales de informaci\u00f3n y superior a\u00a050\u00a0kHz;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A001.b.3.b no somete a control los equipos de radio dise\u00f1ados especialmente para su uso con cualquiera de los elementos siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefon\u00eda m\u00f3vil; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estaciones terrestres de telecomunicaci\u00f3n comercial civil por \u00absat\u00e9lite\u00bb fijas o m\u00f3viles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A001.b.3 no somete a control los equipos que est\u00e9n dise\u00f1ados para funcionar con una potencia de salida igual o menor a\u00a01\u00a0W.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de radio que utilicen t\u00e9cnicas de modulaci\u00f3n ultraancha con c\u00f3digos de canalizaci\u00f3n, de embrollo o c\u00f3digos de identificaci\u00f3n de red, programables por el usuario, que posean alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de banda superior a\u00a0500\u00a0MHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAncho de banda fraccional\u00bb de 20\u00a0% o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Receptores de radio controlados digitalmente que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s de 1\u00a0000 canales;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘tiempo de conmutaci\u00f3n de frecuencias’ inferior a\u00a01\u00a0ms;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

B\u00fasqueda o exploraci\u00f3n autom\u00e1tica en una parte del espectro electromagn\u00e9tico; e<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Identificaci\u00f3n de las se\u00f1ales recibidas o del tipo de transmisor; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A001.b.5 no somete a control los equipos de radio dise\u00f1ados especialmente para su uso en sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefon\u00eda m\u00f3vil.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A001.b.5.b, ‘tiempo de conmutaci\u00f3n de frecuencias’ es el tiempo (es decir, el retardo) al cambiar de una frecuencia de recepci\u00f3n a otra, para llegar a la frecuencia de recepci\u00f3n final especificada o a un intervalo de \u00b1\u00a00,05\u00a0% de la misma. Los productos con un intervalo de frecuencias especificado de menos de \u00b1\u00a00,05\u00a0% en torno a su frecuencia central se definen como incapaces de efectuar una conmutaci\u00f3n de frecuencias.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen funciones de \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb digital para proporcionar una salida de ‘codificaci\u00f3n de la voz’ a tasas inferiores a\u00a0700 bit\/s;<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para la ‘codificaci\u00f3n de la voz’ de ritmo variable, el subart\u00edculo\u00a05A001.b.6 se aplica a la salida de ‘codificaci\u00f3n de la voz’ del discurso continuo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A001.b.6, la ‘codificaci\u00f3n de la voz’ se define como la t\u00e9cnica consistente en tomar muestras de voz humana y convertirlas en se\u00f1ales digitales, teniendo en cuenta las caracter\u00edsticas espec\u00edficas del habla.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fibras \u00f3pticas de m\u00e1s de 500\u00a0m de longitud, con capacidad de soportar un ‘ensayo de resistencia’ a la tracci\u00f3n igual o superior a\u00a02\u00a0x\u00a0109<\/span>\u00a0N\/m2<\/span> seg\u00fan las especificaciones del fabricante;<\/p>\n

N.B.<\/span><\/span>Para los cables umbilicales<\/span> subacu\u00e1ticos, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a08A002.a.3.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A001.c, los \u2018ensayos de resistencia\u2019 son ensayos de producci\u00f3n en l\u00ednea o fuera de l\u00ednea selectivos que aplican din\u00e1micamente un esfuerzo por tracci\u00f3n prescrito a una fibra de 0,5 a\u00a03\u00a0m de longitud, a una velocidad de arrastre de 2 a\u00a05\u00a0m\/s, mientras pasa entre cabrestantes de 150\u00a0mm de di\u00e1metro aproximadamente. La temperatura ambiente y nominal es de 293\u00a0K (20\u202fo<\/span>C) y la humedad relativa nominal, del 40\u00a0%. Pueden utilizarse normas nacionales equivalentes para realizar los ensayos de resistencia.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Antenas orientables electr\u00f3nicamente mediante ajuste de fases’, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasadas para operar a frecuencias superiores a\u00a031,8\u00a0GHz pero inferiores o iguales a\u00a057\u00a0GHz y con una potencia radiada efectiva (p.r.e.) igual o superior a +20\u00a0dBm [22,15\u00a0dBm de potencia is\u00f3tropa radiada equivalente (p.i.r.e.)];<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasadas para operar a frecuencias superiores a\u00a057\u00a0GHz pero inferiores o iguales a\u00a066\u00a0GHz y con una p.r.e. igual o superior a +24\u00a0dBm (26,15\u00a0dBm de p.i.r.e.);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasadas para operar a frecuencias superiores a\u00a066\u00a0GHz pero inferiores o iguales a\u00a090\u00a0GHz y con una p.r.e. igual o superior a +20\u00a0dBm (22,15\u00a0dBm de p.i.r.e.);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasadas para operar a frecuencias superiores a\u00a090\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A001.d no somete a control las ‘antenas orientables electr\u00f3nicamente mediante ajuste de fases’ para sistemas de aterrizaje con instrumentos que satisfagan las normas de la Organizaci\u00f3n de Aviaci\u00f3n Civil Internacional (OACI) que se refieren a los sistemas de microondas para aterrizajes (MLS).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A001.d no somete a control las antenas dise\u00f1adas especialmente para cualquiera de las funciones siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefon\u00eda m\u00f3vil o WLAN;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

IEEE 802.15 o HDMI inal\u00e1mbrica; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estaciones terrestres de telecomunicaci\u00f3n comercial civil por \u00absat\u00e9lite\u00bb fijas o m\u00f3viles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A001.d, una ‘antena orientable electr\u00f3nicamente mediante ajuste de fases’ es una antena que forma un haz mediante acoplamiento de fase (es decir, en la que la direcci\u00f3n del haz es controlada por los coeficientes de excitaci\u00f3n complejos de los elementos radiantes) y la direcci\u00f3n de dicho haz puede ser modificada (tanto en emisi\u00f3n como en recepci\u00f3n) en azimut, en elevaci\u00f3n o en ambos, mediante la aplicaci\u00f3n de una se\u00f1al el\u00e9ctrica.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos radiogoniom\u00e9tricos que funcionen a frecuencias mayores de 30\u00a0MHz y que cumplan todo lo siguiente, as\u00ed como los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abancho de banda instant\u00e1neo\u00bb igual o superior a\u00a010\u00a0MHz; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de encontrar una l\u00ednea de marcaci\u00f3n (LOB) con radio transmisores no cooperativos con una se\u00f1al de duraci\u00f3n inferior a\u00a01\u00a0ms;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de interferencia o interceptaci\u00f3n de telecomunicaciones m\u00f3viles y sus aparatos de control, seg\u00fan se indica, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de interceptaci\u00f3n dise\u00f1ados para la extracci\u00f3n de voz o datos, transmitidos a trav\u00e9s de la interfaz a\u00e9rea;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de interceptaci\u00f3n no especificados en el subart\u00edculo\u00a05A001.f.1, dise\u00f1ados para la extracci\u00f3n de identificadores de abonado o del dispositivo del cliente (por ejemplo, IMSI, TIMSI o IMEI), la se\u00f1alizaci\u00f3n, u otros metadatos transmitidos a trav\u00e9s de la interfaz a\u00e9rea;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de interferencia especialmente dise\u00f1ados o modificados para interferir de forma deliberada y selectiva, denegar, inhibir, degradar o enga\u00f1ar servicios de telecomunicaci\u00f3n m\u00f3vil y realizar cualquiera de las funciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Simular las funciones de un equipo de Redes de Acceso Radioel\u00e9ctrico (RAN);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectar y explotar caracter\u00edsticas espec\u00edficas del protocolo de telecomunicaciones m\u00f3viles utilizado (por ejemplo, GSM); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Explotar caracter\u00edsticas espec\u00edficas del protocolo de telecomunicaciones m\u00f3viles utilizado (por ejemplo, GSM);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de seguimiento de RF dise\u00f1ados o modificados para identificar el funcionamiento de los productos especificados en los subart\u00edculos 5A001.f.1, 5A001.f.2 o 5A001.f.3;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos 5A001.f.1 y\u00a05A001.f.2 no someten a control ninguno de los equipos siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para la interceptaci\u00f3n de radiocomunicaciones m\u00f3viles privadas (PMR) anal\u00f3gicas, IEEE 802.11 RLAN;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para los operadores de redes de telecomunicaciones m\u00f3viles; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos o sistemas de telecomunicaciones m\u00f3viles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a01:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a02:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los receptores de radio, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a05A001.b.5.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas o equipos de localizaci\u00f3n coherente pasiva (PCL), dise\u00f1ados especialmente para detectar y rastrear objetos en movimiento midiendo reflexiones de emisiones de radiofrecuencia del entorno, suministradas por transmisores que no sean radares;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A001.g, los transmisores que no sean radares pueden incluir estaciones de base comerciales de radio, televisi\u00f3n o telecomunicaciones por telefon\u00eda m\u00f3vil.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A001.g no somete a control ninguno de los equipos y sistemas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos radioastron\u00f3micos; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas o equipos que requieran una transmisi\u00f3n de radio desde el objetivo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Material contra artefactos explosivos improvisados (IED) y equipo conexo, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de transmisi\u00f3n por radiofrecuencia (RF), no especificados en el subart\u00edculo\u00a05A001.f, dise\u00f1ados o modificados para activar prematuramente o impedir la puesta en marcha de dispositivos explosivos improvisados (IED);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos que utilicen t\u00e9cnicas destinadas a permitir las radiocomunicaciones en los mismos canales de frecuencia en los que transmite el equipo coubicado que se especifica en el subart\u00edculo\u00a05A001.h.1;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas o equipos de vigilancia de las comunicaciones en red a trav\u00e9s del Protocolo de Internet (IP), y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que realicen todas las siguientes funciones en red a trav\u00e9s del Protocolo de Internet (IP) de clase portadora (por ejemplo, el eje troncal IP de grado nacional):<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

An\u00e1lisis en la capa de aplicaci\u00f3n (p. ej., capa 7 del modelo de interconexi\u00f3n de sistemas abiertos, ISO\/IEC 7498-1);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Extracci\u00f3n de contenido de la aplicaci\u00f3n y metadatos seleccionados (por ejemplo, voz, v\u00eddeo, mensajes, ficheros adjuntos); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Indexaci\u00f3n de los datos extra\u00eddos; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para realizar cualquiera de las funciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ejecuci\u00f3n de b\u00fasquedas sobre la base de \u00abselectores r\u00edgidos\u00bb; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cartograf\u00eda de la red relacional de una persona o de un grupo de personas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A001.j no somete a control los equipos y sistemas dise\u00f1ados especialmente para cualquiera de las funciones siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Fines de comercializaci\u00f3n;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Calidad del servicio; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Calidad de la experiencia.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5A101<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de telemedida y telecontrol, incluidos los equipos de tierra dise\u00f1ados o modificados para ‘misiles’.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a05A101, ‘los misiles’ son sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a05A101 no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los equipos dise\u00f1ados o modificados para aeronaves tripuladas o sat\u00e9lites;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los equipos con base en tierra dise\u00f1ados o modificados para aplicaciones terrestres o mar\u00edtimas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los equipos dise\u00f1ados para servicios de sistemas de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite comerciales, civiles o de ‘seguridad de la vida humana’ (p. ej. integridad de los datos, seguridad de vuelo);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

5B1<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5B001<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de telecomunicaciones de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n, componentes y accesorios, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes o accesorios dise\u00f1ados especialmente para estos, dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos, funciones o elementos especificados en el art\u00edculo\u00a05A001;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05B001.a no somete a control el equipo de caracterizaci\u00f3n de la fibra \u00f3ptica.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes dise\u00f1ados especialmente o accesorios para los mismos, concebidos expresamente para el \u00abdesarrollo\u00bb de cualquiera de los siguientes equipos de telecomunicaciones, de transmisi\u00f3n o de conmutaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos que utilicen un \u00abl\u00e1ser\u00bb y posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una longitud de onda de transmisi\u00f3n superior a 1\u00a0750\u00a0nm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen t\u00e9cnicas anal\u00f3gicas y tengan un ancho de banda superior a\u00a02,5\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05B001.b.2.d no somete a control los equipos dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb de sistemas de televisi\u00f3n comerciales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de radio que utilicen t\u00e9cnicas de modulaci\u00f3n de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 1\u00a0024;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

5C1<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n

Ninguno.<\/p>\n

5D1<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos (software)<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos, funciones o elementos especificados en el art\u00edculo\u00a05A001;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para proporcionar caracter\u00edsticas, funciones o elementos de los equipos especificados en los art\u00edculos\u00a05A001 o 5B001;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb de cualquiera de los siguientes equipos de telecomunicaciones, de transmisi\u00f3n o de conmutaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos que utilicen un \u00abl\u00e1ser\u00bb y posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una longitud de onda de transmisi\u00f3n superior a 1\u00a0750\u00a0nm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen t\u00e9cnicas anal\u00f3gicas y tengan un ancho de banda superior a\u00a02,5\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05D001.d.2.b no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb de sistemas de televisi\u00f3n comerciales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de radio que utilicen t\u00e9cnicas de modulaci\u00f3n de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 1\u00a0024;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb, aparte de los especificados en los subart\u00edculos 5D001.a o 5D001.c, especialmente dise\u00f1ados o modificados para el seguimiento o an\u00e1lisis a efectos de aplicaci\u00f3n de la ley, que proporcionen todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ejecuci\u00f3n de b\u00fasquedas, sobre la base de \u00abselectores r\u00edgidos\u00bb, del contenido de las comunicaciones o de sus metadatos adquiridos de un proveedor de servicios de comunicaciones utilizando una ‘interfaz de traspaso’; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cartograf\u00eda de la red relacional o seguimiento del movimiento o la ubicaci\u00f3n de personas concretas sobre la base de los resultados de b\u00fasquedas en el contenido de las comunicaciones o los metadatos o las b\u00fasquedas tal y como se describen en el subart\u00edculo\u00a05D001.e.1.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05D001.e, una ‘interfaz de traspaso’ es una interfaz f\u00edsica y l\u00f3gica, dise\u00f1ada para ser utilizada por las autoridades policiales autorizadas, mediante la cual se solicitan medidas de intercepci\u00f3n concretas a un proveedor de servicios de comunicaciones y se transmiten los resultados de intercepci\u00f3n desde este proveedor a la autoridad que los ha solicitado. La ‘interfaz de traspaso’ se implementa como parte de sistemas o equipos (por ejemplo, dispositivos de mediaci\u00f3n) que reciben y validan la solicitud de intercepci\u00f3n, y entregan a la autoridad que la solicit\u00f3 \u00fanicamente los resultados de la intercepci\u00f3n que cumplen con la solicitud validada.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las ‘interfaces de traspaso’ podr\u00e1n especificarse mediante normas internacionales (incluidas, entre otras, TSI TS 101\u00a0331, ETSI TS 101\u00a0671, 3GPP TS 33.108) o equivalentes nacionales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05D001.e no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para cualquiera de las funciones siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Calidad de la experiencia;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de mediaci\u00f3n; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Pagos m\u00f3viles o uso bancario.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5D101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en el art\u00edculo\u00a05A101.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

5E1<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb (excepto la explotaci\u00f3n) de los equipos, funciones o elementos especificados en el art\u00edculo\u00a05A001 o los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a05D001.a o 5D001.e;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb espec\u00edfica seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos de telecomunicaciones dise\u00f1ados especialmente para su empleo a bordo de \u00abnaves espaciales\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de t\u00e9cnicas de comunicaci\u00f3n por \u00abl\u00e1ser\u00bb que permitan la adquisici\u00f3n y el seguimiento autom\u00e1tico de se\u00f1ales y el mantenimiento de comunicaciones a trav\u00e9s de medios exoatmosf\u00e9ricos o subacu\u00e1ticos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de equipos receptores de estaciones base digitales de radio y telefon\u00eda m\u00f3vil cuyas capacidades de recepci\u00f3n que permiten el funcionamiento multibanda, multiplex, multimodo, algoritmo de multicodificaci\u00f3n o de protocolo m\u00faltiple puedan modificarse mediante cambios en los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de t\u00e9cnicas de \u00abespectro ensanchado\u00bb, incluyendo el \u00absalto de frecuencia\u00bb;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05E001.b.4 no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de los sistemas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefon\u00eda m\u00f3vil; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estaciones terrestres de telecomunicaci\u00f3n comercial civil por sat\u00e9lite fijas o m\u00f3viles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de cualquiera de los siguientes equipos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos que utilicen un \u00abl\u00e1ser\u00bb y posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una longitud de onda de transmisi\u00f3n superior a 1\u00a0750\u00a0nm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen t\u00e9cnicas de multiplexado por divisi\u00f3n de longitudes de portadores \u00f3pticos a intervalos inferiores a\u00a0100\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen t\u00e9cnicas anal\u00f3gicas y tengan un ancho de banda superior a\u00a02,5\u00a0GHz;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05E001.c.2.e no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de sistemas de televisi\u00f3n comerciales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En lo que respecta a la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos, distintos de los equipos de telecomunicaciones que utilicen un l\u00e1ser, v\u00e9ase la categor\u00eda 6E.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos que utilicen la ‘conmutaci\u00f3n \u00f3ptica’ y que tengan un tiempo de conmutaci\u00f3n inferior a\u00a01\u00a0ms;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05E001.c.3, la \u2018conmutaci\u00f3n \u00f3ptica\u2019 es el encaminamiento o conmutaci\u00f3n de las se\u00f1ales en forma \u00f3ptica sin conversi\u00f3n a se\u00f1ales el\u00e9ctricas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de radio que utilicen cualquiera de las t\u00e9cnicas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e9cnicas de modulaci\u00f3n de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 1\u00a0024;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen a una frecuencia de entrada o salida superior a\u00a031,8\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05E001.c.4.b no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para equipos dise\u00f1ados o modificados con vistas a funcionar en una banda de frecuencias que est\u00e9 \u00abasignada por la UIT\u00bb para servicios de radiocomunicaci\u00f3n, pero no para radiodeterminaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen en la banda de 1,5\u00a0MHz a\u00a087,5\u00a0MHz e incorporen t\u00e9cnicas adaptativas que permitan una supresi\u00f3n de m\u00e1s de 15\u00a0dB de una se\u00f1al de interferencia; o<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos m\u00f3viles que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen en una longitud de onda \u00f3ptica superior o igual a\u00a0200\u00a0nm e inferior o igual a\u00a0400\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen como \u00abredes de \u00e1rea local\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de amplificadores de \u00abcircuitos integrados monol\u00edticos de microondas\u00bb (\u00abMMIC\u00bb), dise\u00f1ados especialmente para telecomunicaciones y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05E001.d, en las hojas de datos del producto podr\u00e1 tambi\u00e9n hacerse referencia al par\u00e1metro de la potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n como potencia de salida, potencia de salida en estado de saturaci\u00f3n, potencia de salida m\u00e1xima, potencia de pico de salida o potencia pico de la envolvente a la salida.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a02,7\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a06,8\u00a0GHz, con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 15\u00a0%, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a075\u00a0W (48,75\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a02,7\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a02,9\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a055\u00a0W (47,4\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a02,9\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a03,2\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a040\u00a0W (46\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a03,2\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a03,7\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a020\u00a0W (43\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a03,7\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a06,8\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a frecuencias superiores a\u00a06,8\u00a0GHz e inferiores o iguales a\u00a016\u00a0GHz, con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a010\u00a0W (40\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a06,8\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a08,5\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a05\u00a0W (37\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a08,5\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a016\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a03\u00a0W (34,77\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a016\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a031,8\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,1\u00a0nW (\u2013\u00a070\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a031,8\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a037\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a01\u00a0W (30\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a037\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a043,5\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a031,62\u00a0mW (15\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a043,5\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a075\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 10\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a010\u00a0mW (10\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a075\u00a0GHz e inferior o igual a\u00a090\u00a0GHz y con un \u00abancho de banda fraccional\u00bb superior al 5\u00a0%; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturaci\u00f3n superior a\u00a00,1\u00a0nW (\u2013\u00a070\u00a0dBm) en cualquier frecuencia superior a\u00a090\u00a0GHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de dispositivos y circuitos electr\u00f3nicos, dise\u00f1ados especialmente para telecomunicaciones y que contengan componentes fabricados a partir de materiales \u00absuperconductores\u00bb, dise\u00f1ados especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la \u00abtemperatura cr\u00edtica\u00bb de al menos uno de los constituyentes \u00absuperconductores\u00bb, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conmutaci\u00f3n de corriente para circuitos digitales utilizando puertas \u00absuperconductoras\u00bb con un producto del tiempo de retardo por puerta (expresado en segundos) por la disipaci\u00f3n de energ\u00eda por puerta (expresada en vatios) inferior a\u00a010-14\u00a0J; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Selecci\u00f3n de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos resonantes con valores de Q superiores a 10\u00a0000.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5E101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en el art\u00edculo\u00a05A101.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Segunda Parte –\u00a0\u00a0\u00a0 \u00abSEGURIDAD DE LA INFORMACI\u00d3N\u00bb <\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La categor\u00eda 5, segunda parte, no somete a control los productos cuando acompa\u00f1en a su usuario para el uso personal de este.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Nota de criptograf\u00eda<\/span><\/span><\/span><\/p>\n

Los art\u00edculos\u00a05A002, 5D002.a.1, 5D002.b y\u00a05D002.c.1 no someten a control los productos siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que se hallen generalmente a disposici\u00f3n del p\u00fablico por estar a la venta, sin restricciones, en puntos de venta al por menor por cualquiera de los medios siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

transacciones en mostrador;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

transacciones por correo;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

transacciones electr\u00f3nicas; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

transacciones por tel\u00e9fono;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que la funci\u00f3n criptogr\u00e1fica no pueda ser modificada f\u00e1cilmente por el usuario;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados para su instalaci\u00f3n por el usuario sin asistencia ulterior importante del proveedor; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que, en caso necesario, pueda disponerse de informaci\u00f3n detallada sobre los productos y se facilite, cuando as\u00ed lo solicite, a las autoridades competentes del Estado miembro de la UE en el que est\u00e9 establecido el exportador, con el fin de verificar el cumplimiento de las condiciones descritas en los puntos 1 a\u00a03 anteriores;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes de los equipos inform\u00e1ticos o ‘programas inform\u00e1ticos ejecutables’ de los productos existentes descritos en la letra a. de la presente nota, que hayan sido dise\u00f1ados para dichos productos existentes, y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb no es la funci\u00f3n o conjunto de funciones principales del componente o de los ‘programas inform\u00e1ticos ejecutables’;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El componente o los ‘programas inform\u00e1ticos ejecutables’ no modifican ninguna funci\u00f3n criptogr\u00e1fica de los productos existentes ni a\u00f1aden ninguna nueva funcionalidad criptogr\u00e1fica a los productos existentes;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las caracter\u00edsticas del componente o de los ‘programas inform\u00e1ticos ejecutables’ son fijas y no est\u00e1n dise\u00f1adas o modificadas para cumplir las especificaciones del cliente; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Cuando es necesario, con arreglo a lo establecido por las autoridades competentes del Estado miembro de la UE en el que est\u00e9 establecido el exportador, la autoridad competente puede acceder a la informaci\u00f3n sobre el componente o los ‘programas inform\u00e1ticos ejecutables’ y los productos finales conexos pertinentes, y puede recibir dicha informaci\u00f3n previa solicitud, a fin de verificar el cumplimiento de las condiciones descritas anteriormente.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos de la nota de criptograf\u00eda, los ‘programas inform\u00e1ticos ejecutables’ son \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb en forma ejecutable, de alg\u00fan componente del equipo inform\u00e1tico existente excluido del art\u00edculo\u00a05A002 por la nota de criptograf\u00eda.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘programas inform\u00e1ticos ejecutables’ no incluyen las im\u00e1genes binarias completas de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb que funcionan en un producto final.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota a la nota de criptograf\u00eda:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En cumplimiento de la letra a. de la nota 3, deber\u00e1n aplicarse todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El producto debe presentar un inter\u00e9s potencial para un amplio abanico de particulares y empresas; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El precio y la informaci\u00f3n sobre la funci\u00f3n principal del producto deben estar disponibles antes de la compra, sin necesidad de consultar al vendedor o proveedor. No se considerar\u00e1 como consulta una petici\u00f3n sencilla de informaci\u00f3n sobre el precio.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A la hora de determinar la admisibilidad de la letra a. de la nota 3, las autoridades competentes podr\u00e1n tener en cuenta factores como la cantidad, el precio, las capacidades t\u00e9cnicas necesarias, los canales de venta existentes, los clientes t\u00edpicos, el uso t\u00edpico o cualquier pr\u00e1ctica de exclusi\u00f3n del proveedor.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

5A2<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5A002<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas, equipos y componentes destinados a la \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para el control de los equipos receptores de \u00absistemas de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite\u00bb que contengan o utilicen el descifrado, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a07A005, y para la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb y los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb de descifrado conexos, v\u00e9anse los art\u00edculos 7D005 y\u00a07E001.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para utilizar ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos cuya funci\u00f3n principal sea la \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas, equipos y componentes de comunicaci\u00f3n o redes digitales, no especificados en el subart\u00edculo\u00a05A002.a.1;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ordenadores, otros productos cuya funci\u00f3n principal sea el almacenamiento o el proceso de informaci\u00f3n y sus componentes, no especificados en los subart\u00edculos\u00a05A002.a.1 o 5A002.a.2;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los sistemas operativos, v\u00e9anse tambi\u00e9n los subart\u00edculos\u00a05D002.a.1 y\u00a05D002.c.1.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos no especificados en los subart\u00edculos\u00a05A002.a.1 a\u00a05A002.a.3, en los que la ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ re\u00fana todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Soporta una funci\u00f3n del producto distinta de la principal; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Est\u00e1 realizada por equipos o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb incorporados que, como productos independientes, est\u00e1n especificados en la categor\u00eda\u00a05, segunda parte<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.a, ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ significa \u00abcriptograf\u00eda\u00bb que emplea t\u00e9cnicas digitales para una funci\u00f3n o capacidad criptogr\u00e1fica que es utilizable o puede hacerse utilizable, excepto las siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Integridad de los datos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Gesti\u00f3n de derechos digitales, incluida la ejecuci\u00f3n de \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb protegidos contra la copia;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Cifrado o descifrado para posibilitar la difusi\u00f3n de programas de entretenimiento o programas comerciales generales o la gesti\u00f3n de historiales m\u00e9dicos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Funcionalidad de \u00abred de \u00e1rea personal\u00bb inal\u00e1mbrica que aplica \u00fanicamente normas criptogr\u00e1ficas comerciales o que han sido publicadas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Operaciones criptogr\u00e1ficas dise\u00f1adas especialmente para \u2014y limitadas a\u2014 el uso bancario o a las transacciones monetarias, incluidos el cobro y la fijaci\u00f3n de tarifas o las funciones crediticias;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Gesti\u00f3n de claves en apoyo de \u2014y limitadas a\u2014 las funciones y capacidades descritas en cualquiera de los anteriores puntos a a h. o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Funciones o capacidades criptogr\u00e1ficas que no se hayan activado o posibilitado, y que solo puedan activarse o posibilitarse mediante una \u00abactivaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u00bb segura.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los productos de \u2018testigo de activaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u2019, v\u00e9anse los subart\u00edculos 5A002.b., 5D002.b y\u00a05E002.b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.a, ‘algoritmo de seguridad descrito’ significa cualquiera de las definiciones siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘algoritmo sim\u00e9trico’ que utilice una longitud de clave superior a\u00a056\u00a0bits, sin incluir los bits de paridad;<\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.a: Nota t\u00e9cnica 2.a.:1. ‘Algoritmo sim\u00e9trico’ es un algoritmo criptogr\u00e1fico que requiere una clave id\u00e9ntica para el cifrado y el descifrado.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un uso com\u00fan de los ‘algoritmos sim\u00e9tricos’ es la confidencialidad de los datos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abalgoritmo asim\u00e9trico\u00bb en el que la seguridad del algoritmo se base en alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Factorizaci\u00f3n de los n\u00fameros enteros por encima de los 512\u00a0bits (p. ej., RSA);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00f3mputo de logaritmos discretos en un grupo multiplicativo de un campo finito de tama\u00f1o superior a los 512\u00a0bits (p. ej., Diffie-Hellman sobre Z\/pZ); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Logaritmos discretos en un grupo que no sea el mencionado en el punto\u00a0b.2 por encima de los 112\u00a0bits (p. ej., Diffie-Hellman sobre una elipse); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abalgoritmo asim\u00e9trico\u00bb en el que la seguridad del algoritmo se base en alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Problemas de vector m\u00e1s corto o de vector m\u00e1s pr\u00f3ximo asociados con ret\u00edculas (por ejemplo, NewHope, Frodo, NTRUEncrypt, Kyber, Titanium);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Localizaci\u00f3n de isogenias entre curvas el\u00edpticas supersingulares (por ejemplo, Supersingular Isogeny Key Encapsulation); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Descifrado de c\u00f3digos aleatorios (por ejemplo, McEliece o Niederreiter).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Los algoritmos descritos en la nota t\u00e9cnica 2.c pueden denominarse algoritmos poscu\u00e1nticos, algoritmos a prueba de ataques cu\u00e1nticos o algoritmos resistentes a ataques cu\u00e1nticos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Cuando sea necesario, con arreglo a lo establecido por la autoridad competente en el pa\u00eds del exportador, la informaci\u00f3n detallada sobre los productos debe hacerse accesible y proporcionarse a la autoridad, cuando esta lo solicite, con el fin de poder averiguar cualquiera de los puntos siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Si el producto cumple los criterios de los subart\u00edculos\u00a05A002.a.1 a\u00a05A002.a.4; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Si la \u2018criptograf\u00eda para confidencialidad de datos\u2019 con un \u2018algoritmo de seguridad descrito\u2019 es utilizable sin una \u00abactivaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u00bb segura.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A002.a no somete a control ninguno de los siguientes productos o sus componentes dise\u00f1ados especialmente para \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las tarjetas inteligentes y los ‘lectores\/escritores’ de tarjetas inteligentes, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las tarjetas inteligentes o los documentos personales de lectura electr\u00f3nica (p. ej., fichas, pasaportes electr\u00f3nicos) con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ re\u00fane todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Est\u00e1 restringida para su uso en equipos o sistemas a los que el subart\u00edculo\u00a05A002.a no somete a control por motivos distintos de la nota de criptograf\u00eda (nota\u00a03 de la categor\u00eda 5, segunda parte); y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

No se puede programar para ning\u00fan otro uso; o<\/span>:<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar especial y exclusivamente dise\u00f1ados para permitir la protecci\u00f3n de los ‘datos personales’ contenidos en ellos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Haber sido personalizados para transacciones p\u00fablicas o comerciales o a efectos de la identificaci\u00f3n personal, o no poder ser personalizados m\u00e1s que para dichos usos; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que la \u2018criptograf\u00eda para confidencialidad de datos\u2019 con un \u2018algoritmo de seguridad descrito\u2019 no sea accesible al usuario;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.a. Nota 2.a.1.b.1, los ‘datos personales’ incluyen todo dato espec\u00edfico de una persona o entidad determinada, como la cantidad de dinero almacenada y los datos necesarios para la \u00abautenticaci\u00f3n\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Lectores\/escritores’.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.a. Nota 2.a.2, los ‘lectores\/escritores’ incluyen el equipo que se comunica con las tarjetas inteligentes o los documentos de lectura electr\u00f3nica a trav\u00e9s de una red.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Radiotel\u00e9fonos port\u00e1tiles o m\u00f3viles dise\u00f1ados para uso civil, distintos de los tel\u00e9fonos por sat\u00e9lite, que no puedan cumplir cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La transmisi\u00f3n directa de datos cifrados a otro radiotel\u00e9fono o equipos [distintos de los equipos de la red de acceso radioel\u00e9ctrico (RAN)]; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El paso de datos cifrados a trav\u00e9s de equipos RAN [por ejemplo, controladores de red radioel\u00e9ctrica (RNC) o controladores de estaciones base (BSC)];<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de telefon\u00eda sin hilos que carezca de la capacidad de cifrado de extremo a extremo cuando el alcance m\u00e1ximo efectivo de funcionamiento sin repetici\u00f3n y sin hilos (es decir, un salto \u00fanico y sin relevo entre la terminal y la base de origen) sea inferior a\u00a0400 metros conforme a la descripci\u00f3n del fabricante;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Radiotel\u00e9fonos port\u00e1tiles o m\u00f3viles y dispositivos inal\u00e1mbricos similares para clientes, dise\u00f1ados para uso civil, que hayan sido personalizados para una aplicaci\u00f3n civil espec\u00edfica y re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los dispositivos no personalizados cumplen las disposiciones de la nota de criptograf\u00eda (nota\u00a03 de la categor\u00eda 5, segunda parte); y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ de los dispositivos no personalizados no se ve afectada por la personalizaci\u00f3n, y aplica \u00fanicamente normas criptogr\u00e1ficas comerciales o que hayan sido publicadas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de telecomunicaciones m\u00f3viles de redes de acceso radioel\u00e9ctrico (RAN) dise\u00f1ados para uso civil y que cumplan asimismo las disposiciones de los puntos a.2 a a.4 de la nota de criptograf\u00eda (nota 3 de la categor\u00eda 5, segunda parte), con una potencia de salida de radiofrecuencia limitada a\u00a00,1\u00a0W (20\u00a0dBm) o menos, y que permitan 32 o menos usuarios concurrentes;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Enrutadores, conmutadores, pasarelas o rel\u00e9s en los que la funcionalidad de ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ se limita a las tareas de \u00aboperaci\u00f3n, administraci\u00f3n o mantenimiento\u00bb (\u00abOAM\u00bb) que \u00fanicamente apliquen normas de cifrado comerciales o que hayan sido publicadas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de computaci\u00f3n o servidores de uso general en los que la ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ re\u00fana todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00danicamente implementa normas de cifrado comerciales o que hayan sido publicadas; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Presenta una de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Es parte integrante de una UCP que cumple las disposiciones de la nota\u00a03 de la categor\u00eda\u00a05, segunda parte;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Es parte integrante de un sistema operativo que el art\u00edculo\u00a05D002 no somete a control; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Est\u00e1 limitada al \u00abOAM\u00bb del equipo; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos dise\u00f1ados especialmente para una ‘aplicaci\u00f3n civil conectada’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que sean cualquiera de los siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos finales de conexi\u00f3n en red que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ se limita a la seguridad de ‘datos no arbitrarios’ o a las tareas de \u00aboperaci\u00f3n, administraci\u00f3n o mantenimiento\u00bb (\u00abOAM\u00bb); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El dispositivo se limita a una ‘aplicaci\u00f3n civil conectada’ espec\u00edfica; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de redes que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados espec\u00edficamente para comunicarse con los dispositivos especificados en el punto j.1.a anterior; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ se limita al apoyo de la ‘aplicaci\u00f3n civil conectada’ de los dispositivos especificados en el punto j.1.a anterior o a las tareas de \u00abOAM\u00bb de estos equipos de redes o de otros productos especificados en el punto j de la presente nota; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

En los cuales la ‘criptograf\u00eda para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ implementa solo normas de cifrado comerciales o que hayan sido publicadas y donde el usuario no puede cambiar f\u00e1cilmente la funci\u00f3n criptogr\u00e1fica.<\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.a. Nota 2.j, la ‘aplicaci\u00f3n civil conectada’ es una aplicaci\u00f3n del sector civil o de consumo conectada en red, distinta de \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb, comunicaciones digitales, y redes o sistemas inform\u00e1ticos de uso general.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.a. Nota 2.j.1.a.1, los ‘datos no arbitrarios’ son datos de sensores o de medici\u00f3n relacionados directamente con la estabilidad, el rendimiento o las medidas f\u00edsicas de un sistema (por ejemplo, temperatura, presi\u00f3n, caudal, masa, volumen, tensi\u00f3n, ubicaci\u00f3n f\u00edsica, etc.), que el usuario del dispositivo no puede modificar.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que sean un ‘testigo de activaci\u00f3n criptogr\u00e1fica’;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.b, un ‘testigo de activaci\u00f3n criptogr\u00e1fica’ es un producto dise\u00f1ado o modificado para cualquiera de las siguientes acciones:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Convertir, mediante \u00abactivaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u00bb, un producto no especificado en la categor\u00eda\u00a05, segunda parte, en un producto especificado en los subart\u00edculos 5A002.a o 5D002.c.1, y no liberado mediante la nota de criptograf\u00eda (nota\u00a03 de la categor\u00eda\u00a05, segunda parte); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Permitir, mediante \u00abactivaci\u00f3n criptogr\u00e1fica\u00bb, una funcionalidad adicional especificada en el subart\u00edculo\u00a05A002.a de un producto ya especificado en la categor\u00eda\u00a05, segunda parte.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para utilizar o realizar \u00abcriptograf\u00eda cu\u00e1ntica\u00bb;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A002.c, la \u00abcriptograf\u00eda cu\u00e1ntica\u00bb tambi\u00e9n se conoce como distribuci\u00f3n de clave cu\u00e1ntica (QKD).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para emplear t\u00e9cnicas criptogr\u00e1ficas con objeto de generar c\u00f3digos de canalizaci\u00f3n o de embrollo o c\u00f3digos de identificaci\u00f3n de red para sistemas que usen t\u00e9cnicas de modulaci\u00f3n de banda ultra ancha y que posean alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de banda superior a\u00a0500\u00a0MHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAncho de banda fraccional\u00bb de 20\u00a0% o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para utilizar t\u00e9cnicas criptogr\u00e1ficas con objeto de generar el c\u00f3digo de ensanchamiento para sistemas de \u00abespectro ensanchado\u00bb distintos a los especificados en el subart\u00edculo\u00a05A002.d, incluido el c\u00f3digo de salto para sistemas de \u00absalto de frecuencia\u00bb.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5A003<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas, equipos y componentes destinados a la \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb no criptogr\u00e1fica, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de cables de comunicaci\u00f3n dise\u00f1ados o modificados para utilizar medios mec\u00e1nicos, el\u00e9ctricos o electr\u00f3nicos para detectar intromisiones subrepticias;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A003.a solo somete a control la seguridad de la capa f\u00edsica. A efectos del subart\u00edculo\u00a05A003.a, la capa f\u00edsica incluye la capa\u00a01 del modelo de referencia de interconexi\u00f3n de sistemas abiertos\u00a0(ISO\/IEC 7498-1).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especialmente dise\u00f1ados o modificados para reducir las emanaciones comprometedoras de se\u00f1ales portadoras de informaci\u00f3n por encima de lo dispuesto por las normas de salud, seguridad, o de interferencia electromagn\u00e9tica.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5A004<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas, equipos y componentes destinados a desactivar, debilitar o eludir la \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para realizar ‘funciones criptoanal\u00edticas’.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A004.a incluye los sistemas o equipos dise\u00f1ados o modificados para realizar ‘funciones criptoanal\u00edticas’ mediante ingenier\u00eda inversa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A004.a, las ‘funciones criptoanal\u00edticas’ son funciones dise\u00f1adas para desactivar mecanismos criptogr\u00e1ficos con el fin de derivar variables confidenciales o datos sensibles, incluyendo texto claro, contrase\u00f1as o claves criptogr\u00e1ficas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos no especificados en el art\u00edculo\u00a04A005 o el subart\u00edculo\u00a05A004.a, dise\u00f1ados para realizar todas las funciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Extraer ‘datos no procesados’ de un dispositivo inform\u00e1tico o de comunicaciones; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Eludir los controles de \u00abautentificaci\u00f3n\u00bb o autorizaci\u00f3n del dispositivo, con el fin de realizar la funci\u00f3n descrita en\u00a05A004.b.1.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a05A004.b.1, ‘extraer datos no procesados’ de un dispositivo inform\u00e1tico o de comunicaciones consiste en recuperar datos binarios de un medio de almacenamiento (por ejemplo, un disco duro o una unidad flash) del dispositivo sin que el sistema operativo o de archivos del dispositivo lo interprete.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a05A004.b no somete a control sistemas o equipos especialmente dise\u00f1ados para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de un dispositivo inform\u00e1tico o de comunicaciones.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05A004.b no incluye:<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Programas de depuraci\u00f3n, hipervisores;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos limitados a extracci\u00f3n de datos l\u00f3gicos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos de extracci\u00f3n de datos que utilizan t\u00e9cnicas de retirada del chip (<\/span>chip-off) o JTAG;<\/span>o<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Productos especialmente dise\u00f1ados \u00fanicamente para obtener acceso total al sistema operativo m\u00f3vil (<\/span>jail-breaking y rooting).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

5B2<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5B002<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y \u00abproducci\u00f3n\u00bb destinados a la \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos 5A002, 5A003, 5A004 o en el subart\u00edculo\u00a05B002.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de medida dise\u00f1ados especialmente para evaluar y convalidar las funciones de \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos 5A002, 5A003 o 5A004, o de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los subart\u00edculos 5D002.a o 5D002.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

5C2<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n

Ninguno.<\/p>\n

5D2<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos (software)<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5D002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especificados en el art\u00edculo\u00a05A002 o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a05D002.c.1;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especificados en el art\u00edculo\u00a05A003 o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a05D002.c.2; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especificados en el art\u00edculo\u00a05A004.a o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a05D002.c.3.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especificados en el art\u00edculo\u00a05A004.b o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a05D002.c.3.b,<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb que posean las caracter\u00edsticas de un ‘testigo de activaci\u00f3n criptogr\u00e1fica’ especificado en el subart\u00edculo\u00a05A002.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb que posean las caracter\u00edsticas o bien realicen o simulen las funciones de cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especificados en los subart\u00edculos\u00a05A002.a, 5A002.c, 5A002.d o 5A002.e;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05D002.c.1 no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb que se limitan a las tareas de \u00abOAM\u00bb que \u00fanicamente aplican normas de cifrado comerciales o que hayan sido publicadas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especificados en el art\u00edculo\u00a05A003; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especificados en el subart\u00edculo\u00a05A004.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos especificados en el subart\u00edculo\u00a05A004.b.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05D002.c.3.b no somete a control los \u00abprogramas inform\u00e1ticos de intrusi\u00f3n\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

5E2<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

5E002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos 5A002, 5A003, 5A004 o 5B002, o de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los subart\u00edculos 5D002.a o 5D002.c.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a05E002.a no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para los productos especificados en los subart\u00edculos 5A004.b, 5D002.a.3.b o 5D002.c.3.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb que posea las caracter\u00edsticas de un ‘testigo de activaci\u00f3n criptogr\u00e1fica’ especificado en el subart\u00edculo\u00a05A002.b.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a05E002 incluye los datos t\u00e9cnicos de \u00abseguridad de la informaci\u00f3n\u00bb resultantes de los procedimientos llevados a cabo para evaluar o determinar la ejecuci\u00f3n de funciones, caracter\u00edsticas o t\u00e9cnicas especificadas en la categor\u00eda 5, segunda parte.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE VIII<\/p>\n

Categor\u00eda 6<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 6 \u2014 SENSORES Y L\u00c1SERES<\/span><\/p>\n

6A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A001<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas ac\u00fasticos, equipos y componentes ac\u00fasticos seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas marinos ac\u00fasticos, equipos y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas y equipos activos (transmisores o transmisores y receptores), y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A001.a.1 no somete a control el siguiente equipo:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las sondas de profundidad que funcionen en la vertical por debajo del aparato, no posean funci\u00f3n de barrido de m\u00e1s de \u00b1 20\u00b0 y se utilicen exclusivamente para medir la profundidad del agua o la distancia de objetos sumergidos o enterrados o para la detecci\u00f3n de bancos de peces;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las balizas ac\u00fasticas, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Balizas ac\u00fasticas para emergencias;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Emisores ac\u00fasticos (<\/span>pingers) dise\u00f1ados especialmente para relocalizar o retornar a una posici\u00f3n subacu\u00e1tica.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos ac\u00fasticos de muestreo del fondo marino seg\u00fan se indica:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.a, la ‘mejora’ abarca la capacidad de compensar por medios externos.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de muestreo de buques de superficie dise\u00f1ados para cartograf\u00eda topogr\u00e1fica del fondo marino y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para efectuar mediciones en \u00e1ngulos superiores a\u00a020\u00b0 respecto de la vertical;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para medir topograf\u00eda del fondo marino en profundidades superiores a\u00a0600\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Resoluci\u00f3n de sondeo’ inferior a\u00a02; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Mejora’ de la \u00abexactitud\u00bb de profundidad por medio de la compensaci\u00f3n de todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Movimiento del sensor ac\u00fastico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Propagaci\u00f3n dentro del agua desde el sensor al fondo marino y viceversa; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Velocidad del sonido en el sensor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.a.1.c, la ‘resoluci\u00f3n de sondeo’ es la anchura de barrido (grados) dividida por el m\u00e1ximo n\u00famero de sondeos por barrido.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de muestreo subacu\u00e1tico dise\u00f1ados para cartograf\u00eda topogr\u00e1fica del fondo marino y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.a.2, la calificaci\u00f3n del sensor de presi\u00f3n ac\u00fastica determina la calificaci\u00f3n de profundidad.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para funcionar a profundidades superiores a\u00a0300\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Velocidad de sondeo’ superior a 3\u00a0800\u00a0m\/s; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.a.2.a.2, la ‘velocidad de sondeo’ es el producto de la m\u00e1xima velocidad (m\/s) con que puede funcionar el sensor y el m\u00e1ximo n\u00famero de sondeos por barrido, suponiendo una cobertura del 100\u00a0%. Para los sistemas que producen sondeos en dos direcciones (s\u00f3nares 3D), deber\u00eda utilizarse el valor m\u00e1ximo de la ‘velocidad de sondeo’ en cada direcci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de muestreo no especificados en el subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.a.2.a, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para funcionar a profundidades superiores a\u00a0100\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para efectuar mediciones en \u00e1ngulos superiores a\u00a020\u00b0 respecto de la vertical;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Funcionar a una frecuencia inferior a\u00a0350\u00a0kHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para medir topograf\u00eda del fondo marino en profundidades superiores a\u00a0200\u00a0m del sensor ac\u00fastico; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Mejora’ de la \u00abexactitud\u00bb de profundidad por medio de la compensaci\u00f3n de todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Movimiento del sensor ac\u00fastico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Propagaci\u00f3n dentro del agua desde el sensor al fondo marino y viceversa; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Velocidad del sonido en el sensor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

S\u00f3nares de barrido lateral (SBL) o s\u00f3nares de apertura sint\u00e9tica (SAS) dise\u00f1ados para la obtenci\u00f3n de im\u00e1genes del fondo marino que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes, y conjuntos ac\u00fasticos de transmisores y receptores dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para funcionar a profundidades superiores a\u00a0500\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘tasa de cobertura de superficie’ superior a\u00a0570\u00a0m2<\/span>\/s cuando funcionan al alcance m\u00e1ximo al que pueden funcionar con una ‘resoluci\u00f3n transversal a la trayectoria’ inferior a\u00a015\u00a0cm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resoluci\u00f3n transversal a la trayectoria’ inferior a\u00a015\u00a0cm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.a.3:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘tasa de cobertura de superficie’ (m2<\/span>\/s) es el doble del producto del rango de detecci\u00f3n del s\u00f3nar (m) y la velocidad m\u00e1xima (m\/s) con que puede operar el sensor a dicho rango.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘resoluci\u00f3n en la direcci\u00f3n de la trayectoria’ (cm), \u00fanicamente para los SBL, es el producto entre la anchura angular de haz (grados) azimutal (horizontal) y el rango de detecci\u00f3n del s\u00f3nar (m) multiplicado por 0,873.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

La ‘resoluci\u00f3n transversal a la trayectoria’ (cm) es 75 dividido por el ancho de banda de la se\u00f1al (kHz).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas, conjuntos de transmisores y receptores dise\u00f1ados para la detecci\u00f3n o localizaci\u00f3n de objetos que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia de transmisi\u00f3n inferior a\u00a010\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nivel de presi\u00f3n ac\u00fastica superior a\u00a0224\u00a0dB (referencia 1\u00a0\u03bcPa a\u00a01\u00a0m) para los equipos que funcionen a una frecuencia comprendida en la banda de 10 a\u00a024\u00a0kHz inclusive;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Nivel de presi\u00f3n ac\u00fastica superior a\u00a0235\u00a0dB (referencia 1\u00a0\u03bcPa a\u00a01\u00a0m) para los equipos que funcionen a una frecuencia comprendida en la banda de 24 a\u00a030\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que formen haces de menos de 1\u00b0 en cualquier eje y funcionen a una frecuencia inferior a\u00a0100\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados para funcionar con un alcance no ambiguo, en presentaci\u00f3n visual, superior a 5\u00a0120\u00a0m; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados para soportar, en funcionamiento normal, la presi\u00f3n de profundidades superiores a 1\u00a0000\u00a0m y est\u00e9n dotados de transductores que presenten cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con compensaci\u00f3n din\u00e1mica de la presi\u00f3n; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen como elemento de transducci\u00f3n un material distinto del titanato zirconato de plomo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proyectores ac\u00fasticos (incluidos los transductores) que incorporen elementos piezoel\u00e9ctricos, magnetoestrictivos, electroestrictivos, electrodin\u00e1micos o hidr\u00e1ulicos que funcionen por separado o en una combinaci\u00f3n determinada y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de los proyectores ac\u00fasticos, incluidos los transductores, dise\u00f1ados especialmente para otros equipos no especificados en el art\u00edculo\u00a06A001 vendr\u00e1 determinado por el r\u00e9gimen de control de esos otros equipos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.c no somete a control las fuentes electr\u00f3nicas que dirigen el sonido solo verticalmente, ni las fuentes mec\u00e1nicas [por ejemplo, ca\u00f1ones de aire o ca\u00f1ones de aire o de vapor (vapor shock gun)] o qu\u00edmicas (por ejemplo, explosivas).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los elementos piezoel\u00e9ctricos especificados en el subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.c incluyen los fabricados a partir de cristales \u00fanicos de niobato de plomo-magnesio \/ titanato de plomo (Pb(Mg1\/3<\/span>Nb2\/3<\/span>)O3<\/span>-PbTiO3<\/span>, o PMN-PT) a partir de una soluci\u00f3n s\u00f3lida o cristales \u00fanicos de niobato de plomo-indio \/ niobato de plomo-magnesio \/ titanato de plomo (Pb(In1\/2<\/span>Nb1\/2<\/span>)O3<\/span>\u2013Pb(Mg1\/3<\/span>Nb2\/3<\/span>)O3<\/span>\u2013PbTiO3<\/span>, o PIN-PMN-PT) a partir de una soluci\u00f3n s\u00f3lida.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen a una frecuencia inferior a\u00a010\u00a0kHz y posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

No estar dise\u00f1ados para funcionar continuamente al 100\u00a0% de su ciclo de funcionamiento y que tengan un ‘nivel de la fuente en campo libre (SLRMS)’ radiado superior a\u00a0(10log(f)\u00a0+\u00a0169,77)\u00a0dB (referencia 1\u00a0\u03bcPa a\u00a01\u00a0m), en el que f es la frecuencia en hercios de la respuesta de tensi\u00f3n de transmisi\u00f3n (TVR) m\u00e1xima por debajo de 10\u00a0kHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para funcionar continuamente al 100\u00a0% de su ciclo de funcionamiento y que tengan un ‘nivel de la fuente en campo libre (SLRMS)’ radiado al 100\u00a0% de su ciclo de funcionamiento superior a\u00a0(10log(f)\u00a0+\u00a0159,77)\u00a0dB (referencia 1\u00a0\u03bcPa a\u00a01\u00a0m), en el que f es la frecuencia en hercios de la respuesta de tensi\u00f3n de transmisi\u00f3n (TVR) m\u00e1xima por debajo de 10\u00a0kHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.c.1, el ‘nivel de la fuente en campo libre (SLRMS<\/span>)’ se define a lo largo del eje de respuesta m\u00e1xima y en el campo lejano del proyector ac\u00fastico. Puede obtenerse a partir de la respuesta de tensi\u00f3n de transmisi\u00f3n utilizando la siguiente ecuaci\u00f3n: SLRMS = (TVR +\u00a020log VRMS) dB (ref 1\u00a0\u03bcPa a\u00a01\u00a0m), en el que SLRMS es el nivel de fuente, TVR es la respuesta de tensi\u00f3n de transmisi\u00f3n y VRMS es la tensi\u00f3n de excitaci\u00f3n del proyector.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Supresi\u00f3n de l\u00f3bulos laterales superior a\u00a022\u00a0dB;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas y equipos ac\u00fasticos dise\u00f1ados especialmente para determinar la posici\u00f3n de buques de superficie o veh\u00edculos sumergibles y dotados de todos los componentes siguientes, dise\u00f1ados especialmente para ello:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Alcance de detecci\u00f3n superior a 1\u00a0000\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Error de posicionamiento determinado inferior a\u00a010\u00a0m rms (media cuadr\u00e1tica) medidos a una distancia de 1\u00a0000\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota:<\/span> El subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.d incluye:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los equipos que utilizan el \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb coherente entre dos o m\u00e1s balizas y la unidad de hidr\u00f3fono transportada por el buque de superficie o veh\u00edculo sumergible;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los equipos capaces de corregir autom\u00e1ticamente los errores de propagaci\u00f3n de la velocidad del sonido para el c\u00e1lculo de un punto.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

S\u00f3nares individuales activos, dise\u00f1ados especialmente o modificados para detectar, localizar y clasificar autom\u00e1ticamente a nadadores o buceadores, dotados de todos los elementos siguientes, y conjuntos ac\u00fasticos de transmisores y receptores dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Alcance de detecci\u00f3n superior a\u00a0530\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Error de posicionamiento determinado inferior a\u00a015\u00a0m rms (media cuadr\u00e1tica) medidos a una distancia de 530\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de banda de se\u00f1al de impulso de transmisi\u00f3n superior a\u00a03\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para sistemas de detecci\u00f3n de nadadores dise\u00f1ados especialmente o modificados para usos militares, v\u00e9ase la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para el subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.e, cuando se especifiquen los alcances de detecci\u00f3n m\u00faltiple para diversos entornos, se utiliza el alcance de detecci\u00f3n mayor.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas y equipos pasivos y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A001.a.2 somete asimismo a control los equipos receptores, con independencia de que en su aplicaci\u00f3n normal se relacionen o no con equipos activos separados, y los componentes especialmente dise\u00f1ados para ellos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hidr\u00f3fonos que tengan cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El control de los hidr\u00f3fonos dise\u00f1ados especialmente para otros equipos se determina por las condiciones del control de dichos equipos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.a:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los hidr\u00f3fonos constan de uno o m\u00e1s elementos sensores que producen un \u00fanico canal ac\u00fastico de salida. Los que contienen m\u00faltiples elementos pueden denominarse grupo de hidr\u00f3fonos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los transductores ac\u00fasticos subacu\u00e1ticos dise\u00f1ados para funcionar como receptores pasivos son hidr\u00f3fonos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dotados de elementos sensores flexibles continuos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dotados de conjuntos flexibles de elementos sensores discretos, de di\u00e1metro o longitud inferior a\u00a020\u00a0mm y con una separaci\u00f3n entre elementos inferior a\u00a020\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de los elementos sensores siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Pel\u00edculas polim\u00e9ricas piezoel\u00e9ctricas’ distintas del fluoruro de polivinilideno (PVDF) y sus copol\u00edmeros {p(VDF-TrFE) y P(VDF-TFE)};<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Materiales compuestos (composites) piezoel\u00e9ctricos flexibles’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cristales piezoel\u00e9ctricos \u00fanicos de niobato de plomo-magnesio \/ titanato de plomo\u00a0(Pb(Mg1\/3Nb2\/3)O3-PbTiO3, o PMN-PT) a partir de una soluci\u00f3n s\u00f3lida; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cristales piezoel\u00e9ctricos \u00fanicos de niobato de plomo-indio \/ niobato de plomo-magnesio \/ titanato de plomo (Pb(In1\/2<\/span>Nb1\/2<\/span>)O3<\/span>\u2013Pb(Mg1\/3<\/span>Nb2\/3<\/span>)O3<\/span>\u2013PbTiO3, o PIN-PMN-PT) a partir de una soluci\u00f3n s\u00f3lida;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘sensibilidad de los hidr\u00f3fonos’ superior a (mejor que) \u2013\u00a0180\u00a0dB a cualquier profundidad, sin compensaci\u00f3n de la aceleraci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a\u00a035\u00a0m con compensaci\u00f3n de la aceleraci\u00f3n; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a 1\u00a0000\u00a0m y con una ‘sensibilidad de los hidr\u00f3fonos’ superior a (mejor que) \u2013\u00a0230\u00a0dB por debajo de 4\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.a.3.b, los elementos sensores denominados ‘pel\u00edculas polim\u00e9ricas piezoel\u00e9ctricas’ consisten en una pel\u00edcula polim\u00e9rica polarizada tensada y sujeta a un bastidor o carrete (mandril).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.a.3.c, los elementos sensores de ‘materiales compuestos (<\/span>composites) piezoel\u00e9ctricos flexibles’ consisten en fibras o part\u00edculas cer\u00e1micas piezoel\u00e9ctricas combinadas con un compuesto de caucho, polim\u00e9rico o epoxi el\u00e9ctricamente aislante y ac\u00fasticamente transparente, siendo el compuesto parte integrante de los elementos sensores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.a, la ‘sensibilidad de los hidr\u00f3fonos’ se define como veinte veces el logaritmo decimal de la relaci\u00f3n entre la tensi\u00f3n eficaz de salida y una referencia de 1\u00a0V eficaz cuando el sensor del hidr\u00f3fono, sin preamplificador, se sit\u00fae en un campo ac\u00fastico de ondas planas con una presi\u00f3n eficaz de 1\u00a0\u03bcPa. Por ejemplo, un hidr\u00f3fono de \u2013\u00a0160\u00a0dB (referencia, 1\u00a0V por \u03bcPa) dar\u00eda una tensi\u00f3n de salida de 10-8<\/span>\u00a0V en este campo, mientras que uno de \u2013\u00a0180\u00a0dB de sensibilidad solo dar\u00eda una tensi\u00f3n de salida de 10-9<\/span>\u00a0V. Por lo tanto \u2013\u00a0160\u00a0dB es mejor que \u2013\u00a0180\u00a0dB.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bater\u00edas de hidr\u00f3fonos ac\u00fasticos remolcadas que presenten cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.b, las bater\u00edas de hidr\u00f3fonos est\u00e1n compuestas de diversos hidr\u00f3fonos que proporcionan m\u00faltiples canales ac\u00fasticos de salida.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espaciado entre los grupos de hidr\u00f3fonos inferior a\u00a012,5\u00a0m o ‘modificables’ para tener un espaciado entre los grupos de hidr\u00f3fonos inferior a\u00a012,5\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1adas o ‘modificables’ para funcionar a profundidades superiores a\u00a035\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de rumbo especificados en el subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.d;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos para bater\u00eda reforzados longitudinalmente;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bater\u00edas montadas, con un di\u00e1metro inferior a\u00a040\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Caracter\u00edsticas de los hidr\u00f3fonos especificadas en el subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.a; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sensores hidroac\u00fasticos basados en aceler\u00f3metros especificados en el subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.g;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.b, el t\u00e9rmino ‘modificables’ significa que incluyen dispositivos que permiten la modificaci\u00f3n del cableado o de las interconexiones para cambiar el espaciado de los grupos de hidr\u00f3fonos o los l\u00edmites de profundidad de funcionamiento. Estos dispositivos son: cableado de repuesto que represente m\u00e1s del 10\u00a0% del n\u00famero de cables, bloques de ajuste del espaciado de los grupos de hidr\u00f3fonos o dispositivos internos de limitaci\u00f3n de profundidad que sean ajustables o que controlen m\u00e1s de un grupo de hidr\u00f3fonos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de procesado dise\u00f1ado especialmente para bater\u00edas de hidr\u00f3fonos ac\u00fasticos remolcadas que tengan \u00abprogramabilidad accesible al usuario\u00bb y proceso y correlaci\u00f3n en el dominio del tiempo o de la frecuencia, incluidos el an\u00e1lisis espectral, el filtrado digital y la formaci\u00f3n de haz mediante transformada r\u00e1pida de Fourier u otras transformadas o procesos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de rumbo que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abexactitud\u00bb inferior a (mejor que) 0,5\u00a0\u00b0; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a\u00a035\u00a0m o que tengan un dispositivo sensor de profundidad, ajustable o desmontable, para funcionamiento a profundidades superiores a\u00a035\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los sistemas inerciales de rumbo, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a07A003.c.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conjuntos de hidr\u00f3fonos de cable de fondo o de orilla (bottom or bay cable<\/span>), que tengan cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dotados de hidr\u00f3fonos especificados en el subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dotados de m\u00f3dulos de se\u00f1ales de grupos de hidr\u00f3fonos multiplexados que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a\u00a035\u00a0m o que tengan un dispositivo sensor de profundidad, ajustable o desmontable, para funcionamiento a profundidades superiores a\u00a035\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de ser intercambiados operacionalmente con m\u00f3dulos de bater\u00edas de hidr\u00f3fonos ac\u00fasticos remolcables; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que incorporen los sensores hidroac\u00fasticos basados en aceler\u00f3metros especificados en el subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.g;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de procesado dise\u00f1ado especialmente para sistemas de cable de fondo o de orilla (bay or bottom cable<\/span>) con \u00abprogramabilidad accesible al usuario\u00bb y proceso y correlaci\u00f3n en el dominio del tiempo o de la frecuencia, incluidos el an\u00e1lisis espectral, el filtrado digital y la formaci\u00f3n de haz mediante transformada r\u00e1pida de Fourier u otras transformadas o procesos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sensores hidroac\u00fasticos basados en aceler\u00f3metros, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar compuestos de tres aceler\u00f3metros dispuestos a lo largo de tres ejes distintos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tener una ‘sensibilidad a la aceleraci\u00f3n’ global superior a (mejor que) 48\u00a0dB (referencia 1\u00a0000\u00a0mV rms por 1\u00a0g);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a\u00a035\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Funcionar a una frecuencia inferior a\u00a020\u00a0kHz.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.g no somete a control los sensores de velocidad de part\u00edculas o ge\u00f3fonos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.g, los sensores hidroac\u00fasticos basados en aceler\u00f3metros tambi\u00e9n son conocidos como sensores vectoriales.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A001.a.2.g.2, la ‘sensibilidad a la aceleraci\u00f3n’ se define como veinte veces el logaritmo decimal de la relaci\u00f3n entre la tensi\u00f3n eficaz (rms) de salida y una referencia de 1\u00a0V eficaz (rms) cuando el sensor hidroac\u00fastico, sin preamplificador, se sit\u00fae en un campo ac\u00fastico de ondas planas con una aceleraci\u00f3n rms de 1\u00a0g (es decir, de 9,81\u00a0m\/s2<\/span>).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de registro s\u00f3nar de correlaci\u00f3n-velocidad y Doppler-velocidad dise\u00f1ado para medir la velocidad horizontal del equipo portador con respecto al fondo marino seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de registro s\u00f3nar de correlaci\u00f3n-velocidad que posea cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ado para funcionar a distancias superiores a\u00a0500\u00a0m entre el portador y el fondo marino; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con una \u00abexactitud\u00bb de velocidad inferior al (mejor que el) 1\u00a0% de la velocidad;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de registro s\u00f3nar de Doppler-velocidad con una \u00abexactitud\u00bb de velocidad inferior al (mejor que el) 1\u00a0% de la velocidad.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A001.b no somete a control las sondas de profundidad que se limiten a una de las siguientes funciones:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Medici\u00f3n de la profundidad del agua;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Medici\u00f3n de la distancia de objetos sumergidos o enterrados; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Detecci\u00f3n de bancos de peces.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A001.b no somete a control el equipo dise\u00f1ado especialmente para la instalaci\u00f3n en buques de superficie.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A002<\/p>\n<\/td>\n

Sensores o equipos \u00f3pticos y componentes de los mismos seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a06A102.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores \u00f3pticos seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de estado s\u00f3lido \u00abcalificados para uso espacial\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A002.a.1, los detectores de estado s\u00f3lido incluyen los \u00abconjuntos de plano focal\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de estado s\u00f3lido \u00abcalificados para uso espacial\u00bb que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a\u00a010\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 300\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Respuesta inferior a\u00a00,1\u00a0% con respecto a la respuesta de pico a longitudes de onda superiores a\u00a0400\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de estado s\u00f3lido \u00abcalificados para uso espacial\u00bb que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a\u00a0900\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 1\u00a0200\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConstante de tiempo\u00bb de respuesta igual o inferior a\u00a095\u00a0ns;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de estado s\u00f3lido \u00abcalificados para uso espacial\u00bb que tengan una respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1\u00a0200\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 30\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb\u00bbcalificados para uso espacial\u00bb que tengan m\u00e1s de 2\u00a0048 elementos por conjunto y con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a\u00a0300\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 900\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos intensificadores de imagen y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A002.a.2 no somete a control los tubos fotomultiplicadores no generadores de imagen con sensor de electrones en vac\u00edo que consistan \u00fanicamente en alguno de los siguientes componentes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00fanico \u00e1nodo met\u00e1lico; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00c1nodos met\u00e1licos cuya distancia entre centros sea superior a\u00a0500\u00a0\u03bcm.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos intensificadores de imagen que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a\u00a0400\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 1\u00a0050\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Amplificaci\u00f3n electr\u00f3nica de imagen que emplee cualquiera de los siguientes elementos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a\u00a012\u00a0\u03bcm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre p\u00edxeles sin compresi\u00f3n igual o inferior a\u00a0500\u00a0\u03bcm, especialmente dise\u00f1ado o modificado para obtener una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb por medios distintos de las placas de microcanal; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de los siguientes fotoc\u00e1todos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fotoc\u00e1todos multialcalinos (por ejemplo S-20 y S-25), que tengan una fotosensibilidad superior a\u00a0350\u00a0\u03bcA\/lm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fotoc\u00e1todos de GaAs o de GaInAs; u<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Otros fotoc\u00e1todos semiconductores \u00abcompuestos III\/-V\u00bb que tengan una \u00absensibilidad radiante\u00bb m\u00e1xima superior a\u00a010\u00a0mA\/W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos intensificadores de imagen que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1\u00a0050\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 1\u00a0800\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Amplificaci\u00f3n electr\u00f3nica de imagen que emplee cualquiera de los siguientes elementos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a\u00a012\u00a0\u03bcm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre p\u00edxeles sin compresi\u00f3n igual o inferior a\u00a0500\u00a0\u03bcm, especialmente dise\u00f1ado o modificado para obtener una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb por medios distintos de las placas de microcanal; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fotoc\u00e1todos semiconductores (por ejemplo GaAs o GaInAs) \u00abcompuestos III\/-V\u00bb y fotoc\u00e1todos de transferencia de electrones que tengan una \u00absensibilidad radiante\u00bb m\u00e1xima superior a\u00a015\u00a0mA\/W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a\u00a012\u00a0\u03bcm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre p\u00edxeles sin compresi\u00f3n igual o inferior a\u00a0500 \u03bcm, especialmente dise\u00f1ado o modificado para obtener una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb por medios distintos de las placas de microcanal;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fotoc\u00e1todos semiconductores (por ejemplo GaAs o GaInAs) \u00abcompuestos III\/-V\u00bb y fotoc\u00e1todos de transferencia de electrones;<\/p>\n

Nota:<\/span> El subart\u00edculo\u00a06A002.a.2.c.3 no somete a control los fotoc\u00e1todos semiconductores compuestos dise\u00f1ados para obtener una \u00absensibilidad radiante\u00bb m\u00e1xima:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

igual o inferior a\u00a010\u00a0mA\/W en la respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a\u00a0400\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 1\u00a0050\u00a0nm; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

igual o inferior a\u00a015\u00a0mA\/W en la respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1\u00a0050\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 1\u00a0800\u00a0nm.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abconjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb de ‘microbol\u00f3metros’ solo se especifican en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.f.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A002.a.3, los conjuntos multielemento de detectores, lineales o bidimensionales, son denominados \u00abconjuntos de plano focal\u00bb.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A002.a.3 incluye los conjuntos de fotoconductores y los conjuntos fotovoltaicos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A002.a.3 no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Multielementos (no m\u00e1s de 16 elementos) encapsulados, constituidos por c\u00e9lulas fotoconductoras que utilicen cualquiera de las siguientes sustancias: sulfuro de plomo o seleniuro de plomo;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores piroel\u00e9ctricos que utilicen cualquiera de las siguientes sustancias:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sulfato de triglicina y variantes;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Titanato de zirconio-lantano-plomo y variantes;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Fluoruro de polivinilideno y variantes; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Niobato de estroncio bario y variantes;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb dise\u00f1ados especialmente o modificados para obtener una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb y que por su dise\u00f1o est\u00e1n limitados a poseer una \u00absensibilidad de radiaci\u00f3n\u00bb m\u00e1xima igual o inferior a\u00a010\u00a0mA\/W con longitudes de onda superiores a\u00a0760\u00a0nm, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Inclusi\u00f3n de un mecanismo limitador de respuesta concebido para no ser retirado ni modificado; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El mecanismo limitador de respuesta est\u00e1 integrado o combinado con el elemento detector; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El \u00abconjunto de plano focal\u00bb solo funciona cuando el mecanismo limitador de respuesta est\u00e1 instalado;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A002.a.3. Nota 2.c.2.a, un mecanismo limitador de respuesta integrado en el elemento detector est\u00e1 dise\u00f1ado para que no sea posible retirarlo ni modificarlo sin inutilizar el detector.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Matrices de termopilas con menos de 5\u00a0130 elementos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb, que posean todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a\u00a0900\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 1\u00a0050\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConstante de tiempo\u00bb de respuesta inferior a\u00a00,5\u00a0ns; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especialmente dise\u00f1ados o modificados para obtener una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb y con una \u00absensibilidad de radiaci\u00f3n\u00bb m\u00e1xima superior a\u00a010\u00a0mA\/W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb, que posean todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1\u00a0050\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 1\u00a0200\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConstante de tiempo\u00bb de respuesta igual o inferior a\u00a095\u00a0ns; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especialmente dise\u00f1ados o modificados para obtener una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb y con una \u00absensibilidad de radiaci\u00f3n\u00bb m\u00e1xima superior a\u00a010\u00a0mA\/W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb no lineales (bidimensionales), que tengan elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1\u00a0200\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 30\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abconjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb de ‘microbol\u00f3metros’ a base de silicio u otro material solo se especifican en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.f.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb lineales (unidimensionales) que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1\u00a0200\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 3\u00a0000\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un coeficiente entre la dimensi\u00f3n de la ‘direcci\u00f3n de barrido’ del elemento detector y la dimensi\u00f3n de la ‘direcci\u00f3n transversal al barrido’ del elemento detector inferior a\u00a03,8; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Procesado de se\u00f1ales en los elementos detectores;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.d no somete a control los \u00abconjuntos de plano focal\u00bb (de no m\u00e1s de 32 elementos) cuyos elementos detectores sean exclusivamente de germanio.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.d, la ‘direcci\u00f3n transversal al barrido’ es el eje paralelo al conjunto lineal de elementos detectores, y la ‘direcci\u00f3n de barrido’ es el eje perpendicular al conjunto lineal de elementos detectores.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb lineales (unidimensionales), que tengan elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 3\u00a0000\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 30\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb infrarrojos, no lineales (bidimensionales), a base de material para ‘microbol\u00f3metro’, que tengan elementos individuales con respuesta no filtrada en una gama de longitud de onda igual o superior a 8\u00a0000\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 14\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.f, un ‘microbol\u00f3metro’ es un detector t\u00e9rmico de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que, como consecuencia del cambio de temperatura del detector causado por la absorci\u00f3n de radiaci\u00f3n infrarroja, se utiliza para generar cualquier se\u00f1al utilizable.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb, que posean todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elementos detectores individuales con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a\u00a0400\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 900\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente o modificados para obtener una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb y con una \u00absensibilidad radiante\u00bb m\u00e1xima superior a\u00a010\u00a0mA\/W para longitudes de onda superiores a\u00a0760\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSensores monoespectrales de formaci\u00f3n de im\u00e1genes\u00bb y \u00absensores multiespectrales de formaci\u00f3n de im\u00e1genes\u00bb dise\u00f1ados para aplicaciones de teledetecci\u00f3n, y que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Campo de visi\u00f3n instant\u00e1neo (IFOV) inferior a\u00a0200 \u03bcrad (microrradianes); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especificados para funcionar en una gama de longitudes de onda superiores a\u00a0400\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 30\u00a0000\u00a0nm, y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que proporcionen salida de datos de imagen en formato digital; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCalificados para uso espacial\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estar dise\u00f1ados para funcionamiento aerotransportado, utilizar detectores que no sean de silicio y tener un campo de visi\u00f3n instant\u00e1neo (IFOV) menor que 2,5\u00a0mrad (milirradianes);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A002.b.1 no somete a control los \u00absensores monoespectrales de formaci\u00f3n de im\u00e1genes\u00bb, con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a\u00a0300\u00a0nm, pero que no sobrepasen los 900\u00a0nm, y que incorporen \u00fanicamente alguno de los detectores no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb o \u00abconjuntos de plano focal\u00bb no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb que se indican a continuaci\u00f3n:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de carga acoplada (CCD) no dise\u00f1ados ni modificados para alcanzar una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de semiconductores de \u00f3xido met\u00e1lico complementarios (CMOS) no dise\u00f1ados ni modificados para alcanzar una \u00abmultiplicaci\u00f3n de carga\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes de ‘visi\u00f3n directa’ que tengan alguno de los siguientes elementos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos intensificadores de imagen especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.2.a o en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.2.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abConjuntos de plano focal\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.3; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de estado s\u00f3lido especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.1;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A002.c, la expresi\u00f3n ‘visi\u00f3n directa’ se refiere a los equipos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que presentan al observador humano una imagen visible sin convertirla en una se\u00f1al electr\u00f3nica para su visualizaci\u00f3n en una pantalla de televisi\u00f3n, y que no pueden grabar ni almacenar la imagen por medios fotogr\u00e1ficos, electr\u00f3nicos o de otra clase.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A002.c no somete a control los equipos siguientes dotados de fotoc\u00e1todos distintos de los de GaAs o GaInAs:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de alarma por allanamiento industriales o civiles, o sistemas de control o de recuento de tr\u00e1fico o de movimientos en la industria;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos industriales utilizados para la inspecci\u00f3n, clasificaci\u00f3n o an\u00e1lisis de las propiedades de los materiales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Detectores de llama para hornos industriales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para uso en laboratorio.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes para uso especial, para sensores \u00f3pticos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de refrigeraci\u00f3n criog\u00e9nicos \u00abcalificados para uso espacial\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de refrigeraci\u00f3n criog\u00e9nicos no \u00abcalificados para uso espacial\u00bb con temperatura de la fuente de refrigeraci\u00f3n inferior a\u00a0218\u00a0K (\u2013\u00a055\u202f\u00b0C), seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

De ciclo cerrado y con un tiempo medio hasta el fallo (MTTF) o un tiempo medio entre fallos (MTBF) superior a 2\u00a0500 horas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Minirrefrigeradores autorregulables Joule Thomson (JT) que tengan di\u00e1metros interiores (exterior) inferiores a\u00a08\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fibras \u00f3pticas sensoras fabricadas especialmente, en su composici\u00f3n o estructura, o modificadas por revestimiento, de forma que sean sensibles a los efectos ac\u00fasticos, t\u00e9rmicos, inerciales, electromagn\u00e9ticos o a las radiaciones nucleares;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A002.d.3 no somete a control las fibras \u00f3pticas sensoras encapsuladas dise\u00f1adas especialmente para aplicaciones de detecci\u00f3n de orificios de perforaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Circuitos integrados de lectura’ (‘ROIC’) dise\u00f1ados especialmente para los \u00abconjuntos de plano focal\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A002.f no somete a control los ‘circuitos integrados de lectura’ dise\u00f1ados especialmente para aplicaciones automovil\u00edsticas civiles.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A002.f, un ‘circuito integrado de lectura’ (‘ROIC’) es un circuito integrado dise\u00f1ado para subyacer o estar unido a un \u00abconjunto de plano focal\u00bb y utilizado para leer (es decir, extraer y registrar) las se\u00f1ales producidas por los elementos detectores. Como m\u00ednimo, el ‘ROIC’ lee la carga de los elementos detectores extrayendo la carga y aplicando una funci\u00f3n de multiplexado de manera que conserve la informaci\u00f3n de posicionamiento y orientaci\u00f3n espacial relativa de los elementos detectores para tratamiento dentro o fuera del ‘ROIC’.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A003<\/p>\n<\/td>\n

C\u00e1maras, sistemas o equipos, y componentes de los mismos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a06A203.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de instrumentos y componentes dise\u00f1ados especialmente para las mismas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las c\u00e1maras de instrumentos especificadas en los subart\u00edculos\u00a06A003.a.3 a\u00a06A003.a.5, con estructura modular, deben ser evaluadas seg\u00fan su capacidad m\u00e1xima, usando unidades enchufables disponibles, de acuerdo con las especificaciones del fabricante de la c\u00e1mara.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de imagen unidimensional electr\u00f3nicas con resoluci\u00f3n temporal inferior a (mejor que) 50\u00a0ns;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras electr\u00f3nicas multiim\u00e1genes con una velocidad superior a 1\u00a0000\u00a0000 fotogramas por segundo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras electr\u00f3nicas que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Velocidad de obturaci\u00f3n electr\u00f3nica (capacidad de activaci\u00f3n peri\u00f3dica) inferior a\u00a01\u00a0\u03bcs por imagen completa; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiempo de lectura que permita una velocidad superior a\u00a0125 im\u00e1genes completas por segundo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades enchufables que tengan todas las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1adas especialmente para c\u00e1maras de instrumentos dotadas de estructuras modulares y que se especifiquen en el subart\u00edculo\u00a06A003.a; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que permitan que esas c\u00e1maras tengan las caracter\u00edsticas especificadas en los subart\u00edculos 6A003.a.3, 6A003.a.4 o 6A003.a.5, de acuerdo con las especificaciones del fabricante;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A003.b no somete a control las c\u00e1maras de televisi\u00f3n ni las c\u00e1maras de v\u00eddeo dise\u00f1adas especialmente para la difusi\u00f3n de televisi\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de v\u00eddeo dotadas de sensores de estado s\u00f3lido, que tengan una respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a\u00a010\u00a0nm pero no superior a 30\u00a0000\u00a0nm y cumplan todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s de 4 x 106<\/span>\u00abp\u00edxeles activos\u00bb por conjunto de estado s\u00f3lido para las c\u00e1maras monocromas (blanco y negro);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s de 4 x 106<\/span>\u00abp\u00edxeles activos\u00bb por conjunto de estado s\u00f3lido para las c\u00e1maras en color dotadas de tres conjuntos de estado s\u00f3lido; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s de 12 x 106<\/span>\u00abp\u00edxeles activos\u00bb por conjunto de estado s\u00f3lido para las c\u00e1maras en color dotadas de un conjunto de estado s\u00f3lido; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espejos \u00f3pticos especificados en el subart\u00edculo\u00a06A004.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos \u00f3pticos de control especificados en el subart\u00edculo\u00a06A004.d; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad para anotar ‘datos de seguimiento por c\u00e1mara’ generados internamente;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A003.b.1, las c\u00e1maras de v\u00eddeo digitales deben evaluarse mediante el n\u00famero m\u00e1ximo de \u00abp\u00edxeles activos\u00bb utilizados para captar im\u00e1genes en movimiento.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A003.b.1.b.3, los ‘datos de seguimiento por c\u00e1mara’ son la informaci\u00f3n necesaria para definir la orientaci\u00f3n del alcance visual de la c\u00e1mara respecto de la Tierra. Esto incluye: 1)\u00a0el \u00e1ngulo horizontal que dibuja el alcance visual de la c\u00e1mara respecto de la direcci\u00f3n del campo magn\u00e9tico de la Tierra; 2)\u00a0el \u00e1ngulo vertical entre el alcance visual de la c\u00e1mara y el horizonte de la Tierra.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de barrido y sistemas de c\u00e1maras de barrido que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a\u00a010\u00a0nm pero no superior a 30\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bater\u00edas de detectores lineales con m\u00e1s de 8\u00a0192 elementos por conjunto; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Barrido mec\u00e1nico en una direcci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A003.b.2 no somete a control las c\u00e1maras de barrido y los sistemas de c\u00e1mara de barrido dise\u00f1ados especialmente para uno de los siguientes usos:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Fotocopiadoras industriales o civiles;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Exploradores de im\u00e1genes dise\u00f1ados especialmente para aplicaciones de exploraci\u00f3n civiles, estacionarias, de gran proximidad (p. ej., la reproducci\u00f3n de im\u00e1genes o impresiones contenidas en documentos, representaciones art\u00edsticas o fotograf\u00edas); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que utilicen tubos intensificadores de imagen especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.2.a o en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.2.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que utilicen \u00abconjuntos de plano focal\u00bb y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen \u00abconjuntos de plano focal\u00bb especificados en los subart\u00edculos\u00a06A002.a.3.a a\u00a06A002.a.3.e;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen \u00abconjuntos de plano focal\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.f; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen \u00abconjuntos de plano focal\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.g;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las ‘c\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes’ especificadas en el subart\u00edculo\u00a06A003.b.4 est\u00e1n dotadas de \u00abconjuntos de plano focal\u00bb combinados con suficientes medios electr\u00f3nicos de \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb, adem\u00e1s del circuito integrado de lectura, como para permitir, como m\u00ednimo, la salida de una se\u00f1al anal\u00f3gica o digital una vez que hay suministro el\u00e9ctrico.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A003.b.4.a no somete a control las c\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes dotadas de \u00abconjuntos de plano focal\u00bb lineales con doce o menos elementos que no utilizan retardo e integraci\u00f3n en el elemento y dise\u00f1adas para cualquiera de los fines siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de alarma por allanamiento industriales o civiles, o sistemas de control o de recuento de tr\u00e1fico o de movimientos en la industria;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos industriales utilizados para la inspecci\u00f3n o supervisi\u00f3n de flujos t\u00e9rmicos en edificios, equipos o procesos industriales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos industriales utilizados para la inspecci\u00f3n, clasificaci\u00f3n o an\u00e1lisis de las propiedades de los materiales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para uso en laboratorio; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A003.b.4.b no somete a control las c\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que tengan cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Frecuencia de cuadro m\u00e1xima inferior o igual a\u00a09\u00a0Hz;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Campo de visi\u00f3n instant\u00e1neo (IFOV)’ m\u00ednimo, horizontal o vertical, de al menos 2\u00a0mrad (milirradianes);<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A003.b.4, nota 3.b.1, el ‘campo de visi\u00f3n instant\u00e1neo (IFOV)’ es el menor de los dos valores siguientes: ‘IFOV horizontal’ e ‘IFOV vertical’.<\/span><\/p>\n

‘IFOV horizontal’ = campo de visi\u00f3n (FOV) horizontal\/n\u00famero de elementos detectores horizontales.<\/span><\/p>\n

‘IFOV vertical’ = campo de visi\u00f3n (FOV) vertical\/n\u00famero de elementos detectores verticales.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dotadas de lente de distancia focal fija, no dise\u00f1ada para ser retirada;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

No dotadas de pantalla de ‘visi\u00f3n directa’, y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Sin medios que permitan obtener una imagen visualizable del campo de visi\u00f3n detectado, o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La c\u00e1mara est\u00e1 dise\u00f1ada para un solo tipo de aplicaci\u00f3n y dise\u00f1ada para no ser modificada por el usuario; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La c\u00e1mara est\u00e1 dise\u00f1ada especialmente para su instalaci\u00f3n en veh\u00edculos terrestres de transporte civil y re\u00fane todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La ubicaci\u00f3n y la configuraci\u00f3n de la c\u00e1mara dentro del veh\u00edculo tienen \u00fanicamente por objeto asistir al conductor en la conducci\u00f3n segura del veh\u00edculo;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Utilizable solo cuando est\u00e1 instalada en cualquiera de los equipos siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El veh\u00edculo terrestre de transporte civil al que est\u00e1 destinada, y el veh\u00edculo pesa menos de 4\u00a0500\u00a0kg (peso bruto del veh\u00edculo); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una instalaci\u00f3n para ensayos de mantenimiento dise\u00f1ada especialmente y autorizada; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dotada de un mecanismo activo que impide el funcionamiento de la c\u00e1mara si esta es retirada del veh\u00edculo al que est\u00e1 destinada.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A003.b.4.c no somete a control las c\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que tengan cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Si la c\u00e1mara est\u00e1 especialmente concebida para su instalaci\u00f3n como componente integrado en sistemas o equipos para uso en interiores y conectados a la red de suministro el\u00e9ctrico, estar limitada por su dise\u00f1o para un \u00fanico tipo de aplicaci\u00f3n seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Supervisi\u00f3n de procesos industriales, control de calidad o an\u00e1lisis de propiedades de los materiales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de laboratorio dise\u00f1ado especialmente para fines de investigaci\u00f3n cient\u00edfica;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipo de detecci\u00f3n de fraudes financieros;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Utilizable solo cuando est\u00e1 instalada en cualquiera de los equipos siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El o los sistemas o equipos para los que est\u00e1 destinada; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una instalaci\u00f3n de mantenimiento dise\u00f1ada especialmente y autorizada; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Est\u00e1 dotada de un mecanismo activo que impide el funcionamiento de la c\u00e1mara si esta es retirada del o de los sistemas o equipos para los cuales est\u00e1 dise\u00f1ada;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Si la c\u00e1mara est\u00e1 dise\u00f1ada especialmente para su instalaci\u00f3n en veh\u00edculos terrestres de transporte civil o en transbordadores para viajeros, con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La ubicaci\u00f3n y la configuraci\u00f3n de la c\u00e1mara dentro del veh\u00edculo o del transbordador tiene \u00fanicamente por objeto asistir al conductor o al operador en la conducci\u00f3n segura del veh\u00edculo o del transbordador;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Utilizable solo cuando est\u00e1 instalada en cualquiera de los equipos siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El veh\u00edculo terrestre de transporte civil al que est\u00e1 destinada, y el veh\u00edculo pesa menos de 4\u00a0500\u00a0kg (peso bruto del veh\u00edculo);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El transbordador para viajeros y veh\u00edculos al que est\u00e1 destinada, y que tiene una eslora total (LOA) igual o superior a\u00a065\u00a0m; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una instalaci\u00f3n para ensayos de mantenimiento dise\u00f1ada especialmente y autorizada; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Est\u00e1 dotada de un mecanismo activo que impide el funcionamiento de la c\u00e1mara si esta es retirada del veh\u00edculo al que est\u00e1 destinada;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que por su dise\u00f1o est\u00e9 limitada a poseer una \u00absensibilidad radiante\u00bb m\u00e1xima igual o inferior a\u00a010\u00a0mA\/W con longitudes de onda superiores a\u00a0760\u00a0nm, que cumpla todo lo siguiente:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Inclusi\u00f3n de un mecanismo limitador de respuesta concebido para no ser retirado ni modificado;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Inclusi\u00f3n de un mecanismo activo que impide el funcionamiento de la c\u00e1mara si se retira el mecanismo limitador de respuesta; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que no est\u00e9 dise\u00f1ada especialmente o modificada para utilizaci\u00f3n subacu\u00e1tica, o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Ausencia de presentaci\u00f3n visual electr\u00f3nica o de ‘visi\u00f3n directa’ de im\u00e1genes;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Carencia de medios que permitan obtener una imagen visualizable del campo de visi\u00f3n detectado;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Posibilidad de utilizar el \u00abconjunto de plano focal\u00bb exclusivamente cuando est\u00e1 instalado en la c\u00e1mara a la que est\u00e1 destinado; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que el \u00abconjunto de plano focal\u00bb est\u00e9 dotado de un mecanismo activo que impide su funcionamiento de modo permanente al ser retirado de la c\u00e1mara a la que est\u00e1 destinado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A003.b.4, ‘visi\u00f3n directa’ se refiere a c\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que funcionan en el espectro infrarrojo y que presentan al observador humano una imagen visible mediante una micropantalla que ha de situarse cerca del ojo dotada de cualquier tipo de mecanismo de protecci\u00f3n contra la luz.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de formaci\u00f3n de im\u00e1genes dotadas de detectores de estado s\u00f3lido especificadas en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.1.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A004<\/p>\n<\/td>\n

Equipos y componentes \u00f3pticos seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espejos \u00f3pticos (reflectores) seg\u00fan se indica:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A004.a, el umbral de da\u00f1o producido por radiaci\u00f3n l\u00e1ser (LIDT) se mide con arreglo a la norma ISO 21254-1:2011.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los espejos \u00f3pticos dise\u00f1ados especialmente para equipos de litograf\u00eda, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a03B001.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Espejos deformables’ que tengan una apertura \u00f3ptica activa superior a\u00a010\u00a0mm y que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellas,<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una frecuencia de resonancia mec\u00e1nica igual o superior a\u00a0750\u00a0Hz; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1s de 200 actuadores; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un umbral de da\u00f1o producido por radiaci\u00f3n l\u00e1ser (LIDT) que sea cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superior a\u00a01\u00a0kW\/cm2<\/span> utilizando un \u00abl\u00e1ser de ond; continua (CW)\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superior a\u00a02\u00a0J\/cm2<\/span> utilizando impulsos \u00abl\u00e1ser\u00bb de 20\u00a0ns con una tasa de repetici\u00f3n de 20\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A004.a.1:<\/span><\/p>\n

Los ‘espejos deformables’ son espejos que poseen cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

una \u00fanica superficie continua reflectora \u00f3ptica que se deforma din\u00e1micamente por la aplicaci\u00f3n de pares o fuerzas individuales para compensar las distorsiones de las ondas \u00f3pticas que incidan en el espejo; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

elementos \u00f3pticos reflectantes m\u00faltiples que pueden reposicionarse de forma individual y din\u00e1mica mediante la aplicaci\u00f3n de pares o fuerzas para compensar las distorsiones de las ondas \u00f3pticas que incidan en el espejo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los ‘espejos deformables’ tambi\u00e9n se denominan espejos de \u00f3ptica adaptativa.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espejos monol\u00edticos ligeros con una \u00abdensidad equivalente\u00bb media inferior a\u00a030\u00a0kg\/m2<\/span> y una masa total superior a\u00a010\u00a0kg;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A004.a.2 no somete a control los espejos dise\u00f1ados especialmente para dirigir la radiaci\u00f3n solar directa para instalaciones heliost\u00e1ticas terrestres.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estructuras ligeras de espejos de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) o celulares, con una \u00abdensidad equivalente\u00bb inferior a\u00a030\u00a0kg\/m2<\/span> y una masa total superior a\u00a02\u00a0kg;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A004.a.3 no somete a control los espejos dise\u00f1ados especialmente para dirigir la radiaci\u00f3n solar directa para instalaciones heliost\u00e1ticas terrestres.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espejos dise\u00f1ados especialmente para las monturas de espejos de orientaci\u00f3n del haz especificados en el subart\u00edculo\u00a06A004.d.2.a con una rugosidad de\u00a0\u03bb\/10 o mejor (\u03bb es igual a\u00a0633\u00a0nm) y que tengan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro o longitud del eje principal igual o superior a\u00a0100\u00a0mm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro o longitud del eje principal superior a\u00a050\u00a0mm pero inferior a\u00a0100\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un umbral de da\u00f1o producido por radiaci\u00f3n l\u00e1ser (LIDT) que sea cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superior a\u00a010\u00a0kW\/cm2<\/span> utilizando un \u00abl\u00e1ser de onda continua (CW)\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superior a\u00a020\u00a0J\/cm2<\/span> utilizando impulsos \u00abl\u00e1ser\u00bb de 20\u00a0ns con una tasa de repetici\u00f3n de 20\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes \u00f3pticos hechos de seleniuro de zinc (ZnSe) o sulfuro de zinc (ZnS) con transmisi\u00f3n en la gama de longitud de onda superior a 3\u00a0000\u00a0nm pero no superior a 25\u00a0000\u00a0nm y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Volumen superior a\u00a0100\u00a0cm3<\/span>; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro o longitud del eje principal superior a\u00a080\u00a0mm y espesor (profundidad) superior a\u00a020\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes \u00abcalificados para uso espacial\u00bb para sistemas \u00f3pticos, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes aligerados hasta menos del 20\u00a0% de \u00abdensidad equivalente\u00bb con respecto a una pieza maciza de la misma apertura y el mismo espesor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sustratos brutos o transformados, sustratos con revestimientos superficiales (monocapa o multicapa, met\u00e1licos o diel\u00e9ctricos, conductores, semiconductores o aislantes) o con pel\u00edculas protectoras;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Segmentos o conjuntos de espejos dise\u00f1ados para montarse espacialmente en un sistema \u00f3ptico con una apertura colectora equivalente o mayor que un solo elemento \u00f3ptico de 1 metro de di\u00e1metro;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes fabricados a partir de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites<\/span>) con un coeficiente de dilataci\u00f3n t\u00e9rmica lineal, en cualquier direcci\u00f3n coordenada, igual o inferior a\u00a05 x 10-6<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos \u00f3pticos de control seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para mantener la forma de superficie o la orientaci\u00f3n de los componentes \u00abcalificados para uso espacial\u00bb especificados en los subart\u00edculos\u00a06A004.c.1 o 6A004.c.3;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de orientaci\u00f3n, seguimiento, estabilizaci\u00f3n o alineaci\u00f3n de resonado seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Monturas de espejos de orientaci\u00f3n del haz dise\u00f1adas para espejos con un di\u00e1metro o una longitud del eje principal superior a\u00a050\u00a0mm y que tengan todas las caracter\u00edsticas siguientes, y los equipos de control electr\u00f3nico dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un desplazamiento angular m\u00e1ximo igual o superior a \u00b1\u00a026\u00a0mrad;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una frecuencia de resonancia mec\u00e1nica igual o superior a\u00a0500\u00a0Hz; y<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abexactitud\u00bb angular igual o inferior a (mejor que) 10\u00a0\u03bcrad (microrradianes);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de alineaci\u00f3n de resonador con anchos de banda iguales o superiores a\u00a0100\u00a0Hz con una \u00abexactitud\u00bb igual o inferior a (mejor que) 10\u00a0\u03bcrad;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cardanes que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00e1ngulo de giro m\u00e1ximo superior a\u00a05\u00b0;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ancho de banda igual o superior a\u00a0100\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Errores de punter\u00eda angular de 200 microrradianes o inferiores; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud del eje principal o del di\u00e1metro superior a\u00a00,15\u00a0m pero no superior a\u00a01\u00a0m y capaces de aceleraciones angulares superiores a\u00a02 rad\/s2<\/span>; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud del eje principal o del di\u00e1metro superior a\u00a01\u00a0m y capaces de aceleraciones angulares superiores a\u00a00,5 rad\/s2;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Elementos \u00f3pticos asf\u00e9ricos’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dimensi\u00f3n mayor de la apertura \u00f3ptica superior a\u00a0400\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rugosidad de la superficie menor que 1\u00a0nm (rms) para longitudes de muestra iguales o superiores a\u00a01\u00a0mm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Magnitud absoluta del coeficiente de expansi\u00f3n termal lineal menor que 3 x 10-6<\/span>\/K a\u00a025\u202f\u00b0C.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A004.e, un ‘elemento \u00f3ptico asf\u00e9rico’ es cualquier elemento utilizado en un sistema \u00f3ptico cuya superficie o superficies formadoras de imagen est\u00e1n dise\u00f1adas para diferir de la forma de una esfera ideal.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A004.e.2, no se requiere que los fabricantes midan la rugosidad de la superficie salvo que el elemento \u00f3ptico fuese dise\u00f1ado o fabricado con la intenci\u00f3n de satisfacer, o superar, los par\u00e1metros sometidos a control.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A004.e no somete a control los ‘elementos \u00f3pticos asf\u00e9ricos’ que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dimensi\u00f3n m\u00e1xima de la apertura \u00f3ptica menor a\u00a01\u00a0m y relaci\u00f3n de la distancia focal a la apertura igual o superior a\u00a04,5:1;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dimensi\u00f3n m\u00e1xima de la apertura \u00f3ptica igual o superior a\u00a01\u00a0m y relaci\u00f3n de la distancia focal a la apertura igual o superior a\u00a07:1;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ado como un elemento \u00f3ptico fresnel, tipo flyeye, estriado (stripe), prisma o difractivo;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Fabricado de cristal de silicato de boro que tenga un coeficiente de expansi\u00f3n t\u00e9rmica lineal superior a\u00a02,5 x 10-6<\/span>\/K a\u00a025\u202f\u00b0C; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Elemento \u00f3ptico de rayos X que tenga capacidad para un espejo interior (por ejemplo espejos tipo tubo).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para ‘elementos \u00f3pticos asf\u00e9ricos’ dise\u00f1ados especialmente para equipos de litograf\u00eda, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a03B001.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de medida de frente de onda din\u00e1micos que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Frecuencias de cuadro’ iguales o superiores a\u00a01\u00a0kHz; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una exactitud de frente de onda igual o inferior a (mejor que) \u03bb\/20 en la longitud de onda de dise\u00f1o.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A004.f, la ‘frecuencia de cuadro’ es una frecuencia en la cual todos los \u00abp\u00edxeles activos\u00bb del \u00abconjunto de plano focal\u00bb est\u00e1n integrados para registrar las im\u00e1genes proyectadas por la \u00f3ptica del sensor de frente de onda.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A005<\/p>\n<\/td>\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb, distintos de los especificados en los subart\u00edculos\u00a00B001.g.5 o 0B001.h.6, componentes y equipos \u00f3pticos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a06A205.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abl\u00e1seres\u00bb de impulsos incluyen los que funcionan en modo de ondas continuas con impulsos superpuestos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abl\u00e1seres\u00bb de exc\u00edmeros, semiconductores, qu\u00edmicos, de CO, de CO2<\/span> y de cristal de neodimio de \u00abimpulsos no repetitivos\u00bb solo se especifican en el subart\u00edculo\u00a06A005.d.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06A005 incluye los \u00abl\u00e1seres\u00bb de fibra.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 4:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de los \u00abl\u00e1seres\u00bb que incorporen conversi\u00f3n de frecuencia (es decir, cambio de longitud de onda) con medios distintos del de un \u00abl\u00e1ser\u00bb bombeando otro \u00abl\u00e1ser\u00bb estar\u00e1 determinado mediante la aplicaci\u00f3n de los par\u00e1metros de control tanto para la salida del \u00abl\u00e1ser\u00bb fuente como de la salida \u00f3ptica con frecuencia convertida.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 5:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06A005 no somete a control los \u00abl\u00e1seres\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

De rub\u00ed con energ\u00eda de salida inferior a\u00a020\u00a0J;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A los efectos de los subart\u00edculos 6A005.a y\u00a06A005.b, ‘monomodo transversal’ se refiere a \u00abl\u00e1seres\u00bb cuyo perfil de haz tiene un factor M2<\/span> inferior a\u00a01,3, mientras que ‘multimodo transversal’ se refiere a \u00abl\u00e1seres\u00bb cuyo perfil de haz tiene un factor M2<\/span> igual o superior a\u00a01,3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb no \u00absintonizables\u00bb de onda continua (CW) que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida de menos de 150\u00a0nm y potencia de salida superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida de 150\u00a0nm o m\u00e1s pero no superior a\u00a0510\u00a0nm y potencia de salida superior a\u00a030\u00a0W;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.a.2 no somete a control los \u00abl\u00e1seres\u00bb de arg\u00f3n con una potencia de salida igual o inferior a\u00a050\u00a0W.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0510\u00a0nm pero no superior a\u00a0540\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y potencia de salida superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal’ y potencia de salida superior a\u00a0150\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0540\u00a0nm pero no superior a\u00a0800\u00a0nm y potencia de salida superior a\u00a030\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0800\u00a0nm pero no superior a\u00a0975\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y potencia de salida superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal’ y potencia de salida superior a\u00a080\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0975\u00a0nm pero no superior a 1\u00a0150\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a 1\u00a0000\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a0500\u00a0W; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Anchura de banda espectral inferior a\u00a040\u00a0GHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRendimiento de potencia transmitida con respecto a la potencia consumida\u00bb superior al 18\u00a0% y potencia de salida superior a 1\u00a0000\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a02\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.a.6.b no somete a control los \u00abl\u00e1seres\u00bb industriales con salida ‘multimodo transversal’ con potencia de salida superior a\u00a02\u00a0kW y no superior a\u00a06\u00a0kW con una masa total superior a 1\u00a0200\u00a0kg. A efectos de la presente nota, la masa total incluye todos los elementos necesarios para que el \u00abl\u00e1ser\u00bb funcione, por ejemplo, \u00abl\u00e1ser\u00bb, fuente de alimentaci\u00f3n o intercambiador de calor, pero se excluye la \u00f3ptica externa para acondicionamiento o emisi\u00f3n de haz.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.a.6.b no somete a control los \u00abl\u00e1seres\u00bb industriales con salida ‘multimodo transversal’ que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a01\u00a0kW pero no superior a\u00a01,6\u00a0kW y que tenga un BPP superior a\u00a01,25\u00a0mm\u2022mrad;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a01,6\u00a0kW pero no superior a\u00a02,5\u00a0kW y que tenga un BPP superior a\u00a01,7\u00a0mm\u2022mrad;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a02,5\u00a0kW pero no superior a\u00a03,3\u00a0kW y que tenga un BPP superior a\u00a02,5\u00a0mm\u2022mrad;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a03,3\u00a0kW pero no superior a\u00a06\u00a0kW y que tenga un BPP superior a\u00a03,5\u00a0mm\u2022mrad;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a06\u00a0kW pero no superior a\u00a08\u00a0kW y que tenga un BPP superior a\u00a012\u00a0mm\u2022mrad; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a08\u00a0kW pero no superior a\u00a010\u00a0kW y que tenga un BPP superior a\u00a024\u00a0mm\u2022mrad.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 1\u00a0150\u00a0nm, pero no superior a 1\u00a0555\u00a0nm, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Monomodo transversal’ y potencia de salida superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Multimodo transversal’ y potencia de salida superior a\u00a080\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 1\u00a0555\u00a0nm pero no superior a 1\u00a0850\u00a0nm y potencia de salida superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 1\u00a0850\u00a0nm, pero no superior a 2\u00a0100\u00a0nm, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Monomodo transversal’ y potencia de salida superior a\u00a01\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal’ y potencia de salida superior a\u00a0120\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 2\u00a0100\u00a0nm y potencia de salida superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘L\u00e1seres de impulso’ no \u00absintonizables\u00bb que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A005.b, un ‘l\u00e1ser de impulso’ es un \u00abl\u00e1ser\u00bb con una \u00abduraci\u00f3n de impulso\u00bb inferior o igual a\u00a00.25 segundos.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida de menos de 150\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a050\u00a0mJ por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a01\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida de 150\u00a0nm o m\u00e1s, pero no superior a\u00a0510\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a01,5\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a030\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a030\u00a0W;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.b.2.b no somete a control los \u00abl\u00e1seres\u00bb de arg\u00f3n con \u00abpotencia de salida media\u00bb igual o inferior a\u00a050\u00a0W.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0510\u00a0nm pero no superior a\u00a0540\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a01,5\u00a0J por impuso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a080\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a01,5\u00a0J por impuso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a0150\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0150\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0540\u00a0nm pero no superior a\u00a0800\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb de menos de 1\u00a0ps y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a00,005\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a05\u00a0GW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a020\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb no inferior a\u00a01\u00a0ps y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a01,5\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a030\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a030\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0800\u00a0nm pero no superior a\u00a0975\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb de menos de 1\u00a0ps y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a00,005\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a05\u00a0GW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a020\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb superior o igual a\u00a01\u00a0ps, pero no superior a\u00a01\u00a0\u03bcs, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a00,5\u00a0J por impuso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a050\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a020\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb superior a\u00a01\u00a0\u03bcs y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a02\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a050\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a080\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0975\u00a0nm pero no superior a 1\u00a0150\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb de menos de 1\u00a0ps y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de pico\u00bb de salida superior a\u00a02\u00a0GW por impulso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a030\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a00,002\u00a0J por impulso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb superior o igual a\u00a01\u00a0ps pero no superior a\u00a01\u00a0ns, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de pico\u00bb de salida superior a\u00a05\u00a0GW por impulso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a00,1\u00a0J por impulso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb superior o igual a\u00a01\u00a0ns, pero no superior a\u00a01\u00a0\u03bcs, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de pico\u00bb superior a\u00a0100\u00a0MW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a020\u00a0W limitada por dise\u00f1o a una frecuencia de repetici\u00f3n de impulso m\u00e1xima menor o igual a\u00a01\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRendimiento de potencia transmitida con respecto a la potencia consumida\u00bb superior al 12\u00a0% y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0100\u00a0W y capaz de funcionar a una frecuencia de repetici\u00f3n de impulso superior a\u00a01\u00a0kHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0150\u00a0W y capaz de funcionar a una frecuencia de repetici\u00f3n de impulso superior a\u00a01\u00a0kHz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a02\u00a0J por impulso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de pico\u00bb superior a\u00a0400\u00a0MW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRendimiento de potencia transmitida con respecto a la potencia consumida\u00bb superior a\u00a018\u00a0% y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0500\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a02\u00a0kW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a04\u00a0J por impulso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb superior a\u00a01\u00a0\u03bcs y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de pico\u00bb superior a\u00a0500\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRendimiento de potencia transmitida con respecto a la potencia consumida\u00bb superior a\u00a012\u00a0% y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0100\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0150\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de pico\u00bb superior a\u00a01\u00a0MW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRendimiento de potencia transmitida con respecto a la potencia consumida\u00bb superior a\u00a018\u00a0% y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0500\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a02\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 1\u00a0150\u00a0nm, pero no superior a 1\u00a0555\u00a0nm, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb no superior a\u00a01\u00a0\u03bcs y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a00,5\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a050\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y \u00abpotencia de salida; media\u00bb superior a\u00a020\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb superior a\u00a01\u00a0\u03bcs y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a02\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a050\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘monomodo transversal’ y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida ‘multimodo transversal y \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a080\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 1\u00a0555\u00a0nm, pero no superior a 1\u00a0850\u00a0nm, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a0100\u00a0mJ por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a01\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

9.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 1\u00a0850\u00a0nm, pero no superior a 2\u00a0100\u00a0nm, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Monomodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a0100\u00a0mJ por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a01\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a01\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Multimodo transversal’ y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a0100\u00a0mJ por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a010\u00a0kW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0120\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

10.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 2\u00a0100\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a0100\u00a0mJ por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a01\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb\u00bbsintonizables\u00bb que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida inferior a\u00a0600\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a050\u00a0mJ por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a01\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.c.1 no somete a control los \u00abl\u00e1seres\u00bb de colorante u otros \u00abl\u00e1seres\u00bb de l\u00edquidos con salida multimodo y longitud de onda igual o superior a\u00a0150\u00a0nm pero no superior a\u00a0600\u00a0nm y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida inferior a\u00a01,5\u00a0J por impulso o \u00abpotencia de pico\u00bb inferior a\u00a020\u00a0W; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida, media o en onda continua, inferior a\u00a020\u00a0W.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida igual o superior a\u00a0600\u00a0nm, pero no superior a 1\u00a0400\u00a0nm, y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a01\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a020\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a020\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a 1\u00a0400\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a050\u00a0mJ por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a01\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Otros \u00abl\u00e1seres\u00bb, no especificados en los subart\u00edculos 6A005.a, 6A005.b o 6A005.c, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de semiconductores, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.d.1 incluye los \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores que tienen conectores \u00f3pticos de salida (por ejemplo, latiguillos de fibra \u00f3ptica).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El r\u00e9gimen de control de los \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores dise\u00f1ados especialmente para otros equipos est\u00e1 determinado por el r\u00e9gimen de control de los otros equipos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A005.d.1:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores se denominan com\u00fanmente diodos \u00abl\u00e1ser\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Las ‘barras’ (denominadas tambi\u00e9n ‘barras’ \u00abl\u00e1ser\u00bb, ‘barras’ de diodos \u00abl\u00e1ser\u00bb o ‘barras’ de diodos) consisten en \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores m\u00faltiples en un conjunto monodimensional.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘conjunto apilado’ consiste en m\u00faltiples ‘barras’ que forman un conjunto bidimensional de \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de semiconductores monomodo transversal individuales que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda igual o inferior a 1\u00a0570\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a02,0\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda superior a 1\u00a0570\u00a0nm y una potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a0500\u00a0mW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de semiconductores multimodo transversal individuales que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda inferior a\u00a0780\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a025\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda igual o superior a\u00a0780\u00a0nm e inferior a 1\u00a0100\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a030\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda igual o superior a 1\u00a0100\u00a0nm e inferior a 1\u00a0400\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a025\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda igual o superior a 1\u00a0400\u00a0nm e inferior a 1\u00a0900\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a02,5\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda igual o superior a 1\u00a0900\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Barras’ \u00abl\u00e1ser\u00bb de semiconductores individuales que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda inferior a 1\u00a0400\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a0100\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda igual o superior a 1\u00a0400\u00a0nm e inferior a 1\u00a0900\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a025\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda igual o superior a 1\u00a0900\u00a0nm y potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a010\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Conjuntos apilados’ de \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores (conjuntos bidimensionales) que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda inferior a 1\u00a0400\u00a0nm y con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, inferior a\u00a03\u00a0kW, y con una ‘densidad de potencia’ de salida, media o en onda continua, superior a\u00a0500\u00a0W\/cm2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, igual o superior a\u00a03\u00a0kW, pero inferior o igual a\u00a05\u00a0kW, y ‘densidad de potencia’ de salida, media o en onda continua, superior a\u00a0350\u00a0W\/cm2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, superior a\u00a05\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Densidad de potencia’ impulsada de pico superior ; 2\u00a0500\u00a0W\/cm2<\/span>; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.d.1.d no somete a control los dispositivos monol\u00edticos de fabricaci\u00f3n epitaxial.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, espacialmente coherente, superior a\u00a0150\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda superior o igual a 1\u00a0400\u00a0nm pero inferior a 1\u00a0900\u00a0nm, y con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, inferior a\u00a0250\u00a0W y ‘densidad de potencia’ de salida, media o en onda continua, superior a\u00a0150\u00a0W\/cm2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, igual o superior a\u00a0250\u00a0W, pero inferior o igual a\u00a0500\u00a0W, y ‘densidad de potencia’ de salida, media o en onda continua, superior a\u00a050\u00a0W\/cm2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, superior a\u00a0500\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Densidad de potencia’ impulsada de pico superior a\u00a0500\u00a0W\/cm2<\/span>; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.d.2.d no somete a control los dispositivos monol\u00edticos de fabricaci\u00f3n epitaxial.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, espacialmente coherente, superior a\u00a015;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda superior o igual a 1\u00a0900\u00a0nm y con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Densidad de potencia’ de salida, media o en onda continua, superior a\u00a050\u00a0W\/cm2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a010\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia total de salida, media o en onda continua, espacialmente coherente, superior a\u00a01,5\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Al menos una ‘barra’ de \u00abl\u00e1ser\u00bb especificada en el subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.c;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.d, la ‘densidad de potencia’ es la potencia total de salida \u00abl\u00e1ser\u00bb dividida por la superficie del emisor del ‘conjunto apilado’.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Conjuntos apilados’ de \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.d, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especialmente dise\u00f1ados o modificados para combinarse con otros ‘conjuntos apilados’ a fin de formar un ‘conjunto apilado’ mayor; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Conexiones integradas comunes para la electr\u00f3nica y la refrigeraci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘conjuntos apilados’, constituidos por la combinaci\u00f3n de ‘conjuntos apilados’ de \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores especificados en el subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.e que no est\u00e1n dise\u00f1ados para volver a ser combinados o modificados, se especifican en el subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.d.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘conjuntos apilados’, constituidos por la combinaci\u00f3n de ‘conjuntos apilados’ de \u00abl\u00e1seres\u00bb de semiconductores especificados en el subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.e que est\u00e1n dise\u00f1ados para volver a ser combinados o modificados, se especifican en el subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.e.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A005.d.1.e no somete a control los ensamblajes modulares de ‘barras’ individuales dise\u00f1ados para ser montados en conjuntos lineares apilados de extremo a extremo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de mon\u00f3xido de carbono (CO) que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a02\u00a0J por impulso y \u00abpotencia de pico\u00bb superior a\u00a05\u00a0kW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida, media o en onda continua, superior a\u00a05\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de di\u00f3xido de carbono (CO2) que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida en onda continua superior a\u00a015\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida en impulsos con una \u00abduraci\u00f3n de impulso\u00bb superior a\u00a010\u00a0\u03bcs y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a010\u00a0kW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de pico\u00bb superior a\u00a0100\u00a0kW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida en impulsos con una \u00abduraci\u00f3n de impulso\u00bb igual o inferior a\u00a010\u00a0\u03bcs y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de impulsos superior a\u00a05\u00a0J por impulso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a02,5\u00a0kW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb exc\u00edmeros que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida no superior a\u00a0150\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a050\u00a0mJ por impulso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0150\u00a0nm pero no superior a\u00a0190\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a01,5\u00a0J por impulso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0120\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0190\u00a0nm pero no superior a\u00a0360\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a010\u00a0J por impulso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a0500\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda de salida superior a\u00a0360\u00a0nm y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Energ\u00eda de salida superior a\u00a01,5\u00a0J por impulso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a030\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

En relaci\u00f3n con los \u00abl\u00e1seres\u00bb exc\u00edmeros dise\u00f1ados especialmente para equipos de litograf\u00eda, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a03B001.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘L\u00e1seres qu\u00edmicos’, seg\u00fan se indica:<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A005.d.5, \u00abl\u00e1ser qu\u00edmico\u00bb es un \u00abl\u00e1ser\u00bb en el cual la energ\u00eda emanada de una reacci\u00f3n qu\u00edmica provoca la excitaci\u00f3n de las mol\u00e9culas.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de fluoruro de hidr\u00f3geno (HF);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de fluoruro de deuterio (DF);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘L\u00e1seres de transferencia’, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de ox\u00edgeno iodino (O2-I);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de fluoruro de deuterio-di\u00f3xido de carbono (DF-CO2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A005.d.5.c, los ‘l\u00e1seres de transferencia’ son \u00abl\u00e1seres\u00bb excitados por una transferencia de energ\u00eda obtenida por la colisi\u00f3n de un \u00e1tomo o una mol\u00e9cula que no produce efecto l\u00e1ser con un \u00e1tomo o una mol\u00e9cula que produce efecto l\u00e1ser.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de vidrio de neodimio de \u00abimpulsos no repetitivos\u00bb que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb no superior a\u00a01\u00a0\u03bcs y energ\u00eda de salida superior a\u00a050\u00a0J por impulso; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abDuraci\u00f3n de impulso\u00bb superior a\u00a01\u00a0\u03bcs y energ\u00eda de salida superior a\u00a0100\u00a0J por impulso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espejos refrigerados mediante ‘refrigeraci\u00f3n activa’ o mediante refrigeraci\u00f3n por tubos de calor;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A005.e.1, la ‘refrigeraci\u00f3n activa’ es un m\u00e9todo de refrigeraci\u00f3n para componentes \u00f3pticos consistente en hacer circular l\u00edquidos bajo la superficie de los componentes \u00f3pticos (nominalmente a menos de 1\u00a0mm por debajo de la superficie \u00f3ptica) con el fin de eliminar el calor del \u00f3ptico.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Espejos \u00f3pticos o componentes \u00f3pticos o electro\u00f3pticos con transmisi\u00f3n \u00f3ptica total o parcial, distintos de los combinadores de fibras c\u00f3nicos fundidos y las redes diel\u00e9ctricas multicapas (MLD), dise\u00f1ados especialmente para ser utilizados con los \u00abl\u00e1seres\u00bb especificados;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los combinadores de fibras y los MLD se especifican en el subart\u00edculo\u00a06A005.e.3.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes de \u00abl\u00e1seres\u00bb de fibra seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Combinadores de fibras c\u00f3nicos fundidos multimodo-multimodo que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una p\u00e9rdida por inserci\u00f3n mejor que (inferior a) o igual a\u00a00,3\u00a0dB, mantenida a una potencia de salida nominal total, media o en onda continua (excluida la potencia de salida transmitida a trav\u00e9s del n\u00facleo monomodo, si existe), superior a 1\u00a0000\u00a0W; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un n\u00famero de fibras de entrada igual o superior a\u00a03;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Combinadores de fibras c\u00f3nicos fundidos monomodo-multimodo que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una p\u00e9rdida por inserci\u00f3n mejor que (inferior a) 0,5\u00a0dB mantenida a una potencia de salida nominal total, media o en onda continua, que supere 4\u00a0600\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un n\u00famero de fibras de entrada igual o superior a\u00a03; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un producto de los par\u00e1metros del haz (BPP) medido a la salida que no supere los 1,5\u00a0mm mrad para una serie de fibras de entrada inferior o igual a\u00a05; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un BPP medido a la salida que no supere los 2,5\u00a0mm mrad para una serie de fibras de entrada superior a\u00a05;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

MLD que posean todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para una combinaci\u00f3n espectral o coherente de los haces de 5 o m\u00e1s \u00abl\u00e1seres\u00bb de fibra; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un umbral de da\u00f1o producido por radiaci\u00f3n \u00abl\u00e1ser\u00bb (LIDT) de onda continua superior o igual a\u00a010\u00a0kW\/cm2<\/span>.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos \u00f3pticos seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los elementos \u00f3pticos de apertura compartida utilizables en aplicaciones de \u00abl\u00e1seres de potencia ultra alta\u00bb (\u00abSHPL\u00bb), v\u00e9ase la Relaci\u00f3n de Material de Defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de diagn\u00f3stico \u00abl\u00e1ser\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la medici\u00f3n din\u00e1mica de errores de orientaci\u00f3n angular del haz de un sistema de \u00abSHPL\u00bb y que tengan una \u00abexactitud\u00bb angular de 10 microrradianes o inferior (mejor);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes \u00f3pticos dise\u00f1ados especialmente para una combinaci\u00f3n coherente de los haces en un sistema de conjunto enfasado de \u00abSHPL\u00bb y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abexactitud\u00bb igual o inferior a (mejor que) 0,1\u00a0\u03bcm, para longitudes de onda superiores a\u00a01\u00a0\u03bcm; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una \u00abexactitud\u00bb igual o inferior a (mejor que) \u03bb\/10 en la longitud de onda de dise\u00f1o para longitudes de onda iguales o inferiores a\u00a01\u00a0\u03bcm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Telescopios de proyecci\u00f3n dise\u00f1ados especialmente para utilizarse con sistemas de \u00abl\u00e1seres de potencia ultra alta\u00bb (SHPL);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Equipos l\u00e1ser de detecci\u00f3n ac\u00fastica’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida de \u00abl\u00e1ser\u00bb en onda continua igual o superior a\u00a020\u00a0mW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estabilidad de frecuencia \u00abl\u00e1ser\u00bb igual o inferior a (mejor que) 10\u00a0MHz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitudes de ondas \u00abl\u00e1ser\u00bb iguales o superiores a 1\u00a0000\u00a0nm pero no superiores a 2\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n del sistema \u00f3ptico inferior a (mejor que) 1\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Coeficiente de se\u00f1al \u00f3ptica a ruido igual o superior a\u00a0103.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A005.g, el ‘equipo l\u00e1ser de detecci\u00f3n ac\u00fastica’ se denomina a veces micr\u00f3fono \u00abl\u00e1ser\u00bb o micr\u00f3fono de detecci\u00f3n de flujo de part\u00edculas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A006<\/p>\n<\/td>\n

\u00abMagnet\u00f3metros\u00bb, \u00abgradi\u00f3metros magn\u00e9ticos\u00bb, \u00abgradi\u00f3metros magn\u00e9ticos intr\u00ednsecos\u00bb, sensores de campos el\u00e9ctricos subacu\u00e1ticos, \u00absistemas de compensaci\u00f3n\u00bb, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL SUBART\u00cdCULO\u00a07A103.d.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06A006 no somete a control los instrumentos dise\u00f1ados especialmente para aplicaciones de pesca, ni para efectuar mediciones biomagn\u00e9ticas para diagn\u00f3sticos m\u00e9dicos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMagnet\u00f3metros\u00bb y subsistemas seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMagnet\u00f3metros\u00bb que utilicen \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de \u00absuperconductores\u00bb (SQUID) y posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas SQUID dise\u00f1ados para funcionamiento estacionario, sin subsistemas concebidos especialmente para reducir el ruido en movimiento, y que tengan una ‘sensibilidad’ igual o inferior a (mejor que) 50 fT (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz a una frecuencia de 1\u00a0Hz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas SQUID en los que el magnet\u00f3metro tenga una ‘sensibilidad’ en movimiento inferior a (mejor que) 20\u00a0pT (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz a una frecuencia de 1\u00a0Hz y dise\u00f1ados especialmente para reducir el ruido en movimiento;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMagnet\u00f3metros\u00bb que utilicen \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de bombeo \u00f3ptico o de precesi\u00f3n nuclear\u00a0(prot\u00f3n\/Overhauser), con una ‘sensibilidad’ inferior a (mejor que) 20\u00a0pT (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz a una frecuencia de 1\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMagnet\u00f3metros\u00bb que utilicen \u00abtecnolog\u00eda\u00bb triaxial del tipo de saturaci\u00f3n (fluxgate) con una ‘sensibilidad’ igual o inferior a (mejor que) 10 pT (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz a una frecuencia de 1\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMagnet\u00f3metros\u00bb de bobina de inducci\u00f3n con una ‘sensibilidad’ inferior a (mejor que) cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,05 nT (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz a frecuencias inferiores a\u00a01\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

1 \u00d7 10-3 nT (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz a frecuencias iguales o superiores a\u00a01\u00a0Hz, pero no superiores a\u00a010\u00a0Hz; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

1 \u00d7 10-4 nT (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz a frecuencias superiores a\u00a010\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMagnet\u00f3metros\u00bb de fibra \u00f3ptica con una ‘sensibilidad’ inferior a (mejor que) 1\u00a0nT (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sensores de campos el\u00e9ctricos subacu\u00e1ticos, con una ‘sensibilidad’ inferior a (mejor que) 8 nanovoltios por ra\u00edz cuadrada de Hz medidos a\u00a01\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abGradi\u00f3metros magn\u00e9ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abGradi\u00f3metros magn\u00e9ticos\u00bb que utilicen \u00abmagnet\u00f3metros\u00bb m\u00faltiples especificados en el subart\u00edculo\u00a06A006.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abGradi\u00f3metros magn\u00e9ticos intr\u00ednsecos\u00bb de fibra \u00f3ptica con una ‘sensibilidad’ de gradiente de campo magn\u00e9tico inferior a (mejor que) 0,3 nT\/m (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abGradi\u00f3metros magn\u00e9ticos intr\u00ednsecos\u00bb que utilicen \u00abtecnolog\u00eda\u00bb distinta de la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de fibra \u00f3ptica y posean una ‘sensibilidad’ de gradiente de campo magn\u00e9tico inferior a (mejor que) 0,015\u00a0nT\/m (rms) por ra\u00edz cuadrada de Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSistemas de compensaci\u00f3n\u00bb para sensores magn\u00e9ticos o de campos el\u00e9ctricos subacu\u00e1ticos que tengan un rendimiento igual o mejor que los par\u00e1metros especificados en los subart\u00edculos\u00a06A006.a, 6A006.b o 6A006.c;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Receptores electromagn\u00e9ticos subacu\u00e1ticos que incorporen sensores de campo magn\u00e9tico especificados en el subart\u00edculo\u00a06A006.a o sensores de campos el\u00e9ctricos subacu\u00e1ticos especificados en el subart\u00edculo\u00a06A006.b.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a06A006, ‘sensibilidad’ (nivel de ruido) es la ra\u00edz cuadr\u00e1tica media del nivel m\u00ednimo de ruido limitado por el dispositivo, que es la se\u00f1al m\u00e1s peque\u00f1a que puede medirse.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A007<\/p>\n<\/td>\n

Grav\u00edmetros y gradi\u00f3metros de gravedad seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a06A107.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grav\u00edmetros dise\u00f1ados o modificados para uso terrestre y con una \u00abexactitud\u00bb est\u00e1tica inferior a (mejor que) 10 \u03bcGal;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A007.a no somete a control los grav\u00edmetros terrestres del tipo de elemento de cuarzo (Worden).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grav\u00edmetros dise\u00f1ados para plataformas m\u00f3viles y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abExactitud\u00bb est\u00e1tica inferior a (mejor que) 0,7 mGal; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abExactitud\u00bb en servicio (operativa) inferior a (mejor que) 0,7 mGal con un \u00abtiempo hasta el estado estable\u00bb inferior a\u00a02 minutos bajo cualquier combinaci\u00f3n de compensaciones e influencias din\u00e1micas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Gradi\u00f3metros de gravedad.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A008<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de radar, equipos y conjuntos de radar que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a06A108.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06A008 no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los radares secundarios de vigilancia (SSR);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los radares para veh\u00edculos civiles;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Las pantallas o monitores utilizados para el control del tr\u00e1fico a\u00e9reo (ATC);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los radares meteorol\u00f3gicos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos radar de aproximaci\u00f3n de precisi\u00f3n (PAR) seg\u00fan normas de la Organizaci\u00f3n de Aviaci\u00f3n Civil Internacional (OACI), que utilizan conjuntos lineares (unidimensionales) orientables electr\u00f3nicamente o antenas pasivas ubicadas mec\u00e1nicamente.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen a una frecuencia comprendida entre 40\u00a0GHz y\u00a0230\u00a0GHz y posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia de salida media superior a\u00a0100\u00a0mW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abExactitud\u00bb de localizaci\u00f3n de 1 metro o menos (mejor) en su alcance y de 0,2 grados o menos (mejor) en azimut;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de banda \u00absintonizable\u00bb superior a \u00b1\u00a06,25\u00a0% de la ‘frecuencia de funcionamiento central’;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A008.b, la ‘frecuencia de funcionamiento central’ es la semisuma de la frecuencia de funcionamiento especificada m\u00e1s alta y la frecuencia de funcionamiento especificada m\u00e1s baja.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de funcionar simult\u00e1neamente con m\u00e1s de dos frecuencias portadoras;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de funcionar en modo radar de apertura sint\u00e9tica (SAR), de apertura sint\u00e9tica inversa (ISAR) o de aerotransportado de haz oblicuo (SLAR);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dotados de antena (array<\/span>), escaneada electr\u00f3nicamente;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A008.e, las antenas (array) escaneadas electr\u00f3nicamente tambi\u00e9n se denominan antenas (array) orientables electr\u00f3nicamente.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de determinar la altitud de blancos no cooperantes;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para el funcionamiento aerotransportado (montados en globos o en fuselajes de aeronaves) y con capacidad de \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb Doppler para la detecci\u00f3n de blancos m\u00f3viles;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dotados de un sistema de proceso de se\u00f1ales de radar y que utilice:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e9cnicas de \u00abradar, espectro ensanchado\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00e9cnicas de ‘radar, agilidad de frecuencia’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A008.h, \u00abradar, agilidad de frecuencia\u00bb se aplica a cualquier t\u00e9cnica por medio de la cual la frecuencia portadora de un emisor radar pulsante se modifica siguiendo una secuencia pseudoaleatoria, entre impulsos o grupos de impulsos, en una cantidad igual o mayor que la anchura de banda del impulso.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que proporcionen el funcionamiento con base terrena con una ‘distancia medida con instrumentos’ m\u00e1xima superior a\u00a0185\u00a0km;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A008.i no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los radares de vigilancia de zonas pesqueras;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los equipos de radar con base en tierra dise\u00f1ados especialmente para control de las rutas de tr\u00e1fico a\u00e9reo y que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Distancia medida con instrumentos’ m\u00e1xima de 500\u00a0km o inferior;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Configurados de forma que los datos del blanco del radar puedan ser transmitidos solo en un sentido, desde la localizaci\u00f3n del radar a uno o m\u00e1s centros Civiles de Control de Tr\u00e1fico A\u00e9reo (ATC);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

No provistos del control remoto de la velocidad de barrido del radar desde el centro de Control de Tr\u00e1fico A\u00e9reo (ATC) de rutas; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que sean para instalaci\u00f3n permanente;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los radares de seguimiento de los globos meteorol\u00f3gicos.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A008.i, \u00abdistancia medida con instrumentos\u00bb: significa la medida por un radar, una vez resuelta la ambig\u00fcedad.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos \u00abl\u00e1ser\u00bb o LIDAR (Light Detection and Ranging) y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCalificados para uso espacial\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen t\u00e9cnicas de detecci\u00f3n heterodinas u homodinas coherentes y tengan un poder de resoluci\u00f3n angular inferior a (mejor que) 20 microrradianes; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para realizar desde el aire levantamientos batim\u00e9tricos del litoral de est\u00e1ndar equivalente o superior al del Orden 1a de las Normas de la Organizaci\u00f3n Hidrogr\u00e1fica Internacional (OHI) para los levantamientos hidrogr\u00e1ficos (5.a<\/span> edici\u00f3n, febrero de 2008), y que utilicen uno o varios \u00abl\u00e1seres\u00bb de longitud de onda superior a\u00a0400\u00a0nm pero no superior a\u00a0600\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los equipos LIDAR dise\u00f1ados especialmente para realizar levantamientos solo se especifican en el subart\u00edculo\u00a06A008.j.3.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A008.j no somete a control los equipos LIDAR dise\u00f1ados especialmente para la observaci\u00f3n meteorol\u00f3gica.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 3:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los par\u00e1metros del est\u00e1ndar del Orden 1a de la OHI (5.a<\/span> edici\u00f3n, febrero de 2008) pueden resumirse como sigue:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Exactitud horizontal (nivel de confianza de 95\u00a0%) = 5\u00a0m +\u00a05\u00a0% de profundidad<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Exactitud de la profundidad para profundidades reducidas (nivel de confianza de 95 %) = \u00b1\u221a(a2<\/span>+(b x d)2<\/span>), donde:<\/span><\/p>\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a = 0,5\u00a0m = error de profundidad constante<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

(es decir, suma de todos los errores de profundidad constantes)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b = 0,013 = factor del error dependiente de la profundidad<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b x d = error dependiente de la profundidad,<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

(es decir, suma de todos los errores dependientes de la profundidad) d = profundidad<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detecci\u00f3n de formas = formas c\u00fabicas\u00a0>\u00a02\u00a0m en profundidades de hasta 40\u00a0m; 10\u00a0% en profundidades superiores a\u00a040\u00a0m.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

k.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dotados de subsistemas de \u00abproceso de se\u00f1ales\u00bb que utilicen la \u00abcompresi\u00f3n de impulsos\u00bb y que tengan:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una relaci\u00f3n de \u00abcompresi\u00f3n de impulsos\u00bb superior a\u00a0150; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una anchura de impulso comprimida inferior a\u00a0200\u00a0ns; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A008.k.2 no somete a control los ‘radares marinos’ bidimensionales o radares de ‘Servicio de Tr\u00e1fico de Buques’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una relaci\u00f3n de \u00abcompresi\u00f3n de impulsos\u00bb no superior a\u00a0150;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Una anchura de impulso comprimida superior a\u00a030\u00a0ns;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Antena escaneadas mec\u00e1nicamente \u00fanica y rotatoria;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida de pico no superior a\u00a0250\u00a0W; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Que no puedan \u00absaltar de frecuencia\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

l.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que tengan subsistemas de proceso de datos y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Seguimiento autom\u00e1tico del blanco’ que indique, en cualquier rotaci\u00f3n de la antena, la posici\u00f3n prevista del blanco m\u00e1s all\u00e1 del momento del paso siguiente del haz de antena; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A008.l.1 no somete a control la capacidad de alarma para conflicto, en sistemas de Control del Tr\u00e1fico A\u00e9reo (ATC), o ‘radares marinos’.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A008.l.1, el ‘seguimiento autom\u00e1tico del blanco’ es la t\u00e9cnica de procesado que determina y proporciona autom\u00e1ticamente, como resultado, un valor extrapolado de la posici\u00f3n m\u00e1s probable del blanco, en tiempo real.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Configurados para proporcionar superposici\u00f3n y correlaci\u00f3n, o fusi\u00f3n de datos del blanco en un plazo de seis segundos a partir de dos o m\u00e1s sensores radar ‘geogr\u00e1ficamente dispersos’, con el fin de mejorar el rendimiento agregado por encima del de un sensor individual especificado en los subart\u00edculos 6A008.f o 6A008.i.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A008.l.4, los sensores se consideran ‘geogr\u00e1ficamente dispersos’ cuando cada emplazamiento dista m\u00e1s de 1\u00a0500\u00a0m de cualquier otro, en cualquier direcci\u00f3n. Los sensores m\u00f3viles se consideran siempre ‘geogr\u00e1ficamente dispersos’.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase asimismo la relaci\u00f3n de material de defensa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A008.l.4 no somete a control los sistemas, equipos y conjuntos dise\u00f1ados para el ‘servicio de tr\u00e1fico de buques’.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06A008:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Radar marino’ es un radar dise\u00f1ado para navegar con seguridad en el mar, las v\u00edas navegables interiores o entornos cercanos a la costa.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

‘Servicio de tr\u00e1fico de buques’ es un servicio de vigilancia y control del tr\u00e1fico de buques similar al control del tr\u00e1fico a\u00e9reo para las \u00abaeronaves\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A102<\/p>\n<\/td>\n

‘Detectores’ endurecidos contra la radiaci\u00f3n, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a06A002, especialmente dise\u00f1ados o modificados para la protecci\u00f3n contra efectos nucleares [por ejemplo, impulso electromagn\u00e9tico (EMP), rayos X y efectos t\u00e9rmicos y explosivos combinados], y utilizables para \u00abmisiles\u00bb, dise\u00f1ados o previstos para resistir niveles de radiaci\u00f3n iguales o superiores a una dosis de radiaci\u00f3n total de 5\u00a0x\u00a0105<\/span> rads (silicio).<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a06A102, un ‘detector’ se define como un dispositivo mec\u00e1nico, el\u00e9ctrico, \u00f3ptico o qu\u00edmico que autom\u00e1ticamente identifica y registra o almacena un est\u00edmulo, tal como un cambio ambiental de presi\u00f3n o temperatura, una se\u00f1al el\u00e9ctrica o electromagn\u00e9tica o la radiaci\u00f3n de un material radiactivo. Esto incluye los dispositivos que detectan mediante una sola reacci\u00f3n de funcionamiento o de fallo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A107<\/p>\n<\/td>\n

Grav\u00edmetros y componentes para grav\u00edmetros y gradi\u00f3metros de gravedad, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Grav\u00edmetros, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a06A007.b, dise\u00f1ados o modificados para uso marino o aeron\u00e1utico que tengan una exactitud est\u00e1tica u operativa igual o inferior a (mejor que) 0,7\u00a0miligales y con un tiempo hasta el estado estable igual o inferior a dos minutos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente para los grav\u00edmetros especificados en los subart\u00edculos\u00a06A007.b o 6A107.a y para los gradi\u00f3metros de gravedad especificados en el subart\u00edculo\u00a06A007.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A108<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de radar, sistemas de seguimiento y radomos distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a06A008, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de radar y de radar l\u00e1ser dise\u00f1ados o modificados para su uso en las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A108.a incluye:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de cartograf\u00eda para el contorno del terreno;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de levantamiento cartogr\u00e1fico y de correlaci\u00f3n (tanto digitales como anal\u00f3gicos);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de radar de navegaci\u00f3n por efecto Doppler;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos pasivos de interferometr\u00eda;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de sensores de im\u00e1genes (activos y pasivos).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de seguimiento de precisi\u00f3n, que puedan emplearse para ‘misiles’, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de seguimiento que utilicen un traductor de c\u00f3digo conjuntamente con referencias terrestres o aerotransportadas, o sistemas de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite, con el fin de facilitar mediciones en tiempo real de la posici\u00f3n y velocidad en vuelo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radares de medici\u00f3n de distancia, incluidos los equipos asociados de seguimiento \u00f3pticos\/infrarrojos, con todas las capacidades siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n angular mejor que 1,5 milirradianes;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Alcance de 30\u00a0km o superior con una resoluci\u00f3n de alcance mejor que 10\u00a0m rms; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Resoluci\u00f3n de velocidad mejor que 3\u00a0m\/s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a06A108.b, los ‘misiles’ se refieren a los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Radomos dise\u00f1ados para soportar un choque t\u00e9rmico combinado superior a\u00a04,184 x 106<\/span> J\/m2<\/span> acompa\u00f1ado por una sobrepresi\u00f3n de pico superior a\u00a050\u00a0kPa, y utilizables en la protecci\u00f3n de \u00abmisiles\u00bb contra efectos nucleares [por ejemplo, impulso electromagn\u00e9tico (EMP), rayos X y efectos t\u00e9rmicos y explosivos combinados].<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A202<\/p>\n<\/td>\n

Tubos fotomultiplicadores que tengan las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00e1rea de fotoc\u00e1todo superior a\u00a020\u00a0cm2<\/span>; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un tiempo de subida del impulso aplicado al \u00e1nodo inferior a\u00a01\u00a0ns.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A203<\/p>\n<\/td>\n

C\u00e1maras y componentes, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a06A003, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a01:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para aumentar o liberar el potencial de rendimiento de una c\u00e1mara o un dispositivo de formaci\u00f3n de im\u00e1genes a fin de cumplir las caracter\u00edsticas de los subart\u00edculos 6A203.a, 6A203.b o 6A203.c est\u00e1n especificados en el art\u00edculo\u00a06D203.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.\u00a02:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb en forma de c\u00f3digos o claves para aumentar o liberar el potencial de rendimiento de una c\u00e1mara o un dispositivo de formaci\u00f3n de im\u00e1genes a fin de cumplir las caracter\u00edsticas de los subart\u00edculos 6A203.a, 6A203.b o 6A203.c est\u00e1 especificada en el art\u00edculo\u00a06E203.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos 6A203.a a\u00a06A203.c no someten a control las c\u00e1maras o dispositivos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes que tengan restricciones de equipos inform\u00e1ticos, de \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb o de \u00abtecnolog\u00eda\u00bb que limiten el rendimiento a menos de lo especificado m\u00e1s abajo, siempre que cumplan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Deben devolverse a su fabricante original para que haga las mejoras o las libere de las restricciones;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Requieren los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a06D203 para mejorar o liberar el potencial de rendimiento a fin de cumplir las caracter\u00edsticas del art\u00edculo\u00a06A203; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Requieren la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb en forma de c\u00f3digos o claves especificada en el art\u00edculo\u00a06E203 para mejorar el rendimiento, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las caracter\u00edsticas del art\u00edculo\u00a06A203.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de imagen unidimensional y componentes dise\u00f1ados especialmente para estas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de imagen unidimensional con velocidades de registro superiores a\u00a00,5\u00a0mm\/\u03bcs;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras electr\u00f3nicas de imagen unidimensional capaces de resoluci\u00f3n temporal de 50\u00a0ns o menos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos de imagen unidimensional para las c\u00e1maras especificadas en el subart\u00edculo\u00a06A203.a.2;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades enchufables dise\u00f1adas especialmente para uso con c\u00e1maras de imagen unidimensional que tengan estructuras modulares y que permitan las especificaciones de rendimiento indicadas en los subart\u00edculos 6A203.a.1 o 6A203.a.2;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades electr\u00f3nicas de sincronizaci\u00f3n y conjuntos de rotor compuestos de turbinas, espejos y soportes dise\u00f1ados especialmente para las c\u00e1maras especificadas en el subart\u00edculo\u00a06A203.a.1;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras multiimagen y componentes dise\u00f1ados especialmente para las mismas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras multiimagen con lecturas superiores a 225\u00a0000 im\u00e1genes por segundo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras multiimagen capaces de un tiempo de exposici\u00f3n por cuadro de 50\u00a0ns o menos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tubos multiimagen y dispositivos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes de estado s\u00f3lido que tengan un tiempo de conmutaci\u00f3n para imagen r\u00e1pida (obturaci\u00f3n) de 50\u00a0ns o menos, dise\u00f1ados especialmente para las c\u00e1maras especificadas en los subart\u00edculos\u00a06A203.b.1 o 6A203.b.2;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades enchufables dise\u00f1adas especialmente para uso con c\u00e1maras multiimagen que tengan estructuras modulares y que permitan las especificaciones de rendimiento indicadas en los subart\u00edculos 6A203.b.1 o 6A203.b.2;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades electr\u00f3nicas de sincronizaci\u00f3n y conjuntos de rotor compuestos de turbinas, espejos y soportes dise\u00f1ados especialmente para las c\u00e1maras especificadas en los subart\u00edculos 6A203.b.1 o 6A203.b.2;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a06A203.b, las c\u00e1maras de marco \u00fanico de alta velocidad pueden utilizarse solas para producir una imagen \u00fanica de un acontecimiento din\u00e1mico, o varias de estas c\u00e1maras pueden combinarse en un sistema de obturaci\u00f3n secuencial para obtener im\u00e1genes m\u00faltiples de un acontecimiento.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de tubos de electrones o de estado s\u00f3lido y componentes dise\u00f1ados especialmente para las mismas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de estado s\u00f3lido o c\u00e1maras de tubos de electrones con un tiempo de conmutaci\u00f3n para imagen r\u00e1pida (obturaci\u00f3n) igual o inferior a\u00a050\u00a0ns;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes de estado s\u00f3lido y tubos intensificadores de imagen que tengan un tiempo de conmutaci\u00f3n para imagen r\u00e1pida (obturaci\u00f3n) igual o inferior a\u00a050\u00a0ns, dise\u00f1ados especialmente para las c\u00e1maras especificadas en el subart\u00edculo\u00a06A203.c.1;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos obturadores electro\u00f3pticos (c\u00e9lulas de Kerr o de Pockels) con un tiempo de conmutaci\u00f3n para imagen r\u00e1pida (obturaci\u00f3n) igual o inferior a\u00a050\u00a0ns;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades enchufables dise\u00f1adas especialmente para uso con c\u00e1maras que tengan estructuras modulares y que permitan las especificaciones de rendimiento indicadas en el subart\u00edculo\u00a06A203.c.1.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de televisi\u00f3n endurecidas a las radiaciones, dise\u00f1adas especialmente o tasadas para resistir una dosis total de radiaci\u00f3n de m\u00e1s de 50 x 103<\/span> Gy (silicio) (5 x 106<\/span> rad (silicio)) sin degradaci\u00f3n de su funcionamiento, y las lentes dise\u00f1adas especialmente para ellas.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

El t\u00e9rmino Gy (silicio) se refiere a la energ\u00eda en julios por kilo absorbida por una muestra de silicio sin protecci\u00f3n expuesta a radiaciones ionizantes.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A205<\/p>\n<\/td>\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb, amplificadores de \u00abl\u00e1seres\u00bb y osciladores distintos de los especificados en los subart\u00edculos\u00a00B001.g.5, 0B001.h.6 y en el art\u00edculo\u00a06A005, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los l\u00e1seres de vapor de cobre, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a06A005.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de iones de arg\u00f3n que presenten las dos caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen a longitudes de onda entre 400\u00a0nm y\u00a0515\u00a0nm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a040\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Osciladores pulsatorios monomodo de l\u00e1ser de colorantes, sintonizables, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen a longitudes de onda entre 300\u00a0nm y\u00a0800\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a01\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasa de repetici\u00f3n superior a\u00a01\u00a0kHz; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de impulso inferior a\u00a0100\u00a0ns;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Osciladores y amplificadores de impulsos, de l\u00e1ser de colorantes, sintonizables, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen a longitudes de onda entre 300\u00a0nm y\u00a0800\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media\u00bb superior a\u00a030\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasa de repetici\u00f3n superior a\u00a01\u00a0kHz; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de impulso inferior a\u00a0100\u00a0ns;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06A205.c no somete a control los osciladores monomodo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de impulsos de di\u00f3xido de carbono (CO2) que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen a longitudes de onda entre 9\u00a0000\u00a0nm y 11\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasa de repetici\u00f3n superior a\u00a0250\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media superior\u00bb a\u00a0500\u00a0W; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de impulso inferior a\u00a0200\u00a0ns;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cambiadores Raman de parahidr\u00f3geno dise\u00f1ados para funcionar con longitud de onda de salida de 16\u00a0\u03bcm y tasa de repetici\u00f3n superior a\u00a0250\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb dopados con neodimio (distintos de los de vidrio), con longitud de onda de salida comprendida entre 1\u00a0000 y 1\u00a0100\u00a0nm que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

L\u00e1seres de conmutaci\u00f3n de Q excitados por impulsos con una duraci\u00f3n de impulso igual o superior a\u00a01\u00a0ns y con cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida monomodo transversal con \u00abpotencia de salida media\u00bb superior a\u00a040\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Salida multimodo transversal con potencia de salida media superior a\u00a050\u00a0W; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Incorporaci\u00f3n de doblado de frecuencia para producir una longitud de onda de salida de entre 500 y\u00a0550\u00a0nm con \u00abpotencia de salida media\u00bb de m\u00e1s de 40\u00a0W;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abL\u00e1seres\u00bb de impulsos de mon\u00f3xido de carbono (CO), distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a06A005.d.2, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que funcionen a longitudes de onda entre 5\u00a0000\u00a0nm y 6\u00a0000\u00a0nm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tasa de repetici\u00f3n superior a\u00a0250\u00a0Hz;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abPotencia de salida media superior\u00bb a\u00a0200\u00a0W; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ancho de impulso inferior a\u00a0200\u00a0ns.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A225<\/p>\n<\/td>\n

Interfer\u00f3metros de velocidad para medir velocidades superiores a\u00a01\u00a0km\/s durante intervalos menores de 10 \u03bcs.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06A225 incluye los interfer\u00f3metros de velocidad tales como los VISAR (sistemas de interfer\u00f3metros de velocidad para cualquier reflector), DLI (interfer\u00f3metros de l\u00e1ser Doppler) y PDV (veloc\u00edmetros fot\u00f3nicos Doppler), tambi\u00e9n conocidos como Het-V (veloc\u00edmetros heterodinos), e interfer\u00f3metros de velocidad de microondas, incluidos los veloc\u00edmetros de combinaci\u00f3n \u00f3ptica-microondas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6A226<\/p>\n<\/td>\n

Sensores de presi\u00f3n, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Man\u00f3metros (Sensores) de presi\u00f3n de choque capaces de medir presiones superiores a\u00a010\u00a0GPa, incluidos los man\u00f3metros hechos de manganina, iterbio y fluoruro de polivinilideno (PVBF) o difluoruro de polivinilo (PVF2<\/span>).;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Transductores de presi\u00f3n de cuarzo para presiones superiores a\u00a010\u00a0GPa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

6B<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6B002<\/p>\n<\/td>\n

M\u00e1scaras y ret\u00edculas, dise\u00f1adas especialmente para sensores \u00f3pticos especificados en los subart\u00edculos\u00a06A002.a.1.b o 6A002.a.1.d.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6B004<\/p>\n<\/td>\n

Equipos \u00f3pticos seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos para la medici\u00f3n de la reflectancia absoluta con una \u00abexactitud\u00bb igual o inferior al (mejor que el) 0,1\u00a0% del valor de reflectancia;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos, que no sean de medida de la dispersi\u00f3n (scattering<\/span>) \u00f3ptica de una superficie, que tengan una apertura libre (no ocultada) de m\u00e1s de 10\u00a0cm, dise\u00f1ados especialmente para medidas \u00f3pticas sin contacto de un perfil de superficie \u00f3ptica no planar con una \u00abexactitud\u00bb de 2\u00a0nm o inferior (mejor) tomando como referencia el perfil requerido.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06B004 no somete a control los microscopios.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6B007<\/p>\n<\/td>\n

Equipos para la producci\u00f3n, alineaci\u00f3n y calibrado de grav\u00edmetros con base en tierra con una \u00abexactitud\u00bb est\u00e1tica de menos (mejor) que 0,1\u00a0mGal.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6B008<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de medida de la secci\u00f3n transversal radar, de impulsos, con duraci\u00f3n de impulsos igual o inferior a\u00a0100\u00a0ns, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a06B108.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6B108<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a06B008, dise\u00f1ados especialmente para medida de la secci\u00f3n transversal del radar utilizables en ‘misiles’ y sus subsistemas.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a06B108, los ‘misiles’ se refieren a los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

6C<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6C002<\/p>\n<\/td>\n

Materiales sensores \u00f3pticos seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Teluro (Te) elemental con un nivel de pureza igual o superior a\u00a099,9995\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Monocristales (incluidas sus obleas epitaxiales) de cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Telururo de cadmio-zinc (CdZnTe) con un contenido de zinc inferior al 6\u00a0% por ‘fracci\u00f3n molar’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Telururo de cadmio (CdTe) con cualquier nivel de pureza; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Telururo de mercurio-cadmio (HgCdTe) con cualquier nivel de pureza.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06C002.b.1, ‘fracci\u00f3n molar’ se define como la raz\u00f3n de moles de ZnTe respecto de la suma de moles de CdTe y ZnTe presentes en el cristal.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6C004<\/p>\n<\/td>\n

Materiales \u00f3pticos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSustratos en bruto\u00bb de seleniuro de zinc (ZnSe) y sulfuro de zinc (ZnS) obtenidos mediante un proceso de dep\u00f3sito qu\u00edmico en fase de vapor y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Volumen superior a\u00a0100\u00a0cm3<\/span>; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro superior a\u00a080\u00a0mm y un espesor igual o superior a\u00a020\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales electro\u00f3pticos y materiales \u00f3pticos no lineales, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Arseniato de potasio titanil (KTA) (CAS 59400-80-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Seleniuro de galio-plata (AgGaSe2<\/span>, tambi\u00e9n denominado AGSE) (CAS 12002-67-4);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Seleniuro de talio-ars\u00e9nico (Tl3AsSe3, tambi\u00e9n denominado TAS) (CAS 16142-89-5);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fosfuro de germanio de zinc (ZnGeP2, tambi\u00e9n conocido como ZGP, bifosfuro de germanio de zinc o difosfuro de germanio de zinc);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Seleniuro de galio (GaSe) (CAS 12024-11-2);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales \u00f3pticos no lineales, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a06C004.b, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Susceptibilidad no lineal de tercer orden din\u00e1mica (tambi\u00e9n conocida como no estacionaria) (\u03c7(3)<\/span>, chi 3) de 10-6<\/span> m2<\/span>\/V2<\/span> o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Tiempo de respuesta inferior a\u00a01\u00a0ms; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Susceptibilidad no lineal de segundo orden (\u03c7(2), chi 2) de 3,3\u00d710-11\u00a0m\/V o superior;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSustratos en bruto\u00bb de dep\u00f3sito de materiales de carburo de silicio o de berilio berilio\u00a0(Be\/Be) con di\u00e1metro o longitud del eje principal superior a\u00a0300\u00a0mm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Vidrio, incluidos la s\u00edlice fundida, el vidrio fosfatado, el vidrio fluorurofosfatado, el fluoruro de circonio (ZrF4<\/span>) (CAS 7783-64-4) y el fluoruro de hafnio (HfF4<\/span>) (CAS 13709-52-9), y con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Concentraci\u00f3n de ion hidroxil (OH–<\/span>) inferior a\u00a05\u00a0ppm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Menos de 1\u00a0ppm (partes por mill\u00f3n) de nivel de impurezas met\u00e1licas integradas; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Elevada homogeneidad (variaci\u00f3n del \u00edndice de refracci\u00f3n) inferior a\u00a05 x 10-6<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales de diamante sint\u00e9tico con una absorci\u00f3n inferior a\u00a010-5<\/span>\u00a0cm-1<\/span> para longitudes de onda superiores a\u00a0200\u00a0nm pero no superiores a 14\u00a0000\u00a0nm.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6C005<\/p>\n<\/td>\n

Materiales de \u00abl\u00e1ser\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales cristalinos sint\u00e9ticos, hu\u00e9spedes para \u00abl\u00e1seres\u00bb, semielaborados, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Zafiro dopado con titanio;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fibras de doble revestimiento dopadas con metal de tierras raras, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda \u00abl\u00e1ser\u00bb nominal de 975\u00a0nm a 1\u00a0150\u00a0nm y que posea todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro medio del n\u00facleo igual o superior a\u00a025\u00a0\u03bcm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Apertura num\u00e9rica’ (‘NA’) del n\u00facleo inferior a\u00a00,065; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06C005.b.1 no somete a control las fibras de doble revestimiento que tengan un revestimiento interno de vidrio de un di\u00e1metro superior a\u00a0150\u00a0\u03bcm pero no superior a\u00a0300\u00a0\u03bcm.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Longitud de onda \u00abl\u00e1ser\u00bb nominal superior a 1\u00a0530\u00a0nm y que posea todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro medio del n\u00facleo igual o superior a\u00a020\u00a0\u03bcm; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Apertura num\u00e9rica’ (‘NA’) del n\u00facleo inferior a\u00a00,1.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a06C005.b incluye fibras ensambladas con cofias.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a06C005.b, la ‘apertura num\u00e9rica’ (‘NA’) del n\u00facleo se mide en las longitudes de onda de emisi\u00f3n de la fibra.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

6D<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos (software)<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos 6A004, 6A005, 6A008 o 6B008.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6D002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.b o en los art\u00edculos 6A008 o 6B008.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6D003<\/p>\n<\/td>\n

Otros \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la formaci\u00f3n de haces ac\u00fasticos con vistas al \u00abprocesado en tiempo real\u00bb de datos ac\u00fasticos para la recepci\u00f3n pasiva utilizando conjuntos de hidr\u00f3fonos remolcados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abC\u00f3digo fuente\u00bb para el \u00abprocesado en tiempo real\u00bb de datos ac\u00fasticos para recepci\u00f3n pasiva utilizando conjuntos de hidr\u00f3fonos remolcados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la formaci\u00f3n de haces ac\u00fasticos con vistas al \u00abprocesado en tiempo real\u00bb de datos ac\u00fasticos para la recepci\u00f3n pasiva utilizando sistemas de cable de fondo o de orilla (bay or bottom cable);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abC\u00f3digo fuente\u00bb para el \u00abprocesado en tiempo real\u00bb de datos ac\u00fasticos para recepci\u00f3n pasiva utilizando sistemas de cable de fondo o de orilla (bay or bottom cable);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb o \u00abc\u00f3digo fuente\u00bb dise\u00f1ados especialmente para todas las funciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProceso en tiempo real\u00bb de datos ac\u00fasticos de sistemas de sonar especificados en el subart\u00edculo\u00a06A001.a.1.e; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Detecci\u00f3n, clasificaci\u00f3n y ubicaci\u00f3n autom\u00e1ticas de nadadores o buceadores;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb o el \u00abc\u00f3digo fuente\u00bb de detecci\u00f3n de buceadores, especialmente dise\u00f1ados o modificados para uso con fines militares, V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados o modificados para c\u00e1maras dotadas de \u00abconjuntos de plano focal\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a06A002.a.3.f y dise\u00f1ados o modificados para eliminar una restricci\u00f3n de la frecuencia de cuadro y permitir que la c\u00e1mara supere la frecuencia de cuadro especificada en el subart\u00edculo\u00a06A003.b.4, Nota 3.a.:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para mantener la alineaci\u00f3n y la puesta en fase de los sistemas de espejos segmentados constituidos por segmentos de espejos con un di\u00e1metro o una longitud del eje principal igual o superior a\u00a01\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para los \u00absistemas de compensaci\u00f3n\u00bb magn\u00e9tica y de campo el\u00e9ctrico destinados a sensores magn\u00e9ticos que se han concebido para funcionar en plataformas m\u00f3viles;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la detecci\u00f3n de anomal\u00edas en campos magn\u00e9ticos y el\u00e9ctricos en plataformas m\u00f3viles;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para un \u00abprocesado en tiempo real\u00bb de datos electromagn\u00e9ticos por medio de los receptores electromagn\u00e9ticos subacu\u00e1ticos especificados en el subart\u00edculo\u00a06A006.e;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abC\u00f3digo fuente\u00bb para el \u00abprocesado en tiempo real\u00bb de datos electromagn\u00e9ticos por medio de receptores electromagn\u00e9ticos subacu\u00e1ticos especificados en el subart\u00edculo\u00a06A006.e;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la correcci\u00f3n de las influencias din\u00e1micas sobre los grav\u00edmetros o los gradi\u00f3metros de gravedad;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb para el control del tr\u00e1fico a\u00e9reo (ATC) dise\u00f1ados para ser alojados en ordenadores de prop\u00f3sito general instalados en centros de Control del Tr\u00e1fico A\u00e9reo y capaces de aceptar datos relativos a los blancos de m\u00e1s de cuatro radares primarios;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb para el dise\u00f1o o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de radomos que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para proteger las antenas (array) escaneadas electr\u00f3nicamente especificadas en el subart\u00edculo\u00a06A008.e; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que produzcan un diagrama de antena con un ‘nivel medio de los l\u00f3bulos laterales’ inferior en m\u00e1s de 40\u00a0dB al pico del nivel del haz principal.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06D003.h.2.b, el ‘nivel medio de los l\u00f3bulos laterales’ se mide en el conjunto total de antenas (array), excluida la apertura angular del haz principal y los dos primeros l\u00f3bulos laterales a cada lado del haz principal.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6D102<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los materiales especificados en el art\u00edculo\u00a06A108.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6D103<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb que procesen, despu\u00e9s del vuelo, datos grabados, para la determinaci\u00f3n de la posici\u00f3n del veh\u00edculo durante su trayectoria, especialmente dise\u00f1ados o modificados para ‘misiles’.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a06D103, los ‘misiles’ se refieren a los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6D203<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para aumentar o liberar el potencial de rendimiento de c\u00e1maras o dispositivos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes a fin de cumplir las caracter\u00edsticas de los subart\u00edculos 6A203.a a\u00a06A203.c.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

6E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb de los equipos, materiales o \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en las categor\u00edas\u00a06A, 6B, 6C o 6D.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6E002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos o materiales especificados en las categor\u00edas\u00a06A, 6B o 6C.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6E003<\/p>\n<\/td>\n

Otras \u00abtecnolog\u00edas\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb en el revestimiento y el tratamiento de las superficies \u00f3pticas para conseguir una uniformidad de ‘espesor \u00f3ptico’ del 99,5\u00a0% o mejor para revestimientos \u00f3pticos de di\u00e1metro o de longitud del eje principal igual o superior a\u00a0500\u00a0mm y con una p\u00e9rdida total (absorci\u00f3n y dispersi\u00f3n) inferior a\u00a05\u00a0x\u00a010-3<\/span>;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a02E003.f.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a06E003.a.1, el ‘espesor \u00f3ptico’ es el producto matem\u00e1tico del \u00edndice de refracci\u00f3n y el espesor f\u00edsico del revestimiento.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la fabricaci\u00f3n de piezas \u00f3pticas mediante t\u00e9cnicas de torneado con punta de diamante \u00fanica que produzcan \u00abexactitudes\u00bb de acabado de superficie inferiores a (mejores que) 10\u00a0nm rms en superficies no planas de m\u00e1s de 0,5\u00a0m2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de instrumentos de diagn\u00f3stico o de blancos dise\u00f1ados especialmente para instalaciones de ensayo de \u00abl\u00e1seres de potencia ultra alta\u00bb (SHPL) o para el ensayo o la evaluaci\u00f3n de materiales irradiados por \u00abl\u00e1seres de potencia ultra alta\u00bb (SHPL);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6E101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb del equipo o de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los art\u00edculos\u00a06A002, 6A007.b y\u00a06A007.c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 o 6D103.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06E101 solo somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para productos especificados en los art\u00edculos 6A002, 6A007 y\u00a06A008 si los productos est\u00e1n dise\u00f1ados para aplicaciones aerotransportadas y son utilizables en \u00abmisiles\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6E201<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de equipos especificados en los art\u00edculos\u00a06A003, 6A005.a.2, 6A005.b.2, 6A005.b.3, 6A005.b.4, 6A005.b.6, 6A005.c.2, 6A005.d.3.c, 6A005.d.4.c, 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 o 6A226.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06E201 solo somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para las c\u00e1maras especificadas en el art\u00edculo\u00a06A003 si las c\u00e1maras tambi\u00e9n est\u00e1n especificadas por cualquiera de los par\u00e1metros de control del art\u00edculo\u00a06A203.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a06E201 solo somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para los l\u00e1seres especificados en el subart\u00edculo\u00a06A005.b.6 que est\u00e9n dopados con neodimio y especificados por cualquiera de los par\u00e1metros de control del subart\u00edculo\u00a06A205.f.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

6E203<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb en forma de c\u00f3digos o claves para aumentar o liberar el rendimiento de c\u00e1maras o dispositivos de formaci\u00f3n de im\u00e1genes a fin de cumplir las caracter\u00edsticas de los subart\u00edculos 6A203.a a\u00a06A203.c.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE IX<\/p>\n

Categor\u00eda 7<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 7. NAVEGACI\u00d3N Y AVI\u00d3NICA<\/span><\/p>\n

7A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los pilotos autom\u00e1ticos de los veh\u00edculos sumergibles, v\u00e9ase la categor\u00eda 8.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Para los radares, v\u00e9ase la categor\u00eda 6.<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A001<\/p>\n<\/td>\n

Aceler\u00f3metros, seg\u00fan se indica y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a07A101.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para aceler\u00f3metros angulares o rotativos, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a07A001.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aceler\u00f3metros lineales que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especificados para funcionar a niveles de aceleraci\u00f3n lineal de hasta 15\u00a0g y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEstabilidad\u00bb de \u00absesgo\u00bb (bias) inferior a (mejor que) 130 micro g respecto de un valor de calibrado fijo en un per\u00edodo de un a\u00f1o; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEstabilidad\u00bb de \u00abfactor de escala\u00bb inferior a (mejor que) 130\u00a0ppm respecto de un valor de calibrado fijo en un per\u00edodo de un a\u00f1o;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especificados para funcionar a niveles de aceleraci\u00f3n lineal superiores a\u00a015\u00a0g, pero no superiores a\u00a0100\u00a0g, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRepetibilidad\u00bb de \u00absesgo\u00bb (bias<\/span>) inferior a (mejor que) 1\u00a0250 micro g durante un per\u00edodo de un a\u00f1o; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRepetibilidad\u00bb de \u00abfactor de escala\u00bb inferior a (mejor que) 1\u00a0250 ppm sobre un per\u00edodo de un a\u00f1o; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para su utilizaci\u00f3n en sistemas de navegaci\u00f3n inercial o en sistemas de guiado y especificados para funcionar a niveles de aceleraci\u00f3n lineal superiores a\u00a0100\u00a0g;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos 7A001.a.1 y\u00a07A001.a.2 no someten a control los aceler\u00f3metros limitados exclusivamente a la medici\u00f3n de vibraciones o impactos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aceler\u00f3metros angulares o rotativos, especificados para funcionar a niveles de aceleraci\u00f3n lineal superiores a\u00a0100\u00a0g.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A002<\/p>\n<\/td>\n

Giroscopios o sensores de velocidad angulares que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a07A102.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para aceler\u00f3metros angulares o rotativos, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a07A001.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especificados para funcionar a niveles de aceleraci\u00f3n lineal de hasta 100\u00a0g y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un rango de velocidad angular inferior a\u00a0500 grados por segundo y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEstabilidad\u00bb de \u00absesgo\u00bb (bias<\/span>) inferior a (mejor que) 0,5 grados por hora, medida en un ambiente de 1\u00a0g a lo largo de un per\u00edodo de un mes y respecto de un valor de calibrado fijo; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abrecorrido aleatorio (random walk<\/span>) angular\u00bb igual o inferior a (mejor que) 0,0035 grados por \u221ah; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07A002.a.1.b no somete a control los \u00abgiroscopios por masa giratoria\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un rango de velocidad angular superior o igual a\u00a0500 grados por segundo y cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEstabilidad\u00bb de \u00absesgo\u00bb inferior a (mejor que) 4 grados por hora, medida en un ambiente de 1\u00a0g a lo largo de un per\u00edodo de tres minutos y respecto de un valor de calibrado fijo; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un \u00abrecorrido aleatorio (random walk<\/span>) angular\u00bb igual o inferior a (mejor que) 0,1 grados por \u221ah; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07A002.a.2.b no somete a control los \u00abgiroscopios por masa giratoria\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Especificados para funcionar a niveles de aceleraci\u00f3n lineal que superen los 100\u00a0g.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A003<\/p>\n<\/td>\n

‘Equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a07A103.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07A003 no somete a control los ‘equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ que est\u00e9n certificados para uso en \u00abaeronaves civiles\u00bb por las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o varios Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a07A003:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ incorporan aceler\u00f3metros o gir\u00f3scopos para medir los cambios en la velocidad y la orientaci\u00f3n a fin de determinar o mantener el rumbo o la posici\u00f3n sin necesidad de una referencia externa una vez alineados. Los ‘equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ incluyen:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de referencia de actitud y rumbo;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Br\u00fajulas girosc\u00f3picas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de medici\u00f3n inerciales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de navegaci\u00f3n inerciales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de rumbo inerciales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de rumbo inerciales.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las ‘referencias de ayuda posicional’ proporcionan la posici\u00f3n independientemente, e incluyen:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSistema de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite\u00bb;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abNavegaci\u00f3n con referencia a bases de datos\u00bb (\u00abDBRN\u00bb).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para \u00abaeronaves\u00bb, veh\u00edculos terrestres o buques, que faciliten la posici\u00f3n sin utilizar ‘referencias de ayuda posicional’, y ofrezcan cualquiera de las siguientes \u00abexactitudes\u00bb despu\u00e9s de una alineaci\u00f3n normal:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rango del \u00aberror circular probable\u00bb (\u00abCEP\u00bb) de 0,8\u00a0millas n\u00e1uticas por hora (nm\/h) o inferior (mejor);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

0,5\u00a0% de la distancia recorrida \u00abCEP\u00bb o inferior (mejor); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Desviaci\u00f3n total de 1 milla n\u00e1utica \u00abCEP\u00bb o inferior (mejor) en un per\u00edodo de 24 horas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos de los subart\u00edculos 7A003.a.1, 7A003.a.2 y\u00a07A003.a.3, los par\u00e1metros de rendimiento suelen aplicarse a ‘equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ dise\u00f1ados para \u00abaeronaves\u00bb, veh\u00edculos y buques, respectivamente. Estos par\u00e1metros son el resultado de la utilizaci\u00f3n de ‘referencias de ayuda no posicional’ especializadas (por ejemplo, registro de velocidad, cuentakil\u00f3metros, alt\u00edmetro). Como consecuencia de ello, los valores de rendimiento especificados no pueden ser f\u00e1cilmente convertibles entre estos par\u00e1metros. Los equipos dise\u00f1ados para plataformas m\u00faltiples se evaluar\u00e1n respecto de cada uno de los subart\u00edculos 7A003.a.1, 7A003.a.2 o 7A003.a.3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para \u00abaeronaves\u00bb, veh\u00edculos terrestres o buques, que incluyan una ‘referencia de ayuda posicional’ y faciliten la posici\u00f3n tras la p\u00e9rdida de todas las ‘referencias de ayuda posicional’ durante un per\u00edodo de hasta 4 minutos, con una \u00abexactitud\u00bb inferior a (mejor que) 10 metros de \u00abCEP\u00bb;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07A003.b se refiere a sistemas en los que los ‘equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ y otras ‘referencias de ayuda posicional’ est\u00e1n construidas en una \u00fanica unidad (encajadas) a fin de lograr una mejor prestaci\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para \u00abaeronaves\u00bb, veh\u00edculos terrestres o buques, que faciliten la determinaci\u00f3n del rumbo o del norte geogr\u00e1fico y posean cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una velocidad angular m\u00e1xima de funcionamiento inferior a (menor que) 500 grados\/s y una \u00abexactitud\u00bb de rumbo sin el uso de ‘referencias de ayuda posicional’ igual o inferior a (mejor que) 0,07 grados\/s (Lat) (equivalente a\u00a06 minutos de arco rms a\u00a045 grados de latitud); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una velocidad angular m\u00e1xima de funcionamiento igual o mayor a\u00a0500 grados\/s y una \u00abexactitud\u00bb de rumbo sin el uso de ‘referencias de ayuda posicional’ igual o inferior a (mejor que) 0,2 grados\/s (Lat) (equivalente a\u00a017 minutos de arco rms a\u00a045 grados de latitud); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que proporcionen mediciones de aceleraci\u00f3n o mediciones de velocidad angular en m\u00e1s de una dimensi\u00f3n, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

El rendimiento especificado en los art\u00edculos 7A001 o 7A002 a lo largo de cualquier eje, sin necesidad de utilizar referencias de ayuda; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abCalificados para uso espacial\u00bb y que faciliten mediciones de velocidad angular que tengan un \u00abrecorrido aleatorio (random walk) angular\u00bb a lo largo de cualquier eje inferior a (mejor que) 0,1 grados por \u221ah.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07A003.d.2 no somete a control los ‘equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ que contienen \u00abgiroscopios por masa giratoria\u00bb como \u00fanico tipo de giroscopio.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A004<\/p>\n<\/td>\n

‘Seguidores de estrellas’ y componentes de los mismos seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a07A104.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Seguidores de estrellas’ con una \u00abexactitud\u00bb de acimut especificada igual o inferior a (mejor que) 20 segundos de arco a lo largo de todo el ciclo de vida especificado de los equipos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente para los equipos especificados en el subart\u00edculo\u00a07A004.a, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Pantallas o cabezales \u00f3pticos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de proceso de datos.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a07A004.a, los ‘seguidores de estrellas’ tambi\u00e9n se denominan sensores de actitud estelar o br\u00fajulas girosc\u00f3picas astron\u00f3micas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A005<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de recepci\u00f3n de \u00absistemas de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite\u00bb que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a07A105.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los equipos dise\u00f1ados especialmente para su uso con fines militares, V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen un algoritmo de descifrado dise\u00f1ado especialmente o modificado para su uso por la Administraci\u00f3n p\u00fablica, a fin de acceder al c\u00f3digo de determinaci\u00f3n de la distancia para posici\u00f3n y tiempo; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen ‘sistemas de antena adaptables’.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07A005.b no somete a control los equipos de recepci\u00f3n de \u00absistemas de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite\u00bb que utilicen \u00fanicamente componentes dise\u00f1ados para filtrar, conmutar o combinar se\u00f1ales de antenas m\u00faltiples omnidireccionales que no utilizan t\u00e9cnicas de antenas adaptables.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a07A005.b, los ‘sistemas de antena adaptables’ generan din\u00e1micamente uno o m\u00e1s nulos espaciales en un patr\u00f3n de conjunto de antenas mediante el procesamiento de se\u00f1ales en el dominio del tiempo o de la frecuencia.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A006<\/p>\n<\/td>\n

Alt\u00edmetros aerotransportables que funcionen a frecuencias no comprendidas entre 4,2 y\u00a04,4\u00a0GHz inclusive y posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a07A106.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Gesti\u00f3n de potencia’; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen modulaci\u00f3n por desplazamiento de fase (PSK).<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a07A006.a, ‘gesti\u00f3n de potencia’ es la modificaci\u00f3n de la potencia transmitida de la se\u00f1al del alt\u00edmetro de manera que la potencia recibida a la altitud de la \u00abaeronave\u00bb est\u00e9 siempre al nivel m\u00ednimo necesario para determinar la altitud.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A008<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de navegaci\u00f3n subacu\u00e1tica por sonar que empleen velocidad Doppler o registro de correlaci\u00f3n-velocidad integrados con una fuente de rumbo y que tengan una \u00abexactitud\u00bb de posici\u00f3n igual o inferior a (mejor que) 3\u00a0% de la distancia recorrida del \u00aberror circular probable\u00bb (\u00abCEP\u00bb) y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07A008 no somete a control los sistemas dise\u00f1ados especialmente para la instalaci\u00f3n en buques de superficie o sistemas que requieran balizas o boyas ac\u00fasticas para proporcionar datos de posici\u00f3n.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los sistemas ac\u00fasticos, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a06A001.a, y para el equipo de registro s\u00f3nar de correlaci\u00f3n-velocidad y Doppler-velocidad, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a06A001.b.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Para otros sistemas marinos, v\u00e9ase el art\u00edculo\u00a08A002.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A101<\/p>\n<\/td>\n

Aceler\u00f3metros lineales, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a07A001, dise\u00f1ados para su empleo en sistemas de navegaci\u00f3n inercial o en sistemas de guiado de todo tipo, utilizables en ‘misiles’, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes, as\u00ed como los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRepetibilidad\u00bb del \u00absesgo\u00bb (bias) menor (mejor) que 1\u00a0250 micro g; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRepetibilidad\u00bb de \u00abfactor de escala\u00bb menor (mejor) que 1\u00a0250\u00a0ppm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07A101 no somete a control los aceler\u00f3metros dise\u00f1ados especialmente y desarrollados como sensores para Medida Mientras Perfora (<\/span>Measurement While Drilling, MWD) para su utilizaci\u00f3n en operaciones de servicio de perforaci\u00f3n de pozos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a07A101, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados, con un alcance de, al menos, 300\u00a0km;<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a07A101, la medici\u00f3n del \u00absesgo\u00bb (bias) y del \u00abfactor de escala\u00bb se refiere a una desviaci\u00f3n t\u00edpica de un sigma con respecto a una calibraci\u00f3n fija, sobre un per\u00edodo de un a\u00f1o;<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A102<\/p>\n<\/td>\n

Todo tipo de giroscopios, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a07A002, utilizables en ‘misiles’, con una ‘estabilidad’ de la \u00abvelocidad de deriva\u00bb tasada en menos de 0,5o<\/span> (1 sigma o rms) por hora en un medio ambiente de 1\u00a0g y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/span><\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a07A102, los ‘misiles’ se refieren a los sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados, con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a07A102, ‘estabilidad’ se define como una medida de la capacidad de un mecanismo espec\u00edfico o coeficiente de actuaci\u00f3n de permanecer invariable cuando se expone continuamente a una condici\u00f3n fija de funcionamiento (IEEE STD 528-2001 apartado 2.247).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A103<\/p>\n<\/td>\n

Equipos y sistemas de instrumentaci\u00f3n y navegaci\u00f3n, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a07A003, seg\u00fan se indica; as\u00ed como los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ en los que se utilicen los aceler\u00f3metros o giroscopios que figuran a continuaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aceler\u00f3metros especificados en los subart\u00edculos 7A001.a.3 o 7A001.b o en el art\u00edculo\u00a07A101 o giroscopios especificados en los art\u00edculos 7A002 o 7A102; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07A103.a.1 no somete a control los equipos que contengan los aceler\u00f3metros especificados en el subart\u00edculo\u00a07A001.a.3 y dise\u00f1ados para medir la vibraci\u00f3n o el impacto.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aceler\u00f3metros especificados en los subart\u00edculos 7A001.a.1 o 7A001.a.2 dise\u00f1ados para ser empleados en sistemas de navegaci\u00f3n inercial o en sistemas de guiado de todo tipo y que sean utilizables en ‘misiles’;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07A103.a.2 no somete a control los equipos que contengan aceler\u00f3metros de los especificados en los subart\u00edculos 7A001.a.1 o 7A001.a.2 cuando dichos aceler\u00f3metros est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente y desarrollados como sensores para Medida Mientras Perfora (Measurement While Drilling, MWD) con vistas a su utilizaci\u00f3n en operaciones de servicio de perforaci\u00f3n de pozos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Los ‘equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ especificados en el subart\u00edculo\u00a07A103.a incorporan aceler\u00f3metros o gir\u00f3scopos para medir los cambios en la velocidad y la orientaci\u00f3n a fin de determinar o mantener el rumbo o la posici\u00f3n sin necesidad de una referencia externa una vez alineados.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los ‘equipos o sistemas inerciales de medici\u00f3n’ del subart\u00edculo\u00a07A103.a incluyen:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de referencia de actitud y rumbo;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Br\u00fajulas girosc\u00f3picas;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de medici\u00f3n inerciales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de navegaci\u00f3n inerciales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de rumbo inerciales;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de rumbo inerciales.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas integrados de instrumentos de vuelo, incluidos los giroestabilizadores o pilotos autom\u00e1ticos dise\u00f1ados o modificados para su utilizaci\u00f3n en ‘misiles’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Sistemas integrados de navegaci\u00f3n’ dise\u00f1ados o modificados para su utilizaci\u00f3n en ‘misiles’ y capaces de proporcionar una exactitud de navegaci\u00f3n igual o inferior a\u00a0200\u00a0m de \u00abCEP\u00bb;<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un ‘sistema integrado de navegaci\u00f3n’ t\u00edpico incluye los siguientes componentes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un dispositivo de medici\u00f3n inercial (p. ej. un sistema de referencia de actitud y rumbo, una unidad de referencia inercial o un sistema de navegaci\u00f3n inercial);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Uno o m\u00e1s sensores externos utilizados para actualizar la posici\u00f3n, la velocidad o ambas, ya sea de manera peri\u00f3dica o continua durante todo el vuelo (p. ej. receptor de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite, alt\u00edmetro de radar y\/o radar Doppler); y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos inform\u00e1ticos y \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb de integraci\u00f3n;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a07A103.c, \u2018CEP\u2019 (error circular probable o c\u00edrculo de igual probabilidad) es una medida de exactitud, definida por el radio del c\u00edrculo dentro del cual hay un\u00a050\u00a0% de probabilidades de ser localizado.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sensores magn\u00e9ticos de rumbo con tres ejes dise\u00f1ados o modificados para integrarlos con controles de vuelo y sistemas de navegaci\u00f3n, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a06A006, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes, as\u00ed como los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Compensaci\u00f3n interna de inclinaci\u00f3n en cabeceo (\u00b1 90 grados) y balanceo (\u00b1 180 grados); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una exactitud de azimut mejor que (inferior a) 0,5 grados rms a una latitud de \u00b1\u00a080 grados, con referencia al campo magn\u00e9tico local.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los sistemas de control de vuelo y de navegaci\u00f3n mencionados en el subart\u00edculo\u00a07A103.d incluyen giroestabilizadores, pilotos autom\u00e1ticos y sistemas de navegaci\u00f3n inercial.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a07A103, los ‘misiles’ se refieren a los sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A104<\/p>\n<\/td>\n

Br\u00fajulas girosc\u00f3picas astron\u00f3micas y otros dispositivos, distintos de los incluidos en el art\u00edculo\u00a07A004, que deriven la posici\u00f3n o la orientaci\u00f3n por medio del seguimiento autom\u00e1tico de los cuerpos celestes o sat\u00e9lites, as\u00ed como los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A105<\/p>\n<\/td>\n

Receptores para sistemas de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a07A005, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes, as\u00ed como los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para el uso en las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004, en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104 o en los veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados especificados en el art\u00edculo\u00a09A012 o el subart\u00edculo\u00a09A112.a; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para aplicaciones aerotransportadas y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de proveer informaci\u00f3n para la navegaci\u00f3n a velocidades superiores a\u00a0600\u00a0m\/s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen el descifrado, dise\u00f1ados o modificados para servicios militares o de la Administraci\u00f3n, para obtener acceso a se\u00f1ales o datos protegidos de un ‘sistema de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite’; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para el uso de sistemas antiperturbaci\u00f3n (p.ej. antena de nulo direccionable o antena dirigible electr\u00f3nicamente) para funcionar en un entorno de contramedidas activas o pasivas.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los subart\u00edculos 7A105.b.2 y\u00a07A105.b.3 no someten a control el equipo dise\u00f1ado para servicios de sistema de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite comerciales, civiles o de seguridad de la vida humana (p. ej. integridad de los datos o seguridad de vuelo).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a07A105, sistema de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite incluye sistemas mundiales de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite (GNSS; por ejemplo, GPS, GLONASS, Galileo o BeiDou) y sistemas regionales de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite (RNSS; por ejemplo, NavIC o QZSS).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A106<\/p>\n<\/td>\n

Alt\u00edmetros, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a07A006, de tipo radar o radar l\u00e1ser, dise\u00f1ados o modificados para el uso en las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A115<\/p>\n<\/td>\n

Sensores pasivos para determinar el rumbo en relaci\u00f3n con fuentes electromagn\u00e9ticas espec\u00edficas (equipos radiogoniom\u00e9tricos) o con las caracter\u00edsticas del terreno, dise\u00f1ados o modificados para el uso en las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los equipos especificados en los art\u00edculos 7A105, 7A106, y\u00a07A115 incluyen lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de cartograf\u00eda para el contorno del terreno;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de levantamiento cartogr\u00e1fico y de correlaci\u00f3n (tanto digitales como anal\u00f3gicos);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de radar de navegaci\u00f3n por efecto Doppler;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos pasivos de interferometr\u00eda;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de sensores de im\u00e1genes (activos y pasivos).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A116<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de control de vuelo y servov\u00e1lvulas, seg\u00fan se indica; dise\u00f1ados o modificados para su utilizaci\u00f3n en las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004, en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104 o en \u00abmisiles\u00bb.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de control de vuelo neum\u00e1ticos, hidr\u00e1ulicos, mec\u00e1nicos, electro\u00f3pticos o electromec\u00e1nicos [incluidos los tipos de vuelo controlado por se\u00f1ales el\u00e9ctricas (fly-by-wire<\/span>) y por se\u00f1ales \u00f3pticas (fly-by-light<\/span>)];<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de control de actitud;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Servov\u00e1lvulas de control de vuelo dise\u00f1adas o modificadas para los sistemas especificados en el subart\u00edculo\u00a07A116.a o en el subart\u00edculo\u00a07A116.b, y dise\u00f1adas o modificadas para funcionar en un ambiente con vibraciones superiores a de 10\u00a0g RMS entre 20\u00a0Hz y\u00a02\u00a0kHz.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para la conversi\u00f3n de aeronaves tripuladas para operar como \u00abmisiles\u00bb, el art\u00edculo\u00a07A116 incluye los sistemas, equipos y v\u00e1lvulas dise\u00f1ados o modificados para permitir el funcionamiento de aeronaves tripuladas como veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7A117<\/p>\n<\/td>\n

\u00abConjuntos de guiado\u00bb, utilizables en \u00abmisiles\u00bb, capaces de conseguir una exactitud del sistema de 3,33\u00a0%, o menos, del alcance (por ejemplo, un ‘CEP’ de 10\u00a0km o menos a un alcance de 300\u00a0km).<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a07A117, ‘CEP’ (error circular probable o c\u00edrculo de igual probabilidad) es una medida de exactitud, definida por el radio del c\u00edrculo con centro en el blanco, a un alcance determinado, en el que hacen impacto el 50\u00a0% de las cargas \u00fatiles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

7B<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7B001<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de ensayo, calibrado o alineaci\u00f3n, dise\u00f1ados especialmente para los equipos especificados en la categor\u00eda\u00a07A.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07B001 no somete a control los equipos de ensayo, calibrado o alineaci\u00f3n dise\u00f1ados para ‘mantenimiento de primer escal\u00f3n’ o ‘mantenimiento de segundo escal\u00f3n’.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7B002<\/p>\n<\/td>\n

Equipos, dise\u00f1ados especialmente para caracterizar espejos para los giroscopios \u00abl\u00e1ser\u00bb en anillo, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a07B102.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Difus\u00f3metros con una \u00abexactitud\u00bb de medida igual o inferior a (mejor que) 10\u00a0ppm;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rugos\u00edmetros con una \u00abexactitud\u00bb de medida igual o inferior a (mejor que) 0,5\u00a0nm (5 angstrom).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7B003<\/p>\n<\/td>\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos especificados en la categor\u00eda\u00a07A.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07B003 incluye:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bancos de ensayos para el sintonizado de giroscopios;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bancos de equilibrado din\u00e1mico de giroscopios;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bancos de ensayo para rodaje de motores de arrastre de giroscopios;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bancos de vaciado y llenado de giroscopios;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de centrifugado para rodamientos de giroscopios;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bancos de alineaci\u00f3n de ejes de aceler\u00f3metro;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e1quinas de enrollado y bobinado de giroscopios de fibra \u00f3ptica.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7B102<\/p>\n<\/td>\n

Reflect\u00f3metros dise\u00f1ados especialmente para caracterizar espejos, destinados a giroscopios \u00abl\u00e1ser\u00bb, que tengan una exactitud de medici\u00f3n de 50\u00a0ppm o menos (mejor).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7B103<\/p>\n<\/td>\n

\u00abMedios de producci\u00f3n\u00bb y \u00abequipo de producci\u00f3n\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMedios de producci\u00f3n\u00bb dise\u00f1ados especialmente para los equipos especificados en el art\u00edculo\u00a07A117;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEquipo de producci\u00f3n\u00bb y otros equipos de ensayo, calibrado o alineaci\u00f3n no especificados en los art\u00edculos\u00a07B001 a\u00a07B003, dise\u00f1ados o modificados para ser utilizados con el equipo especificado en la categor\u00eda\u00a07A.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

7C\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n

Ninguno.<\/p>\n

7D\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos (software)<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en las categor\u00edas\u00a07A o 7B.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abC\u00f3digo fuente\u00bb para el funcionamiento o mantenimiento de cualquier equipo de navegaci\u00f3n inercial, incluidos los equipos inerciales no especificados en los art\u00edculos\u00a07A003 o 7A004, o Sistemas de Referencia de Actitud y Rumbo (‘AHRS’).<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07D002 no somete a control el \u00abc\u00f3digo fuente\u00bb para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los sistemas ‘AHRS’ de cardan.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a07D002, los sistemas ‘AHRS’ se diferencian generalmente de los sistemas de navegaci\u00f3n inerciales (INS) en que un sistema ‘AHRS’ proporciona informaci\u00f3n relativa a la actitud y al rumbo y normalmente no suministra la informaci\u00f3n de aceleraci\u00f3n, velocidad y posici\u00f3n asociada a los sistemas de navegaci\u00f3n inerciales (INS).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D003<\/p>\n<\/td>\n

Otros \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para mejorar las prestaciones de funcionamiento o reducir el error de navegaci\u00f3n de los sistemas a los niveles especificados en los art\u00edculos 7A003, 7A004 o 7A008;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abC\u00f3digo fuente\u00bb para sistemas integrados h\u00edbridos que mejore las prestaciones de funcionamiento o reduzca el error de navegaci\u00f3n de los sistemas al nivel especificado en el art\u00edculo\u00a07A003 o 7A008 combinando de manera continua datos de rumbo con cualquiera de los datos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Datos de velocidad de radar o sonar, Doppler;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Datos de referencia de \u00absistemas de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Datos procedentes de sistemas de \u00abnavegaci\u00f3n con referencia a bases de datos\u00bb (\u00abDBRN\u00bb);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb para dise\u00f1o asistido por ordenador (CAD), concebido especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb de \u00absistemas de control activo de vuelo\u00bb, de controladores de varios ejes de vuelo controlado por se\u00f1ales el\u00e9ctricas (fly-by-wire<\/span>) o vuelo controlado por se\u00f1ales \u00f3pticas (fly-by-light<\/span>) para helic\u00f3pteros, o de \u00absistemas antipar o sistemas de control de direcci\u00f3n, por control de circulaci\u00f3n\u00bb para helic\u00f3pteros, cuya \u00abtecnolog\u00eda\u00bb se especifica en los subart\u00edculos\u00a07E004.b.1, 7E004.b.3 a\u00a07E004.b.5, 7E004.b.7, 7E004.b.8, 7E004.c.1 o 7E004.c.2.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D004<\/p>\n<\/td>\n

\u00abC\u00f3digo fuente\u00bb que utilice \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb especificada en los subart\u00edculos\u00a07E004.a.2, 7E004.a.3, 7E004.a.5, 7E004.a.6 o 7E004.b, en cualquiera de los siguientes casos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas digitales de gesti\u00f3n de vuelo para el \u00abcontrol total de vuelo\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas integrados de propulsi\u00f3n y de control de vuelo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSistemas de vuelo controlado por se\u00f1ales el\u00e9ctricas\u00bb (fly-by-wire) o \u00absistemas de vuelo controlado por se\u00f1ales \u00f3pticas\u00bb (fly-by-light);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSistemas de control activo de vuelo\u00bb tolerantes a fallos o de autorreconfiguraci\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de datos a\u00e9reos basados en datos est\u00e1ticos de superficie; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Presentaciones visuales tridimensionales.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07D004 no somete a control el \u00abc\u00f3digo fuente\u00bb relacionado con servicios de utilidad p\u00fablica y elementos inform\u00e1ticos comunes (por ejemplo, adquisici\u00f3n de se\u00f1ales de entrada, transmisi\u00f3n de se\u00f1ales de salida, carga de datos y \u00abprogramas\u00bb inform\u00e1ticos, equipos de ensayo incorporados y mecanismos de programaci\u00f3n de horarios) que no cumple una funci\u00f3n espec\u00edfica del sistema de control de vuelo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D005<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para descodificar el c\u00f3digo de determinaci\u00f3n de los \u00absistemas de navegaci\u00f3n por sat\u00e9lite\u00bb que se hayan concebido para su uso por la Administraci\u00f3n p\u00fablica.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos\u00a07A001 a\u00a07A006, 7A101 a\u00a07A106, 7A115, los subart\u00edculos\u00a07A116.a o 7A116.b o los art\u00edculos\u00a07B001, 7B002, 7B003, 7B102 o 7B103.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D102<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb de integraci\u00f3n, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb de integraci\u00f3n para los equipos especificados en el subart\u00edculo\u00a07A103.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb de integraci\u00f3n dise\u00f1ados especialmente para los equipos especificados en el art\u00edculo\u00a07A003 o el subart\u00edculo\u00a07A103.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb de integraci\u00f3n dise\u00f1ados especialmente para los equipos especificados en el subart\u00edculo\u00a07A103.c.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Una forma com\u00fan de filtrado de \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb de integraci\u00f3n emplea el filtrado de Kalman.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D103<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la modelizaci\u00f3n o simulaci\u00f3n de los \u00abconjuntos de guiado\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a07A117 o para su dise\u00f1o de integraci\u00f3n con las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o con los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a07D103 permanecen bajo control cuando est\u00e1n combinados con el equipo inform\u00e1tico dise\u00f1ado especialmente que se especifica en el art\u00edculo\u00a04A102.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7D104<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el funcionamiento o mantenimiento de los \u00abconjuntos de guiado\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a07A117.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07D104 incluye \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para mejorar el rendimiento de los \u00abconjuntos de guiado\u00bb con el fin de alcanzar o superar la exactitud especificada en el art\u00edculo\u00a07A117.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

7E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb de los equipos o de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb incluidos en las categor\u00edas 7A y\u00a07B y en los art\u00edculos 7D001, 7D002, 7D003, 7D005 y\u00a07D101 a\u00a07D103.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07E001 incluye la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de gesti\u00f3n de clave exclusivamente para los equipos especificados en el subart\u00edculo\u00a07A005.a.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7E002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en las categor\u00edas\u00a07A o 7B.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7E003<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la reparaci\u00f3n, la renovaci\u00f3n o la revisi\u00f3n de equipos especificados en los art\u00edculos\u00a07A001 a\u00a07A004.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a07E003 no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de mantenimiento directamente relacionada con el calibrado, la retirada o la sustituci\u00f3n de unidades sustituibles en l\u00ednea (LRU) y de unidades sustituibles en taller (SRA) da\u00f1adas o inservibles de \u00abaeronaves civiles\u00bb tal como se describe en el \u00abMantenimiento de primer escal\u00f3n\u00bb o el \u00abMantenimiento de segundo escal\u00f3n\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7E004<\/p>\n<\/td>\n

Otras \u00abtecnolog\u00edas\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de cualquiera de los elementos de la siguiente lista:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de datos a\u00e9reos basados exclusivamente en datos est\u00e1ticos de superficie, es decir, que prescindan de la necesidad de sondas de datos a\u00e9reos convencionales;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Presentaciones visuales tridimensionales para \u00abaeronaves\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Actuadores el\u00e9ctricos (es decir, paquetes electromec\u00e1nicos, electrohidrost\u00e1ticos e integrados) dise\u00f1ados especialmente para el ‘control principal de vuelo’;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a07E004.a.5, ‘control principal de vuelo’ es el control de estabilidad o de maniobra de una \u00abaeronave\u00bb mediante generadores de fuerza\/momento, es decir, superficies de control aerodin\u00e1mico o vectorizaci\u00f3n de empuje de propulsi\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Conjuntos de sensores \u00f3pticos de control de vuelo’ dise\u00f1ados especialmente para aplicar \u00absistemas de control activo de vuelo\u00bb; o<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a07E004.a.6, un ‘conjunto de sensores \u00f3pticos de control de vuelo’ es una red de sensores \u00f3pticos distribuidos que utiliza haces \u00abl\u00e1ser\u00bb a fin de suministrar datos de control de vuelo en tiempo real para su tratamiento a bordo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSistemas de navegaci\u00f3n con referencia a bases de datos\u00bb (\u00abDBRN\u00bb) dise\u00f1ados para navegaci\u00f3n subacu\u00e1tica mediante uso de bases de datos sonar o de gravedad que proporcionen \u00abexactitud\u00bb de posici\u00f3n igual o inferior a (mejor que) 0,4 millas n\u00e1uticas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb, seg\u00fan se indica, para los \u00absistemas de control activo de vuelo\u00bb, incluido el \u00abvuelo controlado por se\u00f1ales el\u00e9ctricas\u00bb (fly-by-wire) o el \u00abvuelo controlado por se\u00f1ales \u00f3pticas\u00bb (fly-by-light):<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb basada en la fot\u00f3nica para teledetecci\u00f3n del estado de los componentes de control de vuelo o de \u00abaeronaves\u00bb, la transferencia de datos de control de vuelo o el movimiento del accionamiento de comando \u00abnecesario\u00bb para los \u00absistemas de control activo de vuelo\u00bb de \u00abvuelo por se\u00f1ales \u00f3pticas\u00bb (fly-by-light<\/span>);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Algoritmos en tiempo real para analizar la informaci\u00f3n procedente de sensores de los componentes para predecir y mitigar de antemano la pr\u00f3xima degradaci\u00f3n y los fallos de los componentes dentro de un \u00absistema de control activo de vuelo\u00bb;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07E004.b.3 no somete a control los algoritmos para fines de mantenimiento fuera de l\u00ednea<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Algoritmos en tiempo real para detectar fallos de componentes y reconfigurar los controles de fuerza y de momento para mitigar las degradaciones y los fallos de los \u00absistemas de control activo de vuelo\u00bb;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07E004.b.4 no somete a control los algoritmos para la eliminaci\u00f3n de los efectos en caso de fallo mediante la comparaci\u00f3n de fuentes de datos redundantes o respuestas programadas con antelaci\u00f3n a una previsi\u00f3n de fallos fuera de l\u00ednea.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Integraci\u00f3n de los datos digitales de control de vuelo, navegaci\u00f3n y control de propulsi\u00f3n en un sistema digital de gesti\u00f3n de vuelo que tenga por objeto el \u00abcontrol total de vuelo\u00bb;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07E004.b.5 no somete a control:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de integraci\u00f3n de los datos de control de vuelo digital, de navegaci\u00f3n y de control de la propulsi\u00f3n en un sistema digital de gesti\u00f3n del vuelo para la ‘optimizaci\u00f3n de la ruta de vuelo’;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para sistemas de instrumentos para vuelo de \u00abaeronaves\u00bb integrados exclusivamente para la navegaci\u00f3n o las aproximaciones VOR, DME, ILS o MLS.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

La ‘optimizaci\u00f3n de la ruta de vuelo’ es el procedimiento que reduce al m\u00ednimo las desviaciones de una trayectoria deseada en cuatro dimensiones (espacio y tiempo) bas\u00e1ndose en el mejor rendimiento o mejor eficacia para cumplir una misi\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

7.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para derivar los requisitos funcionales para los \u00absistemas de control de vuelo por se\u00f1ales el\u00e9ctricas\u00bb que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Controles de estabilidad del fuselaje en ‘bucle interno’ que precisen unas frecuencias de cierre del bucle de 40\u00a0Hz o superiores; y<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a07E004.b.7.a, ‘bucle interno’ hace referencia a funciones de \u00absistemas de control activo de vuelo\u00bb que automatizan los controles de estabilidad del fuselaje.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Corrige un fuselaje aerodin\u00e1micamente inestable, medido en cualquier punto de la envolvente de vuelo prevista, que perder\u00eda el control recuperable si no se corrige en\u00a00,5 segundos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Acopla los controles en dos o m\u00e1s ejes mientras compensa por ‘cambios anormales en el estado de la aeronave’;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a07E004.b.7.b.2, los ‘cambios anormales en el estado de la aeronave’ incluyen da\u00f1os estructurales en vuelo, p\u00e9rdida de empuje del motor, superficie de control averiada o desplazamientos desestabilizadores de la carga.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Realiza las funciones especificadas en el subart\u00edculo\u00a07E004.b.5; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07E004.b.7.b.3 no somete a control los pilotos autom\u00e1ticos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Permite que la \u00abaeronave\u00bb tenga un vuelo controlado estable, salvo durante el despegue o el aterrizaje, con un \u00e1ngulo de ataque superior a\u00a018 grados, un derrape de 15 grados, una velocidad de cabeceo o gui\u00f1ada de 15 grados\/segundo, o una velocidad de alabeo de 90 grados\/segundo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para derivar los requisitos funcionales para los \u00absistemas de control de vuelo por se\u00f1ales el\u00e9ctricas\u00bb con el fin de conseguir todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que no se pierda el control de la \u00abaeronave\u00bb en caso de una secuencia consecutiva de dos fallos concretos de cualquier tipo en el \u00absistema de control de vuelo por se\u00f1ales el\u00e9ctricas\u00bb; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que la probabilidad de p\u00e9rdida de control de la \u00abaeronave\u00bb sea inferior a (mejor que) 1 \u00d7 10-9<\/span> fallos por hora de vuelo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a07E004.b no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb relacionada con servicios de utilidad p\u00fablica y elementos inform\u00e1ticos comunes (por ejemplo, adquisici\u00f3n de se\u00f1ales de entrada, transmisi\u00f3n de se\u00f1ales de salida, carga de datos y \u00abprogramas\u00bb inform\u00e1ticos, equipos de ensayo incorporados y mecanismos de programaci\u00f3n de horarios) que no cumple una funci\u00f3n espec\u00edfica del sistema de control de vuelo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de sistemas de helic\u00f3pteros, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Controladores de varios ejes, de vuelo controlado por se\u00f1ales el\u00e9ctricas (fly-by-wire) o vuelo controlado por se\u00f1ales \u00f3pticas (fly-by-light), que combinen las funciones de al menos dos de los siguientes elementos de control en uno solo:<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abSistemas antipar o sistemas de control de direcci\u00f3n, por control de circulaci\u00f3n\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Palas de rotor que posean ‘perfiles aerodin\u00e1micos de geometr\u00eda variable’ para su uso en sistemas que utilicen el control individual de las palas.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a07E004.c.3, los ‘perfiles aerodin\u00e1micos de geometr\u00eda variable’ utilizan alerones o aletas compensadoras, de borde de salida, o perfiles del borde de ataque o morro basculante articulado, cuyas posiciones pueden modificarse en vuelo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7E101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de equipos especificados en los art\u00edculos\u00a07A001 a\u00a07A006, 7A101 a\u00a07A106, 7A115 a\u00a07A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103 y\u00a07D101 a\u00a07D103.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7E102<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la protecci\u00f3n de subsistemas de avi\u00f3nica y el\u00e9ctricos contra los riesgos de impulso electromagn\u00e9tico (EMP) y de interferencia electromagn\u00e9tica (EMI) procedentes de fuentes externas, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de dise\u00f1o para sistemas de blindaje;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de dise\u00f1o para la configuraci\u00f3n de circuitos y subsistemas el\u00e9ctricos endurecidos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de dise\u00f1o para la determinaci\u00f3n de los criterios de endurecimiento de los subart\u00edculos 7E102.a y\u00a07E102.b.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

7E104<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la integraci\u00f3n de los datos de control de vuelo, guiado y propulsi\u00f3n en un sistema de gesti\u00f3n de vuelo para la optimizaci\u00f3n de la trayectoria del sistema de cohete.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE X<\/p>\n

Categor\u00eda 8<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 8. MARINA<\/span><\/p>\n

8A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8A001<\/p>\n<\/td>\n

Veh\u00edculos sumergibles o buques de superficie, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para lo relativo a la situaci\u00f3n de control de los equipos para veh\u00edculos sumergibles, v\u00e9ase:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los sensores, la categor\u00eda 6;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los equipos de navegaci\u00f3n, las categor\u00edas 7 y\u00a08;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Para los equipos subacu\u00e1ticos, la categor\u00eda 8A.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos sumergibles tripulados, sujetos, dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a 1\u00a0000\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos sumergibles tripulados, libres, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para ‘funcionar de forma aut\u00f3noma’ y con una capacidad de elevaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Igual o superior al 10\u00a0% de su peso en el aire; e<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Igual o superior a\u00a015\u00a0kN;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a 1\u00a0000\u00a0m; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para ‘funcionar de forma aut\u00f3noma’ de modo continuado durante 10 horas o m\u00e1s; y<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con un ‘radio de acci\u00f3n’ de 25 millas n\u00e1uticas o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a08A001.b, ‘funcionar de forma aut\u00f3noma’ significa totalmente sumergido, sin snorkel, con todos los sistemas en funcionamiento y navegando a la velocidad m\u00ednima a la que el sumergible puede controlar con seguridad su profundidad de forma din\u00e1mica, utilizando \u00fanicamente sus timones de profundidad, sin necesidad de un buque de apoyo ni de una base de apoyo en la superficie, en el fondo del mar ni en la costa, y conteniendo un sistema de propulsi\u00f3n para utilizaci\u00f3n en inmersi\u00f3n o en superficie.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A los efectos del subart\u00edculo\u00a08A001.b.3.b, ‘radio de acci\u00f3n’ significa la mitad de la distancia m\u00e1xima durante la cual un veh\u00edculo sumergible puede ‘funcionar de forma aut\u00f3noma’.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos sumergibles no tripulados, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos sumergibles no tripulados, que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para determinar una trayectoria en relaci\u00f3n con una referencia geogr\u00e1fica cualquiera sin ayuda humana en tiempo real; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un enlace ac\u00fastico de datos o de mando;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos sumergibles no tripulados, no especificados en el subart\u00edculo\u00a08A001.c.1, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar con un amarre;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a 1\u00a0000\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para maniobras autopropulsadas por medio de motores de propulsi\u00f3n o de sistemas propulsores especificados en el subart\u00edculo\u00a08A002.a.2; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un enlace de datos de fibra \u00f3ptica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de recuperaci\u00f3n oce\u00e1nica con una capacidad de elevaci\u00f3n superior a\u00a05\u00a0MN para la recuperaci\u00f3n de objetos situados a profundidades superiores a\u00a0250\u00a0m y que tenga cualquiera de los tipos de sistemas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas din\u00e1micos de posicionamiento capaces de mantener la posici\u00f3n dentro de una distancia de 20\u00a0m respecto de un punto determinado por el sistema de navegaci\u00f3n; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de navegaci\u00f3n sobre el fondo marino y de integraci\u00f3n de navegaci\u00f3n para profundidades superiores a 1\u00a0000\u00a0m y con \u00abexactitudes\u00bb de posicionamiento dentro de una distancia de 10\u00a0m respecto de un punto predeterminado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8A002<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas marinos, equipos y componentes, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los sistemas de comunicaciones subacu\u00e1ticos, v\u00e9ase la categor\u00eda 5, primera parte (Telecomunicaciones).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas, equipos y componentes especialmente dise\u00f1ados o modificados para veh\u00edculos sumergibles y dise\u00f1ados para funcionar a profundidades superiores a 1\u00a0000\u00a0m, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Contenedores o cascos presurizados con un di\u00e1metro interior m\u00e1ximo de c\u00e1mara superior a\u00a01,5\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Propulsores el\u00e9ctricos de corriente continua y motores dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a08A002.a.2, los motores de corriente continua sin escobillas podr\u00e1n denominarse motores de corriente alterna de imanes permanentes (PMAC).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cables umbilicales y los conectores para ellos, que utilicen fibras \u00f3pticas y tengan elementos resistentes sint\u00e9ticos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes fabricados de material especificado en el art\u00edculo\u00a08C001;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas especialmente dise\u00f1ados o modificados para el ‘control autom\u00e1tico’ de los desplazamientos de los veh\u00edculos sumergibles especificados en el art\u00edculo\u00a08A001, que utilicen los datos de navegaci\u00f3n, que est\u00e9n dotados de servocontroles de bucle cerrado y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Permitan que el veh\u00edculo se sit\u00fae a menos de 10\u00a0m de un punto predeterminado de la columna de agua;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mantengan la posici\u00f3n del veh\u00edculo a menos de 10\u00a0m de un punto predeterminado de la columna de agua; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Mantengan la posici\u00f3n del veh\u00edculo a menos de 10\u00a0m cuando se siga un cable tendido sobre el fondo marino o enterrado bajo \u00e9l;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a08A002.b, los sistemas de ‘control autom\u00e1tico’ se aplican a los sistemas a bordo de veh\u00edculos sumergibles.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de penetraci\u00f3n de cascos presurizados, de fibra \u00f3ptica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de visi\u00f3n subacu\u00e1tica que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente o modificados para funcionamiento a distancia con un veh\u00edculo sumergible; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen cualquiera de las t\u00e9cnicas siguientes para reducir al m\u00ednimo los efectos de la retrodispersi\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos de tomoscopia en luz pulsada; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de tomoscopia \u00abl\u00e1ser\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes luminosas dise\u00f1adas especialmente o modificadas para su uso subacu\u00e1tico, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes luminosas estrobosc\u00f3picas capaces de generar una salida de energ\u00eda luminosa superior a\u00a0300\u00a0J por destello con una velocidad de destello de 5 destellos por segundo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fuentes luminosas de arco de arg\u00f3n dise\u00f1adas especialmente para funcionar por debajo de 1\u00a0000\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abRobots\u00bb dise\u00f1ados especialmente para un uso subacu\u00e1tico, controlados por medio de un ordenador especializado, y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas que controlen el \u00abrobot\u00bb utilizando datos procedentes de sensores que midan la fuerza o la torsi\u00f3n aplicadas a un objeto exterior, la distancia de un objeto exterior o la percepci\u00f3n t\u00e1ctil entre el \u00abrobot\u00bb y un objeto exterior; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La capacidad de ejercer una fuerza igual o superior a\u00a0250\u00a0N o un par igual o superior a\u00a0250\u00a0Nm y cuyos elementos estructurales usen aleaciones de titanio o \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb\u00bbcompuestos\u00bb (composites);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Manipuladores articulados con mando a distancia especialmente dise\u00f1ados o modificados para su empleo con veh\u00edculos sumergibles y que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de control del manipulador que utilicen datos procedentes de sensores que midan cualquiera de los valores siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La torsi\u00f3n o la fuerza aplicadas a un objeto exterior; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La percepci\u00f3n t\u00e1ctil entre el manipulador y un objeto exterior; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Controlados por t\u00e9cnicas maestro-esclavo proporcionales y dotados de 5 grados de ‘libertad de movimiento’ o m\u00e1s;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a08A002.i.2, al determinar el n\u00famero de grados de ‘libertad de movimiento’ solo se tienen en cuenta las funciones provistas de control de movimiento proporcionalmente relacionado mediante realimentaci\u00f3n posicional.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de alimentaci\u00f3n independientes del aire dise\u00f1ados especialmente para uso subacu\u00e1tico, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de alimentaci\u00f3n independientes del aire con motor de ciclo Brayton o Rankine y que tengan cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas qu\u00edmicos de depuraci\u00f3n o de absorci\u00f3n, dise\u00f1ados especialmente para la eliminaci\u00f3n del di\u00f3xido de carbono, del mon\u00f3xido de carbono y de las part\u00edculas procedentes del reciclado del escape del motor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas dise\u00f1ados especialmente para utilizar un gas monoat\u00f3mico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos o recept\u00e1culos, dise\u00f1ados especialmente para la reducci\u00f3n del ruido subacu\u00e1tico a frecuencias inferiores a\u00a010\u00a0kHz, o dispositivos de montaje especiales para amortiguar los choques; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para presurizar los productos de la reacci\u00f3n o para la reforma del combustible;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para almacenar los productos de la reacci\u00f3n; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para descargar los productos de la reacci\u00f3n frente a una presi\u00f3n de 100\u00a0kPa o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas independientes del aire con motor de ciclo di\u00e9sel y dotados de todos los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas qu\u00edmicos de depuraci\u00f3n o de absorci\u00f3n, dise\u00f1ados especialmente para la eliminaci\u00f3n del di\u00f3xido de carbono, del mon\u00f3xido de carbono y de las part\u00edculas procedentes del reciclado del escape del motor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas dise\u00f1ados especialmente para utilizar un gas monoat\u00f3mico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos o recept\u00e1culos, dise\u00f1ados especialmente para la reducci\u00f3n del ruido subacu\u00e1tico a frecuencias inferiores a\u00a010\u00a0kHz, o dispositivos de montaje especiales para amortiguar los choques; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de escape dise\u00f1ados especialmente que no descarguen de forma continua los productos de la combusti\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de alimentaci\u00f3n con \u00abpila de combustible\u00bb independientes del aire, con una potencia \u00fatil superior a\u00a02\u00a0kW y que tengan cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos o recept\u00e1culos, dise\u00f1ados especialmente para la reducci\u00f3n del ruido subacu\u00e1tico a frecuencias inferiores a\u00a010\u00a0kHz, o dispositivos de montaje especiales para amortiguar los choques; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para presurizar los productos de la reacci\u00f3n o para la reforma del combustible;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para almacenar los productos de la reacci\u00f3n; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n dise\u00f1ados especialmente para descargar los productos de la reacci\u00f3n frente a una presi\u00f3n de 100\u00a0kPa o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de alimentaci\u00f3n independientes del aire con motor de ciclo Stirling que tengan todos los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos o recept\u00e1culos, dise\u00f1ados especialmente para la reducci\u00f3n del ruido subacu\u00e1tico a frecuencias inferiores a\u00a010\u00a0kHz, o dispositivos de montaje especiales para amortiguar los choques; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de escape dise\u00f1ados especialmente que descarguen los productos de la combusti\u00f3n frente a una presi\u00f3n de 100\u00a0kPa o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

o.<\/p>\n<\/td>\n

\n

H\u00e9lices, sistemas de transmisi\u00f3n de potencia, sistemas de generaci\u00f3n de potencia y sistemas de reducci\u00f3n de ruido, y equipos asociados, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de h\u00e9lices propulsoras, de generaci\u00f3n de potencia o de transmisi\u00f3n de potencia, destinados a buques, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

H\u00e9lices de paso regulable y conjuntos de n\u00facleo, tasados para potencias superiores a\u00a030\u00a0MW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores de propulsi\u00f3n el\u00e9ctricos, de refrigeraci\u00f3n interna por l\u00edquido, con una potencia de salida superior a\u00a02,5\u00a0MW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores \u00absuperconductores\u00bb de propulsi\u00f3n , con una potencia de salida superior a\u00a00,1\u00a0MW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de transmisi\u00f3n de potencia que incorporen ejes de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) y est\u00e9n dise\u00f1ados para transmitir una potencia superior a\u00a010\u00a0MW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de h\u00e9lices ventiladas o con base ventilada tasados para potencias superiores a\u00a02,5\u00a0MW;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de reducci\u00f3n de ruido y equipos asociados, dise\u00f1ados para su uso en buques con un desplazamiento igual o superior a 1\u00a0000 toneladas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas que aten\u00faen el ruido subacu\u00e1tico a frecuencias inferiores a\u00a0500\u00a0Hz y consistan en montajes ac\u00fasticos compuestos, destinados al aislamiento ac\u00fastico de motores di\u00e9sel, grupos electr\u00f3genos di\u00e9sel, turbinas de gas, grupos electr\u00f3genos de turbina de gas, motores de propulsi\u00f3n o engranajes reductores para propulsi\u00f3n, dise\u00f1ados especialmente para el aislamiento del sonido o de las vibraciones, y con una masa intermedia superior al 30\u00a0% del equipo que deba montarse;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Sistemas activos de reducci\u00f3n o de supresi\u00f3n de ruido’, o cojinetes magn\u00e9ticos, dise\u00f1ados especialmente para sistemas de transmisi\u00f3n de potencia;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a08A002.o.3.b, los ‘sistemas activos de reducci\u00f3n o de supresi\u00f3n de ruido’ est\u00e1n provistos de sistemas de control electr\u00f3nico capaces de reducir activamente las vibraciones de los equipos generando se\u00f1ales antirruido o antivibraci\u00f3n directamente a la fuente.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores de propulsi\u00f3n el\u00e9ctricos de im\u00e1n permanente especialmente dise\u00f1ados para veh\u00edculos sumergibles, con una potencia de salida superior a\u00a00,1\u00a0MW.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a08A002.o.4 incluye sistemas de propulsi\u00f3n con toberas Kort.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

p.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de propulsi\u00f3n a chorro de bombas que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida superior a\u00a02,5\u00a0MW; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que utilicen t\u00e9cnicas de toberas divergentes y de paletas acondicionadoras del flujo con el fin de mejorar la eficacia de la propulsi\u00f3n o de reducir el ruido subacu\u00e1tico generado por la propulsi\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

q.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de buceo y nataci\u00f3n subacu\u00e1tica, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de respiraci\u00f3n de circuito cerrado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de respiraci\u00f3n de circuito semicerrado;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a08A002.q no somete a control los equipos de respiraci\u00f3n individuales para uso personal cuando acompa\u00f1en a sus usuarios.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los equipos y dispositivos dise\u00f1ados especialmente para su uso con fines militares, V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

r.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas ac\u00fasticos para disuasi\u00f3n de buzos especialmente dise\u00f1ados o modificados para perturbar a los buzos, que tengan un nivel de presi\u00f3n ac\u00fastica superior o igual a\u00a0190\u00a0dB (referencia 1\u00a0\u03bcPa a\u00a01\u00a0m) a frecuencias iguales o inferiores a\u00a0200\u00a0Hz.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a08A002.r no somete a control los sistemas de disuasi\u00f3n de buzos basados en dispositivos submarinos explosivos, pistolas de aire o fuentes combustibles.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a08A002.r incluye los sistemas ac\u00fasticos para disuasi\u00f3n de buzos que emplean fuentes basadas en la separaci\u00f3n de electrones, tambi\u00e9n llamadas fuentes de sonido plasm\u00e1ticas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

8B<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8B001<\/p>\n<\/td>\n

T\u00faneles hidrodin\u00e1micos, con un ruido de fondo inferior a\u00a0100\u00a0dB (referencia 1\u00a0\u03bcPa, 1\u00a0Hz), en la gama de frecuencia superior a\u00a00\u00a0Hz per no superior a\u00a0500\u00a0Hz y dise\u00f1ados para medir los campos ac\u00fasticos generados por un flujo hidr\u00e1ulico alrededor de los modelos de sistemas de propulsi\u00f3n.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

8C<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8C001<\/p>\n<\/td>\n

‘Espuma sint\u00e1ctica’ para uso subacu\u00e1tico que re\u00fana todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00e9ase tambi\u00e9n el subart\u00edculo\u00a08A002.a.4.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ada para aplicaciones a profundidades marinas superiores a 1\u00a0000\u00a0m; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una densidad inferior a\u00a0561\u00a0kg\/m3<\/span>.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a08C001, la ‘espuma sint\u00e1ctica’ est\u00e1 formada por esferas de pl\u00e1stico o vidrio huecas embutidas en una \u00abmatriz\u00bb de resina.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

8D\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos (software)<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos o materiales especificados en las categor\u00edas\u00a08A, 8B o 8C.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8D002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb espec\u00edficos dise\u00f1ados especialmente o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb, la reparaci\u00f3n, la revisi\u00f3n o la restauraci\u00f3n (nuevo mecanizado) de h\u00e9lices dise\u00f1adas especialmente para la reducci\u00f3n del ruido subacu\u00e1tico.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

8E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos o materiales, especificados en las categor\u00edas\u00a08A, 8B o 8C.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

8E002<\/p>\n<\/td>\n

Otras \u00abtecnolog\u00edas\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb, la \u00abproducci\u00f3n\u00bb, la reparaci\u00f3n, la revisi\u00f3n o la restauraci\u00f3n (nuevo mecanizado) de h\u00e9lices dise\u00f1adas especialmente para la reducci\u00f3n del ruido subacu\u00e1tico;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para la revisi\u00f3n o la restauraci\u00f3n de equipos especificados en el art\u00edculo\u00a08A001 o los subart\u00edculos\u00a08A002.b, 8A002.j, 8A002.o o 8A002.p;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de cualquiera de los siguientes equipos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos con efecto de superficie (del tipo de fald\u00f3n completo) que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Velocidad m\u00e1xima, a plena carga, superior a\u00a030 nudos con una altura de ola significativa de 1,25\u00a0m o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Presi\u00f3n del colch\u00f3n superior a 3\u00a0830\u00a0Pa; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Relaci\u00f3n de desplazamiento de buque descargado \/ plena carga inferior a\u00a00,70;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos con efecto de superficie (del tipo de quillas laterales) dise\u00f1ados para una velocidad m\u00e1xima, a plena carga, superior a\u00a040 nudos con una altura de ola significativa de 3,25\u00a0m o m\u00e1s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Hidroplanos dotados de sistemas activos para el control autom\u00e1tico de los sistemas de aletas portantes, dise\u00f1ados para una velocidad m\u00e1xima, a plena carga, de 40 nudos o m\u00e1s con una altura de ola significativa de 3,25\u00a0m o m\u00e1s; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Buques con \u00e1rea de flotaci\u00f3n peque\u00f1a’ que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Desplazamiento a plena carga superior a\u00a0500 toneladas dise\u00f1ados para una velocidad m\u00e1xima, a plena carga, superior a\u00a035 nudos con una altura de ola significativa de 3,25\u00a0m o m\u00e1s; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Desplazamiento a plena carga superior a 1\u00a0500 toneladas dise\u00f1ados para una velocidad m\u00e1xima, a plena carga, superior a\u00a025 nudos con una altura de ola significativa de 4\u00a0m o m\u00e1s.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a08E002.c.4, los ‘buques con \u00e1rea de flotaci\u00f3n peque\u00f1a’ se definen mediante la f\u00f3rmula siguiente: el \u00e1rea de flotaci\u00f3n para el calado operacional previsto deber\u00e1 ser inferior a\u00a02\u00a0\u00d7\u00a0(volumen desplazado a ese calado operacional previsto)2\/3<\/span>.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

PARTE XI<\/p>\n

Categor\u00eda 9<\/span><\/p>\n

CATEGOR\u00cdA 9. AERON\u00c1UTICA Y PROPULSI\u00d3N<\/span><\/p>\n

9A<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Sistemas, equipos y componentes<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los sistemas de propulsi\u00f3n dise\u00f1ados o preparados contra la radiaci\u00f3n neutr\u00f3nica o la radiaci\u00f3n ionizante transitoria, V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A001<\/p>\n<\/td>\n

Motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09A101.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que incorporen cualquiera de las \u00abtecnolog\u00edas\u00bb especificadas en los subart\u00edculos\u00a09E003.a, 9E003.h o 9E003.i.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 1:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09A001 no somete a control los motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Certificados por las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o varios Estados miembros de la UE o de los Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Destinados a propulsar \u00abaeronaves\u00bb tripuladas no militares para las que las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o varios Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar hayan expedido cualquiera de los siguientes documentos para \u00abaeronaves\u00bb con ese tipo de motor:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

un certificado tipo civil; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

un documento equivalente reconocido por la Organizaci\u00f3n de Aviaci\u00f3n Civil Internacional (OACI).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota 2:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09A001 no somete a control los motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas dise\u00f1ados para las unidades de potencia auxiliares (APU), aprobados por la autoridad de aviaci\u00f3n civil de un Estado miembro de la UE o un Estado participante en el Arreglo de Wassenaar.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A002<\/p>\n<\/td>\n

‘Motores marinos de turbina de gas’ dise\u00f1ados para utilizar combustible l\u00edquido y dotados de todas las caracter\u00edsticas siguientes, y conjuntos y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una potencia continua m\u00e1xima al funcionar en \u00abr\u00e9gimen constante\u00bb en las condiciones est\u00e1ndar de referencia especificadas en la norma ISO\u00a03977-2:1997 (o su equivalente nacional) de 24\u00a0245\u00a0kW o superior; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘consumo espec\u00edfico de combustible corregido’ no superior a\u00a00,219\u00a0kg\/kWh al 35\u00a0% de la potencia continua m\u00e1xima cuando se utilice combustible l\u00edquido.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El t\u00e9rmino ‘motores marinos de turbina de gas’ incluye los motores de turbina de gas industriales, o aeroderivados, adaptados para la generaci\u00f3n de energ\u00eda el\u00e9ctrica a bordo de un buque o para la propulsi\u00f3n del mismo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a09A002, el ‘consumo espec\u00edfico de combustible corregido’ es el consumo espec\u00edfico de combustible del motor corregido en relaci\u00f3n con un combustible l\u00edquido destilado para uso marino que tenga una energ\u00eda espec\u00edfica neta (es decir, un poder calor\u00edfico neto) de 42\u00a0MJ\/kg (norma ISO\u00a03977-2:1997).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A003<\/p>\n<\/td>\n

Conjuntos o componentes dise\u00f1ados especialmente, que incorporen cualquiera de las \u00abtecnolog\u00edas\u00bb especificadas en los subart\u00edculos\u00a09E003.a, 9E003.h, 9E003.i o 9E003.k, para cualquiera de los siguientes motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que est\u00e9n especificados en el art\u00edculo\u00a09A001; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que su dise\u00f1o o producci\u00f3n se origine bien en Estados que no pertenezcan a la UE o no participen en el Arreglo de Wassenaar, o bien en Estados desconocidos para el fabricante.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A004<\/p>\n<\/td>\n

Lanzaderas espaciales, \u00abnaves espaciales\u00bb, \u00abm\u00f3dulos de servicio de naves espaciales\u00bb, \u00abequipos de las naves espaciales para una misi\u00f3n\u00bb, sistemas o equipos a bordo de \u00abnaves espaciales\u00bb, equipos terrestres, plataformas de lanzamiento desde el aire y \u00abnaves suborbitales\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09A104.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abNaves espaciales\u00bb;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para las \u00abnaves suborbitales\u00bb, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a09A004.h.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abM\u00f3dulos de servicio de naves espaciales\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abEquipo de la nave espacial para una misi\u00f3n\u00bb que incorpore los productos especificados en los subart\u00edculos 3A001.b.1.a.4, 3A002.g, 5A001.a.1, 5A001.b.3, 5A002.c, 5A002.e, 6A002.a.1, 6A002.a.2, 6A002.b, 6A002.d, 6A003.b, 6A004.c, 6A004.e, 6A008.d, 6A008.e, 6A008.k, 6A008.l o 9A010.c;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas o equipos a bordo dise\u00f1ados especialmente para \u00abnaves espaciales\u00bb y que posean cualquiera de las funciones siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Manipulaci\u00f3n de datos de mando y telemedida;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09A004.e.1. incluye la gesti\u00f3n, el almacenamiento y el tratamiento de datos del m\u00f3dulo de servicio.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Manipulaci\u00f3n de datos de la carga \u00fatil; o<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09A004.e.2. incluye la gesti\u00f3n, el almacenamiento y el procesamiento de datos de \u00abequipos de la nave espacial para una misi\u00f3n\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Control de actitud y de \u00f3rbita;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09A004.e.3 incluye la detecci\u00f3n y la actuaci\u00f3n a fin de determinar y controlar la posici\u00f3n y la orientaci\u00f3n de una \u00abnave espacial\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los equipos dise\u00f1ados especialmente para su uso con fines militares, V\u00c9ASE LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos terrestres dise\u00f1ados especialmente para \u00abnaves espaciales\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de telemedida y de telemando dise\u00f1ados especialmente para cualquiera de las funciones de proceso de datos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proceso de datos de telemedida de sincronizaci\u00f3n de trama y correcci\u00f3n de errores, para el seguimiento del estado de funcionamiento (tambi\u00e9n denominado estado de salud y seguridad) del \u00abm\u00f3dulo de servicio de la nave espacial\u00bb; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Proceso de datos de mando para formatear los datos de mando que se env\u00edan al \u00abveh\u00edculo espacial\u00bb para controlar el \u00abm\u00f3dulo de servicio de la nave espacial\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Simuladores dise\u00f1ados especialmente para la ‘verificaci\u00f3n de los procedimientos operativos’ de la \u00abnave espacial\u00bb;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09A004.f.2, la ‘verificaci\u00f3n de los procedimientos operativos’ es cualquiera de los elementos siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Confirmaci\u00f3n de la secuencia de mandos;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abAeronaves\u00bb especialmente dise\u00f1adas o modificadas para ser plataformas de lanzamiento de lanzaderas espaciales o \u00abnaves suborbitales\u00bb desde el aire;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A005<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de propulsi\u00f3n de cohetes de propulsante l\u00edquido que contengan cualquiera de los sistemas o componentes, especificados en el art\u00edculo\u00a09A006.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 9A105 Y 9A119.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A006<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas y componentes, dise\u00f1ados especialmente para los sistemas de propulsi\u00f3n de cohetes de propulsante l\u00edquido, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 9A106, 9A108 Y 9A120.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Refrigeradores criog\u00e9nicos, dewars de peso apropiado para vuelos, conductos de calor criog\u00e9nicos o sistemas criog\u00e9nicos, dise\u00f1ados para limitar las p\u00e9rdidas de l\u00edquido criog\u00e9nico a menos del 30\u00a0% al a\u00f1o;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Contenedores criog\u00e9nicos o sistemas de refrigeraci\u00f3n en ciclo cerrado, dise\u00f1ados para mantener o producir temperaturas inferiores o iguales a\u00a0100 K (-\u00a0173,15\u00a0\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de transferencia o de almacenamiento de hidr\u00f3geno pastoso;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Turbobombas de alta presi\u00f3n (superior a\u00a017,5\u00a0MPa), componentes de bombas o sus sistemas conexos de accionamiento de turbina por generaci\u00f3n de gas o por ciclo de expansi\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de empuje de alta presi\u00f3n (superior a\u00a010,6\u00a0MPa) y toberas para ellas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de almacenamiento de propulsante que funcionen seg\u00fan el principio de la retenci\u00f3n capilar o expulsi\u00f3n positiva (es decir, con vejigas flexibles);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inyectores de propulsante l\u00edquido, con orificios individuales de di\u00e1metro igual o inferior a\u00a00,381\u00a0mm (un \u00e1rea igual o inferior a\u00a01,14 \u00d7 10-3<\/span> cm2<\/span> para los orificios no circulares) y dise\u00f1ados especialmente para los motores de cohete de propulsante l\u00edquido;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de empuje de una sola pieza de carbono-carbono o conos de salida de una sola pieza de carbono-carbono, cuya densidad sea mayor de 1,4\u00a0g\/cm3<\/span> y cuya resistencia a la tracci\u00f3n supere los 48\u00a0MPa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A007<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de propulsi\u00f3n de cohetes de propulsante s\u00f3lido que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 9A107 Y 9A119.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de impulsi\u00f3n total superior a\u00a01,1\u00a0MNs;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Impulsi\u00f3n espec\u00edfica igual o superior a\u00a02,4\u00a0kNs\/kg, cuando el flujo de la tobera se expande en las condiciones ambientales al nivel del mar para una presi\u00f3n de c\u00e1mara ajustada de 7\u00a0MPa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fracciones de la masa por fase superiores al 88\u00a0% y carga total de propulsante s\u00f3lido superior al 86\u00a0%;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes especificados en el art\u00edculo\u00a09A008; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de uni\u00f3n del propulsante y el aislamiento que utilicen dise\u00f1os de motor de uni\u00f3n directa para garantizar una \u00abuni\u00f3n mec\u00e1nica fuerte\u00bb o una barrera a la migraci\u00f3n qu\u00edmica entre el propulsante s\u00f3lido y el material de aislamiento de la carcasa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A008<\/p>\n<\/td>\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente para los sistemas de propulsi\u00f3n de cohetes de propulsante s\u00f3lido, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09A108.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de uni\u00f3n del propulsante y el aislamiento que utilicen camisas para garantizar una \u00abuni\u00f3n mec\u00e1nica fuerte\u00bb o una barrera a la migraci\u00f3n qu\u00edmica entre el propulsante s\u00f3lido y el material de aislamiento de la carcasa;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carcasas de motores, de fibras de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites<\/span>) bobinadas, con un di\u00e1metro superior a\u00a00,61\u00a0m o ‘relaciones de rendimiento estructural\u00a0(PV\/W)’ superiores a\u00a025\u00a0km;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09A008.b, la ‘relaci\u00f3n de rendimiento estructural\u00a0(PV\/W)’ es el producto de la presi\u00f3n de estallido (P) por el volumen (V) del recipiente, dividido por el peso total (W) del recipiente a presi\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Toberas con niveles de empuje superiores a\u00a045\u00a0kN o tasas de erosi\u00f3n de garganta de toberas inferiores a\u00a00,075\u00a0mm\/s;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Toberas m\u00f3viles o sistemas de control del vector de empuje por inyecci\u00f3n secundaria de fluido, con cualquiera de las capacidades siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

De movimiento omniaxial superior a \u00b1 5\u00b0;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

De rotaciones de vector angular de 20\u00b0\/s o m\u00e1s; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

De aceleraciones de vector angular de 40\u00b0\/s2<\/span> o m\u00e1s.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A009<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de propulsi\u00f3n h\u00edbrida de cohetes que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 9A109 Y 9A119.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de impulsi\u00f3n total superior a\u00a01,1\u00a0MNs; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Niveles de empuje superiores a\u00a0220\u00a0kN en condiciones de salida al vac\u00edo.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A010<\/p>\n<\/td>\n

Componentes, sistemas y estructuras dise\u00f1ados especialmente para lanzaderas, sistemas de propulsi\u00f3n de lanzaderas o \u00abnaves espaciales\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 1A002 Y 9A110.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes y estructuras, de m\u00e1s de 10\u00a0kg cada uno y dise\u00f1ados especialmente para lanzaderas, fabricados a partir de cualquiera de los materiales siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales \u00abcompuestos\u00bb (composites) consistentes en los \u00abmateriales fibrosos o filamentosos\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a01C010.e y resinas especificadas en el art\u00edculo\u00a01C008 o en el subart\u00edculo\u00a01C009.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica reforzados con cualquiera de los materiales siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales especificados en el art\u00edculo\u00a01C007;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a01C010; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros especificados en el subart\u00edculo\u00a01C002.a; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb cer\u00e1mica especificados en el art\u00edculo\u00a01C007;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El umbral de peso no afecta a los conos de ojiva.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes y estructuras, dise\u00f1ados especialmente para sistemas de propulsi\u00f3n de lanzaderas especificados en los art\u00edculos 9A005 a\u00a09A009 fabricados a partir de cualquiera de los materiales siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb especificados en el subart\u00edculo\u00a01C010.e y resinas especificadas en el art\u00edculo\u00a01C008 o el subart\u00edculo\u00a01C009.b;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica reforzados con cualquiera de los materiales siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales especificados en el art\u00edculo\u00a01C007;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a01C010; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros especificados en el subart\u00edculo\u00a01C002.a; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb cer\u00e1mica especificados en el art\u00edculo\u00a01C007;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes estructurales y sistemas de aislamiento, dise\u00f1ados especialmente para controlar activamente la respuesta din\u00e1mica o la distorsi\u00f3n de las estructuras de las \u00abnaves espaciales\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores pulsatorios de cohete de propulsante l\u00edquido con una relaci\u00f3n empuje\/peso igual o mayor que 1\u00a0kN\/kg y un ‘tiempo de respuesta’ inferior a\u00a030\u00a0ms.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09A010.d., el ‘tiempo de respuesta’ es el tiempo necesario para conseguir el 90\u00a0% del empuje total nominal desde el arranque.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A011<\/p>\n<\/td>\n

Motores estatorreactores (ramjet), estatorreactores de combusti\u00f3n supers\u00f3nica (scramjet) o de ‘ciclo compuesto’, y los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 9A111 Y 9A118.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del art\u00edculo\u00a09A011, los \u2018motores de ciclo compuesto\u2019 combinan dos o m\u00e1s tipos de los siguientes motores:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motor con turbina de gas (turborreactor, turboh\u00e9lice y turbof\u00e1n);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores estatorreactores (ramjet) o estatorreactores de combusti\u00f3n supers\u00f3nica (scramjet);<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

\u2014<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores para cohetes (de propulsante l\u00edquido, de gel o s\u00f3lido, e h\u00edbridos)<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A012<\/p>\n<\/td>\n

\u00abVeh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados\u00bb (\u00abUAV\u00bb), \u00abdirigibles\u00bb no tripulados, equipo y componentes asociados, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09A112.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para los \u00abUAV\u00bb que son \u00abnaves suborbitales\u00bb, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a09A004.h.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abUAV\u00bb o \u00abdirigibles\u00bb no tripulados, dise\u00f1ados para tener un vuelo controlado fuera de la ‘visi\u00f3n natural’ directa del ‘operador’ y que posean alguna de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resistencia’ m\u00e1xima superior o igual a\u00a030 minutos pero inferior a\u00a01 hora; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para despegar y tener un vuelo controlado estable con r\u00e1fagas de viento iguales o superiores a\u00a046,3\u00a0km\/h (25 nudos); o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una ‘resistencia’ m\u00e1xima superior o igual a\u00a01 hora;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09A012.a:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Operador’ es una persona que inicia o dirige el \u00abUAV\u00bb o el vuelo del \u00abdirigible\u00bb no tripulado.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La ‘resistencia’ debe calcularse para condiciones de atm\u00f3sfera est\u00e1ndar internacional (ISO\u00a02533:1975) a nivel del mar con viento nulo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

La ‘visi\u00f3n natural’ es la vista humana sin ayuda, con o sin lentes correctoras.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos y componentes asociados, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos o componentes, dise\u00f1ados especialmente para convertir una \u00abaeronave\u00bb tripulada o un \u00abdirigible\u00bb tripulado en un \u00abUAV\u00bb o un \u00abdirigible\u00bb no tripulado especificado en el subart\u00edculo\u00a09A012.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores de combusti\u00f3n interna rotatorios o alternativos aerobios, especialmente dise\u00f1ados o modificados para propulsar \u00abUAV\u00bb o \u00abdirigibles\u00bb no tripulados en altitudes superiores a los 15\u00a0240 metros (50\u00a0000 pies).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A101<\/p>\n<\/td>\n

Motores turborreactores y turbofanes, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A001, seg\u00fan se indica;<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores que presenten todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Valor de empuje m\u00e1ximo’ superior a\u00a0400\u00a0N con exclusi\u00f3n de los motores de uso civil certificado con un ‘valor de empuje m\u00e1ximo’ superior a 8\u00a0890\u00a0N;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Consumo espec\u00edfico de combustible de 0,15\u00a0kg N-1<\/span> h-1<\/span> o inferior ;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘peso seco’ inferior a\u00a0750\u00a0kg; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un ‘di\u00e1metro del rotor de la primera fase’ inferior a\u00a01\u00a0m;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09A101.a.1, el ‘valor de empuje m\u00e1ximo’ es el empuje m\u00e1ximo demostrado por el fabricante para el tipo de motor no instalado en condiciones est\u00e1ticas al nivel del mar utilizando la atm\u00f3sfera est\u00e1ndar de la OACI. El valor del empuje certificado tipo civil ser\u00e1 igual o inferior al empuje m\u00e1ximo demostrado por el fabricante para el tipo de motor sin instalar.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El consumo espec\u00edfico de combustible se determina utilizando el empuje m\u00e1ximo para el tipo de motor no instalado en condiciones est\u00e1ticas al nivel del mar utilizando la atm\u00f3sfera est\u00e1ndar de la OACI.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘peso seco’ es el peso del motor sin fluidos (combustible, fluido hidr\u00e1ulico, aceite, etc.) y no incluye la g\u00f3ndola (alojamiento).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El ‘di\u00e1metro del rotor de la primera fase’ es el di\u00e1metro de la primera fase de rotaci\u00f3n del motor, tanto si es un ventilador como un compresor, medido en el borde de ataque de los extremos de las palas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores dise\u00f1ados o modificados para uso en \u00abmisiles\u00bb o veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados especificados en el art\u00edculo\u00a09A012 o el subart\u00edculo\u00a09A112.a.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A102<\/p>\n<\/td>\n

‘Sistemas de motor turboh\u00e9lice’ dise\u00f1ados especialmente para veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados especificados en el art\u00edculo\u00a09A012 o el subart\u00edculo\u00a09A112.a, y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, con una ‘potencia m\u00e1xima’ superior a\u00a010\u00a0kW.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09A102 no somete a control los motores civiles certificados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A los efectos del art\u00edculo\u00a09A102, el ‘sistema de motor turboh\u00e9lice’ incorporar\u00e1 todo lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Un sistema de transmisi\u00f3n de potencia para transmitir la potencia a la h\u00e9lice.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A los efectos del art\u00edculo\u00a09A102, la ‘potencia m\u00e1xima’ se alcanza con el componente no instalado al nivel del mar y en condiciones est\u00e1ticas utilizando la atm\u00f3sfera est\u00e1ndar de la OACI.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A104<\/p>\n<\/td>\n

Cohetes de sondeo con un alcance de al menos 300\u00a0km.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09A004.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A105<\/p>\n<\/td>\n

Motores para cohetes de propulsante l\u00edquido o de gel, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09A119.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores para cohetes de propulsante l\u00edquido o de gel utilizables en \u00abmisiles\u00bb, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A005, integrados, o dise\u00f1ados o modificados para integrarlos en un sistema de propulsi\u00f3n de propulsante l\u00edquido o de gel que tenga una capacidad total de impulso igual o superior a\u00a01,1\u00a0MNs;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores para cohetes de propulsante l\u00edquido o de gel utilizables en sistemas de cohetes completos o en veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance de al menos 300\u00a0km, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A005 o el subart\u00edculo\u00a09A105.a, integrados, o dise\u00f1ados o modificados para integrarlos en un sistema de propulsi\u00f3n de propulsante l\u00edquido o de gel que tenga una capacidad total de impulso igual o superior a\u00a00,841\u00a0MNs.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A106<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas o componentes distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A006, seg\u00fan se indica, dise\u00f1ados especialmente para sistemas de propulsi\u00f3n l\u00edquida de cohetes o de gel:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Subsistemas de control del vector de empuje, utilizables en \u00abmisiles\u00bb;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Entre los m\u00e9todos para lograr el control del vector de empuje especificado en el subart\u00edculo\u00a09A106.c se cuentan, por ejemplo, los siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inyecci\u00f3n de fluido o gas secundario;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deflexi\u00f3n de la corriente del gas de escape (paletas o sondas); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aletas de compensaci\u00f3n del empuje (<\/span>tabs).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas de control de propulsantes l\u00edquidos y semil\u00edquidos y de gel (incluidos los oxidantes) y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, utilizables en \u00abmisiles\u00bb, dise\u00f1ados o modificados para funcionar en ambientes con vibraciones de m\u00e1s de 10\u00a0g\u00a0rms entre 20\u00a0Hz y\u00a02\u00a0kHz;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las \u00fanicas servo-v\u00e1lvulas, bombas y turbinas de gas especificadas en el subart\u00edculo\u00a09A106.d son las siguientes:<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Servo-v\u00e1lvulas dise\u00f1adas para un flujo igual o superior a\u00a024 litros por minuto, a una presi\u00f3n absoluta igual o superior a\u00a07\u00a0MPa, que posean un tiempo de respuesta del actuador inferior a\u00a0100\u00a0ms;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Bombas, para propulsantes l\u00edquidos, con una velocidad de rotaci\u00f3n del eje igual o superior a 8\u00a0000\u00a0r.p.m. al modo de funcionamiento m\u00e1ximo o con presi\u00f3n de descarga igual o superior a\u00a07\u00a0MPa;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Turbinas de gas para turbobombas de propulsante l\u00edquido, con una velocidad de rotaci\u00f3n del eje igual o superior a 8\u00a0000\u00a0r.p.m. al modo de funcionamiento m\u00e1ximo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de combusti\u00f3n y toberas para motores para cohetes de propulsante l\u00edquido o de gel utilizables en los subsistemas especificados en el art\u00edculo\u00a09A005 o\u00a09A105.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A107<\/p>\n<\/td>\n

Motores para cohetes de propulsante s\u00f3lido utilizables en sistemas de cohetes completos o en veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance de al menos 300\u00a0km, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A007, que tengan una capacidad total de impulso igual o superior a\u00a00,841\u00a0MNs.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09A119.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A108<\/p>\n<\/td>\n

Componentes, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A008, seg\u00fan se indica, dise\u00f1ados especialmente para los sistemas de propulsi\u00f3n s\u00f3lida e h\u00edbrida de cohetes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carcasas de motores de cohetes, as\u00ed como componentes de aislamiento para ellos, utilizables en los subsistemas especificados en los art\u00edculos 9A007, 9A009 o 9A107, o en el subart\u00edculo\u00a09A109.a;<\/p>\n

N.B.<\/span> Para el material de aislamiento a granel o en forma de hojas, V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N el art\u00edculo\u00a09C108.<\/span><\/p>\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a09A108 el aislamiento que se pretende aplicar a los componentes de motores de cohetes, es decir, la carcasa, toberas, aberturas de admisi\u00f3n y los cierres de la carcasa, incluye componentes de las capas de goma, curada o semicurada, que contengan material aislante o refractario. Puede estar incorporado tambi\u00e9n como botas o aletas de alivio de tensi\u00f3n.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Toberas de cohetes que puedan utilizarse en los subsistemas especificados en los art\u00edculos\u00a09A007, 9A009 o 9A107, o en el subart\u00edculo\u00a09A109.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Subsistemas de control del vector de empuje, utilizables en \u00abmisiles\u00bb.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

Entre los m\u00e9todos para lograr el control del vector de empuje especificado en el subart\u00edculo\u00a09A108.c se cuentan, por ejemplo, los siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Inyecci\u00f3n de fluido o gas secundario;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Deflexi\u00f3n de la corriente del gas de escape (paletas o sondas); o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aletas de compensaci\u00f3n del empuje (tabs).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A109<\/p>\n<\/td>\n

Motores h\u00edbridos para cohetes y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores h\u00edbridos para cohetes utilizables en sistemas completos de cohetes o veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados, con un alcance de 300\u00a0km, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A009, con una capacidad de impulso total igual o superior a\u00a00,841\u00a0MNs y componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes dise\u00f1ados especialmente para motores h\u00edbridos para cohetes especificados en el art\u00edculo\u00a09A009 que puedan utilizarse en \u00abmisiles\u00bb.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 9A009 Y 9A119.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A110<\/p>\n<\/td>\n

Estructuras de materiales compuestos (composites<\/span>), laminados y productos fabricados con estos, distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A010, dise\u00f1ados especialmente para su uso en ‘misiles’ o en los subsistemas especificados en los art\u00edculos\u00a09A005, 9A007, 9A105, 9A106.c, 9A107, 9A108.c, 9A116 o 9A119.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a01A002.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a09A110, los ‘misiles’ son sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A111<\/p>\n<\/td>\n

Motores pulsorreactores o de ondas de pulso que puedan utilizarse en \u00abmisiles\u00bb o veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados especificados en el art\u00edculo\u00a09A012 o el subart\u00edculo\u00a09A112.a, as\u00ed como los componentes dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 9A011 Y 9A118.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a09A111, los motores de ondas de pulso utilizan la detonaci\u00f3n para producir un aumento de la presi\u00f3n efectiva en la c\u00e1mara de combusti\u00f3n. Como ejemplos de motores de detonaci\u00f3n cabe mencionar los motores de ondas de pulso, los motores rotativos de detonaci\u00f3n o los motores de detonaci\u00f3n de onda continua.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A112<\/p>\n<\/td>\n

\u00abVeh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados\u00bb (\u00abUAV\u00bb), distintos de los especificados en el art\u00edculo\u00a09A012, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abVeh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados\u00bb (\u00abUAV\u00bb) con un alcance de 300\u00a0km;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abVeh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados\u00bb (\u00abUAV\u00bb) con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una capacidad aut\u00f3noma de control de vuelo y de navegaci\u00f3n; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de vuelo controlado fuera del radio de visibilidad directo con participaci\u00f3n de operador humano; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que re\u00fanan cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que incorporen un sistema\/mecanismo de pulverizaci\u00f3n de aerosoles con una capacidad superior a\u00a020 litros; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados o modificados para incorporar un sistema\/mecanismo de pulverizaci\u00f3n de aerosoles con una capacidad superior a\u00a020 litros.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un aerosol consiste en part\u00edculas o l\u00edquidos distintos de los componentes, subproductos o aditivos del carburante, como parte de la carga \u00fatil que ser\u00e1 dispersada en la atm\u00f3sfera. Los pesticidas para fumigar las cosechas y los productos qu\u00edmicos pulverizados para la siembra de nubes son ejemplos de aerosoles.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Un sistema\/mecanismo de pulverizaci\u00f3n de aerosoles contiene todos los dispositivos (mec\u00e1nicos, el\u00e9ctricos, hidr\u00e1ulicos, etc.) necesarios para el almacenamiento y la dispersi\u00f3n del aerosol en la atm\u00f3sfera. Ello incluye la posibilidad de inyectar aerosol en los gases de combusti\u00f3n y en la estela de la h\u00e9lice.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A115<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de apoyo al lanzamiento, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aparatos y dispositivos para el manejo, control, activaci\u00f3n o lanzamiento, dise\u00f1ados o modificados para las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004, los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104 o los ‘misiles’;<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el subart\u00edculo\u00a09A115.a los ‘misiles’ se refieren a sistemas completos de cohetes y veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los aparatos y dispositivos especificados en el subart\u00edculo\u00a09A115.a incluyen los instalados en aeronaves tripuladas o en veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos para el transporte, manejo, control, activaci\u00f3n o lanzamiento, dise\u00f1ados o modificados para las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004, los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104 o los \u00abmisiles\u00bb.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A116<\/p>\n<\/td>\n

Veh\u00edculos de reentrada que puedan utilizarse en \u00abmisiles\u00bb y el equipo dise\u00f1ado o modificado para ellos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Veh\u00edculos de reentrada;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Escudos t\u00e9rmicos y componentes para ellos, fabricados con materiales cer\u00e1micos o ablativos;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Los disipadores de calor y componentes para ellos, fabricados con materiales ligeros de elevada capacidad calor\u00edfica;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos electr\u00f3nicos dise\u00f1ados especialmente para los veh\u00edculos de reentrada.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A117<\/p>\n<\/td>\n

Mecanismos de etapas, mecanismos de separaci\u00f3n e interetapas, que puedan utilizarse en \u00abmisiles\u00bb.<\/span><\/p>\n

N.B.<\/span> V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09A121.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A118<\/p>\n<\/td>\n

Dispositivos reguladores de la combusti\u00f3n utilizables en motores, que puedan emplearse en \u00abmisiles\u00bb o en veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados especificados en el art\u00edculo\u00a09A012 o en el subart\u00edculo\u00a09A112.a, especificados en los art\u00edculos\u00a09A011 o 9A111.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A119<\/p>\n<\/td>\n

Etapas individuales de cohetes utilizables en sistemas de cohetes completos o en veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance de 300\u00a0km, distintas de las especificadas en los art\u00edculos\u00a09A005, 9A007, 9A009, 9A105, 9A107 y\u00a09A109.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A120<\/p>\n<\/td>\n

Tanques de propulsante l\u00edquido o de gel, distintos a los indicados en el art\u00edculo\u00a09A006, dise\u00f1ados especialmente para propulsantes especificados en el art\u00edculo\u00a01C111 u ‘otros propulsantes l\u00edquidos o de gel’ utilizados en sistemas de cohetes capaces de entregar al menos 500\u00a0kg de carga \u00fatil, con un alcance de al menos 300\u00a0km.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09A120, en ‘otros propulsantes l\u00edquidos o de gel’, incluye los propulsantes especificados en la RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA, pero no est\u00e1 limitado a estos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A121<\/p>\n<\/td>\n

Conectores el\u00e9ctricos interetapa y umbilicales dise\u00f1ados especialmente para \u00abmisiles\u00bb, lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104.<\/span><\/p>\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a09A121, los conectores el\u00e9ctricos interetapa tambi\u00e9n incluyen los conectores el\u00e9ctricos instalados entre los \u00abmisiles\u00bb, las lanzaderas espaciales o los cohetes de sondeo y su carga \u00fatil.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9A350<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas para rociar o nebulizar, especialmente dise\u00f1ados o modificados para su instalaci\u00f3n en aeronaves, \u00abveh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u00bb o veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados, y componentes concebidos especialmente para ellos, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Sistemas completos de roc\u00edo o nebulizaci\u00f3n, con capacidad para entregar, a partir de una suspensi\u00f3n l\u00edquida, un tama\u00f1o de gota inicial ‘VMD’ de menos de 50\u00a0\u03bcm, con un caudal superior a dos litros por minuto;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Brazos extensibles para rociar o conjuntos de unidades de generaci\u00f3n de aerosoles, con capacidad para entregar, a partir de una suspensi\u00f3n l\u00edquida, un tama\u00f1o de gota inicial ‘VMD’ de menos de 50\u00a0\u03bcm, con un caudal superior a dos litros por minuto;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de generaci\u00f3n de aerosoles dise\u00f1adas especialmente para su instalaci\u00f3n en los sistemas especificados en los subart\u00edculos 9A350.a y b.<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las unidades de generaci\u00f3n de aerosoles son dispositivos especialmente dise\u00f1ados o modificados para su instalaci\u00f3n en aeronaves, tales como toberas, atomizadores de tambor rotativo y dispositivos similares.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09A350 no somete a control los sistemas de roc\u00edo o nebulizaci\u00f3n y sus componentes cuando se haya demostrado que no tienen capacidad para dispensar agentes biol\u00f3gicos en forma de aerosoles infecciosos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El tama\u00f1o de gota para los equipos para roc\u00edo o toberas dise\u00f1ados especialmente para su uso en aeronaves, \u00abveh\u00edculos m\u00e1s ligeros que el aire\u00bb o veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados se medir\u00e1 con alguno de los m\u00e9todos siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e9todo l\u00e1ser Doppler;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

M\u00e9todo de difracci\u00f3n hacia delante de haz l\u00e1ser.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a09A350, ‘VMD’ significa di\u00e1metro volum\u00e9trico medio y para los sistemas basados en el agua, equivale al di\u00e1metro medio de masa (MMD).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

9B\u00a0\u00a0\u00a0Equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

a categor\u00eda 9b incluye equipos de ensayo, inspecci\u00f3n y producci\u00f3n aplicables a motores de turbina de gas aeron\u00e1uticos, derivados de la aeron\u00e1utica, industriales o marinos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B001<\/p>\n<\/td>\n

Equipos, utillaje o montajes de fabricaci\u00f3n, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a02B226.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de solidificaci\u00f3n dirigida o de moldeo monocristalino dise\u00f1ados para \u00absuperaleaciones\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Utillaje de moldeo, dise\u00f1ado especialmente para la fabricaci\u00f3n de \u00e1labes m\u00f3viles, \u00e1labes fijos o \u00abcarenados de extremo\u00bb de motores de turbina de gas, fabricado a partir de metales refractarios o cer\u00e1mica, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Unidades de machos y moldes combinados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Equipos de solidificaci\u00f3n direccional o de fabricaci\u00f3n aditiva monocristalina, dise\u00f1ados para \u00absuperaleaciones\u00bb.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B002<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de control en l\u00ednea (tiempo real), instrumentos (incluidos sensores) o equipos autom\u00e1ticos de adquisici\u00f3n y proceso de datos, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para el \u00abdesarrollo\u00bb de motores de turbina de gas o de sus conjuntos o componentes; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que incorporen cualquiera de las \u00abtecnolog\u00edas\u00bb especificadas en los subart\u00edculos\u00a09E003.h o 9E003.i.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B003<\/p>\n<\/td>\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb o el ensayo de juntas de escobilla de turbinas de gas dise\u00f1adas para funcionar a velocidades en el extremo de la junta superiores a\u00a0335\u00a0m\/s, y a temperaturas superiores a\u00a0773\u00a0K (500\u202f\u00b0C), y componentes o accesorios dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B004<\/p>\n<\/td>\n

Herramientas, matrices o montajes para el ensamblaje en estado s\u00f3lido de las combinaciones disco-perfil aerodin\u00e1mico de \u00absuperaleaci\u00f3n\u00bb, de titanio o intermet\u00e1licas, descritas en los subart\u00edculos 9E003.a.3 o 9E003.a.6, para motores de turbinas de gas.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B005<\/p>\n<\/td>\n

Sistemas de control en l\u00ednea (tiempo real), instrumentos (incluidos sensores) o equipos autom\u00e1ticos de adquisici\u00f3n y proceso de datos, dise\u00f1ados especialmente para su uso en cualquiera de los dispositivos siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09B105.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00faneles aerodin\u00e1micos dise\u00f1ados para velocidades iguales o superiores a Mach 1,2;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09B005.a no es aplicable a los t\u00faneles aerodin\u00e1micos dise\u00f1ados especialmente con fines de ense\u00f1anza que tengan un ‘tama\u00f1o de secci\u00f3n de ensayo’ (medido lateralmente) inferior a\u00a0250\u00a0mm.<\/span><\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos de la nota del subart\u00edculo\u00a09B005.a, se entiende por ‘tama\u00f1o de secci\u00f3n de ensayo’ el di\u00e1metro del c\u00edrculo, el lado del cuadrado o el lado mayor del rect\u00e1ngulo, medidos en la parte mayor de la secci\u00f3n de ensayo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dispositivos para simulaci\u00f3n de condiciones de flujo a velocidades superiores a Mach 5, incluidos t\u00faneles de impulso hipers\u00f3nico, t\u00faneles de arco a plasma, tubos de choque, t\u00faneles de choque, t\u00faneles de gas y ca\u00f1ones de gas ligeros; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

T\u00faneles aerodin\u00e1micos o dispositivos, distintos de las secciones bidimensionales, con capacidad para simular corrientes a un n\u00famero de Reynolds superior a\u00a025\u00a0x\u00a0106<\/span>.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B006<\/p>\n<\/td>\n

Equipos de ensayo de vibraciones ac\u00fasticas, con capacidad para producir niveles de presi\u00f3n s\u00f3nica iguales o superiores a\u00a0160\u00a0dB (referidos a\u00a020\u00a0\u03bcPa) con una potencia de salida nominal igual o superior a\u00a04\u00a0kW a una temperatura de la c\u00e9lula de ensayo superior a 1\u00a0273\u00a0K (1\u00a0000\u00a0\u00b0C), y calentadores de cuarzo dise\u00f1ados especialmente para ellos.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09B106.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B007<\/p>\n<\/td>\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para la inspecci\u00f3n de la integridad de los motores de cohete y que utilicen t\u00e9cnicas de ensayo no destructivas (NDT) distintas del an\u00e1lisis planar por rayos X o del an\u00e1lisis f\u00edsico o qu\u00edmico de base.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B008<\/p>\n<\/td>\n

Transductores de medici\u00f3n directa de rozamiento sobre el revestimiento de las paredes dise\u00f1ados especialmente para funcionar en un flujo de ensayo con una temperatura total (de remanso) superior a\u00a0833\u00a0K (560\u202f\u00b0C).<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B009<\/p>\n<\/td>\n

Utillaje dise\u00f1ado especialmente para la producci\u00f3n de componentes de rotor de los motores de turbina de gas por pulvimetalurgia, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a niveles de fatiga iguales o superiores al 60\u00a0% de la resistencia de rotura a la tracci\u00f3n (UTS) y a temperaturas iguales a\u00a0873\u00a0K (600\u202f\u00b0C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para funcionar a\u00a0873\u00a0K (600\u202f\u00b0C) o m\u00e1s.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09B009 no somete a control el utillaje para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de polvo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B010<\/p>\n<\/td>\n

Equipos dise\u00f1ados especialmente para la \u00abfabricaci\u00f3n\u00bb de los productos especificados en el art\u00edculo\u00a09A012.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B105<\/p>\n<\/td>\n

Instalaciones para ensayos aerodin\u00e1micos para velocidades iguales o superiores a Mach 0,9 que puedan emplearse para ‘misiles’ y sus subsistemas.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ASE TAMBI\u00c9N EL ART\u00cdCULO\u00a09B005.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09B105 incluye los t\u00faneles aerodin\u00e1micos y los t\u00faneles de choque para el estudio del flujo de aire sobre los objetos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09B105 no somete a control los t\u00faneles aerodin\u00e1micos para velocidades de Mach 3 o menos con un ‘tama\u00f1o de secci\u00f3n transversal de ensayo’ igual o inferior a\u00a0250\u00a0mm.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En la nota del art\u00edculo\u00a09B105, el ‘tama\u00f1o de secci\u00f3n transversal de ensayo’ se refiere al di\u00e1metro del c\u00edrculo, el lado del cuadrado o el lado mayor del rect\u00e1ngulo, o el eje mayor de la elipse, medidos en la parte mayor de la ‘secci\u00f3n transversal de ensayo’. ‘Secci\u00f3n transversal de ensayo’ es la secci\u00f3n perpendicular a la direcci\u00f3n del flujo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a09B105 los ‘misiles’ se refieren a sistemas completos de cohetes y veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B106<\/p>\n<\/td>\n

C\u00e1maras ambientales y c\u00e1maras anecoicas, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras ambientales que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capaces de simular las siguientes condiciones de vuelo:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Altitud igual o superior a\u00a015\u00a0km; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un intervalo de temperaturas de por debajo de 223\u00a0K (\u2013\u00a050o<\/span>C) a por encima de 398\u00a0K (125o<\/span>C); y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Que incorporen o est\u00e9n ‘dise\u00f1adas o modificadas’ para incorporar una unidad agitadora u otro tipo de equipo para ensayo de vibraciones para producir ambientes de vibraci\u00f3n iguales o superiores a\u00a010\u00a0g rms, medidos a ‘mesa vac\u00eda’ (bare table), entre 20\u00a0Hz y\u00a02\u00a0kHz ejerciendo fuerzas iguales o superiores a\u00a05\u00a0kN;<\/p>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09B106.a.2 describe sistemas capaces de generar un ambiente de vibraci\u00f3n con una onda \u00fanica (por ej., onda senoidal) y sistemas capaces de generar una vibraci\u00f3n aleatoria de banda ancha (esto es, el espectro de energ\u00eda).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el subart\u00edculo\u00a09B106.a.2, ‘dise\u00f1ada o modificada’ significa que la c\u00e1mara ambiental ofrece interfaces adecuadas (p. ej., dispositivos de sellado) para incorporar una unidad agitadora u otro tipo de equipo para ensayo de vibraciones especificado en el art\u00edculo\u00a02B116.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09B106.a.2,\u2018mesa vac\u00eda\u2019 (bare table) significa una mesa o superficie plana, sin guarniciones ni accesorios.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras ambientales capaces de simular las siguientes condiciones de vuelo:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Ambientes ac\u00fasticos de un nivel de presi\u00f3n s\u00f3nica global de 140\u00a0dB o superior (referenciado a\u00a020\u00a0\u03bcPa) o con una potencia ac\u00fastica total nominal de salida igual o superior a\u00a04\u00a0kW; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Altitud igual o superior a\u00a015\u00a0km; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Un intervalo de temperaturas de por debajo de 223\u00a0K (\u2013\u00a050o<\/span>C) a por encima de 398\u00a0K (125o<\/span>C),<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B107<\/p>\n<\/td>\n

Instalaciones para ensayos aerotermodin\u00e1micos, utilizables para ‘misiles’, sistemas de propulsi\u00f3n de cohetes de ‘misiles’ y equipos y veh\u00edculos de reentrada especificados en el art\u00edculo\u00a09A116, que presenten cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Suministro de energ\u00eda el\u00e9ctrica igual o superior a\u00a05\u00a0MW; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Presi\u00f3n total del suministro de gas igual o superior a\u00a03\u00a0MPa.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09B107 incluye instalaciones de chorro de arco de plasma y t\u00faneles aerodin\u00e1micos de plasma para el estudio de los efectos t\u00e9rmicos y mec\u00e1nicos del flujo de aire sobre los objetos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

En el art\u00edculo\u00a09B107 los ‘misiles’ se refieren a sistemas completos de cohetes y veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B115<\/p>\n<\/td>\n

\u00abEquipos de producci\u00f3n\u00bb dise\u00f1ados especialmente para los sistemas, subsistemas y componentes incluidos en los art\u00edculos 9A005 a\u00a09A009, 9A011, 9A101, 9A102, 9A105 a\u00a09A109, 9A111, 9A116 a\u00a09A120.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B116<\/p>\n<\/td>\n

\u00abMedios de producci\u00f3n\u00bb dise\u00f1ados especialmente para las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004 o para los sistemas, subsistemas y componentes especificados en los art\u00edculos\u00a09A005 a\u00a09A009, 9A011, 9A101, 9A102, 9A104 a\u00a09A109, 9A111, 9A116 a\u00a09A120 o ‘misiles’.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a09B116, los ‘misiles’ son sistemas completos de cohetes y sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9B117<\/p>\n<\/td>\n

Bancos o conjuntos de ensayo para cohetes o motores de cohetes de propulsante s\u00f3lido o l\u00edquido que tengan cualquiera de las siguientes caracter\u00edsticas:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de manejar empujes superiores a\u00a068 kN; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Capacidad de medir simult\u00e1neamente los tres componentes axiales de empuje.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

9C\u00a0\u00a0\u00a0Materiales<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9C108<\/p>\n<\/td>\n

Material de aislamiento indiferenciado y \u00abforro protector\u00bb, distinto al especificado en el art\u00edculo\u00a09A008, para carcasas de motores de cohetes utilizables en \u00abmisiles\u00bb o dise\u00f1ados especialmente para los motores para cohetes de propulsante s\u00f3lido especificados en los art\u00edculos 9A007 o 9A107.<\/span><\/p>\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a09C108 el aislamiento que se pretende aplicar a los componentes de motores de cohetes, es decir, la carcasa, toberas, aberturas de admisi\u00f3n y los cierres de la carcasa, incluye las capas de goma, curada o semicurada, que contengan material aislante o refractario. Puede estar incorporado, tambi\u00e9n, como botas o aletas de alivio de tensi\u00f3n incluidas en el art\u00edculo\u00a09A108.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9C110<\/p>\n<\/td>\n

Productos de fibra preimpregnados (prepregs<\/span>), impregnados en resina y productos de fibra preformados revestidos de metal, para estructuras de material compuesto (composites<\/span>) y para los productos laminados y manufacturados especificados en el art\u00edculo\u00a09A110, fabricados con una matriz org\u00e1nica o de metal, utilizando refuerzos fibrosos o filamentosos que tengan una \u00abresistencia espec\u00edfica a la tracci\u00f3n\u00bb superior a\u00a07,62\u00a0x\u00a0104<\/span>\u00a0m y un \u00abm\u00f3dulo espec\u00edfico\u00bb superior a\u00a03,18\u00a0x\u00a0106<\/span>\u00a0m.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

V\u00c9ANSE TAMBI\u00c9N LOS ART\u00cdCULOS 1C010 Y 1C210.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Las \u00fanicas resinas para impregnar fibras preimpregnadas (prepregs) especificadas en el art\u00edculo\u00a09C110 son aquellas con una temperatura de transici\u00f3n v\u00edtrea (Tg<\/span> ), despu\u00e9s de curada, que exceda 418\u00a0K (145\u202fo<\/span>C) seg\u00fan determina la norma ASTM D4065 o equivalentes.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

9D\u00a0\u00a0\u00a0Programas inform\u00e1ticos (software)<\/span><\/p>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb no especificados en los art\u00edculos 9D003 o 9D004, especialmente dise\u00f1ados o modificados para el \u00abdesarrollo\u00bb del equipo o la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb especificados en los art\u00edculos\u00a09A001 a\u00a09A119, la categor\u00eda\u00a09B o el art\u00edculo\u00a09E003.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb no especificados en los art\u00edculos 9D003 o 9D004, especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb del equipo especificado en los art\u00edculos 9A001 a\u00a09A119 o la categor\u00eda\u00a09B.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D003<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb que incorporen la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb especificada en el subart\u00edculo\u00a09E003.h y utilizada en los \u00absistemas FADEC\u00bb para sistemas especificados en la categor\u00eda\u00a09A o en los equipos especificados en la categor\u00eda\u00a09B.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D004<\/p>\n<\/td>\n

Otros \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb de flujo 2D o 3D viscoso, validado con datos de ensayo obtenidos en t\u00faneles aerodin\u00e1micos o en vuelo, necesario para la modelaci\u00f3n detallada del flujo en los motores;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb para ensayos de motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas o de sus conjuntos o componentes, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para el ensayo de cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas, o sus conjuntos o componentes, que incorporen la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb especificada en los subart\u00edculos 9E003.a, 9E003.h o 9E003.i; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Compresores de varias etapas que proporcionen un flujo secundario o un flujo primario, dise\u00f1ados especialmente para motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas que incorporen la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb especificada en los subart\u00edculos 9E003.a o 9E003.h; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para todo lo siguiente:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Adquisici\u00f3n y procesamiento de datos en tiempo real; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Control retroalimentado del material sometido a ensayo o las condiciones de ensayo (por ejemplo, temperatura, presi\u00f3n o caudal), mientras se realiza el ensayo;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09D004.b no somete a control los programas inform\u00e1ticos para el funcionamiento de la instalaci\u00f3n para ensayos o la seguridad de los operadores (por ejemplo, parada en caso de exceso de velocidad o detecci\u00f3n y extinci\u00f3n de incendios), o la limitaci\u00f3n de los ensayos de aceptaci\u00f3n de la \u00abproducci\u00f3n\u00bb, la reparaci\u00f3n o el mantenimiento a determinar si el producto se ha montado o reparado adecuadamente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para el control de la solidificaci\u00f3n dirigida o del crecimiento de materiales monocristalinos en equipos especificados en los subart\u00edculos\u00a09B001.a o 9B001.c;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el funcionamiento de productos especificados en el art\u00edculo\u00a09A012;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para conductos internos de enfriamiento de rotores aeron\u00e1uticos de turbina de gas, palas y \u00abcarenados de extremo\u00bb;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados especialmente para predecir condiciones de combusti\u00f3n aerotermales, aeromec\u00e1nicas y de combusti\u00f3n en motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Predicciones de modelos te\u00f3ricos de las condiciones aerotermales, aeromec\u00e1nicas y de combusti\u00f3n que hayan sido dados por v\u00e1lidos mediante datos de rendimiento de motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas reales (experimentales o en producci\u00f3n).<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D005<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para el funcionamiento de productos especificados en los subart\u00edculos 9A004.e. o 9A004.f.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Respecto a los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb para los productos especificados en el subart\u00edculo\u00a09A004.d incluidos en el \u00abequipo de la nave especial para una misi\u00f3n\u00bb, v\u00e9anse las categor\u00edas adecuadas.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los productos especificados en los art\u00edculos\u00a09B105, 9B106, 9B107, 9B116 o 9B117.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D103<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para la modelizaci\u00f3n, la simulaci\u00f3n o la integraci\u00f3n de dise\u00f1o de las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004, de los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104 o de los \u00abmisiles\u00bb o los subsistemas especificados en los art\u00edculos\u00a09A005, 9A007 o 9A105, el subart\u00edculo\u00a09A106.c, el art\u00edculo\u00a09A107, el subart\u00edculo\u00a09A108.c, o los art\u00edculos\u00a09A116 o 9A119.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a09D103 seguir\u00e1n sometidos a control cuando se combinen con los equipos inform\u00e1ticos dise\u00f1ados especialmente especificados en el art\u00edculo\u00a04A102.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D104<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de los equipos especificados en los art\u00edculos\u00a09A001 o 9A005, los subart\u00edculos\u00a09A006.d, 9A006.g, 9A007.a, 9A009.a o 9A010.d, los art\u00edculos\u00a09A011, 9A101, 9A102 o 9A105, el subart\u00edculo\u00a09A106.d, los art\u00edculos\u00a09A107, 9A109 o 9A111, el subart\u00edculo\u00a09A115.a o los art\u00edculos\u00a09A117 o 9A118.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para la utilizaci\u00f3n o el mantenimiento de los subsistemas o equipos especificados en los subart\u00edculos\u00a09A008.d, 9A106.c, 9A108.c o 9A116.d.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9D105<\/p>\n<\/td>\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para coordinar la funci\u00f3n de m\u00e1s de un subsistema, distintos de los especificados en el subart\u00edculo\u00a09D004.e, en las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004, en los cohetes de sondeo especificados en el art\u00edculo\u00a09A104, o en ‘misiles’.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El art\u00edculo\u00a09D105 incluye \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb dise\u00f1ados especialmente para \u00abaeronaves\u00bb tripuladas convertidas para operar como \u00abveh\u00edculo a\u00e9reo no tripulado\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para integrar los equipos de conversi\u00f3n en las funciones de los sistemas de la \u00abaeronave\u00bb; y<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abProgramas inform\u00e1ticos\u00bb especialmente dise\u00f1ados o modificados para que la \u00abaeronave\u00bb opere como \u00abveh\u00edculo a\u00e9reo no tripulado\u00bb.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a09D105, los ‘misiles’ se refieren a los sistemas completos de cohetes y los sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

9E<\/span>\u00a0\u00a0\u00a0Tecnolog\u00eda<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb o de \u00abproducci\u00f3n\u00bb, especificada en los art\u00edculos\u00a09E001 a\u00a09E003, para motores de turbina de gas, contin\u00faa sometida a control cuando se utiliza para la reparaci\u00f3n o la revisi\u00f3n. Quedan excluidos del control los datos t\u00e9cnicos, los dibujos o la documentaci\u00f3n destinados a actividades de mantenimiento relacionadas directamente con el calibrado, el desmontaje o la sustituci\u00f3n de unidades da\u00f1adas o inutilizadas, sustituibles en l\u00ednea, incluida la sustituci\u00f3n de motores completos o de m\u00f3dulos de motores.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9E001<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb de los equipos o de los \u00abprogramas inform\u00e1ticos\u00bb especificados en los art\u00edculos\u00a09A004 a\u00a09A012, el art\u00edculo\u00a09A350 o las categor\u00edas\u00a09B o 9D.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9E002<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de equipos especificados en los art\u00edculos\u00a09A004 a\u00a09A011, el art\u00edculo\u00a09A350 o la categor\u00eda\u00a09B.<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de reparaci\u00f3n de estructuras, productos laminados o materiales sometidos a control, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a01E002.f.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9E003<\/p>\n<\/td>\n

Otras \u00abtecnolog\u00edas\u00bb seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09E003 incluye la tecnolog\u00eda aplicable a los motores de turbina de gas aeron\u00e1uticos, derivados de la aeron\u00e1utica, industriales o marinos.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de cualquiera de los siguientes componentes o sistemas de motores de turbina de gas:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rotores, \u00e1labes fijos o \u00abcarenados de extremo\u00bb de turbina, obtenidos por solidificaci\u00f3n dirigida (DS) o aleaciones monocristalinas (SC) y dotados de (en la direcci\u00f3n 001 del \u00edndice Miller) una vida de rotura por fatiga superior a las 400 horas a 1\u00a0273\u00a0K (1\u00a0000\u00a0\u00b0C) a una carga de 200\u00a0MPa, basada en los valores medios de las propiedades;<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09E003.a.1, los ensayos de resistencia a la rotura por fatiga se realizan normalmente utilizando una muestra de ensayo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

C\u00e1maras de combusti\u00f3n que posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Camisas desacopladas t\u00e9rmicamente’ dise\u00f1adas para funcionar con una ‘temperatura a la salida de la c\u00e1mara de combusti\u00f3n’ superior a 1\u00a0883\u00a0K (1\u00a0610\u00a0\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Carcasas no met\u00e1licas;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Camisas dise\u00f1adas para funcionar con una ‘temperatura a la salida de la c\u00e1mara de combusti\u00f3n’ superior a 1\u00a0883\u00a0K (1\u00a0610\u00a0\u00b0C), y que tengan orificios que cumplan los par\u00e1metros especificados en el subart\u00edculo\u00a09E003.c; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Combusti\u00f3n de ganancia de presi\u00f3n’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb \u00abnecesaria\u00bb para los orificios del subart\u00edculo\u00a09E003.a.2 se limita a la obtenci\u00f3n de la geometr\u00eda y situaci\u00f3n de los orificios.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09E003.a.2.a, las ‘camisas desacopladas t\u00e9rmicamente’ son camisas que presentan como m\u00ednimo una estructura de soporte dise\u00f1ada para soportar cargas mec\u00e1nicas y una estructura enfrentada a la combusti\u00f3n dise\u00f1ada para proteger la estructura de soporte del calor de la combusti\u00f3n. La estructura enfrentada a la combusti\u00f3n y la estructura de soporte presentan un desplazamiento t\u00e9rmico independiente (desplazamiento mec\u00e1nico debido a la carga t\u00e9rmica) la una respecto de la otra, es decir, est\u00e1n desacopladas t\u00e9rmicamente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos de los subart\u00edculos\u00a09E003.a.2.a y\u00a09E003.a.2.d., la ‘temperatura a la salida de la c\u00e1mara de combusti\u00f3n’ es la temperatura total indiferenciada media del paso del gas (de remanso) entre el plano de salida de la c\u00e1mara de combusti\u00f3n y el borde delantero del \u00e1labe de gu\u00eda de entrada de la turbina (es decir, medida en el motor central T40, tal como se define en SAE ARP 755A) cuando el motor est\u00e1 en marcha a un \u00abr\u00e9gimen constante\u00bb de funcionamiento a la temperatura m\u00e1xima certificada de funcionamiento continuo.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09.E.3.a.2.e, \u2018combusti\u00f3n de ganancia de presi\u00f3n\u2019 se refiere a una c\u00e1mara de combusti\u00f3n en la que la presi\u00f3n est\u00e1tica media global en la salida de la c\u00e1mara de combusti\u00f3n es superior a la presi\u00f3n est\u00e1tica media global en la entrada de la c\u00e1mara de combusti\u00f3n, debido principalmente al proceso de combusti\u00f3n, cuando el motor est\u00e1 funcionando en un \u00abmodo constante\u00bb.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Respecto de la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb \u00abnecesaria\u00bb para la fabricaci\u00f3n de los orificios de refrigeraci\u00f3n, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a09E003.c.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes que sean cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fabricados a partir de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) org\u00e1nicos dise\u00f1ados para funcionar a temperaturas superiores a\u00a0588\u00a0K (315\u202f\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fabricados a partir de cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb met\u00e1lica reforzados con cualquiera de los elementos siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Materiales especificados en el art\u00edculo\u00a01C007;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales fibrosos o filamentosos\u00bb especificados en el art\u00edculo\u00a01C010; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Aluminuros especificados en el subart\u00edculo\u00a01C002.a; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abMateriales compuestos\u00bb (composites) de \u00abmatriz\u00bb cer\u00e1mica especificados en el art\u00edculo\u00a01C007; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Estatores, \u00e1labes, rotores, carenados de extremo, anillos laminados rotatorios, discos laminados rotatorios o ‘conductos separadores’, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

No especificados en el subart\u00edculo\u00a09E003.a.3.a;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Dise\u00f1ados para compresores o ventiladores; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Fabricados a partir de materiales especificados en el subart\u00edculo\u00a01C010.e con resinas especificadas en el art\u00edculo\u00a01C008;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09E003.a.3.c, un ‘conducto separador’ realiza la separaci\u00f3n inicial del flujo aire-masa entre la derivaci\u00f3n y las secciones centrales del motor.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rotores de turbina no refrigerados, \u00e1labes o \u00abcarenados de extremo\u00bb dise\u00f1ados para funcionar a una ‘temperatura de paso del gas’ igual o superior a 1\u00a0373\u00a0K (1\u00a0100\u00a0\u00b0C);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Rotores de turbina refrigerados, \u00e1labes y \u00abcarenados de extremo\u00bb distintos de los que se describen en el subart\u00edculo\u00a09E003.a.1, dise\u00f1ados para funcionar a una ‘temperatura de paso del gas’ igual o superior a 1\u00a0693\u00a0K (1\u00a0420\u00a0\u00b0C);<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos de los subart\u00edculos\u00a09E003.a.4. y\u00a09E003.a.5, la ‘temperatura de paso del gas’ es la temperatura total indiferenciada media del paso del gas (de remanso) en el plano del borde delantero del componente de la turbina cuando el motor est\u00e1 en marcha a un \u00abr\u00e9gimen constante\u00bb de funcionamiento a la temperatura m\u00e1xima certificada de funcionamiento continuo.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Combinaciones perfil aerodin\u00e1micio-\u00e1labe del disco mediante uni\u00f3n en estado s\u00f3lido;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

8.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Componentes de rotor ‘con tolerancia a los da\u00f1os’, que utilicen materiales obtenidos por pulvimetalurgia, especificados en el subart\u00edculo\u00a01C002.b; o<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09E003.a.8, los componentes ‘con tolerancia a los da\u00f1os’ est\u00e1n dise\u00f1ados con metodolog\u00eda y sustanciaci\u00f3n para predecir y limitar el crecimiento de grietas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

11.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Palas de h\u00e9lice’ que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una o m\u00e1s cavidades cerradas, conteniendo solo vac\u00edo o gas, suponen el 20\u00a0% o m\u00e1s del volumen total; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Una o m\u00e1s cavidades cerradas tienen un volumen igual o superior a\u00a05\u00a0cm3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09E003.a.11, una ‘palas de h\u00e9lice’ es la porci\u00f3n aerodin\u00e1mica de la fase o fases rotadoras, que proporciona flujo compresor y secundario en un motor de turbina de gas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de cualquiera de los siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Maquetas para uso en t\u00faneles aerodin\u00e1micos equipadas con sensores no invasivos que permitan transmitir los datos de los sensores al sistema de recogida de datos; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Palas de h\u00e9lice o turbopropulsores de \u00abmateriales compuestos\u00bb (composites) capaces de absorber m\u00e1s de 2\u00a0000\u00a0kW a velocidades de vuelo superiores a Mach 0,55;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

La \u00abtecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para fabricar los orificios de refrigeraci\u00f3n en los componentes de los motores de turbina de gas que incorporen cualquiera de las \u00abtecnolog\u00edas\u00bb especificadas en los subart\u00edculos\u00a09E003.a.1, 9E003.a.2 o 9E003.a.5, y posean cualquiera de las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘\u00c1rea de secci\u00f3n transversal’ m\u00ednima inferior a\u00a00,45\u00a0mm2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Coeficiente de forma del orificio’ mayor de 4,52; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘\u00c1ngulo de incidencia’ igual o inferior a\u00a025; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Con todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘\u00c1rea de secci\u00f3n transversal’ m\u00ednima inferior a\u00a00,12\u00a0mm2<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Coeficiente de forma del orificio’ mayor de 5,65; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘\u00c1ngulo de incidencia’ superior a\u00a025\u00b0;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09E003.c no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb de fabricaci\u00f3n de orificios cil\u00edndricos de radio constante que son rectos y entran y salen en las superficies externas del componente.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09E003.c:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El ‘\u00e1rea de secci\u00f3n transversal’ es el \u00e1rea del orificio en el plano perpendicular al eje del orificio.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El ‘coeficiente de forma del orificio’ es la longitud nominal del eje del orificio dividida por la ra\u00edz cuadrada del ‘\u00e1rea de secci\u00f3n transversal’ m\u00ednima.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El ‘\u00e1ngulo de incidencia’ es el \u00e1ngulo agudo medido entre el plano tangente a la superficie aerodin\u00e1mica y el eje del orificio en el punto en que el eje del orificio penetra en la superficie aerodin\u00e1mica.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los m\u00e9todos de fabricaci\u00f3n de orificios incluyen el mecanizado de haz \u00abl\u00e1ser\u00bb, el mecanizado de chorro de agua, el mecanizado electroqu\u00edmico (ECM) o el mecanizado de descarga el\u00e9ctrica (EDM).<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de sistemas de transmisi\u00f3n de energ\u00eda o de rotor basculante, de helic\u00f3pteros, o de sistemas de transmisi\u00f3n de energ\u00eda de \u00abaeronaves\u00bb de alas basculantes;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de sistemas de propulsi\u00f3n de veh\u00edculos terrestres, de motor di\u00e9sel alternativo, que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘Volumen paralelepip\u00e9dico’ igual o inferior a\u00a01,2\u00a0m3<\/span>;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Potencia de salida global superior a\u00a0750\u00a0kW seg\u00fan las normas\u00a080\/1269\/CEE, ISO 2534 o sus equivalentes nacionales; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Densidad de potencia superior a\u00a0700\u00a0kW\/m3<\/span> de ‘volumen paralelepip\u00e9dico’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09E003.e, el ‘volumen paralelepip\u00e9dico’ mencionado en el subart\u00edculo\u00a09E003.e es el producto de tres dimensiones perpendiculares medidas de la manera siguiente:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Longitud:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La longitud del cig\u00fce\u00f1al desde la brida delantera a la cara frontal del volante;<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Anchura:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La mayor de cualquiera de las dimensiones siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dimensi\u00f3n exterior desde tapa de v\u00e1lvulas a tapa d; v\u00e1lvulas,<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dimensiones de las aristas exteriores de las culatas; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro de la carcasa del volante;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Altura:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

La mayor de cualquiera de las dimensiones siguientes:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Dimensi\u00f3n de la l\u00ednea central del cig\u00fce\u00f1al al plano superior de la tapa de v\u00e1lvulas (o de la culata) m\u00e1s dos veces la carrera; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Di\u00e1metro de la carcasa del volante.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

f.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de componentes dise\u00f1ados especialmente para \u00abmotores di\u00e9sel de alta potencia\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de sistemas de motores dotados de todos los componentes siguientes que utilicen materiales cer\u00e1micos especificados en el art\u00edculo\u00a01C007:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Culatas de cilindros; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Uno o varios componentes m\u00e1s (incluidas lumbreras de escape, turbocompresores, gu\u00edas de v\u00e1lvulas, conjuntos de v\u00e1lvulas o inyectores de combustibles aislados);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de sistemas de inyecci\u00f3n de turbocompresores con compresores de una etapa que re\u00fanan todas las caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Funcionamiento a relaciones de presi\u00f3n de\u00a04:1 o superiores;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Caudal m\u00e1sico en la gama de 30 y\u00a0130\u00a0kg por minuto; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Superficie de flujo variable en secciones del compresor o la turbina;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de sistemas de inyecci\u00f3n de combustible con una capacidad multicombustible dise\u00f1ada especialmente (por ejemplo, gasoil o propulsante) que cubra una gama de viscosidad comprendida entre la del gasoil (2,5\u00a0cSt a\u00a0310,8\u00a0K [37,8\u202f\u00b0C]) y la de la gasolina (0,5\u00a0cSt a\u00a0310,8\u00a0K [37,8\u202f\u00b0C]), y que re\u00fanan todas caracter\u00edsticas siguientes:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Cantidad inyectada superior a\u00a0230\u00a0mm3<\/span> por inyecci\u00f3n por cilindro; y<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

Medios de control electr\u00f3nico dise\u00f1ados especialmente para conmutar autom\u00e1ticamente las caracter\u00edsticas del regulador en funci\u00f3n de las propiedades del combustible a fin de suministrar las mismas caracter\u00edsticas del par, utilizando los sensores apropiados;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

g.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb o la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de \u00abmotores di\u00e9sel de alta potencia\u00bb para la lubricaci\u00f3n de las paredes de los cilindros mediante pel\u00edcula s\u00f3lida, en fase gaseosa o l\u00edquida (o sus combinaciones), y que permita el funcionamiento a temperaturas superiores a\u00a0723\u00a0K (450\u202f\u00b0C), medidas en la pared del cilindro en el l\u00edmite superior de la carrera del segmento m\u00e1s elevado del pist\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

h.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para \u00absistemas de control digital del motor con plena autoridad\u00bb (\u00absistemas FADEC\u00bb) para motores de turbina de gas, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb para obtener los requisitos funcionales de los componentes necesarios para que el \u00absistema FADEC\u00bb regule el empuje de la m\u00e1quina o la potencia del eje (por ejemplo, sensores de retroalimentaci\u00f3n para constantes y precisiones de tiempo, velocidad de rotaci\u00f3n de v\u00e1lvulas de combustible);<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb o de \u00abproducci\u00f3n\u00bb de componentes de control y diagn\u00f3stico espec\u00edficos del \u00absistema FADEC\u00bb y utilizados para regular el empuje de la m\u00e1quina o la potencia del eje;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb de los algoritmos de las leyes de control, incluido el \u00abc\u00f3digo fuente\u00bb, espec\u00edficos del \u00absistema FADEC\u00bb, y utilizados para regular el empuje de la m\u00e1quina o la potencia del eje;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09E003.h no somete a control los datos t\u00e9cnicos relativos a la integraci\u00f3n de los motores de \u00abaeronaves\u00bb que las autoridades de aviaci\u00f3n civil de uno o varios Estados miembros de la UE o de los Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar exigen que se publiquen para uso generalizado de las l\u00edneas a\u00e9reas (por ejemplo, manuales de instalaci\u00f3n, instrucciones operacionales e instrucciones de mantenimiento de la aeronavegabilidad) o funciones de interfaz (por ejemplo, procesamiento de entrada y salida, y demanda de empuje del fuselaje o de potencia del eje).<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

i.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb para sistemas de geometr\u00eda de flujo regulable de motores de turbina de gas dise\u00f1ados para mantener la estabilidad del motor para turbinas de generador de gas, turbinas de ventilador o de potencia, o toberas de propulsi\u00f3n, seg\u00fan se indica:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb para derivar los requisitos funcionales de los componentes que mantienen la estabilidad del motor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb o de \u00abproducci\u00f3n\u00bb para componentes exclusivos del sistema de geometr\u00eda de flujo regulable y que mantienen la estabilidad del motor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb de \u00abdesarrollo\u00bb de los algoritmos de las leyes de control, incluido el \u00abc\u00f3digo fuente\u00bb, espec\u00edficos del sistema de geometr\u00eda de flujo regulable y que mantienen la estabilidad del motor;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

Nota:<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

El subart\u00edculo\u00a09E003.i no somete a control la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb para nada de lo siguiente:<\/span><\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00c1labes de gu\u00eda de entrada;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Ventiladores de paso variable o<\/span> prop-fans;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

c.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Palas de compresor de paso variable;<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

d.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

V\u00e1lvulas de purga para compresores; o<\/span> <\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

e.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Geometr\u00eda de flujo regulable para inversor de empuje.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

j.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb\u00bbnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de sistemas de plegado del ala dise\u00f1ados para \u00abaeronaves\u00bb de ala fija propulsados por motores de turbina de gas;<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para la \u00abtecnolog\u00eda\u00bb \u00abnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de sistemas de plegado del ala dise\u00f1ados para \u00abaeronaves\u00bb de ala fija V\u00c9ASE ASIMISMO LA RELACI\u00d3N DE MATERIAL DE DEFENSA.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

k.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, no especificada en los subart\u00edculos 9E003.a., 9E003.h., o 9E003.i., \u00abnecesaria\u00bb para el \u00abdesarrollo\u00bb de cualquiera de los siguientes componentes o sistemas, dise\u00f1ados especialmente para motores aeron\u00e1uticos de turbina de gas para permitir a \u00abaeronaves\u00bb tener una velocidad de crucero de Mach\u00a01 o superior durante m\u00e1s de 30 minutos:<\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/p>\n<\/td>\n

\n

sistemas de admisi\u00f3n de la propulsi\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/p>\n<\/td>\n

\n

sistemas de escape de la propulsi\u00f3n;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘sistemas de poscombusti\u00f3n’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/p>\n<\/td>\n

\n

‘sistemas de control t\u00e9rmico activo’ para acondicionar los fluidos usados para lubricar o enfriar ‘soportes de rotores de motor’;<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u2018soportes de rotores de motor\u2019 sin aceite; o<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

6.<\/p>\n<\/td>\n

\n

sistemas para eliminar el calor del flujo primario de paso de gas del ‘sistema de compresi\u00f3n’.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Notas t\u00e9cnicas:<\/span><\/span><\/p>\n

A efectos del subart\u00edculo\u00a09E003.k:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

1.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los sistemas de admisi\u00f3n de la propulsi\u00f3n incluyen los prerrefrigeradores del flujo primario.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

2.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los \u2018sistemas de poscombusti\u00f3n\u2019 proporcionan empuje adicional quemando combustible en el flujo de escape y\/o secundario despu\u00e9s de la \u00faltima fase de la turbom\u00e1quina. Los \u2018sistemas de poscombusti\u00f3n\u2019 tambi\u00e9n se denominan posquemadores.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

3.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

Los \u2018sistemas de control t\u00e9rmico activo\u2019 utilizan m\u00e9todos distintos de la refrigeraci\u00f3n pasiva aceite-aire o aceite-combustible, tales como sistemas de ciclo de vapor.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

4.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El \u2018sistema de compresi\u00f3n\u2019 es cualquier fase o combinaci\u00f3n de fases entre la entrada de aire y la c\u00e1mara de combusti\u00f3n que aumenta mec\u00e1nicamente la presi\u00f3n del paso del gas.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

5.<\/span><\/p>\n<\/td>\n

\n

El \u2018soporte de rotores de motor\u2019 es el rodamiento que soporta el eje principal del motor que acciona el sistema de compresi\u00f3n o los rotores de la turbina.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.1<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para la tecnolog\u00eda de control del motor, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a09E003.h.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

N.B.2<\/span><\/span><\/p>\n<\/td>\n

Para la tecnolog\u00eda para sistemas de geometr\u00eda de flujo regulable, v\u00e9ase el subart\u00edculo\u00a09E003i.<\/span><\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9E101<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, seg\u00fan se indica:<\/span><\/p>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

a.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para el \u00abdesarrollo\u00bb de productos especificados en los art\u00edculos\u00a09A101, 9A102, 9A104 a\u00a09A111, el subart\u00edculo\u00a09A112.a o los art\u00edculos\u00a09A115 a\u00a09A121.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\n

b.<\/p>\n<\/td>\n

\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abproducci\u00f3n\u00bb de ‘UAV’ especificados en el art\u00edculo\u00a09A012, o de productos especificados en los art\u00edculos\u00a09A101, 9A102, 9A104 a\u00a09A111, el subart\u00edculo\u00a09A112.a o los art\u00edculos\u00a09A115 a\u00a09A121.<\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el subart\u00edculo\u00a09E101.b, los ‘UAV’ son sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n\n<\/colgroup>\n\n\n
\u00a0<\/td>\n\n

9E102<\/p>\n<\/td>\n

\u00abTecnolog\u00eda\u00bb, de acuerdo con la Nota General de Tecnolog\u00eda, para la \u00abutilizaci\u00f3n\u00bb de las lanzaderas espaciales especificadas en el art\u00edculo\u00a09A004, los productos especificados en los art\u00edculos\u00a09A005 a\u00a09A011, los ‘UAV’ especificados en el art\u00edculo\u00a09A012, o los productos especificados en los art\u00edculos\u00a09A101, 9A102, 9A104 a\u00a09A111, el subart\u00edculo\u00a09A112.a, y los art\u00edculos\u00a09A115 a\u00a09A121, 9B105, 9B106, 9B107, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 o 9D103.<\/span><\/p>\n

Nota t\u00e9cnica:<\/span><\/span><\/p>\n

En el art\u00edculo\u00a09E102, los \u2018UAV\u2019 son sistemas de veh\u00edculos a\u00e9reos no tripulados con un alcance superior a\u00a0300\u00a0km.<\/span><\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\u00bb.<\/p>\n

(1<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 https:\/\/www.dfat.gov.au\/publications\/minisite\/theaustraliagroupnet\/site\/es\/index.html<\/a>.<\/p>\n

(2<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 http:\/\/mtcr.info\/<\/a>.<\/p>\n

(3<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 http:\/\/www.nuclearsuppliersgroup.org\/index.php\/es\/<\/a>.<\/p>\n

(4<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 https:\/\/www.wassenaar.org\/es\/<\/a>.<\/p>\n

(5<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0 https:\/\/www.opcw.org\/es\/convencion-sobre-las-armas-quimicas<\/a>.<\/p>\n

(6<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0Lista Com\u00fan Militar de la Uni\u00f3n Europea (equipo contemplado en la Posici\u00f3n Com\u00fan\u00a02008\/944\/PESC del Consejo por la que se definen las normas comunes que rigen el control de las exportaciones de tecnolog\u00eda y equipos militares).<\/p>\n

(7<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0Los fabricantes que calculen la exactitud de posicionamiento de acuerdo con la norma ISO 230-2:1997 o 2006 deben consultar a las autoridades competentes del Estado miembro de la UE donde est\u00e9n establecidos.<\/p>\n

(8<\/span>)<\/a>\u00a0\u00a0Los n\u00fameros entre par\u00e9ntesis se refieren a las notas que siguen a la presente tabla.<\/p>\n<\/p><\/div>\n

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\u00a0 LA COMISI\u00d3N EUROPEA, Visto el Tratado de Funcionamiento de la Uni\u00f3n Europea, Visto el Reglamento (UE)\u00a02021\/821 del<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":22611,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_bbp_topic_count":0,"_bbp_reply_count":0,"_bbp_total_topic_count":0,"_bbp_total_reply_count":0,"_bbp_voice_count":0,"_bbp_anonymous_reply_count":0,"_bbp_topic_count_hidden":0,"_bbp_reply_count_hidden":0,"_bbp_forum_subforum_count":0,"_joinchat":[],"footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-22610","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-noticias"],"featured_image_urls":{"full":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",0,0,false],"thumbnail":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",1,1,false],"medium":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",1,1,false],"medium_large":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",1,1,false],"large":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",1,1,false],"1536x1536":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",1,1,false],"2048x2048":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",1,1,false],"morenews-large":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",1,1,false],"morenews-medium":["https:\/\/blogemergencias.es\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/wp-header-logo-464.png",1,1,false]},"author_info":{"info":["admin"]},"category_info":"Noticias<\/a>","tag_info":"Noticias","comment_count":0,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/22610","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=22610"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/22610\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/media\/22611"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=22610"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=22610"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/blogemergencias.es\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=22610"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}